JPS63244827A - 摺動接点装置 - Google Patents

摺動接点装置

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JPS63244827A
JPS63244827A JP62079071A JP7907187A JPS63244827A JP S63244827 A JPS63244827 A JP S63244827A JP 62079071 A JP62079071 A JP 62079071A JP 7907187 A JP7907187 A JP 7907187A JP S63244827 A JPS63244827 A JP S63244827A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thick film
sliding contact
pattern
contact
wiring board
Prior art date
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Pending
Application number
JP62079071A
Other languages
English (en)
Inventor
亮 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、計測器、各種機械等で、検出用、制御用、設
定用、発振器用などに使用されているボリュームスイッ
チ、ポテンシオメータ、トリマー(可変抵抗器の一種)
等で用いられる摺動接点装置の改良に関する。
(従来の技術とその問題点) 従来より上記のボリュームスイッチ、ポテンシオメータ
、トリマー等で用いられる摺動接点装置は、樹脂基板上
にカーボン(C)などの抵抗ペーストにて厚膜抵抗パタ
ーンを形成して成る配線板と、この配線板の厚膜抵抗パ
ターンに対向して摺動し得るようになされたスプリング
端子材にAg接点材をかしめ或いは溶接して成るすり接
点とにより構成されているが、この摺動接点装置は、ノ
イズが発生し易く、又接触抵抗がやや高く且つ幾分ばら
つきがあって不安定であり接触信顧性にやや欠けるもの
であった。
この為、樹脂基板上のカーボンの厚膜抵抗パターンのす
り接点と摺動する部分を、Ag−樹脂系の導体ペースト
に置き換えて硬化するかあるいは厚膜抵抗パターンのす
り接点と摺動する部分にAg−樹脂系導体ペーストを重
ねて硬化することにより、接触倍縮性を改善していた。
然し乍ら、厚膜導体パターンと接点材が同種の組合せの
為、容易に凝着、剥離が起こり、摩耗が促進され早期に
寿命となる問題点があった。
(発明の目的) 本発明は、上記問題点を解決することのできる摺動接点
装置を提供することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 前記の問題点を解決するための本発明の摺動接点装置は
、樹脂基板上に、抵抗ペーストにて厚膜抵抗パターンを
形成し、この厚膜抵抗パターンに接続してCu−樹脂系
導体ペーストにて厚膜導体パターンを形成して成る配線
板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動し
得るAg−酸化すず3〜15wt%−酸化インジウム1
〜10wt%の接点材がスプリング端子材に取付けられ
て成るすり接点とにより構成されていることを特徴とす
る。
本発明の摺動接点装置に於いて、すり接点の接点材をA
g−酸化すず3〜15帆%−酸化インジウム1〜10w
t%とした理由は、Ag中の酸化すずが31%或いは酸
化インジウムが1wt%未満だと潤滑効果が薄(、その
すり接点が樹脂基板上のCu−樹脂系の厚膜導体パター
ンとの接触に於いて凝着、剥離が生じ、酸化すずが15
wt%或いは酸化インジウムが10wt%を超えると、
ノイズの発生原因となるからである。
(作用) 上記の如く構成された摺動接点装置は、すり接点と樹脂
基板上の厚膜導体パターンとの接触作用において、すり
接点のAg−酸化すず3〜15wt%−酸化インジウム
1〜10d%接点材が滑りやすいので、Cu−樹脂系厚
膜導体パターンと凝着することが無く、そのパターンの
剥離が殆んど無くなり、摩耗が減少して良好な接触が得
られる。
(実施例) 本発明の摺動接点装置の実施例を説明すると、図に示す
如き板厚0.6mm、直径30+mのエポキシ樹脂製基
板1上の外周に幅3 mmでカーボンの抵抗ペーストを
スクリーン印刷し、130℃で硬化して厚さ10μの厚
膜抵抗パターン2を形成し、この厚膜抵抗パターン2に
接続して、周方向に、Ag−樹脂導体ペーストをスクリ
ーン印刷し、130℃で硬化して、0.2龍間隔に幅0
.2111、長さ7龍、厚さ10μの厚膜導体パターン
(Cu−樹脂26wt%)3を形成して配線板4とした
。一方、この配線板4の厚膜導体パターン3に対向して
夫々摺動するようになされた2種のすり接点5は、Ag
−酸化すず11wt%−酸化インジウム71%とAg−
酸化すず4wt%−酸化インジウム2wt%−酸化ニッ
ケル0.1wt%の2種の接点線材(直径1.5mm)
から作製した頭部径3龍、頭部厚さ0 、61s、脚部
径1.51m1.脚部長1.5龍の2種のリベット接点
6を、夫々幅4mm、厚さ0.15mmのBe−Cuよ
り成るスプリング端子材7の接点取付穴に挿入しかしめ
て成るものである。
このように構成された実施例1.2の摺動接点装置と、
Ag接点材を有するすり接点を実施例と同じ配線板4の
Cu−樹脂26wt%の厚膜導体パターン3と対向させ
て成る従来の摺動接点装置とを、下記の試験条件にて摺
動開閉試験を行った処、下記の表に示すような結果を得
た。
試験条件 接触カニ10g、動作−回転往復型(55度)、駆動;
60ストロ一ク/win、通電:12■、loomA上
記の表で明らかなように実施例1.2の摺動接点装置は
、従来例の摺動装置に比し、寿命が増していることが判
る。これはひとえにすり接点5のAg−酸化すず3〜1
51%−酸化インジウム1〜10wt%接点材が滑りや
すい為、対向するCu−樹脂系の厚膜導体パターン3と
凝着することが無く、またそのパターンが剥離すること
も無く、摩耗も減少するからに他ならない。
尚、前記の寿命は、厚膜導体パターン3の摩耗により、
すり接点5が樹脂基板との接触となって、オープン状態
(接触抵抗無限大)となった場合と、厚膜導体パターン
3間のスリット部の目詰まりによりショートした場合で
判定した。
尚、上記実施例の摺動接点装置の配線板4は円形である
が、矩形でも良いものである。その場合、厚膜抵抗パタ
ーンは矩形の配線板の一側端に形成し、厚膜導体パター
ンは厚膜抵抗パターンに接続してその長手方向に一定間
隔に平行に形成すると良い。そしてすり接点は厚膜導体
パターンに対向して厚膜抵抗パターンの長手方向に摺動
し得るようにする。また樹脂基板上にベローズ形状に前
後に往復させた厚膜抵抗パターンを形成し、その上に厚
膜導体パターンを一定間隔に並べて形成した配線板と、
この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動するよう
にしたすり接点とより成る摺動接点装置としても良い。
さらに実施例2のように酸化インジウムの一部を0.0
1〜1wt%の範囲で鉄族元素の酸化物で置き換えても
よいものである。
(発明の効果) 以上の説明で判るように本発明の摺動接点装置は、すり
接点のAg−酸化すず3〜15wt%−酸化インジウム
1〜101%が滑りやすいので、接触作用において樹脂
基板上のCu−樹脂系導体パターンと凝着することが無
く、又そのパターンの剥離も殆んど無くなり、摩耗も減
少して良好な接触が得られる。
従って、接触信頼性が向上し、摺動接点装置の寿命が著
しく増長する。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の摺動接点装置の一実施例を示す概略図であ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  樹脂基板上に、抵抗ペーストにて厚膜抵抗パターンを
    形成し、この厚膜抵抗パターンに接続してCu−樹脂系
    導体ペーストにて厚膜導体パターンを形成して成る配線
    板と、この配線板の厚膜導体パターンに対向して摺動し
    得るAg−酸化すず3〜15wt%−酸化インジウム1
    〜10wt%の接点材がスプリング端子材に取り付けら
    れて成るすり接点とにより構成されていることを特徴と
    する摺動接点装置。
JP62079071A 1987-03-31 1987-03-31 摺動接点装置 Pending JPS63244827A (ja)

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JPS63244827A true JPS63244827A (ja) 1988-10-12

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