JPS6324328B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電荷転送素子（CTD）、例えばBBD
を用いたフイルタ回路に関し、カレントミラー回
路の伝達特性の変動を除去し、フイルタ特性のば
らつきを縮小するようにしたものである。

BBDは一般に第１図に示すように構成される。
図において、入力端子１がnpn形のトランジスタ
２のベースに接続され、このトランジスタ２のエ
ミツタが定電流源３を通じて接地され、コレクタ
が電源端子４に接続される。このトランジスタ２
のエミツタが逆方向のダイオード５を通じてコン
デンサC₀の一端に接続され、このコンデンサC₀
を通じてクロツク端子６に接続される。またコン
デンサC₀の一端がnpn形のトランジスタQ₁のエミ
ツタに接続され、このトランジスタQ₁のコレク
タが次段のnpn形のトランジスタQ₂のエミツタに
接続され、以下同様にnpn形のトランジスタQ₂〜
Q_oのコレクタとエミツタとが順次接続される。
これらのトランジスタQ₁〜Q_o-1のコレクタとベ
ースとの間にそれぞれコンデンサC₁〜C_o-1が接続
される。なおコンデンサC₁〜C_o-1の容量値は全て
コンデンサC₀に等しく、Ｃとする。さらにサフ
イツクスが奇数のトランジスタQ₁，Q₃………の
ベースがクロツク端子７を通じて駆動回路８に接
続され、サフイツクスが偶数のトランジスタQ₂，
Q₄………のベースがクロツク端子６を通じて駆
動回路８に接続される。

そしてクロツク端子６，７には、それぞれ第２
図Ａ，Ｂに示すように、V_DCとV_DC＋V_Pの電位を
取り、デユーテイー比が50％で、互いに、逆極性
になるクロツク信号φ₁，φ₂が供給される。なお
電圧V_Pは、電源端子４に供給される電源電圧V_CC
に対して、 V_CC＞V_DC＋2V_P とされる。

さらに入力端子１に供給される入力信号の電圧
V_SがV_DC＋V_P≦V_S≦V_DC＋2V_Pの範囲とされる。

この装置において、初期状態では、コンデンサ
C₀〜C_o-1はすべて端子電圧がV_Pに充電されてい
る。また入力信号の電圧V_Sを直流成分V_SDCと交
流成分V_SACとに分けると、初期状態では交流成分
V_SACのみ０になつている。

従つて初期状態において、サフイツクスが偶数
のコンデンサC₀，C₂………のホツトエンド側の
電位は、第２図Ｃに示すように、信号φ₁がV_DC＋
V_Pの期間に、一旦V_DC＋2V_Pまで上がつた後に
V_SDCになり、信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間に、一旦
V_SDC−V_Pまで下がつた後にV_DC＋V_Pになる。また
サフイツクスが奇数のコンデンサC₁，C₃………
のホツトエンド側は、第２図Ｄに示すように、信
号φ₁がV_DC＋V_Pの期間に、一旦V_SDC−V_Pまで下が
つた後にV_DC＋V_Pになり、信号φ₂がV_DC＋V_Pの期
間に、一旦V_DC＋2V_Pまで上がつた後にV_SDCにな
る。

そして入力信号が供給された直後の最初の信号
φ₁がV_DC＋V_Pの期間において、このときの入力信
号の電圧をV_S＝V_S1とするとコンデンサC₀のホツ
トエンド側の電位は一旦V_DC＋2V_Pまで上がつた
後にV_S1になる。すなわちコンデンサC₀は放電し
て、｛V_S1−（V_DC＋V_P）｝Ｃの電荷を蓄える。この
ときトランジスタQ₁はオフなので、コンデンサ
C₁，C₂………には変化はない。

次に、続く信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間において、
まず信号φ₁の電位がV_DCになるので、コンデンサ
C₀のホツトエンド側の電位はV_S1−（V_DC＋V_P）＋
V_DC＝V_S1−V_Pになる。そしてトランジスタQ₁が
オンするので、コンデンサC₀のホツトエンド側
の電位は最終的にトランジスタQ₁のベース電位
（V_DC＋V_P）まで上昇する。このときトランジス
タQ₁は能動領域で動作しているので、コンデン
サC₀の充電は、端子７→コンデンサC₁→トラン
ジスタQ₁のコレクタ・エミツタ→コンデンサC₀
の経路で行われる。そしてコンデンサC₀のホツ
トエンド側の電位がV_S1−V_PからV_DC＋V_Pに変化
するので、コンデンサC₁のホツトエンド側から
コンデンサC₀のホツトエンド側への電荷の移動
は、 ｛（V_DC＋V_P）−（V_S1−V_P）｝Ｃ＝（V_DC＋2V_P−
V_S1）Ｃ で与えられる。これに対してコンデンサC₁には
最初V_P・Ｃの電荷が蓄えられていたので、コン
デンサC₁の最終電荷量は、 V_P・Ｃ−（V_DC＋2V_P−V_S1）Ｃ＝｛V_S1−（V_DC＋V
_P）｝Ｃ となる。すなわち、信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間にコ
ンデンサC₀がV_S1−（V_DC＋V_P）であつたものが、
信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間にコンデンサC₁に移動
し、コンデンサC₀はV_DC＋V_Pに戻る。なおトラン
ジスタQ₂がオフであるので、コンデンサC₂，C₃
………には変化はない。

さらに、次の信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間におい
て、入力信号の電圧がV_S＝V_S2とすると、コンデ
ンサC₀はV_S2−（V_DC＋V_P）に充電され、コンデン
サC₁はV_DC＋V_Pに戻され、コンデンサC₂はV_S1−
（V_DC＋V_P）に充電される。なおトランジスタQ₃
がオフなのでコンデンサC₃以降は変化しない。

以上の動作がくり返されて、信号は図面の左か
ら右へと、信号φ₁，φ₂に同期して移動される。

このようなBBDにおいて、さらに第３図Ａ，
Ｂに示すようにクロツク信号φ₁，φ₂の立ち下が
りの傾斜を立ち上がりよりゆるやかにすると共
に、変化を直線にして転送を行う場合がある。

すなわちこのようなクロツク信号φ₁₀，φ₂₀を使
用した場合、例えばクロツク信号φ₂₀がV_DCから
V_DC＋V_Pに変化した時点t₀において、サフイツク
スが奇数のコンデンサC₁，C₃………のホツトエ
ンド側の電位は、第３図Ｃに示すようにV_DC＋
2V_Pになる。

これに対してサフイツクスが偶数のコンデンサ
C₀，C₂………のホツトエンド側の電位は、コー
ルドエンド側に供給されるクロツク信号φ₁₀の立
ち下がりによつて、第３図Ｄに示すようにV_Sか
ら徐々に低下される。

そして時点t₁において、コンデンサC₀，C₂……
……のホツトエンド側の電位がV_DC＋V_Pになる
と、トランジスタQ₁，Q₃………がオンになる。

このトランジスタQ₁，Q₃………がオンになる
ことにより、コンデンサC₀，C₂………のホツト
エンド側の電位はV_DC＋V_Pに保持され、クロツク
信号φ₁₀の立ち下がりによる電位の低下に対応す
る電荷がコンデンサC₁，C₃………から移動され
る。

ここで、電荷の移動はクロツク信号φ₁₀の立ち
下がりに従つて行われる。このため立ち下がりの
傾斜が一定のときはこの電荷の移動も一定にな
り、それによる電流も一定になる。すなわち傾斜
を、V_P／Δτ（但し、Δτはクロツク信号の立ち下が り時間）とすると、電流値I_Tは、 I_T＝V_P／ΔτＣ の一定値になる。

そして時点t₂において、クロツク信号φ₁₀がV_DC
になると、電荷の移動は終了される。

従つてこの回路において、時点t₁〜t₂の期間に
コンデンサC₀，C₂………のホツトエンド側の電
位は、本来V_S−V_Pまで低下されるものが、V_DC＋
V_Pに保持されるので、この間に ｛V_DC＋V_P−（V_S−V_P）｝Ｃ＝（V_DC＋2V_P−V_S）Ｃ の電荷がコンデンサC₁，C₃………から移動され
る。これに対してコンデンサC₁，C₃………には
初めV_PＣの電荷が蓄えられていたので、コンデ
ンサC₁，C₃………の最終電荷量は V_PＣ−（V_DC＋2V_P−V_S）Ｃ＝｛V_S−（V_DC＋V_P）｝
Ｃ となり、コンデンサC₀，C₂………の信号V_Sがコ
ンデンサC₁，C₃………に転送される。

さらに信号V_Sの値が変化すると、第３図Ｄに
示すようにコンデンサC₀，C₂………のホツトエ
ンド側の電位がV_DC＋V_Pに達するまでの時間が変
化し、第３図Ｅに示すように電流I_Tの流される時
間が変化して、信号V_Sの変化が伝達される。

そしてこれらの動作が、信号φ₁₀がV_DCからV_DC
＋V_Pに変化するときにも同様に行われて、コン
デンサC₁，C₃………の信号がコンデンサC₂，C₄
………に転送され、これらの動作がくり返され
て、信号は図面の左から右へと信号φ₁₀，φ₂₀に同
期して転送される。

このようなBBDを用いて、例えば巡回形と非
巡回形のトランスバーサルフイルタを構成して所
望の特性の信号を形成する場合に、以下のような
方法が提案されている。

すなわち第４図において、サフイツクスが奇数
のコンデンサC₃，C₅………が分割され、それぞ
れC₃′，C₃″，C₅′，C₅″………とされると共に、こ
れらの容量値がそれぞれa₃C、（１−a₃）Ｃ、
a₅C、（１−a₅）Ｃ………とされる。これらの分
割された一方のコンデンサC₃′，C₅′………のコー
ルドエンド側が互いに接続され、他方のコンデン
サC₃″，C₅″………のコールドエンド側が端子７に
接続される。

またコンプリメンタリーなトランジスタ１１，
１２のエミツタが互いに接続され、この接続点が
コンデンサC₃′，C₅′………の接続点に接続され
る。さらにトランジスタ１１，１２のベースが互
いに接続され、この接続点に端子７′を通じて発
振器８が接続され、この発振器８からは信号φ₂
と同位相で、V_DC−V_BEとV_DC＋V_P＋V_BE（但しV_BE
はトランジスタのベース・エミツタ間電圧）の電
位を取る信号φ₂′が供給される。そしてpnp形の
トランジスタ１２のコレクタが接地され、npn形
のトランジスタ１１のコレクタが、カレントミラ
ー回路M₁を構成する一方のpnp形のトランジス
タ１４のコレクタ及びベースに接続され、トラン
ジスタ１４のエミツタが抵抗器１５を通じて電源
端子４に接続される。

このカレントミラー回路M₁を構成する他方の
pnp形のトランジスタ１６のベースがトランジス
タ１４のベースに接続され、トランジスタ１６の
エミツタが抵抗器１７を通じて電源端子４に接続
される。そしてトランジスタ１６のコレクタが前
段のコンデンサC₁のホツトエンド側に接続され
る。なお、抵抗器１５，１７はトランジスタ１
４，１６のバランス用で抵抗値はほぼ等しい。

さらにコンプリメンタリーなトランジスタ１
８，１９のエミツタが互いに接続され、この接続
点がコンデンサ２０を通じて接地される。またト
ランジスタ１８，１９のベースが互いに接続さ
れ、この接続点が端子７′に接続される。そして
npn形のトランジスタ１８のコレクタがコンデン
サC₁のホツトエンド側に接続され、pnp形のトラ
ンジスタ１９のコレクタが接地される。なおコン
デンサ２０の容量値C_Xは、V_Pに対するV_SDCの割
合をV_SDC−（V_DC＋V_P）＝（１−ｋ）V_Pとして C_X＝ｋ（a₃＋a₅＋………）Ｃ とされる。

さらにサフイツクスが偶数のコンデンサC₂，
C₄、………が分割され、それぞれC₂′，C₂″，C₄′，
C₄″………とされると共に、これらの容量値がそ
れぞれa₂C、（１−a₂）Ｃ、a₄C、（１−a₄）Ｃ…
……とされる。これらの分割された一方のコンデ
ンサC₂′，C₄′………のコールドエンド側が互いに
接続され、他方のコンデンサC₂″，C₄″………のコ
ールドエンド側が端子６に接続される。

またコンプリメンタリーなトランジスタ２１，
２２のエミツタが互いに接続され、この接続点が
コンデンサC₄′，C₆′………の接続点に接続され
る。さらにトランジスタ２１，２２のベースが互
いに接続され、この接続点に端子６′を通じて発
振器８が接続され、この発振器８からは信号φ₁
と同位相で、V_DC−V_BEとV_DC＋V_P＋V_BEの電位を
取る信号φ₁′が供給される。そしてpnp形のトラ
ンジスタ２２のコレクタが接地され、npn形のト
ランジスタ２１のコレクタが、カレントミラー回
路M₂を構成する一方のpnp形のトランジスタ２
４のコレクタ及びベースに接続され、トランジス
タ２４のエミツタが抵抗器２５を通じて電源端子
４に接続される。

このカレントミラー回路M₂を構成する他方の
pnp形のトランジスタ２６のベースがトランジス
タ２４のベースに接続され、トランジスタ２６の
エミツタが抵抗器２７を通じて電源端子４に接続
される。そしてトランジスタ２６のコレクタが後
段のBBDbのコンデンサC_b0のホツトエンド側に
接続される。なお、抵抗器２５，２７はトランジ
スタ２４，２６のバランス用で抵抗値はほぼ等し
い。

さらにコンプリメンタリーなトランジスタ２
８，２９のエミツタが互いに接続され、この接続
点がコンデンサ３０を通じて接地される。またト
ランジスタ２８，２９のベースが互いに接続さ
れ、この接続点が端子６′に接続される。そして
npn形のトランジスタ２８のコレクタがコンデン
サCb₀のホツトエンド側に接続され、pnp形のト
ランジスタ２９のコレクタが接地される。なおコ
ンデンサ３０の容量値C_Yは、 C_Y＝ｋ｛（a₄＋a₆＋………）＋１｝Ｃ とされる。

この回路において、入力信号が供給されていな
いときは、コンデンサは全ての端子電圧がV_Pに
なつている。

これに対して入力信号が供給された直後の信号
φ₁がV_DC＋V_Pの期間において、この期間に供給さ
れた信号の電圧をV_S＝V_S1とすると、コンデンサ
C₀の端子電圧はV_PからV_S1−（V_DC＋V_P）に変化
される。さらに１クロツク期間τ（＝１／f_c：f_cはク ロツク周波数）後の信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間にコ
ンデンサC₂の端子電圧がV_PからV_S1−（V_DC＋V_P）
に変化される。

そして1.5τ後の信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間におい
て、コンデンサC₃′，C₃″の端子電圧が共にV_Pか
らV_S1−（V_DC＋V_P）に変化され、この間にコンデ
ンサC₃′からa₃CV_P−a₃C｛V_S1−（V_DC＋V_P）｝＝a₃C
｛（V_DC＋2V_P）−V_S1｝の電荷がトランジスタ１１
のコレクタを通じて放電される。

さらに2.5τ後の信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間に、コ
ンデンサC₅′が放電され、このときの放電電荷は、
a₅CV_P−a₅C｛V_S1−（V_DC＋V_P）｝＝a₅C｛（V_DC＋
2V_P）−V_S1｝となり、この電荷がトランジスタ１
１のコレクタを通じて放電される。

また3.5τ後の信号φ₂がV_DC＋V_Pの期間に、コン
デンサC₇′が放電され、このときの放電電荷は、
a₇CV_P−a₇C｛V_S1−（V_DC＋V_P）｝＝a₇C｛（V_DC＋
2V_P）−V_S1｝となり、この電荷がトランジスタ１
１のコレクタを通じて放電される。

そしてこれらの全ての放電電荷はトランジスタ
１１のコレクタを通じて流されるので、トランジ
スタ１１のコレクタを流れる電荷量Ｘは次のよう
になる。

Ｘ＝｛（V_DC＋2V_P）−V_S｝Ｃ（a₃Z^-1.5＋a₅Z^-2.5＋
a₇Z^-3.5＋………） 但し、Z^-1＝e^-s〓 Ｓ＝jω＝2πf：ｆは入力信号の周波数 すなわちトランジスタ１１のコレクタには、入
力信号を1.5τ遅延、2.5τ遅延、3.5τ遅延………し
た信号をそれぞれa₃，a₅，a₇………で重み付け
し、これらを加算した値に対応する電荷が流され
る。

この電荷の流れによる電流の平均値I_Xは、 I_X＝Ｘ／τ＝Ｘ・f_C となる。そしてこの電流I_Xがトランジスタ１４を
通じて流されることにより、これと等しい電流が
トランジスタ１６を通じて流される。このためコ
ンデンサC₁には対応する１クロツク期間（τ）
に電荷量Ｘの電荷が注入される。

従つてコンデンサC₁にはトランジスタ１６と
トランジスタQ₂とから電荷が供給されることに
なり、コンデンサC₂からトランジスタQ₂を通じ
て移動される電荷量が、トランジスタ１６から供
給される電荷量Ｘの分少なくされる。

すなわち電荷量Ｘによつて負帰還が掛けられ
る。そしてこの負帰還によつて、入力端からコン
デンサC₁のホツトエンド側までの伝達関数H_(Z)は H_(Z)＝Z^-0.5／１＋a₃Z^-1.5＋……… になる。

なお帰還の際に、信号V_Sは交流成分V_SACの他
に直流成分V_SDCも加算されるが、この直流成分
は、上述したトランジスタ１８，１９及びコンデ
ンサ２０による直流補正回路にて除去される。

さらに、帰還信号が供給されてから0.5τ後の信
号φ₁がV_DC＋V_Pの期間に、コンデンサC₂′が放電
され、このときの放電電荷は、a₂C｛（V_DC＋2V_P）
−V_X1｝となり、この電荷がトランジスタ２１の
コレクタを通じて放電される。なおV_Xは帰還信
号を含むBBDの転送信号を示す。

また1.5τ後の信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間に、コン
デンサC₄′が放電され、このときの放電電荷は、
a₄C｛（V_DC＋2V_P）−V_X1｝となり、この電荷がト
ランジスタ２１のコレクタを通じて放電される。

さらに2.5τ後の信号φ₁がV_DC＋V_Pの期間に、コ
ンデンサC₆′が放電され、このときの放電電荷は、
a₆C｛（V_DC＋2V_P）−V_X1｝となり、この電荷がト
ランジスタ２１のコレクタを通じて放電される。

そしてこれらの全ての放電電荷はトランジスタ
２１のコレクタを通じて流されるので、トランジ
スタ２１のコレクタを流れる電荷量Ｙは帰還点を
基準として、次のようになる。

Ｙ＝｛（V_DC＋2V_P）−V_X｝Ｃ（a₂Z^-0.5＋a₄Z^-1.5＋
a₆Z^-2.5＋………） すなわちトランジスタ２１のコレクタには、入
力信号及び帰還信号を0.5τ遅延、1.5τ遅延、2.5τ
遅延………した信号をそれぞれa₄，a₆，a₈………
で重み付けし、これらを加算した値に対応する電
荷が流される。

この電荷の流れによる電流の平均値I_Yは、 I_Y＝Ｙ／τ＝Ｙ・f_C となる。そしてこの電流I_Yがトランジスタ２４を
通じて流されることにより、これと等しい電流が
トランジスタ２６を通じて流される。このためコ
ンデンサCb₀からは対応する１クロツク期間
（τ）に電荷量Ｙの電荷が抽出され、この信号が
BBDbを転送される。

従つてこの回路において、入力端子１からコン
デンサCb₀のホツトエンド側までの伝達関数H_(Z)
は H_(Z)＝−Z^-1（a₂＋a₄Z^-1＋………）／１＋a₃Z^-0.5＋a
₅Z^-1.5＋……… になる。

この回路において、クロツク信号の立ち下がり
のテーパを設けると、第３図に示したように転送
電流の値は信号V_Sの変化にかかわらず一定にな
る。

ところが、カレントミラー回路M₁，M₂を流れ
る電流I_X，I_Yは、それぞれ接続されるコンデンサ
の分割の係数の和（a₃＋a₅＋………及びa₂＋a₄＋
………）に比例した値となり、カレントミラー回
路M₁，M₂ごとに異なつた電流になる。

このためのバランス用抵抗器１５，１７及び２
５，２７での降下電圧が異なり、トランジスタ１
４，１６及び２４，２６のコレクタ・エミツタ間
電圧V_CEが異なり、アーリー効果のためにカレン
トミラー回路M₁，M₂の伝達特性（利得）が異な
つてしまう。

これは、特に大規模なフイルタ装置を構成した
場合に、各カレントミラー回路の伝達特性が異な
つていると、設計上好ましくないと共に、素子の
ばらつきに対する追従性も悪くなつて、フイルタ
特性の安定化が困難になる。

また係数の和が大きくなると、カレントミラー
回路の出力側のトランジスタのV_CEが小さくな
る。このため信号の直流電位を高くしたときに
V_CEがサチユレーシヨンしてしまい、信号の直流
電位の自由度が小さくなると共に、信号のダイナ
ミツクレンジも小さくなつてしまう。

本発明はこのような点にかんがみ、簡単な構成
で上述の欠点を除去したものである。

そのため本発明においては、カレントミラー回
路のバランス用抵抗器の少なくとも出力側の抵抗
値を、係数の和に反比例する値に選定する。

すなわち第４図において、抵抗器１５，１７の
抵抗値をR_X、抵抗器２５，２７の抵抗値をR_Yと
したときに R_X（a₃＋a₅＋………）＝R_Y（a₂＋a₄＋………） となるようにR_X、R_Yの値を選定する。

従つてこの回路において、抵抗器１５，１７，
２５，２７での降下電圧は全て等しくなり、各カ
レントミラー回路M₁，M₂の伝達特性が等しくな
る。このため設計が極めて容易になると共に、素
子のばらつきに強く、フイルタ特性も安定化でき
る。

また係数の和が大きいときは、抵抗値が小さく
なるので、カレントミラー回路の出力側のトラン
ジスタV_CEが大きくなり、信号の直流電位の自由
度が大きくなると共に、信号のダイナミツクレン
ジも大きくできる。

こうしてフイルタ回路が構成されるわけである
が、本発明によれば、カレントミラー回路の伝達
特性が一致しているので、フイルタ特性の安定性
や、直流電位の自由度が増し、設計が極めて容易
になる。

なお本発明はnpn形のカレントミラー回路にも
適用できる。また一つの回路中にpnp形のカレン
トミラー回路とnpn形のカレントミラー回路とが
混在している場合には、それぞれpnp形同士ある
いはnpn形同士で反比例になつていればよく、そ
のとき比例定数は等しくなくてもよい。

さらに第５図に示すような帰還形のカレントミ
ラー回路を用いて、回路の応答を早めた場合にも
適用できる。またこの場合にもpnp形とnpn形を
使つた場合の効果は上述の通常のカレントミラー
回路の場合と同等である。

また上述の各例において、抵抗値は出力側のト
ランジスタに接続された抵抗器のみ選定された値
になつていればよい。

さらに本発明は、クロツク信号の立ち下がりに
テーパを設けた場合に限らず、立ち上がりにテー
パを設けた場合やテーパを設けない場合にも同様
の効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第３図はBBDの説明のための図、第
４図は本発明の一例の説明のための図、第５図は
他の例の説明のための図である。 １は入力端子、１５，１７，２５，２７は抵抗
器、M₁，M₂はカレントミラー回路、C₁，C₂……
はコンデンサ、Q₁，Q₂……はトランジスタであ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 電荷転送素子の複数段の容量を夫々所望比に
   分割し、該比によつて上記分割された容量は係数
   による重み付けがなされ、分割された一方の容量
   のコールドエンド側にクロツク信号を供給し、他
   の容量のコールドエンド側を夫々所定の組合せで
   互いに接続して第１及び第２の接続点を設け、制
   御電極同士及び被制御電極同士を共通に接続した
   第１の一対の相補型能動素子と第２の一対の相補
   型能動素子とを設け、上記クロツク信号と同位相
   の信号を上記第１及び第２の一対の相補型能動素
   子の制御電極に供給し、これら第１及び第２の一
   対の相補型能動素子の被制御電極を上記第１及び
   第２の接続点に夫々接続し、上記第１及び第２の
   一対の相補型能動素子を流れる電流を検出して出
   力を得るようになし、上記第１、第２の一対の相
   補型能動素子に夫々接続される第１及び第２のカ
   レントミラー回路のバランス用抵抗器のうち、少
   なくとも検出電流の出力側の抵抗値を上記係数の
   和に反比例する値に選定するようにしたことを特
   徴とするフイルタ回路。