JPS63243258A - 極薄膜の製造方法 - Google Patents
極薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS63243258A JPS63243258A JP7903587A JP7903587A JPS63243258A JP S63243258 A JPS63243258 A JP S63243258A JP 7903587 A JP7903587 A JP 7903587A JP 7903587 A JP7903587 A JP 7903587A JP S63243258 A JPS63243258 A JP S63243258A
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- Japan
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- ultra
- lower mold
- manufacturing
- teflon
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、主としてスピーカーの振動板として用いる極
薄膜の製造方法に関する。
薄膜の製造方法に関する。
（従来の技術）
従来、スピーカーの振動板には、コーン祇、ポリプロピ
レン等が使われ、特に中高音用スピーカーの振動板には
、Ａβ、Ｔｔ等の金属薄膜が使われていた。
レン等が使われ、特に中高音用スピーカーの振動板には
、Ａβ、Ｔｔ等の金属薄膜が使われていた。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが近時更に高性能の振動板が要求され、音の伝播
速度の速い、しかも軽くて剛性の高い材料から成る振動
板が求められている。また中高音用スピーカーの振動板
に使われているＡｊ！、Ｔｉ等の金属薄膜は圧延にまり
製造される為、軽量化には限界がある。この為、Ａｌ２
Ｏ３、Ｔ ＋ Ｎ 等（７）セラミックスが考えられる
が、セラミックスは従来の研摩技術では数１００μｍオ
ーダーまでの研摩が限界であり、数１０μｍオーダー研
摩は不可能であり、また任意の形状に加工することは困
工「であった。
速度の速い、しかも軽くて剛性の高い材料から成る振動
板が求められている。また中高音用スピーカーの振動板
に使われているＡｊ！、Ｔｉ等の金属薄膜は圧延にまり
製造される為、軽量化には限界がある。この為、Ａｌ２
Ｏ３、Ｔ ＋ Ｎ 等（７）セラミックスが考えられる
が、セラミックスは従来の研摩技術では数１００μｍオ
ーダーまでの研摩が限界であり、数１０μｍオーダー研
摩は不可能であり、また任意の形状に加工することは困
工「であった。
（発明の目的）
本発明は、上記諸事情に鑑みなされたもので、数１０μ
ｍオーダーの金属、半金属、半導体、セラミックス等の
極薄膜を得ることのできる製造方法を提供することを目
的とするものである。
ｍオーダーの金属、半金属、半導体、セラミックス等の
極薄膜を得ることのできる製造方法を提供することを目
的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明の極薄膜の製造方法
は、鏡面加工した母材にテフロンコーティングして成る
下型又はテフロン成形体より成る下型に、メタルマスク
をセットして所要のパターンを得、次に蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング、ＣＶＤ （化学気相成
長）等により金属、半金属、半導体、セラミックス等の
０．１〜５０μｍの極薄膜を下型上に形成し、然る後下
型のテフロン面より剥離して単独極薄膜を得ることを特
徴とするものである。
は、鏡面加工した母材にテフロンコーティングして成る
下型又はテフロン成形体より成る下型に、メタルマスク
をセットして所要のパターンを得、次に蒸着、スパッタ
リング、イオンプレーティング、ＣＶＤ （化学気相成
長）等により金属、半金属、半導体、セラミックス等の
０．１〜５０μｍの極薄膜を下型上に形成し、然る後下
型のテフロン面より剥離して単独極薄膜を得ることを特
徴とするものである。
（作用）
上記のように本発明の極薄膜の製造方法は、従来の圧延
法や研摩法と異なり、テフロン面を有する下型にメタル
マスクをセットして所要のパターンを得、これに真空中
における薄膜作成法を利用して、金属、半金属、半導体
、セラミックス等の極薄膜を形成するのであるから、音
の伝播速度が速く、軽量で剛性の高い所要形状の極薄膜
を容易に得ることができる。
法や研摩法と異なり、テフロン面を有する下型にメタル
マスクをセットして所要のパターンを得、これに真空中
における薄膜作成法を利用して、金属、半金属、半導体
、セラミックス等の極薄膜を形成するのであるから、音
の伝播速度が速く、軽量で剛性の高い所要形状の極薄膜
を容易に得ることができる。
（実施例）
本発明の極薄膜の製造方法の第１実施例の第１図及び第
２図によって説明する。第１図に示す如くスパッタリン
グ装置１内のテーブル２に、鏡面加工した縦１００龍、
横１００龍、厚さ２．３龍の石英ガラス３をセットし、
これにテフロン４を１０００人の厚さにスパッタリング
によりコーティングして下型５を形成し、この下型５上
に縦１２（１＋ｎ、横１２０龍の外側形状、直径３０ｍ
ｍの内側形状で厚さＱ、１４ｍのステンレス鋼より成る
枠状のメタルマスク６をセットして所要のパターンを得
た。次に下型５に対向してテーブル７にターゲットとし
て直径１５２．４絹、厚さ５龍のボロン板８をセントし
、下型５とボロン板８との間隔を９０ｍｍとなした後、
スパッタリング装置１内を５×１０〜’Ｔｏｒｒまで真
空引きした後、１．０Ｘ１０−３Ｔ ｏ ｒ ｒのＡｒ
ガス雰囲気になし、ボロンをＲＦ３に−で１０時間スパ
ッターして、メタルマスク６内の下型５上のパターン上
にボロンをコーティングして３０μｍの極薄膜９を形成
した。冷却後、スパッタリング装置１内より下型５を取
り出し、下型５上のマスク６を外し、第２図に示す如く
下型５上に形成された極薄膜９を剥離治具１０にて剥離
し、直径３０ｍ、厚さ３０μｍの円形の単独のボロン極
薄膜９を得た。
２図によって説明する。第１図に示す如くスパッタリン
グ装置１内のテーブル２に、鏡面加工した縦１００龍、
横１００龍、厚さ２．３龍の石英ガラス３をセットし、
これにテフロン４を１０００人の厚さにスパッタリング
によりコーティングして下型５を形成し、この下型５上
に縦１２（１＋ｎ、横１２０龍の外側形状、直径３０ｍ
ｍの内側形状で厚さＱ、１４ｍのステンレス鋼より成る
枠状のメタルマスク６をセットして所要のパターンを得
た。次に下型５に対向してテーブル７にターゲットとし
て直径１５２．４絹、厚さ５龍のボロン板８をセントし
、下型５とボロン板８との間隔を９０ｍｍとなした後、
スパッタリング装置１内を５×１０〜’Ｔｏｒｒまで真
空引きした後、１．０Ｘ１０−３Ｔ ｏ ｒ ｒのＡｒ
ガス雰囲気になし、ボロンをＲＦ３に−で１０時間スパ
ッターして、メタルマスク６内の下型５上のパターン上
にボロンをコーティングして３０μｍの極薄膜９を形成
した。冷却後、スパッタリング装置１内より下型５を取
り出し、下型５上のマスク６を外し、第２図に示す如く
下型５上に形成された極薄膜９を剥離治具１０にて剥離
し、直径３０ｍ、厚さ３０μｍの円形の単独のボロン極
薄膜９を得た。
次に第２実施例を第３図及び第４図によって説明する。
第３図に示す如くスパッタリング装置１内のテーブル２
に、鏡面加工した円錐球面状のテフロン成形体より成る
下型５′をセットし、この下型５′上に外径６０龍、内
径３０韮、厚さ０．１鰭のステンレス鋼より成る環状の
メタルマスク６′をセントして所要のパターンを得た。
に、鏡面加工した円錐球面状のテフロン成形体より成る
下型５′をセットし、この下型５′上に外径６０龍、内
径３０韮、厚さ０．１鰭のステンレス鋼より成る環状の
メタルマスク６′をセントして所要のパターンを得た。
次に下型５′に対向してテーブル７にターゲットとして
直径１５２．４ｍ■のＴｉＮ板８′をセントし、下型５
′とＴｉＮ板８′との間隔を９０■１となした後、スパ
ッタリング装置１内を５ ｘｔｏ−”ｒ ｏ ｒ ｒま
で真空引きした後、１．０Ｘ１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒの
Ａｒガス雰囲気になし、ＴｔＮをＤＣ５００Ｖで１０時
間スパッターして、メタルマスク６′内の下型５′上の
パターンにＴｉＮをコーティングして３０μｍの極薄膜
９′を形成した。冷却後、スパッタリング装置１内より
下型５′を取り出し、下型５′のメタマスク６′を外し
、第４図に示す如く下型５′上に形成された極薄膜９′
を剥離治具１０′にて剥離して、直径３０＋ｕ、高さ２
０鶴、厚さ３０μｍのコーン形の単独ＴｉＮ極薄膜９′
を得た。
直径１５２．４ｍ■のＴｉＮ板８′をセントし、下型５
′とＴｉＮ板８′との間隔を９０■１となした後、スパ
ッタリング装置１内を５ ｘｔｏ−”ｒ ｏ ｒ ｒま
で真空引きした後、１．０Ｘ１０−’Ｔ ｏ ｒ ｒの
Ａｒガス雰囲気になし、ＴｔＮをＤＣ５００Ｖで１０時
間スパッターして、メタルマスク６′内の下型５′上の
パターンにＴｉＮをコーティングして３０μｍの極薄膜
９′を形成した。冷却後、スパッタリング装置１内より
下型５′を取り出し、下型５′のメタマスク６′を外し
、第４図に示す如く下型５′上に形成された極薄膜９′
を剥離治具１０′にて剥離して、直径３０＋ｕ、高さ２
０鶴、厚さ３０μｍのコーン形の単独ＴｉＮ極薄膜９′
を得た。
こうして得られた第１実施例のボロン極薄膜９及び第２
実施例のＴｉＮ極薄膜９′は共に音の伝播速度が速く、
軽量で剛性が高いので、スピーカーの振動板として高性
能を発揮できる。
実施例のＴｉＮ極薄膜９′は共に音の伝播速度が速く、
軽量で剛性が高いので、スピーカーの振動板として高性
能を発揮できる。
尚、第１実施例は絶縁体の極薄膜を製造する場合であり
、第２実施例はセラミックスの極薄膜を製造する場合で
あるが、これに限定されるものではなく、チタン等の金
属やシリコン等の半導体の極薄膜も同様に製造できるも
のである。
、第２実施例はセラミックスの極薄膜を製造する場合で
あるが、これに限定されるものではなく、チタン等の金
属やシリコン等の半導体の極薄膜も同様に製造できるも
のである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の極薄膜の製造方法によ
れば、従来不可能だった０、１〜５０μｍの膜厚で、所
要形状の金属、半金属、半導体、セラミックス等のスピ
ーカー用振動板として音の伝播速度が速く、軽量で剛性
の高い高性能の極薄膜を容易に得ることができるという
効果がある。
れば、従来不可能だった０、１〜５０μｍの膜厚で、所
要形状の金属、半金属、半導体、セラミックス等のスピ
ーカー用振動板として音の伝播速度が速く、軽量で剛性
の高い高性能の極薄膜を容易に得ることができるという
効果がある。
第１図及び第２図は本発明の極薄膜の製造方法の第１実
施例の工程を示す図、第３図及び第４図は本発明の極薄
膜の製造方法の第２実施例の工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第２図
施例の工程を示す図、第３図及び第４図は本発明の極薄
膜の製造方法の第２実施例の工程を示す図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第２図
Claims (1)
- 鏡面加工した母材にテフロンコーティングして成る下型
又はテフロン成形体より成る下型にメタルマスクをセッ
トして所要のパターンを得、次に蒸着、スパッタリング
、イオンプレーティング、ＣＶＤ（化学気相成長）等に
より金属、半金属、半導体、セラミックス等の０．１〜
５０μｍの極薄膜を下型上に形成し、然る後下型のテフ
ロン面より剥離して単独極薄膜を得ることを特徴とする
極薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7903587A JPS63243258A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 極薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7903587A JPS63243258A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 極薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63243258A true JPS63243258A (ja) | 1988-10-11 |
Family
ID=13678663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7903587A Pending JPS63243258A (ja) | 1987-03-31 | 1987-03-31 | 極薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63243258A (ja) |
-
1987
- 1987-03-31 JP JP7903587A patent/JPS63243258A/ja active Pending
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