JPS6324078A - プラズマ洗浄法 - Google Patents
プラズマ洗浄法Info
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- JPS6324078A JPS6324078A JP16529086A JP16529086A JPS6324078A JP S6324078 A JPS6324078 A JP S6324078A JP 16529086 A JP16529086 A JP 16529086A JP 16529086 A JP16529086 A JP 16529086A JP S6324078 A JPS6324078 A JP S6324078A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、金属、無機物、高分子材料などの固体材料の
表面を清浄にするためのプラズマ洗浄法に関するもので
ある。
表面を清浄にするためのプラズマ洗浄法に関するもので
ある。
従来、被コーティング材料、被メツキ材料及び被印刷材
料等の如き固体材料の表面を清浄にするための手段とし
ては、一般に有機溶剤を用いた湿式洗浄や有機溶剤を用
いた蒸気洗浄、或いはＡｒまたは０２によるプラズマ洗
浄等の各種方法が知られている。
料等の如き固体材料の表面を清浄にするための手段とし
ては、一般に有機溶剤を用いた湿式洗浄や有機溶剤を用
いた蒸気洗浄、或いはＡｒまたは０２によるプラズマ洗
浄等の各種方法が知られている。
これらのうち、有機溶剤を用いた洗浄法は、乾燥後に溶
剤の液滴跡等の洗浄ムラが生しやすく、また使用する有
機溶剤が限られてしまい、さらに使用により有機溶剤が
徐々に汚れてしまうという欠点がある。
剤の液滴跡等の洗浄ムラが生しやすく、また使用する有
機溶剤が限られてしまい、さらに使用により有機溶剤が
徐々に汚れてしまうという欠点がある。
Ａｒによるプラズマ洗浄法は、アルゴンイオンによるス
パッタリング効果を利用するもので、酸化しやすい金属
等に対しては有効であるが、高分子材料等の清浄化に対
してはあまり有効であるとはいえない。
パッタリング効果を利用するもので、酸化しやすい金属
等に対しては有効であるが、高分子材料等の清浄化に対
してはあまり有効であるとはいえない。
また、Ｏｔによるプラズマ洗浄法は、酸素イオンによる
スパッタリング効果及び酸化作用を利用するもので、そ
の洗浄効果がやや弱く、さら二こ使用する酸素ガスには
助燃性があり、従って安全性の点で問題がある。
スパッタリング効果及び酸化作用を利用するもので、そ
の洗浄効果がやや弱く、さら二こ使用する酸素ガスには
助燃性があり、従って安全性の点で問題がある。
本発明は、以上の点に鑑み、金属や無機物などの固体材
料表面の清浄化に際し、洗浄効果が高く且つ高分子材料
に対しても有効でしかも安全性の高い洗浄方法を提供す
ることを目的としている。
料表面の清浄化に際し、洗浄効果が高く且つ高分子材料
に対しても有効でしかも安全性の高い洗浄方法を提供す
ることを目的としている。
Ｃ問題点を解決するための手段及び作用〕上記目的は、
本発明によれば、洗浄すべき固体材料の表面を、ＣＯ□
ガス中でのプラズマ放電に曝すことにより洗浄するよう
にした、固体材料の表面を清浄にするだめのプラズマ洗
浄法により達成される。
本発明によれば、洗浄すべき固体材料の表面を、ＣＯ□
ガス中でのプラズマ放電に曝すことにより洗浄するよう
にした、固体材料の表面を清浄にするだめのプラズマ洗
浄法により達成される。
この発明によれば、金属材料、無機材料、高分子材料を
問わず、洗浄効果が高く、しかも不活性のＣＯ□ガスを
用いているため安全性が高く、極めて好ましい固体材ギ
４表面の洗浄方法が提供され得る。
問わず、洗浄効果が高く、しかも不活性のＣＯ□ガスを
用いているため安全性が高く、極めて好ましい固体材ギ
４表面の洗浄方法が提供され得る。
以下、図面に示した一実施例に基づいて本発明の詳細な
説明する。
説明する。
第１図において、本発明を実施するための洗浄装置１は
、ステンレス製のチャンバー２を備えており、該チャン
バー２はＣＯ□ガスを導入するための導入口２ａと、チ
ャンバー２内の気体を排気するための排気口２ｂとを有
している。上記導入口２ａには、図示しないステンレス
製の管を介してＣＯ２ガスボンへが接続されており、ま
た上記排気口２ｂには、図示しない油回転ポンプ及び油
拡散ポンプ等の真空排気系が接続されている。３はチャ
ンバー２内のカソード電極４の上面に載置された被処理
固体材料であり、この被処理固体材料３上にはカソード
電極４に対向してアノード電極５が配設されている。上
記アノード電極５と上記カソード電極４には、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波型ｒｉ、６が接続されている。
、ステンレス製のチャンバー２を備えており、該チャン
バー２はＣＯ□ガスを導入するための導入口２ａと、チ
ャンバー２内の気体を排気するための排気口２ｂとを有
している。上記導入口２ａには、図示しないステンレス
製の管を介してＣＯ２ガスボンへが接続されており、ま
た上記排気口２ｂには、図示しない油回転ポンプ及び油
拡散ポンプ等の真空排気系が接続されている。３はチャ
ンバー２内のカソード電極４の上面に載置された被処理
固体材料であり、この被処理固体材料３上にはカソード
電極４に対向してアノード電極５が配設されている。上
記アノード電極５と上記カソード電極４には、例えば１
３．５６ＭＨｚの高周波型ｒｉ、６が接続されている。
ここで、処理される固体材料としては、表面酸化を生し
難い物質であれば広く適用可能であり、金属、無機物、
高分子材料等、清浄化されるべき全ての固体材料におい
て洗浄効果が期待できる。
難い物質であれば広く適用可能であり、金属、無機物、
高分子材料等、清浄化されるべき全ての固体材料におい
て洗浄効果が期待できる。
以上のように構成された洗浄装置１による被処理固体材
料３の洗浄は、次のように行われる。即ち、先ずカソー
ド電極４の上面に洗浄されるべき被処理固体材料３をセ
ントして、図示しない真空排気系により排気口２ｂから
チャンバー２内を１０４Ｐａ程度まで排気する。続いて
、導入口２ａから、チャンバー２内の気圧が２乃至１０
” ＰａになるまでＣＯ２ガスを導入した後、高周波電
源６を用いてプラズマ放電を生しさせて、５乃至１０分
間のプラズマ洗浄を行う。
料３の洗浄は、次のように行われる。即ち、先ずカソー
ド電極４の上面に洗浄されるべき被処理固体材料３をセ
ントして、図示しない真空排気系により排気口２ｂから
チャンバー２内を１０４Ｐａ程度まで排気する。続いて
、導入口２ａから、チャンバー２内の気圧が２乃至１０
” ＰａになるまでＣＯ２ガスを導入した後、高周波電
源６を用いてプラズマ放電を生しさせて、５乃至１０分
間のプラズマ洗浄を行う。
このようなＣｏｔ によるプラズマ洗浄においては、プ
ラズマ中で Ｃｏ、 −ｃｏ ＋ 。
ラズマ中で Ｃｏ、 −ｃｏ ＋ 。
○ ＋ ｅ → ０−
なる反応が進行し、即ちＣＯ２がＣＯと０とに分解して
、ＣＯはガスとして排気され、残った酸素イオン〇−が
洗浄に有効に作用するのである。
、ＣＯはガスとして排気され、残った酸素イオン〇−が
洗浄に有効に作用するのである。
次に、第１図に示した洗浄装置ｌを用いて金属。
無機物、高分子材料の各洗浄試験を行った。固体材料と
してガラス板、ステンレス板、ポリカーボネート板を用
い、真空度８Ｐａでそれぞれ５分間ＣＯ□プラズマ洗浄
を行った後、これらの洗浄度を水による接触角で評価し
た。その結果、各々接触角は、ガラス板で０゛、ステン
レス板で２０°、ポリカーボネートｔｆｆｌでＯｏであ
った。これに対して、従来法による湿式洗浄の場合には
、それぞれ接触角は、ガラス板で１５°、ステンレス板
で７０゛、ポリカーボネート）反で８０°であった。
してガラス板、ステンレス板、ポリカーボネート板を用
い、真空度８Ｐａでそれぞれ５分間ＣＯ□プラズマ洗浄
を行った後、これらの洗浄度を水による接触角で評価し
た。その結果、各々接触角は、ガラス板で０゛、ステン
レス板で２０°、ポリカーボネートｔｆｆｌでＯｏであ
った。これに対して、従来法による湿式洗浄の場合には
、それぞれ接触角は、ガラス板で１５°、ステンレス板
で７０゛、ポリカーボネート）反で８０°であった。
また、比較例として、同様に第１図の洗浄装置ｌにより
それぞれアルゴンガス及び０□ガスを用いて、ガラス板
、ステンレス板、ポリカーボネート板を真空度８Ｐａで
それぞれ５分間プラズマ洗浄を行ったところ、アルゴン
ガスによるプラズマ洗浄の場合には、各々接触角は、ガ
ラス板では０゛であるが、ステンレス板で３５°、ポリ
カーボネート板テ４０°であり、また０□ガスによるプ
ラズマ洗浄の場合には、各々接触角は、ガラス板で０°
、ステンレス讐反で２０゛ であるが、ポリカーボネー
トを反で１５°であった。かかる０□ガスによるプラズ
マ洗浄の場合にも、本発明によるＣＯ２による場合とほ
ぼ同様の反応、即ち １／２・０□ ＋ ｅ −吋 が進行するものと考えられるが、ＣＯ□の場合と比較す
ると効果が劣り、特に高分子材料の清浄化においては、
上記の如く本発明によるＣＯ□を用いたプラズマ洗浄と
比較して格段の差異が現れることが判る。
それぞれアルゴンガス及び０□ガスを用いて、ガラス板
、ステンレス板、ポリカーボネート板を真空度８Ｐａで
それぞれ５分間プラズマ洗浄を行ったところ、アルゴン
ガスによるプラズマ洗浄の場合には、各々接触角は、ガ
ラス板では０゛であるが、ステンレス板で３５°、ポリ
カーボネート板テ４０°であり、また０□ガスによるプ
ラズマ洗浄の場合には、各々接触角は、ガラス板で０°
、ステンレス讐反で２０゛ であるが、ポリカーボネー
トを反で１５°であった。かかる０□ガスによるプラズ
マ洗浄の場合にも、本発明によるＣＯ２による場合とほ
ぼ同様の反応、即ち １／２・０□ ＋ ｅ −吋 が進行するものと考えられるが、ＣＯ□の場合と比較す
ると効果が劣り、特に高分子材料の清浄化においては、
上記の如く本発明によるＣＯ□を用いたプラズマ洗浄と
比較して格段の差異が現れることが判る。
以上のように、ＣＯ□ガスによるプラズマ洗浄は、従来
方式による湿式洗浄或いはＡｒや０□を用いたプラズマ
洗浄の場合に較べてその洗浄効果が非常に高く、金属材
料、無機材料、高分子材料等の広い範囲の固体材料に対
して洗浄効果が認められることが判った。
方式による湿式洗浄或いはＡｒや０□を用いたプラズマ
洗浄の場合に較べてその洗浄効果が非常に高く、金属材
料、無機材料、高分子材料等の広い範囲の固体材料に対
して洗浄効果が認められることが判った。
第２図は、洗浄装置の他の構成を示しており、高周波電
源６の代わりに、直流電源７を使用していることを除い
ては、第１図の洗浄装置１と同じ構成であり、従ってこ
の洗浄装置も第１図の洗浄装置と同様に作用する。
源６の代わりに、直流電源７を使用していることを除い
ては、第１図の洗浄装置１と同じ構成であり、従ってこ
の洗浄装置も第１図の洗浄装置と同様に作用する。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、洗浄
すべき固体材料の表面をＣＯ□ガス中でのプラズマ放電
に曝すことにより洗浄するようにしたから、金属材料、
無機材料、高分子材料を問わず、その洗浄効果は非常に
優れており、特にポリカーボネートなど高分子材料の場
合には、一般にその表面の濡れが悪いのであるが、ＣＯ
ｔによるプラズマ洗浄を行うと、酸素原子がその表面に
結合することによる極性をもち、従って現水性化するの
で、接着性や印刷性が改善され得る。さらに、ＣＯ□ガ
スは不活性であり、助燃性をもち取扱いが非常に危険な
０□ガスに比較して極めて安全性が高く、またコストが
非常に低いので、量産シこも好適である。従って、本発
明により固体材料が清浄化することによって、特に被コ
ーテイング材料やン皮メフキ材料或いは被印刷材料等の
洗浄に有用である。
すべき固体材料の表面をＣＯ□ガス中でのプラズマ放電
に曝すことにより洗浄するようにしたから、金属材料、
無機材料、高分子材料を問わず、その洗浄効果は非常に
優れており、特にポリカーボネートなど高分子材料の場
合には、一般にその表面の濡れが悪いのであるが、ＣＯ
ｔによるプラズマ洗浄を行うと、酸素原子がその表面に
結合することによる極性をもち、従って現水性化するの
で、接着性や印刷性が改善され得る。さらに、ＣＯ□ガ
スは不活性であり、助燃性をもち取扱いが非常に危険な
０□ガスに比較して極めて安全性が高く、またコストが
非常に低いので、量産シこも好適である。従って、本発
明により固体材料が清浄化することによって、特に被コ
ーテイング材料やン皮メフキ材料或いは被印刷材料等の
洗浄に有用である。
第１図は本発明を実施するための洗浄装置の構成例を示
す概略図、第２図は第１図の洗浄装置の変形例を示す概
略図である。 ｌ−洗浄装置；２−チャンバー；３− 被処理材料；４
−・−カソード電極；５− アノード電極；６−・−高
周波電源、７−直流電源。
す概略図、第２図は第１図の洗浄装置の変形例を示す概
略図である。 ｌ−洗浄装置；２−チャンバー；３− 被処理材料；４
−・−カソード電極；５− アノード電極；６−・−高
周波電源、７−直流電源。
Claims (1)
- 洗浄すべき固体材料の表面を、ＣＯ＿２、ガス中でのプ
ラズマ放電に曝すことにより洗浄するようにしたことを
特徴とする、固体材料の表面を清浄にするためのプラズ
マ洗浄法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16529086A JPS6324078A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | プラズマ洗浄法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16529086A JPS6324078A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | プラズマ洗浄法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6324078A true JPS6324078A (ja) | 1988-02-01 |
Family
ID=15809517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16529086A Pending JPS6324078A (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | プラズマ洗浄法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6324078A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447363A (en) * | 1992-08-25 | 1995-09-05 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Automatic brake system and control method thereof |
| US8636913B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-01-28 | HGST Netherlands B.V. | Removing residues in magnetic head fabrication |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60228687A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-13 | Hitachi Ltd | ニツケルまたは含ニツケル合金のドライエツチング方法 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP16529086A patent/JPS6324078A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60228687A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-13 | Hitachi Ltd | ニツケルまたは含ニツケル合金のドライエツチング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5447363A (en) * | 1992-08-25 | 1995-09-05 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Automatic brake system and control method thereof |
| US8636913B2 (en) | 2011-12-21 | 2014-01-28 | HGST Netherlands B.V. | Removing residues in magnetic head fabrication |
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