JPS63239875A - 超電導遮蔽体 - Google Patents
超電導遮蔽体Info
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- JPS63239875A JPS63239875A JP62071490A JP7149087A JPS63239875A JP S63239875 A JPS63239875 A JP S63239875A JP 62071490 A JP62071490 A JP 62071490A JP 7149087 A JP7149087 A JP 7149087A JP S63239875 A JPS63239875 A JP S63239875A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導遮蔽体に係り、特に高磁場を発生するマ
グネットのシールドに好適な超電導遮蔽体に関する。
グネットのシールドに好適な超電導遮蔽体に関する。
通常、高透磁率の材料が磁気遮蔽として用いられてきた
が、磁場が非常に大きくなると高透磁率材の磁気飽和が
生じ、磁気遮蔽の効果が小さくなる。そこで、超電導体
の完全反磁性を利用した磁気遮蔽は、高磁場に対しても
より軽い構造で磁気遮蔽が可能である。
が、磁場が非常に大きくなると高透磁率材の磁気飽和が
生じ、磁気遮蔽の効果が小さくなる。そこで、超電導体
の完全反磁性を利用した磁気遮蔽は、高磁場に対しても
より軽い構造で磁気遮蔽が可能である。
超電導体を磁気遮蔽に利用した従来例を第２図に示す。
この例はニー・ニス・ディー・オー・イー・レポート・
ナンバー・ニー・シー・アール・エル−８９ＱＯ８（１
９８３年）（ＵＳ ＤＯＥ ＲｅｐＮａ ＵＣＲ
Ｌ−８９９０８１９８３ＳＵＰ［：ＲＣＯＮＤＵＣＴＩ
ＮＧＭＡＧＮＥＴＩＣ５ｔ（ＩＥＬＤＳ ＦＯＲＮＥ
ＵＴＲＡＬ ＢＥＡＭＩＮＪＥＣＴＯＲ５）に記載さ
れているものである。
ナンバー・ニー・シー・アール・エル−８９ＱＯ８（１
９８３年）（ＵＳ ＤＯＥ ＲｅｐＮａ ＵＣＲ
Ｌ−８９９０８１９８３ＳＵＰ［：ＲＣＯＮＤＵＣＴＩ
ＮＧＭＡＧＮＥＴＩＣ５ｔ（ＩＥＬＤＳ ＦＯＲＮＥ
ＵＴＲＡＬ ＢＥＡＭＩＮＪＥＣＴＯＲ５）に記載さ
れているものである。
この例においては、超電導体としてＮｂＴｉ ７が用い
られ、これが磁気遮蔽体として機能する。
られ、これが磁気遮蔽体として機能する。
例えば前記ＮｂＴｉ ７の一部が何らかの原因により超
電導状態から常電導状態へ変化したとき、該ＮｂＴｉ
７の常電導になった部分は電気抵抗が大きいので発熱し
、ＮｂＴｉ ７全体の温度が上昇して常電導状態になっ
てしまい、磁気遮蔽能力を失ってしまう。そこで銅２を
前記ＮｂＴｉ ７に接触するように設置する。前記＠２
はＮｂＴｉ７の一部が常電導状態になったときに、電気
抵抗の低い前記銅２に電流が分流し、前記ＮｂＴｉ ７
の一部で発生した熱を熱伝導度の良い前記銅２が運び去
るので、前記ＮｂＴｉ ７の一部の温度が下がり、再び
超電導状態になる。また前記ＮｂＴｉ７と前記銅２を機
械的に保持するために、非磁性物質であるステンレス１
１３が用いられている。この例においては、前記ＮｂＴ
ｉ ７と前記銅２と前記ステンレス鋼３で一組の層を形
成し、二層構造となっている。前記ＮｂＴｉ７が超電導
遮蔽として機能するには冷却材として液体ヘリウム６が
必要であるので、前記ＮｂＴｉ７および前記銅２および
前記ステンレス鋼゛３が前記液体ヘリウム６とともにヘ
リウム容器８に収納されている。前記液体ヘリウム６を
液体状態に保つために、前記ヘリウム容器８を包囲する
ように液体窒素１１がステンレス槽１３に収納されてい
る。さらに該ステンレス槽１３を包うようにして、真空
部９およびスーパーインシュレーション１２で断熱効果
を持たせ、ステンレス外壁１０で保持している。
電導状態から常電導状態へ変化したとき、該ＮｂＴｉ
７の常電導になった部分は電気抵抗が大きいので発熱し
、ＮｂＴｉ ７全体の温度が上昇して常電導状態になっ
てしまい、磁気遮蔽能力を失ってしまう。そこで銅２を
前記ＮｂＴｉ ７に接触するように設置する。前記＠２
はＮｂＴｉ７の一部が常電導状態になったときに、電気
抵抗の低い前記銅２に電流が分流し、前記ＮｂＴｉ ７
の一部で発生した熱を熱伝導度の良い前記銅２が運び去
るので、前記ＮｂＴｉ ７の一部の温度が下がり、再び
超電導状態になる。また前記ＮｂＴｉ７と前記銅２を機
械的に保持するために、非磁性物質であるステンレス１
１３が用いられている。この例においては、前記ＮｂＴ
ｉ ７と前記銅２と前記ステンレス鋼３で一組の層を形
成し、二層構造となっている。前記ＮｂＴｉ７が超電導
遮蔽として機能するには冷却材として液体ヘリウム６が
必要であるので、前記ＮｂＴｉ７および前記銅２および
前記ステンレス鋼゛３が前記液体ヘリウム６とともにヘ
リウム容器８に収納されている。前記液体ヘリウム６を
液体状態に保つために、前記ヘリウム容器８を包囲する
ように液体窒素１１がステンレス槽１３に収納されてい
る。さらに該ステンレス槽１３を包うようにして、真空
部９およびスーパーインシュレーション１２で断熱効果
を持たせ、ステンレス外壁１０で保持している。
前述した例を含め、従来技術においては超電導遮蔽体に
用いる超電導物質の臨界温度が低いために、冷却材とし
ては高価で冷却効率の低い液体ヘリウムを用いる必要が
あった。さらに液体ヘリウムを保持するために液体窒素
容器が必要となるので、冷却するための構造が非常に複
雑であるという問題があった。さらに前述の例では能動
的に超電導状態から常電導状態へ転移させる装置を具備
していないので外部磁場が消滅した場合でも、超電導遮
蔽体に永久電流が流れ不必要な磁場を発生するという問
題もあった。
用いる超電導物質の臨界温度が低いために、冷却材とし
ては高価で冷却効率の低い液体ヘリウムを用いる必要が
あった。さらに液体ヘリウムを保持するために液体窒素
容器が必要となるので、冷却するための構造が非常に複
雑であるという問題があった。さらに前述の例では能動
的に超電導状態から常電導状態へ転移させる装置を具備
していないので外部磁場が消滅した場合でも、超電導遮
蔽体に永久電流が流れ不必要な磁場を発生するという問
題もあった。
本発明は上述の点に鑑み成されたもので、その目的とす
るところは、冷却材として液体ヘリウムを用いることな
く、しかも、冷却のための構造が簡単で、かつ永久電流
を能動的に消滅させ不必要な磁場が発生することのない
ようにした超電導遮蔽体を提供するにある−６ 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は高温超電導体を、磁気遮蔽に用い、なおかつ
、能動的に超電導状態を常電導状態に転移する装置を前
記超電導遮蔽体に具備することにより達成される。
るところは、冷却材として液体ヘリウムを用いることな
く、しかも、冷却のための構造が簡単で、かつ永久電流
を能動的に消滅させ不必要な磁場が発生することのない
ようにした超電導遮蔽体を提供するにある−６ 〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は高温超電導体を、磁気遮蔽に用い、なおかつ
、能動的に超電導状態を常電導状態に転移する装置を前
記超電導遮蔽体に具備することにより達成される。
高温超電導体を磁気遮蔽体として用い、それによって液
体ヘリウム容器および該液体ヘリウム容器に附属する複
雑な冷却装置を用いることなく有効な磁気遮蔽を行うこ
とが可能である。また、超電導遮蔽体に温度を上昇させ
る装置を設け、外部磁ン場が消滅すると同時に、あるい
はその後に、前記超電導遮蔽体の温度を上昇させる。こ
れにより該超電導遮蔽体は常電導状態となり、遮蔽電流
は直ちに減衰し、前記超電導遮蔽体自身が作る磁場も消
滅する。
体ヘリウム容器および該液体ヘリウム容器に附属する複
雑な冷却装置を用いることなく有効な磁気遮蔽を行うこ
とが可能である。また、超電導遮蔽体に温度を上昇させ
る装置を設け、外部磁ン場が消滅すると同時に、あるい
はその後に、前記超電導遮蔽体の温度を上昇させる。こ
れにより該超電導遮蔽体は常電導状態となり、遮蔽電流
は直ちに減衰し、前記超電導遮蔽体自身が作る磁場も消
滅する。
以下１本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は超電導遮蔽体の断面図である。該図に示す如く、プ
レート状の高温超電導体１を銅２に接触するように構成
し、ステンレス３によって前記高温超電導体１と前記銅
２を機械的に保持する。前記高温超電導体１を冷却する
冷却材４、および該冷却材４を収納する冷却容器５が存
在する。
図は超電導遮蔽体の断面図である。該図に示す如く、プ
レート状の高温超電導体１を銅２に接触するように構成
し、ステンレス３によって前記高温超電導体１と前記銅
２を機械的に保持する。前記高温超電導体１を冷却する
冷却材４、および該冷却材４を収納する冷却容器５が存
在する。
前記高温超電導体１が超−電導状態になる事により、磁
気遮蔽電流が該高温超電導体１に流れ磁気遮蔽効果を示
す、また外部磁場が消滅すると同時にあるいはその後に
、ヒーター１４に通電し、前記高温超電導体１の温度を
上昇させ、超電導状態から常電導状態に転移させて、該
高温超電導体１自身の作る磁場を消滅させる。
気遮蔽電流が該高温超電導体１に流れ磁気遮蔽効果を示
す、また外部磁場が消滅すると同時にあるいはその後に
、ヒーター１４に通電し、前記高温超電導体１の温度を
上昇させ、超電導状態から常電導状態に転移させて、該
高温超電導体１自身の作る磁場を消滅させる。
本実施例によれば簡単な冷却構造においても、磁気遮蔽
が可能であり、かつ不必要な磁場を発生しない。
が可能であり、かつ不必要な磁場を発生しない。
次に他の実施例を第３図を用いて説明する６本実施例は
高温超電導体を線材状に形成したものである。高温超電
導体１の線材中に冷却材を通す冷却路１８を設け、冷却
管１５において冷却材を流出入させる。また線材の両端
部を電気的に接続させた結合部１６を有する構成にし、
閉回路を形成させる。該閉回路の少なくとも１カ所にヒ
ーター′１４を設ける。
高温超電導体を線材状に形成したものである。高温超電
導体１の線材中に冷却材を通す冷却路１８を設け、冷却
管１５において冷却材を流出入させる。また線材の両端
部を電気的に接続させた結合部１６を有する構成にし、
閉回路を形成させる。該閉回路の少なくとも１カ所にヒ
ーター′１４を設ける。
本実施例においては、前記冷却路１８を流れる冷却材に
よって、高温超電導体１の温度が下がり、磁気特性が向
上するので、より高い磁場に対しても遮蔽することが可
能になる。
よって、高温超電導体１の温度が下がり、磁気特性が向
上するので、より高い磁場に対しても遮蔽することが可
能になる。
さらに他の実施例を第４図に示す。前述した実施例は外
部磁場を遮蔽する例である。本実施例ではマグネット１
７から発生する漏れ磁場を遮蔽する。該マグネット１７
の外周側を包囲するように高温超電導体１が存在する。
部磁場を遮蔽する例である。本実施例ではマグネット１
７から発生する漏れ磁場を遮蔽する。該マグネット１７
の外周側を包囲するように高温超電導体１が存在する。
本実施例においては、マグネットの作る漏れ磁場を遮蔽
することが可能である。
することが可能である。
本発明によれば、外部磁場あるいはマグネットの漏れ磁
管を遮蔽でき、なおかつ不必要な磁場が生じない。
管を遮蔽でき、なおかつ不必要な磁場が生じない。
第１図は本発明の超電導遮蔽体の一実施例を示す断面図
、第２図は従来例の断面図、第３図は本発明の他の実施
例の斜視断面図、第４図は本発明の更に他の実施例を示
す断面図である。 １・・・高温超電導体、２・・・銅、４・・・冷却材、
１４・・・第１図 亭λ図
、第２図は従来例の断面図、第３図は本発明の他の実施
例の斜視断面図、第４図は本発明の更に他の実施例を示
す断面図である。 １・・・高温超電導体、２・・・銅、４・・・冷却材、
１４・・・第１図 亭λ図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、臨界温度の高い高温超電導体を磁気遮蔽に用い、か
つ、該高温超電導体を超電導状態から常電導状態へ能動
的に転移せしめる手段を備えていることを特徴とする超
電導遮蔽体。 ２、前記超電導状態から常電導状態ヘ能動的に転移せし
める手段としてヒーターを用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の超電導遮蔽体。 ３、前記高温超電導体で線材を形成すると共に、該線材
を閉回路に構成し、かつ、該線材に冷却路を設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導遮蔽体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071490A JPS63239875A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導遮蔽体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071490A JPS63239875A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導遮蔽体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63239875A true JPS63239875A (ja) | 1988-10-05 |
Family
ID=13462153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071490A Pending JPS63239875A (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 超電導遮蔽体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63239875A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04218998A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-08-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シールド構造 |
| JPH05114796A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 磁気シールド容器 |
| JP2002260458A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導ケーブルにおける冷媒の気化速度制御方法 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071490A patent/JPS63239875A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04218998A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-08-10 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 磁気シールド構造 |
| JPH05114796A (ja) * | 1991-10-22 | 1993-05-07 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | 磁気シールド容器 |
| JP2002260458A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導ケーブルにおける冷媒の気化速度制御方法 |
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