JPS63239261A - 新規な塩基性デヒドロアミノ酸 - Google Patents

新規な塩基性デヒドロアミノ酸

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JPS63239261A
JPS63239261A JP62073505A JP7350587A JPS63239261A JP S63239261 A JPS63239261 A JP S63239261A JP 62073505 A JP62073505 A JP 62073505A JP 7350587 A JP7350587 A JP 7350587A JP S63239261 A JPS63239261 A JP S63239261A
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JP
Japan
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cbz
group
novel basic
lower alkyl
dehydroamino
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Application number
JP62073505A
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English (en)
Inventor
Shigeki Shin
辛 重基
Yasumi Yonezawa
米沢 養躬
Seiji Honda
誠司 本田
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S K I BAITSU KK
Original Assignee
S K I BAITSU KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規な塩基性デヒドロアミノ酸に関し、さら
に詳しくはデヒドロオルニチン誘導体及びデヒドロリジ
ン誘導体に関する。
[従来の技術] デヒドロアミノ酸残基を構成要素又は前駆体とする天然
より発見された生理活性ペプチド(例えばテロマイシン
、カブレオマイシン、セファロスポリンC、ホモプシン
、アントリマイシンなど)は、はとんどが抗菌、抗腫瘍
性、植物毒素あるいは酵素阻害作用などの生理活性を有
していることが知られている。これは、デヒドロアミノ
酸残基又はこれを前駆体としたアミノ酸残基が立体構造
の2次、3次構造に大きな影響を及ぼし、立体構造の保
持や生理活性発現の重要な部位をなしており、さらに蛋
白構成アミノ酸からのみ構成されるペプチド系生理活性
物質にデヒドロアミノ酸残基な導入すると、抗蛋白分解
酵素作用を示し、活性の持続性の向上に重要な役割を果
たすことが知られている。例えば、血圧降下作用や腸管
収縮作用のあるブラジキニンは、5位フェニルアラとン
のかわりにデヒドロフェルアラニンを導入すると、もと
の降圧作用の20数倍もの高い活性を示すことが知られ
ている。(文献; Y、 Shimohigashi、
 and N、 Izumiya、”The pept
ides、 Vol、  5” 、 ed Acade
mic Press by E、 Gross and
 j、 Meienhofer。
+983 )。
かかる実例から考えて、デヒドロオルニチン誘導体及び
デヒドロリジン誘導体についても、これを構成要素ある
いは前駆体とするペプチドが合成されれば、高度の生理
活性を有することは十分期待されるところである。しか
しながら、従来においては、デヒドロオルニチン誘導体
及びデヒドロリジン誘導体はともに発見も合成もされて
いなかった。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明は、デヒドロリジンまたはデヒドロオルニチンを
構成要素あるいは前駆体とする高活性化の可能性が大な
る種々のペプチドの合成及びデヒドロリジン誘導体また
はデヒドロオルニチン誘導体を前駆体とする高活性化の
可能性が大なる種々のアミノ酸誘導体の合成を可能とす
る新規な塩基性デヒドロアミノ酸を供することを目的と
する。
[問題点を解決するための手段] 上記目的達成のため、本発明は、一般式%式% (式中、nは2または3、Cbzはベンジルオキシカル
ボニル基、Xはアミン保護基、Yは水素原子又は低級ア
ルキル基を表わす。)にて示される新規な塩基性デヒド
ロアミノ酸を供する。この物質は、とくに、nが2であ
り、Xがベンジルオキシカルボニル基(Cbz)であり
、Yが低級アルキル基である点、上記において低級アル
キル基がメチル基(Ct13−)である点、nが2であ
り、Xがベンジルオキシカルボニル基であり、Yが水素
原子(11)である点、nが2であり、Xがt−ブトキ
シカルボニル基(BOC”)であり、Yが低級アルキル
基である点、上記において低級アルキル基がメチル基で
ある点、nが2であり、Xがt−ブトキシカルボニル基
であり、Yが水素原子である点、nが3であり、Xがベ
ンジルオキシカルボニル基であり、Yが低級アルキル基
である点、上記において低級アルキル基がメチル基であ
る点、rlが3であり、Xがベンジルオキシカルボニル
基であり、Yが水素原子である点、nが3であり、Xが
t−ブトキシカルボニル基であり、Yが低級アルキル基
である点、上記において低級アルキル基がメチル基であ
る点、nが3であり、Xが1−ブトキシカルボニル基で
あり、Yが水素原子である点に特徴がある。
[発明の効果] 一般に塩基性アミノ酸を含む生理活性ペプチドにおいて
は、その塩基性アミノ酸残基が活性部位の役割を果たす
ことが多いことが知られている。
本発明にかかるデヒドロリジン誘導体又はデヒドロオル
ニチン誘導体は、塩基性アミノ酸残基を塩基性a−デヒ
ドロアミノ酸に変換することによって、ペプチド鎖中の
塩基性アミノ酸部位を特異的に切断する酵素による分解
を防ぎ、活性の持続性向上の役割を果たすことが可能で
ある。また、0位のアミノ基、側鎖アミン基、カルボン
酸へのペプチド鎖の延長が可能である。さらに、α、β
炭素炭素二重結合部位への各種付加反応や、倶1鎖アミ
ノ基の他官能基への変換等、上記デヒドロリジン誘導体
又はデヒドロオルニチン誘導体を前駆体とした異常アミ
ノ酸への展開も可能である。
したがって、本発明にかかる新規な塩基性デヒドロアミ
ノ酸によれば、生理活性研究において有用な物質となる
であろうデヒドロリジン又はデヒドロオルニチンを構成
要素あるいは前駆体とする種々のペプチドの合成及びデ
ヒドロリジン誘導体又はデヒドロオルニチン誘導体を前
駆体とする種々のアミノ酸誘導体の合成を可能とする効
果がある。
[発明の詳細な説明] イ。
にて示されるNa−Cbz−Na−Cbz−a−デヒド
ロオルニチンメチルエステル(n=2)又はNa−Cb
z−N’−Cbz−a−デヒド。
リジンメチルエステル(n=3)を製造する方法Cbz
−NH−(CHz)n−CHz OHにて示されるアミ
ノアルコール誘導体を所定の溶媒、例えばジクロロメタ
ン等ハロゲン化炭化水素系溶媒中、室温程度の適宜温度
で、過剰のクロロクロム酸ピリジニウムと反応させ、抽
出、洗浄、乾燥、濃縮等適宜処理を行なう。またはアミ
ノアルコール誘導体をスワン酸化(文献; Antho
ny−J、Mancuso、Daniel Swern
、 5ynthesis 1981.165)等の酸化
反応を行なうことにより相当するアミノアルデヒド誘導
体であるCbz−NH−(CHz)n−CH=oを合成
する。
次に、シュミットらの方法(文献: tJ、schmi
dt。
A、1.1cberknecht、  J、Wild、
5ynthesis  1984,53.  )により
、所定の溶媒、例えばジクロロメタン等ハロゲン化炭化
水素系溶媒中、所定の塩基、例えばし−ブトキシカリウ
ム等のアルコラード類の存在下、冷却条件にて にて示されるN−Cbz−2−(ジェトキシホスフィニ
ル)グリシンメチルエステルと、上記工程で製造したア
ミノアルデヒド誘導体を反応させ、抽出、洗浄、乾燥、
濃縮等適宜処理を行なうことによって、 目的(7)Na−Cbz−Na−Cbz−a−デヒドロ
オルニチンメチルエステル又は Na−Cbz−N  −Cbz−a−デヒドロリジンメ
チルエステルを得る。
かかるN−Cbz−Na−Cbz−a−デヒドロオルニ
チンメチルエステル又は Na−Cbz−N8−Cbz−a−デヒドロリジンメチ
ルエステルによれば、 α−デヒドロオルニチン誘導体又はa−デヒドロリジン
誘導体を前駆体とした異常アミノ酸の合成が可能であり
、また N 位とN6位のアミン基を同時に脱保護することがで
きる。
口。
Cbz−NH−(CHa)。−CH= C−C0OHN
 H−Cb z にて示されるNa−Cbz−NS−Cbz−a−デヒド
ロオルニチン(n=2)又は N’−Cbz−N’−Cbz−α−デヒドロリジン(n
=3)を製造する方法 前記イで合成された N−Cbz−NS−Cbz−a−デヒドロオルニチンメ
チルエステル又は N”−Cbz−N  −Cbz−α−デヒドロリジンメ
チルエステルを所定の溶媒中、1等量以上の適宜量の所
定のカルボン酸の脱保護剤と、室温程度の適宜温度にて
数時間反応させる。その後抽出、濃縮等適当な処理を行
なうことによって目的のN’−Cbz−NS−Cbz−
α−デヒドロオルニチン又は Na−Cbz−N  −Cbz−a−デヒドロリジンを
得る。
所定の溶媒及び所定の脱保護剤は次の通りである。
所定の溶媒ニジオキサン等のエーテル類、メタノール等
のアルキルアルコール類、DMF等の窒素化合物、ジメ
チルスルホキシド等の硫黄化合物。好ましくはジオキサ
ンである。
所定の脱保護剤:水酸化リチウム水溶液、水酸化ナトリ
ウム水溶液、水酸化バリウム水溶液等の水酸化アルカリ
金属水溶液。好ましくはIN−水酸化リチウム水溶液で
、使用量は1〜1.5等量程度である。
かかるNa−Cbz−NS−Cbz−a−デヒドロオル
ニチン又は Na二Cbz−N  −Cbz−a−デヒドロリジンに
よれば、α−デヒドロオルニチン誘導体又はa−デヒド
ロリジン誘導体をカルボン酸成分としてアミノ酸ペプチ
ドと反応することができ、その後Na位とN6位のアミ
ノ基を同時に脱保護することができる。
ノ\。
Cbz−NH−(CH2)。−CH=  C−COOC
H3N87 BOC にて示されるN−BOC−NS−Cbz−a−デヒドロ
オルニチンメチルエステル(n・2)又はN  −BO
C−N  −Cbz−a−デヒドロリジンメチルエステ
ル(n=3)を製造する方法前記口で合成された N−Cbz−NS−Cbz−a−デヒドロオルニチン又
は Na−Cbz−NS−Cbz−a−デヒ’r”CJ’)
ジンを所定の溶媒■中、所定の酸ハロゲン化剤と、冷却
下反応させ、その後室温程度の適宜温度で反応させる。
濃縮、濾取等適当な処理の後、N−カルボキシ−〇、β
−デヒドローローアミノ酸無水物を得た。これを所定の
溶媒■中、過剰のジー七−ブチルージカーボネートと、
所定の塩基■の存在下数時間反応させ、次いでメタノー
ルと、所定の塩基■の存在下反応させる。その後濃縮、
洗浄、乾燥、カラムクロマト等の適当な処理を行なうこ
とによって、目的の N−BOC−NS−Cbz−a−デヒドロオルニヂンメ
チルエステル又は Na−BOC−N  −Cbz−a−デヒドロリジンメ
チルエステルを得る。
上記反応中、所定の溶媒■は次に示す物質から成る。
非プロトン系溶媒: ハロゲン化炭化水素系;ジクロロメタン、クロロホルム
等。
エーテル系;ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン(
THF)、ジオキサン等。
ケトン系;アセトン、メチルエチルケトン等。
エステル系:酢酸エチル等。
窒素化合物系ニアセトニトリル、ジメチルホルムアミド
(DMF)等。
硫黄化合物系ニジメチルスルホキシド(DMSO)等。
リン化合物系:ヘキサメチルリン酸トリアミド(1−I
MPA)等。
炭化水素系:ベンゼン、トルエン等。
プロトン系溶媒:ターシャリ−ブタノール(t−ブタノ
ール)等。
その他の溶媒:塩化チオニル、アセチルクロライド等。
所定の溶媒■は次に示す物質から成る。
非プロトン系溶媒: ハロゲン化炭化水素系;ジクロロメダン、クロロホルム
等。
エーテル系ニジエチルエーテル、テトラヒ・ドロフラン
(THF)、ジオキサン等。
ケトン系:アセトン、メチルエチルケトン等。
エステル系:酢酸エチル等。
窒素化合物系ニアセトニトリル、ジメチルホルムアミド
(DMF)等。
硫黄化合物系;ジメチルスルホキシド(DMSO)等。
リン化合物系:ヘキサメチルリン酸トリアミド(IIM
PA)等。
炭化水素系:ベンセン、トルエン等。
プロトン系溶媒:ターシャリ−ブタソール(し−ブタノ
ール)等。
上記溶媒■、■は、単独又は2種類以上の組合せによる
使用が可能である。好ましくは、溶媒■がエーテル系溶
媒、溶媒■が’r’11Fである。
所定の酸ハロゲン化剤は、塩化チオニル、五塩化リン、
三塩化リン等から成る。好ましくは塩化チオニルである
所定の塩基■は、ピリジン等の第3級アミン化合物から
なり、好ましくはピリジンである。
所定の塩基■は、ピリジン等の第3級アミン化合物から
なり、好ましくはN−メチルモルホリンである。
かかるNa−BOC−Na−Cbz−a−デヒドロオル
ニチンメチルエステル又は Na−BOC−N  −Cbz−a−デヒドar)ジン
メチルエステルによれば、 a−デヒドロオルニチン誘導体又はa−デヒドロリジン
誘導体を前駆体とした異常アミノ酸の合成が可能であり
、 N 位とN′5位のアミノ基を選択的に脱保護すること
かでき、さらに選択的にペプチド鎖の延長をすることが
できる。
二。
にて示されるNa−BOC−Na−Cbz−a−デヒド
ロオルニチン(n= 2) 又はNa−BOC−N8−Cbz−a−デヒドロリジン
(n=3)を製造する方法 前記ハと同様の方法で、メタノールの替わりに水を添加
すれば、目的の Na−BOC−Na−Cbz−a−デヒドロオルニチン
又は Na−BOC−N’−Cbz−a−デヒF’CI’)ジ
ンを得る。
所定の溶媒■、溶媒■、所定の酸ハロゲン化剤及び所定
の塩基■は、前記ハと同様である。塩基■ぽ、ピリジン
等の第3級アミン化合物、アルカリ水溶液からなり、好
ましくはN−メチルモルホリンである。
また、前記ハで合成された N”−BOC−Na−Cbz−α−デヒドロオルニヂン
メチルエステル又は Na−BOC−N’−Cbz−a−デヒドo!Jジンメ
チルエステルから、前記口と同様の方法で、目的の Na−BOC−Na−Cbz−a−デヒドT:Iオルニ
チン又は Na−B、QC−N  −Cbz−a−デヒドロリジン
を得ることもできる。
かかるN−BOC−Na−Cbz−a−デヒドロオルニ
チン又は Na−BOC−N  −Cbz−a−デヒドロリジンに
よれば、 a−デヒドロオルニチン誘導体又はa−デヒドロリジン
誘導体をカルボン酸成分としてアミノ酸ペプチドと反応
させることができ、その後N 位とN5位のアミノ基を
選択的に脱保護するα ことができ、さらに選択的にペプチド鎖の延長をするこ
とができる。
[実施例] 次に、実施例を示す。この場合において、デヒドロ−ア
ミノ酸残基のa、β二重結合部の幾何異性体につき、と
くに示さないときは2配位体を示す。
融点はヤマト(Mode l  Mp−21) m1c
ro maiシing−point apparatu
sを使用し、未補正である。
IRは株式会社日立製作所EP1−02型を使用した。
’I−l−1−Nは日本電子JNM−PS−100型を
使用し、テトラメヂルシランを内部標準とした。
カラムクロマトの充填剤は、Kiesel −gel 
60 (メルク社製、Art、 7734 )を使用し
た。
〈実施例1>  N  −Cbz−Na−Cbz−a−
デヒドロオルニヂンメチルエステルの合成りロロクロム
酸ピリジニウム5.15gをジクロロメタン30m1に
懸濁し、数十分攪拌する。
3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−プロパツー
ル1gのジクロロメタン20m1溶液を滴下し、1.5
時間攪拌後反応液をデカントし、残渣をエーテルで抽出
する。両液を合わせ、5%水酸化ナトリウム水溶液、I
N−塩酸、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩
水にて順次洗浄し、無水硫酸ナトリウム上で乾燥し、そ
の後溶媒を留去して、3−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−1−プロパナールを油状物で理論量の85%の収
率で得た。−60°C以下に冷却したジクロロメタン6
.2mlにゆっくりとt−ブトキシカリウム1.68g
を懸濁させ、常法によって合成したN−Cbz−2−(
ジェトキシホスフィニル)グリシンメチルエステル(文
献: U、Schmidt、A。
LieberknechL、  J、Wild、5yn
thesis  1984,53.  )  5.4g
をジクロロメタン28m1に溶解し、この液を上記溶液
に滴下する。滴下終了後t−ブトキシカリウムが溶解し
たら、ジクロロメタンに先に合成した3−ベンジルオキ
シカルボニルアミノ−1−プロパナール3.1gを溶解
した液を上記反応液に加え、その後ゆっくり室温にもど
す。反応終了後減圧濃縮し、残渣を酢酸エチル62m1
に溶解し、水及び飽和塩化アンモニウム水溶液で順次洗
浄する。無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、
残渣をシリカゲルカラムにて精製することによって、目
的物を油状物で理論量の90%の収率で得た。この物質
の物性値は下記の通りである。
’II−NMR(δ、CDCl、l):6、  54 
 (L、   R−CI=  、   J=8Hz)6
.60 (s、a−NH) 5.40  (L、8− N1−1.J=6.0tlz
)IR(KBr、cm−’): 1725 (C= C)。
1715.1650 (C= C) 〈実施例2>  Na−Cbz−N’−Cbz−a−デ
ヒドロリジンメチルエステルの合成ジクロロメタン25
m1に1.1倍モルのオキサリルクロライド1mlを加
え、−70−Cに冷却する。これに2.2倍モルのジメ
チルスルホキシド1.7mlをジクロロメタン5mlに
溶解したものを滴下し、5分間攪拌する。次に4−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−1−ブタノール2.23
gのジクロロメタン45m1に溶解したものを滴下し、
20分間攪拌する。その後5倍モルのトリエチルアミン
を加え、5分間攪拌し、ゆっくり室温にもどす。反応終
了後、水50m1を加え、ジクロロメタン50m1にて
抽出し、飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥後する。その後溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラ
ムにて精製することによって、4−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−1−ブタナールを理論量の85%の収率
で得た。これを実施例1と同様の方法により、グリシン
誘導体と反応させることによって、目的物を油状物で理
論量の85%の収率で得た。
この物質の物性値は下記の通りである。
’H−NMR(δ、CDC1,):     ’6.5
6 (t、R−’ C旦= 、J=7.5Hz)6、5
0 (bs、 a−Ntl) 5.16(L、  ε−N旦、J=6.0Hz)IR(
KBr、am−’): 1720 (C= 0)。
1710.1660 (C= C) 〈実施例3>  N’−Cbz−Na−Cbz−α−デ
ヒドロオルニチンの合成 実施例1にて合成したN  −Cbz−N’ Cbz−
a−デヒドロオルニチンメチルエステル1gをジオキサ
ン3mlに懸濁させ、IN−水酸化リチウム水溶液3m
lを加え、室温で3時間攪拌し、水30m1を加える。
pH10以下を確認した後、反応液をエーテルで2回洗
浄し、冷却下pHを2に調整する。水層を酢酸エチルに
て抽出し、 jjj[硫酸ナトリウムにて乾燥後溶媒を
留去し、目的物を理論量の80%の収率で得た。
融点(・C): 121N123 ’11−NMR(δ、 CDC13)  :6、40 
(t、 R−C旦= 、J=7Hz)8.60 (bs
、a−N旦) 7.20〜7.50 (m、δ−N旦+ph)1F< 
(KBr、cm−’): +725 (C= 0) 1710.1650 (C= C’) 〈実施例4>  N’−Cbz−N8−Cbz−α−デ
ヒドロリジンの合成 ’JfUM例2G:l:テ合成シタN a−Cb z−
N ’−Cbz−α−デヒドロリジンメチルエステルを
実施例3と同様の方法を行なうことによって、目的物を
理論量の85%の収率で得た。
融点(・C◆ :126〜128 ’H−NMR(δ、 CDC] 3 )  :6、  
64  (t=、   R−CH=  、   J=7
f−1z)9.44 (bs、α−N旦) 6.68 (bs、ε−N旦) JR(KBr、cm”): 17]0(C=0) 1690.1660 (C= C) 〈実施例5>  Na−BOC−Na−Cbz−a−デ
ヒドロオルニチンメチルエステルの合成”Jam例3G
、:て合成したN a−Cbz−N’ Cbz−a−デ
ヒドロオルニチン1gをエーテル10m1に懸濁させ、
冷却下塩化チオニル10m1を加え、30分間攪拌する
。その後室温にて1時間攪拌する。その後減圧濃縮し、
四塩化炭素にて4回程度溶媒置換し、残留物をベンセン
にて濾取する。次いで、減圧乾燥することによって5N
−カルボキシ−Na−Cbz−a−デヒドロオルニチン
フ!!詠物を理論量の93%め収率で得た。
これにTlIF5m1を加え、ジ−t−ブチルジカーボ
ネート1.2倍モルをTHF2mlに溶解した液をこれ
に加える。さらに等モルのピリジンを加え、1晩室温に
て攪拌した後、メタノール5mlを加え、その後3倍モ
ルのN−メチルモルホリンを加え、pHを9とする。4
時間後減圧濃縮し、残渣に酢酸エチル20m1を加え、
10%クエン酸水溶液、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、水で順次洗浄する。無水硫酸ナトリウムにて乾燥後、
溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムにて精製するこ
とによって、目的物を油状物として理論量の50%の収
率で得た。
’H−NMR(δ、CDCl3 ): 6.53  (1;、R−C旦= 、  J=7. 5
11z)6、44 (bs、 a−N旦) IR(KBr、cm’−’): 1730 (C= 0) 1698.1665 (C= C) 〈実施例6>  Na−BOC−N’−Cbz−a−デ
ヒドロリジンメチルエステルの合成実施例4 ニテ合成
シ;7CN a−Cb z −N ’ −Cbz−a−
デヒドロリジンIgを実施例5と同様の方法を行なうこ
とによって、目的を物油状物として理論量の55%の収
率で得た。
’H−NM R(δ 、   CDCl  3 )  
 :6、48 (t、 R−C旦= 、 J=7.51
17.)IR(KBr、cm””): 1730 (C= 0) 1710.1665 ((> C) 〈実施例7>  Na−130C−N’ Cbz−a−
デヒドロオルニヂンの合成 実施例5に示した方法と同様の方法で、メタノールの代
りに水を添加することによって、目的物を理論量の40
%の収率で得た。
または実施例5にて得られた Na−BOC−Na−Cbz−a−デヒドロオルニチン
メヂルエステルを実施例3に示した方法と同様に行なう
ことにより、エステルけん化を行ない、目的物を理論量
の80%の収率で得た。
〈実施例8>  Na−BOC−N  −Cbz−a−
デヒドロリジンの合成 実施例6に示した方法と同様な方法で、メタノールの代
りに水を添加することによって、目的物を理論量の43
%の収率で得た。
または実施例6で得られたN−BOC−N’−−CbZ
−α−デヒドロリジンメチルエステルな実施例4に示し
た方法と同様に行なうことにより、エステルけん化を行
ない、目的物を理論量の82%の収率で得た。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、nは2または3、Cbzはベンジルオキシカル
    ボニル基、Xはアミノ保護基、Yは水素原子又は低級ア
    ルキル基を表わす。)にて示される新規な塩基性デヒド
    ロアミノ酸。 (2)nが2であり、Xがベンジルオキシカルボニル基
    (Cbz)であり、Yが低級アルキル基である特許請求
    の範囲第1項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (3)低級アルキル基がメチル基(CH_3−)である
    特許請求の範囲第2項記載の新規な塩基性デヒドロアミ
    ノ酸。 (4)nが2であり、Xがベンジルオキシカルボニル基
    であり、Yが水素原子(H)である特許請求の範囲第1
    項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (5)nが2であり、Xがt−ブトキシカルボニル基(
    BOC)であり、Yが低級アルキル基である特許請求の
    範囲第1項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (6)低級アルキル基がメチル基である特許請求の範囲
    第5項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (7)nが2であり、Xがt−ブトキシカルボニル基で
    あり、Yが水素原子である特許請求の範囲第1項記載の
    新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (8)nが3であり、Xがベンジルオキシカルボニル基
    であり、Yが低級アルキル基である特許請求の範囲第1
    項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (9)低級アルキル基がメチル基である特許請求の範囲
    第8項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (10)nが3であり、Xがベンジルオキシカルボニル
    基であり、Yが水素原子である特許請求の範囲第1項記
    載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸(11)nが3であ
    り、Xがt−ブトキシカルボニル基であり、Yが低級ア
    ルキル基である特許請求の範囲第1項記載の新規な塩基
    性デヒドロアミノ酸。 (12)低級アルキル基がメチル基である特許請求の範
    囲第11項記載の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。 (13)nが3であり、Xがt−ブトキシカルボニル基
    であり、Yが水素原子である特許請求の範囲第1項記載
    の新規な塩基性デヒドロアミノ酸。
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