JPS6323741A - 脱ハロゲン化触媒 - Google Patents

脱ハロゲン化触媒

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JPS6323741A
JPS6323741A JP16089186A JP16089186A JPS6323741A JP S6323741 A JPS6323741 A JP S6323741A JP 16089186 A JP16089186 A JP 16089186A JP 16089186 A JP16089186 A JP 16089186A JP S6323741 A JPS6323741 A JP S6323741A
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Noriyuki Yoneda
則行 米田
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利治 眞壁
Jun Kaita
純 貝田
Munekazu Nakamura
宗和 中村
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Chiyoda Chemical Engineering and Construction Co Ltd
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Chiyoda Chemical Engineering and Construction Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ハロゲン化物の脱ハロゲン水素化触媒に関す
る。更に詳細には、ケイ素、チタン1.)ルコニウム、
ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、タングス
テン、テルル、カド諷つムなどの塩化物、ヨウ化物、臭
化物などのハロゲン化物の脱ハロゲン水素化触媒に関す
る。
電子工業釦おいては、前述の元素をはじめとした極めて
高純度の各種新合成の需蚤が高い。即ち、高純度ケイ素
はLSIの基盤として大量次側いられており、高純度ニ
オブは超電導材料として用いられ、また高純度モリブデ
ン、タングステンなどはLSIのメタルシリサイドター
ゲットとして用いられており、今後は更にこれら新金属
の用途が広がると思われる。これら高純度ケイ素は、通
常先ず低純度の粗原料をハロゲン化した後蒸溜し、高純
度化して、再度熱分解もしくは水素化分解し高純度製品
とする。その際、高次のハロゲン化物はより分解しにく
いので収率および反応速度が低く、高温を必要とするた
め、低次のハロゲン化物を用いるのが有利である。また
、低次ハロゲン化物の分解反応の副生品として高次ハロ
ゲン化物を生ずる場合は再度低次ハロゲン化物へ変成し
、リサイクル使用するのが有利である。より具体例を示
せば、高純度ケイ素の製造においてはテトラクロロシラ
ンよりはトリクロロシランを水素化分解するのが、五塩
化ニオブよりは四塩化ニオブ、へ三塩化ニオブな用いて
水素化分解するのが、反応速度、反応収率な高くし、か
つ反応条件を温和にするために有利である。また、腐食
性のハロゲン化物を取り扱う関係上反応温度を低下させ
て腐食性を低下させることは極めて重要である。
〔従来技術とその問題点〕
先行するハロゲン化物の脱ノ・ロゲン化技術として、銅
または塩化銅を触媒として、水素存在下でテトラクロロ
シランをトリクロロシランに水素化する技術(特開昭5
8−161915、特開昭56−7!1617、特開昭
59−45919など)がある。また、白金族金属を含
む触媒を用いて同様の反応を行う技術(特公昭55−1
0532)がある。しかしながら、塩化銅を触媒に用い
た場合はもちろん、銅を触媒に用いた場合においても反
応過程〒塩化銅が生成し、これらの塩化銅が反応条件下
で揮発性であるためにトリクロロシランに混入して製品
純度を下げ、しかも触媒も消耗することになるので、銅
または塩化銅の触媒は長期の実用に供することはできな
い。一方、白金族金属を含む触媒は、白金族金属を活性
炭アルミナ、シリカに担持した触媒として使用するとさ
れているが、そこに用いる担体は多孔質である活性炭を
使用し、またアルミナとしてγ−アルミナを使用してい
て、シリカも通常用いられる多孔質のシリカゲルなどを
使用するものとみられる。ところで、この触媒の場合、
白金族金属は銅のように消耗しないが、担体が消耗し、
活性が著しく低下するので、長期の実用に耐えない。
〔問題点を解決するための手段〕
工業生産の場合、連続的にしかも長期間一定品質の製品
を取得することは極めて重要なポイントである。本発明
者らは白金族金属を触媒とする技術の優秀性に着目し、
工業化の観点から長期使用に耐える触媒の研究開発を永
年に亘って進めてきたが、ハロゲン化物を脱ノ10ゲン
水素化するための触媒として、非多孔質のシリカ担体に
白金族金属および白金族金属のケイ化物からなる群より
選ばれた少くとも一つを担持した触媒が長寿命を有する
など触媒性能が著しく改良されることを見い出し、本発
明を完成した。
〔作 用〕
触媒においては表面積が太きいもの程触媒活性が太きい
という関係にあるため、担体にも表面積の太きいものを
使用するのが技術常識フあるところ、本発明はこの常識
に反する手段を取るものであるが、これはハロゲン化物
の脱ノ・ログン化水素化反応の反応条件下においては担
体に高表面積のシリカを用いた場合シリカが反応性に富
み侵され易く、著しく消耗して触媒成分の担持作用が十
分でなくなり、短期間に触媒の活性を失うことを見い出
したことによるものである。例えば、テトラクロロシラ
ンを水素の存在下でトリクロロシランにするために表面
積250 m’/ 、!i’の・にラジウム担持シリカ
ゲルを触媒として用いると、反応開始後約50時間で触
媒のほとんどがノ・ロゲン化物および水素と反応して消
失してしまい、触媒活性が失われる。
この理由は、シリカ表面において・ぞラジウムは微細な
粒子状で均一に分散担持されているので、その触媒によ
る脱ノ・ロゲン水素化のさいに活性化された多量のシリ
カ表面が短時間〒反応するためであって、そのような欠
点をなくし、長寿命の触媒をつくるためKは担体である
シリカの表面積を減少させることが必要である。例えば
、シリカ担体として表面積が1〜10 m”/lのシリ
カレンガを用いた場合には反応後100時間では触媒活
性の低下はほとんどないが、レンガのノ々イングーとし
て用いられるシリカが反応消失する為強度が低下し、つ
いには粉化するので使用に耐えない。それに対し、本発
明のごとく非多孔質のシリカ担体を用いた場合、触媒活
性−の低下はほとんどなく、またシリカの反応消失も実
質上無視しえる量になるから、担体強度の低下も実質上
はとんどないので長期間の使用に耐えうる画期的な触媒
である。
本発明の触媒において担体に用いられる非多孔質シリカ
は、担体のバルク構造に細孔構造がないものであって、
この「非多孔質」とは、BET&面積測定装置によって
測定したBET表面積(N2)が1.0 m”/ I以
下のものをいうつ非多孔質のシリカの具体例は、ガラス
状の溶融シリカ固化体であるが、前記した表面積の条件
下マあっても、その範囲内でも活性を増してお(という
意味で、また触媒成分の担持を容易にするとという意味
で許容される範囲で表面積を大きくしておく方がよく、
そのためには好ましくはガラス状の溶融シリカ固化体を
7ツ化水素酸で少くとも0.1μ以上エツチングしたシ
リカ担体、ガラス状の溶融シリカ固化体表面をシリコン
カーバイドなどの研摩材を用いて少くとも0.1μ以上
研摩したシリカ担体、又はガラス状の溶融シリカ同化体
表面を高温の水素とクロロシラン類とを接触させ処理し
たシリカ担体が用いらねる。また、表面積が15 Cl
−300m’/JF、好ましくは180〜250m’/
I!のシリカゲルを高温下で結晶化させたシリカ担体を
用いてよい。
フッ化水素酸による処理の方法は、エツチングをすれば
よく、かならずしも0.1μ以上エツチングしなくても
よいが、0.1μ以上にすることが好ましく、0.1μ
以上の程度については何ら限定するものではなく、例え
ばガラス状の溶融シリカ固化体のシリカ担体1重量部を
、50%HFの水溶液0.5重量部〜5重量部に常温で
1〜10時間浸漬することにより行うことができる。こ
のときシリカ担体の重量は5〜36wt%減少し、表面
に凹凸を生じ色が白くなる。
また、研摩による処理の方法は、研摩をすればよく、か
ならずしも0.1μ以上研摩しなくてもよいが、0.1
μ以上にすることが好ましく0.1μ以上の程度につい
ては何ら限定するものではなく、例えば通常のくもりガ
ラスの装造に用いられるようなカーゼランダムなどの研
摩剤を常温〒空気で吹きつけることKより行える。この
際表面は微細な凹凸が生じ白くなる。
更に、高温の水素とクロロシラン類とを用いる場合は、
例えば600〜800Cで水素及びテトラクロロシラン
の混合ガスをシリカ担体に少くとも100時間以上接触
させることで表面に微細な凹凸を生じさせることができ
る。また、クロロシラン類の水素化反応を行うさいに反
応器に触媒とともに熱媒体として溶融シリカ固化体を充
填する場合は、操業の1サイクルが終了したときに溶融
シリカ固化体を取り出して使用すれば、この固化体は前
記の反応中に前述の表面処理が行われているので、シリ
カ担体として効率的である。
触媒成分としては白金族金属および白金族金属のケイ化
物の少なくとも一種が用いられる。即ち白金、ノソラジ
ウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウムおよびそれら
のケイ化物が用いられるが、触媒活性が高く、触媒価格
が安いという点で好ましくは)ぐラジウム、ルテニウム
およびそれらのケイ化物からなる群より選ばれる少くと
も1つ、より好ましくはツクラジウムおよびノぞラジウ
ムシリサイドからなる群より選ばれる少なくとも1つが
用いられる。ここで、・ぞラジウムシリサイドとしては
Pd2Siの結晶構造をもつものが好ましく用いられる
。又、これ等触媒成分は二種以上の組合せで用いてもよ
い。例えば、ノラジウムとルテニウムの組合せである。
触媒成分として・ぞラジウムを用(“・る場合、その担
持量は触媒全重量に対して約0.01〜5.0wt%、
好ましくは約0.1〜1.5 w t%であることが必
要である。−ぐラジウム担持量が約0.(Nw1%以下
の場合は触媒活性が十分発揮されず、大きな接触時間が
必要となるので好ましくなく、担持量が約5.0wt%
を越えるとコヌトが高(なるのみでなく、・ξラジウム
のシリカ担体との結合力が弱くなるので、反応中に触媒
成分の剥離を生ずる場合があり、好ましくない。更に1
.パラジウムの好ましい担持量は前述したように約0.
1〜0.5wt%↑あるが、この量をシリカ担体に担持
するときには・ξラジウム粒子の大きさ、分散の程度が
適度であり、触媒活性が十分発揮され、しかもパラジウ
ムとシリカ面の結合が強固となり、安定な触媒が得られ
る。触媒成分として・ぞラジウム以外のものを使用した
場合、その担持量はその成分により多少異なるが、大体
・ぞラジウムと同程度の量を使用すればよい。又、二種
以上の触媒成分を用いる場合には全触媒成分として上記
担持量を満足すればよい。その組合せ及び担持量比は反
応条件等で適宜選択すればよい。
次に、本発明の触媒を製造するさいには、シリカ担体に
触媒成分を均一に担持させるために以下の方法によるこ
とが好ましい。即ち、所定濃度の白金族金属の塩化物あ
るいは硝酸塩、またはそれらのアンモニア錯塩などの水
溶液をシリカ担体に含浸した後、担体表面上に保持され
なかった水溶液を除去してそのまま乾燥し、その後還元
する方法によらなければならない。余分の水溶液の除去
この方法を用いないで、過剰な溶液を表面に存在させた
まま触媒をドライアップすると担持金属などがむらにな
って担持され、しかも金属などの担体への結合力が弱い
部分が〒ぎるので、反応中にその部分が剥離し、好まし
くない。触媒成分担持量は以上のような理由から、担持
に用いる金用塩の水溶液濃度によって決まり、所望する
担持量によって水溶液の金属塩濃度を選択使用する。触
媒成分担持量が約5wt%を越えた場合、反応中の触媒
成分の剥離の原因になり、好ましくない。白金族金属の
ケイ化物を担持した触媒は白金族金属が担持された触媒
を四塩化ケイ素などのハロゲン化ケイ素と水素に400
C−800Cで接触させることにより製造することが〒
きる。
本発明の触媒を用いる反応方式は触媒形状などを適尚に
選択することKより、固定床などの通常の流通式反応方
式で行うことが可能マある。触媒粒子の形状は特に限定
されることはな(・が、例えば3〜30mの溶融シリカ
、石英破砕体を用いるのが経済的↑ある。
本発明の触媒を用いるハロゲン化物の脱ハロゲン水素化
反応の反応条件に関しては、温度200〜1000r、
好ましくは550〜850C1水素圧1〜20atm、
接触時間0.01〜100秒、好ましくは0.1〜5秒
であるが、接触時間は1秒以下で十分その目的を達成す
ることが〒きる。また、水素/ハロゲン化物のモル比は
0.5〜30、好ましくは2.0〜10を用いるとよい
本発明の触媒を用いることにより、テトラクロロシラン
をトリクロロシランに脱塩素水素化する操業を長期間支
障なく工業的に行うことが〒きる。
またテトラクロロシランに限らず、塩化チタン、塩化ニ
オブ、塩化バナジウム、塩化ジルコニウムなどのハロゲ
ン化物の脱塩素化にも適用でざる。
〔実施例〕
次に、本発明の内容をより明瞭に理解しうるよう実施例
に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例によっ
て限定されるものマはない。
なお、下記の実施例、比較例において表面積は柴田科学
器機工業(株)製[迅速表面測定装置5A−100Jf
測定した。実施例1〜5及び1)′1%用いた担体の表
面積は、上記装置で測定していずれも測定限界以下を示
した。上記装置の測定限界以下とは0.2m”/l以下
)あることを意味する。
実施例1 組底艇修表襟横が表1に示でれる溶融シリカ破砕体をJ
IS目開き4.76〜9.52 mmメツシュの範囲と
なるようふるい分けた。塩化パラジウムを塩酸酸性下〒
加熱溶解して塩化パラジウム濃度100みなの水溶液の
含浸液を調製した。この含浸液を上記のふるい分けたシ
リカ担体に含浸すせ、シリカ表面に保持されない余分の
含浸液はこう配をつけて除去し、乾燥後常温の水素を通
じ還元した。この時パラジウムの担持量を分析で求めろ
と0.31wt%!あった。
このようにして作られた触媒Aを石英反応管に充填し、
固定床流通式反応装置を槽底して試験した。テトラクロ
ロシランと水素とのモル比1:3の混合ガスを反応温度
800℃、接触時間0.6秒で通じ、反応ガスをオンラ
インガスクロマトグラフィにより分析した。反応開始初
期におけろガス分析値はテトラクロロシラン2&0%、
トリクロロシラン2.0%、塩化水素2.0%(この%
は容量%であって、以下同じ)で、テトラクロロシラン
よりトリクロロシランへの転化率は8%fあった。
時間の経過に伴ってトリクロロシランの収率は徐々に上
昇し、100時間後テトラクロロシラン21.87%、
トリクロロシラン3.16%、塩化水素3.16%の分
析値が得られ転化率は12.5%となった。その後転化
率はほとんど一定であり、4000時間連続的に触媒の
寿命試験を行ったが、触媒活性の低下は見られず、一定
の活性を示した。また、使用済の触媒を抜き出したが、
触媒強度の低下は実質的にみられなかった。
表1 実施例2 組成が表1に示ぜれろ溶融シリカ破砕体をJIS目開き
4.76〜9.52 mmメツシュの範囲となるようふ
るい分けた。このふるい分けた溶融シリカ破砕体1重量
部を常温〒50%フッ化水素酸水溶液2重量部vc4時
間浸漬してエツチングを行った。この際エツチングによ
る重量減は23%↑あつ1こ。
エツチング終了後シリカ担体は多量の水f洗浄の後、乾
燥した。次に塩化・ぞラジウムを塩酸酸性下フ加熱溶解
して塩化ノラジウム1001/lの水溶液の含浸液を調
製した。この含浸液はこう配をつけて除去し、乾燥後常
温の水素を通じ還元した。この時パラジウムの担持量を
分析で求めろと、0.42wt%↑あった。
このようにして作られた触媒Bを石英反応管に充填し、
固定床流通式反応装置を用いて試験した。
テトラクロルシランと水素とのモル比1:3の混合ガス
を反応温度800℃、接触時間0.45秒f通じ、反応
ガスをオンラインガスクロマトグラフィーにより分析し
た。反応開始初期におけろガス分析値は、テトラクロロ
シラン22.5%、トリクロロシラン2.5%、塩化水
素2.5%fテトラクロロシランよりトリクロロシラン
への転化率は10%fあつ1こ。時間経過に伴ってトリ
クロロシラン収率は徐々に上昇し、100時間後にはテ
トラクロロシラン21.2%、トリクロロシラン&8%
、塩化水素3.8%の分析値が得られ、転fヒ率は15
%となった。その後転化率はほとんど一定であり、40
00時間連続的に触媒の寿命試験を行ったが、触媒活性
の低下は見られず、一定の活性を示した。
また、使用済のか媒を抜き出したが、触媒強度の低下は
実質的にみられなかった。
また、上記のシリカ担体を1ooII用い、塩化パラジ
ウム#に度100.!i’/Jの含浸液の120 cc
を含浸し、加熱ドライアップすることにより6%パラジ
ウムが担持でれている触媒を調製した。この触媒を用い
て上と同じ条件マ反応テフトを行った。テトラクロロシ
ランのトリクロロシランへの転化率は15%フあったが
、反応時間5時間後に使用後の触媒を抜き出してみろと
、触媒に担持した・ぐラジウムの90%は剥離したの〒
、この加熱ドライアップの手段は触媒の製造にはあまり
適しない。
実施例3 実施例2と全く同一の触媒Bを用いて反応試験を行った
。ただし、反応に先豆ってトリクロロシランと水素との
混合ガスを700°Cで通じて、触媒に担持されている
・ぐラジウムを予めパラジウムシリサイドに転換した後
、実施例2と全く同一条件で反応を行ったところ反応開
始初期よりテトラクロロシランのトリクロロシランへの
転化率は15%マあり、4000時間触媒は一定活性を
維持した。
使用済触媒はX線回折により分析したところ、Pd 2
 S iの結晶構造をもつノぞラジウムシリサイドに相
当するピークが得られた。
実施例4 4.76〜9.52 mmの溶融シリカ破砕体をカー2
ランダムを空気f吹きつけることにより研摩してシリカ
担体を調製した。次に含浸液として塩化、eラジウム濃
度651)/lの塩酸酸性水溶液を調製した。
この含浸液を上記のシリカ担体に含浸式せ、シリカ表面
に保持てれない余分の含浸液を容器を傾けることによっ
て除去し、乾燥後常温の水素を通じ還元した。この時・
ぞラジウムの担持量を分析〒求めると0.33wt%〒
あった。・ このようにして得た触媒Cを実施例2と同一試験装置を
用いてテストした。テトラクロロシランと水素のモル比
1:5の混合ガスを反応温度700℃、接触時間0.2
秒で通じた。定常活性となった後の反応ガスはテトラク
ロロシラン14.7%、トリクロロシラン2.6%、塩
化水素2.6%↑あり、転化率は13.8%1あり、4
000時間ま〒活性低下することなく連続運転が可能f
あった。
実施例5 4.76〜9.52mmの溶融シリカ破砕体に800℃
fテトラクロロシラン及び水素の混合ガスを連続的に3
00時間通じて表面処理してシリカ担体を調製した。塩
化パラジウム濃度1001/Itの塩酸酸性含浸溶液を
このシリカ担体に含浸し、表面に保持でれない余剰液を
除去し、乾燥後常温の水素を通じ還元し、触媒りを調製
した。パラジウム担持量は1. Owt%であった。こ
の触媒りを実施例2と同じ試験装置を用いてテストした
。テトラクロロシランと水素とのモル比1ニア、反応温
度600℃、接触時間0.5秒f反応を行ったところ、
定常活性となった後の反応ガスの組成はテトラクロロシ
ラン1).1%、トリクロロシラン1.4%、HCl1
.4%フあり、転化率は1).2%であった。触媒りを
使用した場合も活性低下することなく aoo。
時間の連続運転が行えた。
比較例1 表2に示す物性をもつ石英レンガの4.76〜9.52
7℃の破砕体を担体に用いて塩化・ぞラジウム濃度50
9/lの含浸液を用いて、1%パラジウム担持石英レン
ガ触媒(触媒E)を調製した。実施例2と同じ条件マ反
応テストを行った。テトラクロロシランのトリクロロシ
ランへの転化率は、初期には15%↑あったが、反応経
過に従って徐々に低下し、50時間後に13%、100
時間後には12%まマ低下した。100時間経過後の触
媒強度は完全に失われており、触媒をとり出そうとする
際に粉化してしまった。
表   2 比較例2 表6に示すシリカゲルにノぞラジウムを1%担持した触
媒Fを用いて実施例2と同じ条件↑反応テストを行った
。テトラクロロシランのトリクロロシランへの転化率は
初期には15%↑あったが、反応経過に従って低下し、
60時間後には8%、50時間後には6.5%、100
時間後には4%まで低下した。100時間後触媒をとり
出したところ、触媒は形状をとどめずほとんど粉化して
おり、また触媒重量の9&8wt%が減少消失していた
実施例6 表4に示すシリカゲルを950℃′1%6時間加熱処理
したところ表5に示す結晶化シリカゲルが得られた。X
線回折法で分析すると、アモルファスのシリカがクリス
ノ々ライトとトリジマイトの混合物になったことが確認
でれた。この結晶化シリカゲルにパラジウムを1%担持
した触媒Gを用いてテトラクロロシランの脱塩素水素r
ヒテストを実施例2と同じ装置を用いて行った。H2/
テトラクロロシランのモル比= 7.0 、反応温度8
00″C1接触時間0,5秒行ったところ、テトラクロ
ロシランのトリクロロシランへの転化率は20%fあり
、1000時間連続テストを行ったが活性の低下1)全
く見られなかった。
表4    表5 比較例6 表6に示すシリカゲルを用いて950℃−tIIs時間
熱処理したところ結晶化は起らなかった。表7に示すシ
リカゲルを用いて950°G−1’3時間熱処理したと
ころ結晶化は起らなかった。
実施例7 実施例2と同様にフッ化水素酸処理をしたシリカ担体を
用いて0.4%ルテニウムを担持した触媒Hを調製した
。触媒Hを実施例2と全く同一条件マチストしたところ
テトラクロロシランのトリクロロシランへの転化率は1
0%↑あl:)、1000時間連続テストを行ったが、
活性の低下は見られなかった◎ 実施例8 実施例2と同様にフッ化水素酸処理をしたシリカ担体を
用いて0.4%白金を担持した触媒工を調製した。触媒
工を実施例2と全く同一条件フチストシタところ、テト
ラクロロシランのトリクロロシランへの転化率は4%↑
あり、1000時間連続テストを行ったが、活性の低下
は見られなかったO 実施例9 実施例2と同じ触媒Bを用いて反応温度650℃におい
て五塩化ニオブと水素とのモル比1:1の混合ガスを接
触時間0.5秒で通したところ、五塩化ニオブより四塩
化二オシへの転化率64.1%であり、1000時間連
続テストを行ったが、活性の低下は見られなかった。
実施例10 実施例2と同じ触媒Bを用いて反応温度500℃におい
て三臭化バナジウムと水素とのモル比1:6の混合ガス
を接触時間0.4秒↑通したところ、三臭化バナジウム
の三臭化バナジウムへの転化率は18%マあり、100
0時間連続テストを行ったが、活性の低下はみられなか
った。
実施例1) 4.76〜9.52 mmの溶融シリカ破砕体に塩化・
ぞラジウム100 g/l及び塩化ルテニウム100 
f//lの1=1混合金浸溶液を用いて含浸し、シリカ
表面に保持でれない余分の含浸液を除去したのち乾燥し
、水素還元することによりQ、3wt%ノぞラジウム−
QJwt%ルテニウムの担持触媒Jを調製した。
この触媒を用いてテトラクロロシラント水素のモル比1
:5の混合ガスを反応温度750 ’C1接触時間0.
25秒f通じ1こ。定常活性となった後の反応ガスはテ
トラクロロシラン14.1%、トリクロロシラン2.6
%、塩化水素2.6%となり、転化率15.6%!あり
、1000時間連続テストを行ったが、活性の低下(ま
見られなかった。
代理人 弁理士(8107)佐々木 清 隆(ほか6名

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ハロゲン化物を脱ハロゲン水素化するための触媒
    であつて、非多孔質シリカに白金族金属および白金族金
    属のケイ化物からなる群より選ばれた少なくとも1つを
    担持することを特徴とする触媒。
  2. (2)白金族金属および白金族金属のケイ化物がパラジ
    ウムおよびパラジウムシリサイドである特許請求の範囲
    第(1)項記載の触媒。
  3. (3)非多孔質シリカがガラス状の溶融シリカ固化体の
    無定形シリカである特許請求の範囲第(1)項記載の触
    媒。
  4. (4)非多孔質シリカがガラス状の溶融シリカ固化体の
    表面をフッ化水素酸を用いてエッチングした無定形シリ
    カである特許請求の範囲第(3)項記載の触媒。
  5. (5)非多孔質シリカがガラス状の溶融シリカ固化体の
    表面を研摩材を用いて研摩した無定形シリカである特許
    請求の範囲第(3)項記載の触媒。
  6. (6)非多孔質シリカがガラス状の溶融シリカ固化体の
    表面を高温の水素とクロルシランとを接触させて処理し
    た無定形シリカである特許請求の範囲第(3)項記載の
    触媒。
  7. (7)非多孔質シリカが表面積150〜300m^2/
    gのシリカゲルを高温下で結晶化させた結晶化シリカで
    ある特許請求の範囲第(1)項記載の触媒。
JP16089186A 1986-07-10 1986-07-10 脱ハロゲン化触媒 Granted JPS6323741A (ja)

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DE8787109942T DE3782213T2 (de) 1986-07-10 1987-07-09 Verfahren zur enthalogenierung eines halogenids und katalysator hierfuer.
EP87109942A EP0255877B1 (en) 1986-07-10 1987-07-09 Method for dehalogenation of a halide and catalyst used therefor
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07238039A (ja) * 1993-12-17 1995-09-12 Solvay Deutsche Gmbh 第4主族元素のハロゲン原子含有化合物の触媒的脱ハロゲン法

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JPH07238039A (ja) * 1993-12-17 1995-09-12 Solvay Deutsche Gmbh 第4主族元素のハロゲン原子含有化合物の触媒的脱ハロゲン法

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