JPS63235473A - 金属薄膜の形成方法 - Google Patents
金属薄膜の形成方法Info
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- JPS63235473A JPS63235473A JP6961387A JP6961387A JPS63235473A JP S63235473 A JPS63235473 A JP S63235473A JP 6961387 A JP6961387 A JP 6961387A JP 6961387 A JP6961387 A JP 6961387A JP S63235473 A JPS63235473 A JP S63235473A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置内の電気的接続に用いらｎるＡｌ
Ｉ膜の形成方法に関し、特に・ ＡＩをその成分元素と
して含むガスの熱分解によってＡＪ薄膜を形成する化学
気相成長方法に関する。
Ｉ膜の形成方法に関し、特に・ ＡＩをその成分元素と
して含むガスの熱分解によってＡＪ薄膜を形成する化学
気相成長方法に関する。
従来、ＡＪの化学気相成長法は、例えばトリイソブチル
アルミニウム（以下ＴＩＢＡと略称する）単体を熱分解
し、ＡｌＩを析出させるのが一般的であった。
アルミニウム（以下ＴＩＢＡと略称する）単体を熱分解
し、ＡｌＩを析出させるのが一般的であった。
上述した従来の化学気相成長法で得られるＡＩ！薄膜に
は次に述べる欠点があった。
は次に述べる欠点があった。
ｌ）成分に若干の炭素を含むものの、その組成は基本的
に純ＡＩである究め、他の方法（例えばスパッタ法）で
形成され４ＡＪ膜同様、エレクトロマイグレーシッンｉ
ｔ性カ低い。
に純ＡＩである究め、他の方法（例えばスパッタ法）で
形成され４ＡＪ膜同様、エレクトロマイグレーシッンｉ
ｔ性カ低い。
２）極めて粒状性が粗い。
本発明の金属薄膜の形成方法は、ＡＪｔ−その成分元素
として含むアルキル化合物の蒸気と、金属ハロゲン化物
の蒸気とを混合し、これ全原料ガスとして用いることｆ
ｅ特徴としている。
として含むアルキル化合物の蒸気と、金属ハロゲン化物
の蒸気とを混合し、これ全原料ガスとして用いることｆ
ｅ特徴としている。
次に、本発明の一実施例につ仏て説明する。
本実施例では、原料ガスとして、ＴＩＢＡ及びＷＣ１ａ
を用いる。化学気相成長装置には、通常の減圧熱ＣＶＤ
装置を用いる。まず薄膜を形成しようとする半導体基板
を１反応室中に設置し、２６０℃に加熱しながら３０分
間の真空引きを行い、半導体基板表面に吸着した水分金
除去する。次に１反応室内にＴＩＢＡ＠ ｏ、ｓ〜１Ｔ
ｏｒ（の分圧で導入し、同時にＷＣＩ ６ ｉ ０．０
１〜ｏ、Ｉ Ｔｏｒｒ８度の分圧で導入する。２６０℃
に加熱された半導体基板表面ではＴＩＢＡの熱分解によ
ってＡＪ薄膜が堆積するが、それと同時に、次の反応に
よってＡ／模膜上Ｗが析出し、Ｗを不純物として含むＡ
ｒ４膜が形成される。
を用いる。化学気相成長装置には、通常の減圧熱ＣＶＤ
装置を用いる。まず薄膜を形成しようとする半導体基板
を１反応室中に設置し、２６０℃に加熱しながら３０分
間の真空引きを行い、半導体基板表面に吸着した水分金
除去する。次に１反応室内にＴＩＢＡ＠ ｏ、ｓ〜１Ｔ
ｏｒ（の分圧で導入し、同時にＷＣＩ ６ ｉ ０．０
１〜ｏ、Ｉ Ｔｏｒｒ８度の分圧で導入する。２６０℃
に加熱された半導体基板表面ではＴＩＢＡの熱分解によ
ってＡＪ薄膜が堆積するが、それと同時に、次の反応に
よってＡ／模膜上Ｗが析出し、Ｗを不純物として含むＡ
ｒ４膜が形成される。
２Ａｌ＋ＷＣｌ６→Ｗ＋２ＡＩＣ１３・・・・・・ ＋
１）ナオ、ＡＩＣＪ３の昇華温度は１８０℃（１ｓ ｔ
ｍ）である九め、これが膜中に残留することはない。
１）ナオ、ＡＩＣＪ３の昇華温度は１８０℃（１ｓ ｔ
ｍ）である九め、これが膜中に残留することはない。
本発明の池の実施例では、金属ハロゲン化物としてＴａ
Ｃ１５ｔ−用いる。実施例１と同様の温匿。
Ｃ１５ｔ−用いる。実施例１と同様の温匿。
方法で表面吸着水を除去した半導体基板上に０．５−１
Ｔｏｒｒの分圧のＴＩＢＡ及”ｏ−０，０１〜０．１Ｔ
ｏ、 、程度のＴａＣＪｓｆｔ導入する。膜堆積は次の
反応により進行し、Ｔａを不純物として含むＡＪ膜が形
成される。
Ｔｏｒｒの分圧のＴＩＢＡ及”ｏ−０，０１〜０．１Ｔ
ｏ、 、程度のＴａＣＪｓｆｔ導入する。膜堆積は次の
反応により進行し、Ｔａを不純物として含むＡＪ膜が形
成される。
ＴＩＢＡ→Ａ ｌ ＋ ３／２）１雪＋２（Ｃ為）ＺＣ
＝Ｃ均・・・・・・・・・ （２） ・・・・・・・・・ （３） 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は従来性なわれていたアル
ミニクムを含むアルキル化合物の熱分解に加え、この分
解で生じｆｉ ＡＪと金属ノ１０ゲン化物の蒸気とを反
応させることによ、９、Ａ＃以外の金属を不純物として
含むＡＪ膜を形成することができるため、次に述べる効
果がある。
＝Ｃ均・・・・・・・・・ （２） ・・・・・・・・・ （３） 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は従来性なわれていたアル
ミニクムを含むアルキル化合物の熱分解に加え、この分
解で生じｆｉ ＡＪと金属ノ１０ゲン化物の蒸気とを反
応させることによ、９、Ａ＃以外の金属を不純物として
含むＡＪ膜を形成することができるため、次に述べる効
果がある。
（１３ｇ中に導入した金属不純物により、ＡＪ膜自身が
、固溶体型強化あるいは自己析出型強化される結果、従
来の化学気相成長法によるＡＩ膜では得られなかったエ
レクトロマイグレーシ冒ン耐性を持つＡＩ膜が形成でき
る。
、固溶体型強化あるいは自己析出型強化される結果、従
来の化学気相成長法によるＡＩ膜では得られなかったエ
レクトロマイグレーシ冒ン耐性を持つＡＩ膜が形成でき
る。
（２）不純物の導入により、局所的なＡＪ結晶の異常成
長が抑制される結果、粒状性の良好な平担な膜面が得ら
れる。
長が抑制される結果、粒状性の良好な平担な膜面が得ら
れる。
Claims (1)
- 半導体装置内の配線に用いられる金属薄膜を化学気相
成長法で形成する方法において、Ａｌをその成分元素と
して含むアルキル化合物の蒸気に、金属ハロゲン化物の
蒸気を混合し、これを原料ガスとして用いることを特徴
とする金属薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6961387A JPS63235473A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 金属薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6961387A JPS63235473A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 金属薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63235473A true JPS63235473A (ja) | 1988-09-30 |
Family
ID=13407880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6961387A Pending JPS63235473A (ja) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | 金属薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63235473A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148046A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-23 JP JP6961387A patent/JPS63235473A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148046A (ja) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の製造方法 |
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