JPS63234404A - 磁気ヘツド - Google Patents
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- JPS63234404A JPS63234404A JP6791887A JP6791887A JPS63234404A JP S63234404 A JPS63234404 A JP S63234404A JP 6791887 A JP6791887 A JP 6791887A JP 6791887 A JP6791887 A JP 6791887A JP S63234404 A JPS63234404 A JP S63234404A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、VTRやビデオフロッピーディスク等の記録
再生用の磁気ヘッドに係り、特に高周波領域においても
特性劣化のない磁気ヘッドに関する。
再生用の磁気ヘッドに係り、特に高周波領域においても
特性劣化のない磁気ヘッドに関する。
記録密度の向上に伴って、VTR用にも従来の酸化物磁
気テープに代り、保磁力の大きいメタルテープが開発さ
れている。このため、ヘッド材料も、フェライト系から
更に飽和磁束密度の高い金属系磁性材料へと代わって来
ている。
気テープに代り、保磁力の大きいメタルテープが開発さ
れている。このため、ヘッド材料も、フェライト系から
更に飽和磁束密度の高い金属系磁性材料へと代わって来
ている。
一方、記録波長も時代と共に短波長化へと進んでいる。
このために、ヘッド材料も、透磁率μの周波数特性を更
に高域まで伸ばすことが必要とされる。しかしながら、
ヘッド材料として金属系磁性材料を用いた場合には、比
抵抗が低いために、うず電流損失が生じてしまう。そこ
で、金属系磁性材料による膜を薄くし、それを多数積層
して所定厚さの磁性層を形成することが考えられている
。
に高域まで伸ばすことが必要とされる。しかしながら、
ヘッド材料として金属系磁性材料を用いた場合には、比
抵抗が低いために、うず電流損失が生じてしまう。そこ
で、金属系磁性材料による膜を薄くし、それを多数積層
して所定厚さの磁性層を形成することが考えられている
。
第6図はかかる多層構造の磁性層を有する磁気ヘッドに
おける透磁率の周波数特性を示しており、同図から明ら
かなように、比抵抗ρが1.5 Xl0−’Ω・−の金
属系磁性材料でIOMH2までμを2000以上とする
ためには、金属系磁性材料の膜、すなわち金属磁性薄膜
の厚さを一層当たり4.0μm以下として多層化する必
要がある。
おける透磁率の周波数特性を示しており、同図から明ら
かなように、比抵抗ρが1.5 Xl0−’Ω・−の金
属系磁性材料でIOMH2までμを2000以上とする
ためには、金属系磁性材料の膜、すなわち金属磁性薄膜
の厚さを一層当たり4.0μm以下として多層化する必
要がある。
金属磁性薄膜を用いたVTR用磁気ヘッドとしては、例
えばNHK 柴谷氏等により開発されたもので、セン
ダスト・スパッタ膜を金属磁性薄膜とし非磁性絶縁性の
酸化硅素膜を絶縁性層間材として、これらを交互に多層
積層し、ギャップをガラスボンディング法により形成し
た磁気ヘッドが知られている(特開昭49−12719
5号公報)。
えばNHK 柴谷氏等により開発されたもので、セン
ダスト・スパッタ膜を金属磁性薄膜とし非磁性絶縁性の
酸化硅素膜を絶縁性層間材として、これらを交互に多層
積層し、ギャップをガラスボンディング法により形成し
た磁気ヘッドが知られている(特開昭49−12719
5号公報)。
第7図はかかる磁気ヘッドを磁気記録媒体摺動面側から
みた平面図であって、1は基板、2a。
みた平面図であって、1は基板、2a。
2bは金属磁性薄膜、3は眉間材、4はガラスボンディ
ング法で作られたギャップ、5,6は磁性層である。
ング法で作られたギャップ、5,6は磁性層である。
同図において、磁性層5は金属磁性薄膜2aと非磁性絶
縁性の眉間材3とが交互に積層された多層構造をなし、
また、磁性層6も金属磁性薄膜2bと層間材3とが交互
に積層された多層構造をなしている。これら磁性層5.
6は基板1間に設けられている。この磁気ヘッドは、磁
性薄膜2aを含むギャップ4に対して左側のコア半休と
、磁性薄膜2bを含むギャップ4に対して右側のコア半
休とをガラス溶融法で接合し、その接合部をギャップ1
0とするものである。この接合工程において、これら2
つのコア半休を高精度で接合することは非常に困難であ
り、また、ギャップのトラック幅に誤差が生じやすいこ
とから、この磁気ヘッドは量産性や歩留まりに問題があ
る。
縁性の眉間材3とが交互に積層された多層構造をなし、
また、磁性層6も金属磁性薄膜2bと層間材3とが交互
に積層された多層構造をなしている。これら磁性層5.
6は基板1間に設けられている。この磁気ヘッドは、磁
性薄膜2aを含むギャップ4に対して左側のコア半休と
、磁性薄膜2bを含むギャップ4に対して右側のコア半
休とをガラス溶融法で接合し、その接合部をギャップ1
0とするものである。この接合工程において、これら2
つのコア半休を高精度で接合することは非常に困難であ
り、また、ギャップのトラック幅に誤差が生じやすいこ
とから、この磁気ヘッドは量産性や歩留まりに問題があ
る。
一方、前記ガラスボンディング法によるギャップ形成法
を用いないで、ギャップの形成その他に最近のウェファ
プロセス技術を採り入れることにより、高精度で量産性
向上を狙った磁気ヘッドも開発されるようになった(実
公昭43−13255号公報)。
を用いないで、ギャップの形成その他に最近のウェファ
プロセス技術を採り入れることにより、高精度で量産性
向上を狙った磁気ヘッドも開発されるようになった(実
公昭43−13255号公報)。
第8図は、ガラスボンディング法を用いることな(、ウ
ェファプロセス技術での膜堆積法により製造した磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体摺動面(以下、単に「摺動面」と称
す)側からみた平面図であって、1は基板、2a、2b
は金属磁性薄膜、4は非磁性ギャップ材、5は保護膜で
ある。さらに、第9図は第8図に示した磁気ヘッドの製
造工程図である。その製造工程は次の順に行われる。
ェファプロセス技術での膜堆積法により製造した磁気ヘ
ッドの磁気記録媒体摺動面(以下、単に「摺動面」と称
す)側からみた平面図であって、1は基板、2a、2b
は金属磁性薄膜、4は非磁性ギャップ材、5は保護膜で
ある。さらに、第9図は第8図に示した磁気ヘッドの製
造工程図である。その製造工程は次の順に行われる。
(1)まず、基板l (第9図(a))を形成し、その
基板1.上に第1の金属磁性薄膜2aをスパッタリング
等により形成する(第9図(b))。
基板1.上に第1の金属磁性薄膜2aをスパッタリング
等により形成する(第9図(b))。
(2)次に、金属磁性薄膜2aの一部を基板1が現れる
まで除去し、金属磁性薄膜2aと基板lとの表面上に非
磁性のギャップ材料4をスパッタリング等により形成す
る(第9図(C))。
まで除去し、金属磁性薄膜2aと基板lとの表面上に非
磁性のギャップ材料4をスパッタリング等により形成す
る(第9図(C))。
(3)そして、ギャップ材料4の全面に第2の金属磁性
薄膜2bをスパッタリング等により形成する(第9図(
d))。
薄膜2bをスパッタリング等により形成する(第9図(
d))。
(4)シかる後、ラッピング等により、金属磁性薄膜2
a上のギャップ材料4が除かれる程度に、金属磁性薄膜
2bの一部を除去する(第9図(e))。
a上のギャップ材料4が除かれる程度に、金属磁性薄膜
2bの一部を除去する(第9図(e))。
これにより、基板1上にギャップ4をはさんで金属磁性
薄膜が形成されたことになる。
薄膜が形成されたことになる。
(5) さらにその上に、保護膜7を蒸着等により形
成する(第9図(f))。
成する(第9図(f))。
以上の工程により、膜堆積法による磁気ヘッドが形成で
きる。第8図はこのタイプの磁気ヘッドであって、磁性
層を単層の金属磁性薄膜にて形成した場合であるが、こ
の種磁気ヘッドで金属磁性薄膜を多層積層して磁性層を
形成した場合には、第9図(b)、第9図(d)におい
て、単層の金属磁性薄膜2a、2bの代りに、金属磁性
薄膜と層間材とが、交互に多層積層され、第9図(d)
の工程では第10図に示すような構造のものが得られる
。この結果、第9図(e) (f)と同様な工程を経て
出来上がった磁気ヘッドは、第11図に示すように、そ
の摺動面側からみて、ギャップ4に対して一方の磁性層
は金属磁性薄膜2aと絶縁性層間材3との多層構造とな
り、他方の磁性層も金属磁性薄膜2bと絶縁性層間材3
との多層構造となる。
きる。第8図はこのタイプの磁気ヘッドであって、磁性
層を単層の金属磁性薄膜にて形成した場合であるが、こ
の種磁気ヘッドで金属磁性薄膜を多層積層して磁性層を
形成した場合には、第9図(b)、第9図(d)におい
て、単層の金属磁性薄膜2a、2bの代りに、金属磁性
薄膜と層間材とが、交互に多層積層され、第9図(d)
の工程では第10図に示すような構造のものが得られる
。この結果、第9図(e) (f)と同様な工程を経て
出来上がった磁気ヘッドは、第11図に示すように、そ
の摺動面側からみて、ギャップ4に対して一方の磁性層
は金属磁性薄膜2aと絶縁性層間材3との多層構造とな
り、他方の磁性層も金属磁性薄膜2bと絶縁性層間材3
との多層構造となる。
ところで、ノン・ボンディング形式(ガラスボンディン
グ法を用いない形式)で、膜堆積技術を用いた上記の多
層金属磁性膜磁気ヘッドでは、第11図に示すように、
ギャップ4のなす面が層間材3の一部3′のなす面と平
行となる(両面のなす角をθとすると、θ=08となる
ため)。
グ法を用いない形式)で、膜堆積技術を用いた上記の多
層金属磁性膜磁気ヘッドでは、第11図に示すように、
ギャップ4のなす面が層間材3の一部3′のなす面と平
行となる(両面のなす角をθとすると、θ=08となる
ため)。
このために、ギャップ4のなす面と平行なこの絶縁性層
間材3の部分3′が擬似ギャップとして作用してしまい
、ギャップ4とともに、この擬似ギヤップでも記録が行
われる。擬似ギャップによる記録強度はギャップ4によ
る記録強度に比べて充分小さいために、擬似ギャップで
記録したものを擬似ギャップで再生する分には問題ない
が、擬似ギャップによって、ギャップ4で記録されたも
のを再生したり、ギャップ4によって擬似ギャップで記
録されたものを再生したりし、これらによる再生信号の
レベルはかなり高く、ギャップ4で記録され、かつギャ
ップ4で再生される本来の信号に混入してそのS/Nを
劣化させることになる。
間材3の部分3′が擬似ギャップとして作用してしまい
、ギャップ4とともに、この擬似ギヤップでも記録が行
われる。擬似ギャップによる記録強度はギャップ4によ
る記録強度に比べて充分小さいために、擬似ギャップで
記録したものを擬似ギャップで再生する分には問題ない
が、擬似ギャップによって、ギャップ4で記録されたも
のを再生したり、ギャップ4によって擬似ギャップで記
録されたものを再生したりし、これらによる再生信号の
レベルはかなり高く、ギャップ4で記録され、かつギャ
ップ4で再生される本来の信号に混入してそのS/Nを
劣化させることになる。
この欠点を軽減しようとしたものとして、特開昭57−
138021号公報に開示される磁気ヘッドが提案され
ている。この磁気ヘッドは、ノンボンディング形多層金
属磁性膜磁気ヘッドであるが、第12図に示すように、
ギャップ4の右側を基板まで達するV字状の溝が形成さ
れるように切り取り、切り取られた溝内に磁性金属材の
層8を被着して埋込むようにしたものである。これによ
ると、磁性金属材の層8と金属磁性薄膜2bによる磁性
層6との間に非磁性絶縁層9が設けられており、この非
磁性絶縁層9が擬似ギャップとなるが、この擬似ギャッ
プの面はギャップ4の面と平行でなく(160”)、ア
ジマス効果によって、この擬似ギャップの影響は現れな
い。
138021号公報に開示される磁気ヘッドが提案され
ている。この磁気ヘッドは、ノンボンディング形多層金
属磁性膜磁気ヘッドであるが、第12図に示すように、
ギャップ4の右側を基板まで達するV字状の溝が形成さ
れるように切り取り、切り取られた溝内に磁性金属材の
層8を被着して埋込むようにしたものである。これによ
ると、磁性金属材の層8と金属磁性薄膜2bによる磁性
層6との間に非磁性絶縁層9が設けられており、この非
磁性絶縁層9が擬似ギャップとなるが、この擬似ギャッ
プの面はギャップ4の面と平行でなく(160”)、ア
ジマス効果によって、この擬似ギャップの影響は現れな
い。
しかし、かかる磁気ヘッドを製造するに際しては、磁性
金属材の層6を設けるための溝形成や埋込み工程が余分
に加わるため、量産性に乏しいという問題がある。
金属材の層6を設けるための溝形成や埋込み工程が余分
に加わるため、量産性に乏しいという問題がある。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、擬似ギャップ
に基づ<S/Nの劣下をなくし、かつ高域特性が優れた
、しかも量産性に優れた磁気ヘッドを提供することにあ
る。
に基づ<S/Nの劣下をなくし、かつ高域特性が優れた
、しかも量産性に優れた磁気ヘッドを提供することにあ
る。
上記目的を達成するため、本発明は、ノンボンディング
式で膜堆積法を用いた多層金属磁性膜磁気ヘッドにおい
て、ギャップ面に対し、磁性層の金属磁性膜間に介在す
る絶縁性層間材のなす面を非平行としたものである。
式で膜堆積法を用いた多層金属磁性膜磁気ヘッドにおい
て、ギャップ面に対し、磁性層の金属磁性膜間に介在す
る絶縁性層間材のなす面を非平行としたものである。
摺動面からみて、絶縁性層間材の面とギャップ面とのな
す角をθ(ラジアン)とすると(θ=0のとき両者は平
行)、その影響はいわゆるアジマス損失と考えてよく、
次の(1)式に従い、θが増大する程ギャップによる擬
似ギャップで記録された信号の再生出力は減少する。
す角をθ(ラジアン)とすると(θ=0のとき両者は平
行)、その影響はいわゆるアジマス損失と考えてよく、
次の(1)式に従い、θが増大する程ギャップによる擬
似ギャップで記録された信号の再生出力は減少する。
ここに、Wはトラック幅、λは記録波長、Laはθ=0
での再生出力をOdBとしたときの相対再生出力である
。θを5°以上、好ましくは20゜程度とすれば、擬似
ギャップの影響は無視できる。
での再生出力をOdBとしたときの相対再生出力である
。θを5°以上、好ましくは20゜程度とすれば、擬似
ギャップの影響は無視できる。
以下、本発明の一実施例を図面により説明する。
第1図は本発明による磁気ヘッドの一実施例を摺動面側
からみた平面図であって、前出図面に対応する部分には
同一符号をつけている。
からみた平面図であって、前出図面に対応する部分には
同一符号をつけている。
同図において、基板l上に非磁性のギャップ4を挟んで
第1の磁性層5と第2の磁性層6とが設けられている。
第1の磁性層5と第2の磁性層6とが設けられている。
磁性層5.6は夫々、センダストアモリファスなどの金
属磁性膜2a、 2bとSin、などの非磁性の眉間材
3とが交互に積層されて多層構造をなしており、これら
磁性層5.6上に保護膜7が構成されている。そして、
後の製造方法の説明から明らかなように、磁性層5の眉
間材3の面は基板1の表面に平行であり、ギャップ4の
面に非平行であるが、さらに、磁性層6の眉間材3の面
も、ギャップ4の近傍も含めてギャップ4の面と非平行
となっている(θ≠0である)、このために、層間材3
が擬似ギャップとして作用することはない。
属磁性膜2a、 2bとSin、などの非磁性の眉間材
3とが交互に積層されて多層構造をなしており、これら
磁性層5.6上に保護膜7が構成されている。そして、
後の製造方法の説明から明らかなように、磁性層5の眉
間材3の面は基板1の表面に平行であり、ギャップ4の
面に非平行であるが、さらに、磁性層6の眉間材3の面
も、ギャップ4の近傍も含めてギャップ4の面と非平行
となっている(θ≠0である)、このために、層間材3
が擬似ギャップとして作用することはない。
次に、その製造方法を第2図を用いて説明する。
(1) まず、ガラス等によって非磁性の基板1を形
成しく第2図(al)、その上にセンダスト、アモルフ
ァス等からなる磁性薄膜2aと5i04等からなる非磁
性絶縁性の眉間材3とを交互に所定膜厚までスパッタリ
ング、蒸着等により多層積層する。
成しく第2図(al)、その上にセンダスト、アモルフ
ァス等からなる磁性薄膜2aと5i04等からなる非磁
性絶縁性の眉間材3とを交互に所定膜厚までスパッタリ
ング、蒸着等により多層積層する。
(第2図山))
(2)次に、この積層体の一部を基板1の表面までパタ
ニングあるいは機械加工等により除去し、ギャップ面と
なる傾斜面10を有する磁性層5を形成する。(第2図
(C)) (3)磁性層5および基板1上にギャップ4となるSi
0g膜を成膜し、その5in2膜全体に磁性薄膜2bの
1層を積層する。(第2図(d))(4) 次に、こ
の磁性薄膜2bの段差部分11にレジストを薄く塗り、
これをダラした後、レジストが除かれるように全体にイ
オンミリングを施して段差部11の角度を緩くする。(
第2図(e))(5)シかる後、1層目の磁性薄膜2b
上に、層間材3と磁性薄膜2bとを交互に多層積層する
。
ニングあるいは機械加工等により除去し、ギャップ面と
なる傾斜面10を有する磁性層5を形成する。(第2図
(C)) (3)磁性層5および基板1上にギャップ4となるSi
0g膜を成膜し、その5in2膜全体に磁性薄膜2bの
1層を積層する。(第2図(d))(4) 次に、こ
の磁性薄膜2bの段差部分11にレジストを薄く塗り、
これをダラした後、レジストが除かれるように全体にイ
オンミリングを施して段差部11の角度を緩くする。(
第2図(e))(5)シかる後、1層目の磁性薄膜2b
上に、層間材3と磁性薄膜2bとを交互に多層積層する
。
(第2図(f))
f6) l性層5上の磁性薄膜2bと層間材3との層
が除かれるように、全体にラッピングを施こし、磁性層
5.6の厚さを所定のトラック幅にする。
が除かれるように、全体にラッピングを施こし、磁性層
5.6の厚さを所定のトラック幅にする。
(第2図(g))
(7)そして、最後に、磁性層5,6上にフォルステラ
イト等の非磁性膜を蒸着等により成膜し、保護膜5を形
成する。(第2図(h))以上により、第1図に示す磁
気ヘッド6が製造出来る。尚、上記製造方法では、(3
1,(41の工程(第2図+dl、 (e))において
、1層目の磁性膜2bの段差部11をギャップ4面と非
平行にする為に、レジスト及びミリング工程を用いてい
るが、これに限ることはなく、例えば磁性膜形成のスパ
ッタリング中に、RFバイアスをかけるバイアススパッ
タにより段差部を緩くする方法や、スバフタでなくCV
Dにバイアスをかける方法などで形成しても良い。さら
に上述では、1層目の磁性膜2bだけに段差部11の角
度を緩<シているから、それより上部の層間材3は互い
に平行となっているが、これに限ることはなく、第3図
に示す様に、各磁性薄膜2b毎に上記(3)、 (4)
の工程を施こし、各層間材3とギャップ4とのなす角度
θを、徐々に大きくしても良い(θ2〉θ、)。
イト等の非磁性膜を蒸着等により成膜し、保護膜5を形
成する。(第2図(h))以上により、第1図に示す磁
気ヘッド6が製造出来る。尚、上記製造方法では、(3
1,(41の工程(第2図+dl、 (e))において
、1層目の磁性膜2bの段差部11をギャップ4面と非
平行にする為に、レジスト及びミリング工程を用いてい
るが、これに限ることはなく、例えば磁性膜形成のスパ
ッタリング中に、RFバイアスをかけるバイアススパッ
タにより段差部を緩くする方法や、スバフタでなくCV
Dにバイアスをかける方法などで形成しても良い。さら
に上述では、1層目の磁性膜2bだけに段差部11の角
度を緩<シているから、それより上部の層間材3は互い
に平行となっているが、これに限ることはなく、第3図
に示す様に、各磁性薄膜2b毎に上記(3)、 (4)
の工程を施こし、各層間材3とギャップ4とのなす角度
θを、徐々に大きくしても良い(θ2〉θ、)。
また、第4図及第5図に示す様に、1層目の磁性薄膜2
bを成膜した後、その段差表面あるいは全面をイオンミ
リング等により粗くし、その後磁性薄膜2bと眉間材3
とを交互に多層積層するようにしてもよい。この場合に
も、層間材3のなす面とギャップ4のなす面とは非平行
になる。すなわち、ギャップ形成後の磁性層6を多層化
するに際しては、眉間材が摺動面側から見てギャップ面
と非平行に出来るのならば、その形成方法は問わない。
bを成膜した後、その段差表面あるいは全面をイオンミ
リング等により粗くし、その後磁性薄膜2bと眉間材3
とを交互に多層積層するようにしてもよい。この場合に
も、層間材3のなす面とギャップ4のなす面とは非平行
になる。すなわち、ギャップ形成後の磁性層6を多層化
するに際しては、眉間材が摺動面側から見てギャップ面
と非平行に出来るのならば、その形成方法は問わない。
さて、次に、上記層間材とギャップ面とが摺動面側から
見て非平行としなければならない摺動面上での領域であ
るが、これはギャップ面の位置から見てせいぜい100
μm以内で良い。なぜならば、ギャップ位置から100
μm以上離れた位置では、もはや十分なテープタッチが
得られず、スペーシングロスにより擬似ギャップの影響
は無視できるからである。
見て非平行としなければならない摺動面上での領域であ
るが、これはギャップ面の位置から見てせいぜい100
μm以内で良い。なぜならば、ギャップ位置から100
μm以上離れた位置では、もはや十分なテープタッチが
得られず、スペーシングロスにより擬似ギャップの影響
は無視できるからである。
以上説明したように、本発明によれば、ノンボンディン
グ、膜堆積法による多層金属磁性薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも摺動面の表面近傍で、層間材の面をギャ
ップの面に対し非平行としたので、充分高域までの特性
を良好にしつつ、該層間材が擬似ギャップとして作用し
ても、これによる再生出力のS/Nの劣化)を防止でき
、しかも、擬似ギャップの影響を除くために特別複雑な
工程を付加する必要もないから、量産性1歩留まりが向
上するなど優れた効果が得られる。
グ、膜堆積法による多層金属磁性薄膜磁気ヘッドにおい
て、少なくとも摺動面の表面近傍で、層間材の面をギャ
ップの面に対し非平行としたので、充分高域までの特性
を良好にしつつ、該層間材が擬似ギャップとして作用し
ても、これによる再生出力のS/Nの劣化)を防止でき
、しかも、擬似ギャップの影響を除くために特別複雑な
工程を付加する必要もないから、量産性1歩留まりが向
上するなど優れた効果が得られる。
第1図は本発明による磁気ヘッドの一実施例を示す平面
図、第2図はその製造方法を示す工程図、第3図〜第5
図は夫々本発明による磁気ヘッドの他の実施例を示す平
面図、第6図は磁気ヘッドにおける透磁率の周波数特性
図、第7図および第8図は夫々磁気ヘッドの従来例を示
す平面図、第9図は第8図に示した磁気ヘッドの製造方
法を示す工程図、第10図はこの製造方法における磁性
層を多層構造としたときの一部工程図、第11図は第1
O図に示した製造方法による磁気ヘッドを示す平面図、
第12図は磁気ヘッドの他の従来例を示す平面図である
。 1・・・・・・基板、2a、2b・・・・・・金属磁性
薄膜、3゜3′・・・・・・層間材、4・・・・・・ギ
ャップ、5,6・・・・・・磁第2図 第7図 第9図 (a) (b)(d) け)
図、第2図はその製造方法を示す工程図、第3図〜第5
図は夫々本発明による磁気ヘッドの他の実施例を示す平
面図、第6図は磁気ヘッドにおける透磁率の周波数特性
図、第7図および第8図は夫々磁気ヘッドの従来例を示
す平面図、第9図は第8図に示した磁気ヘッドの製造方
法を示す工程図、第10図はこの製造方法における磁性
層を多層構造としたときの一部工程図、第11図は第1
O図に示した製造方法による磁気ヘッドを示す平面図、
第12図は磁気ヘッドの他の従来例を示す平面図である
。 1・・・・・・基板、2a、2b・・・・・・金属磁性
薄膜、3゜3′・・・・・・層間材、4・・・・・・ギ
ャップ、5,6・・・・・・磁第2図 第7図 第9図 (a) (b)(d) け)
Claims (1)
- 1、同一基板表面上に、ギャップをはさんで、絶縁性層
間材と金属磁性薄膜とが、交互に多層積層されてなる2
つの磁性層が設けられた磁気ヘッドにおいて、前記非磁
性層間材のなす面が、前記ギャップのなす面に対し、磁
気記録媒体摺動面側からみて非平行であることを特徴と
する磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62067918A JPH0758532B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62067918A JPH0758532B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63234404A true JPS63234404A (ja) | 1988-09-29 |
JPH0758532B2 JPH0758532B2 (ja) | 1995-06-21 |
Family
ID=13358768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62067918A Expired - Lifetime JPH0758532B2 (ja) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0758532B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60234209A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
JPS61230611A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62067918A patent/JPH0758532B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60234209A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
JPS61230611A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-14 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0758532B2 (ja) | 1995-06-21 |
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