JPS63233989A - エノールシリルエーテル類 - Google Patents
エノールシリルエーテル類Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、第4世代のβ−ラクタム抗生物質、例えばチ
ェナマイシンの製造に有用なa−(i−ヒドロキシエチ
ル)−4−アセトキシアゼチジン−2−オンや3−(1
−ヒドロキシエチル)−4−ハロアゼチジン−2−オン
を製造する中間体の1つとして重要な一般式(I) (式中、R1は水酸基の保護基、R2、Ra 、R4は
C1〜C4の低級アルキル基、フェニル基またはアラル
キル基を示す。) テ表ワされるエノールシリルエーテルに関する。
ェナマイシンの製造に有用なa−(i−ヒドロキシエチ
ル)−4−アセトキシアゼチジン−2−オンや3−(1
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を製造する中間体の1つとして重要な一般式(I) (式中、R1は水酸基の保護基、R2、Ra 、R4は
C1〜C4の低級アルキル基、フェニル基またはアラル
キル基を示す。) テ表ワされるエノールシリルエーテルに関する。
(従来の技術)
前述のチェナマイシンの製造に有用なS−(を−ヒドロ
キシエチル)−4−アセトキシアゼチジン−2−オンは
、従来、6位に1−ヒドロキシエチル基をもったペネム
化合物を分解して製造する方法(特開昭54−8829
1他)が知られているが、工業生産に適したものではな
かった。
キシエチル)−4−アセトキシアゼチジン−2−オンは
、従来、6位に1−ヒドロキシエチル基をもったペネム
化合物を分解して製造する方法(特開昭54−8829
1他)が知られているが、工業生産に適したものではな
かった。
一般式(II)
(式中、R1、R2、R8* R4は前記に同じ)で表
わされるβ−ラクタム化合物が有用である事を明らかに
した(特開昭6l−18791)。本発明の目的は、化
合物(1)を製造する有効な中間体を提供することにあ
る。
わされるβ−ラクタム化合物が有用である事を明らかに
した(特開昭6l−18791)。本発明の目的は、化
合物(1)を製造する有効な中間体を提供することにあ
る。
(課題を解決するための手段及び作用)化合物(III
)は、反応式1によって製造することが出来、 反応式1 その出発物質である前記のエノールシリルエーテル類(
I)は、新規な化合物で、反応式2によって製造するこ
とが出来る。
)は、反応式1によって製造することが出来、 反応式1 その出発物質である前記のエノールシリルエーテル類(
I)は、新規な化合物で、反応式2によって製造するこ
とが出来る。
反応式2
一般式(1)
においで、R1は水酸基の保護基であり、tert−ブ
チルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イ
ソプロピルジメチルシリル基、アセチル基、ベンジルオ
キシカルボニル基、0−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基、p−ニトロベンジルオキシカルボニル基、t−ブ
チル基等があげられる。これらの中で、好適なのはte
rt−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリ
ル基で代表されるトリアルキルシリル基である。これら
のトリアルキルシリル基は、一般式(■)で示されるβ
−ラクタム化合物を合成する際、安定であり、目的のβ
−ラクタム化合物を取得後、”比較的容易に脱保護でき
るためである。前記一般式(I)中、R2゜R8+R4
は具体的には、メチル基、イソプロピル基、 tert
−ブチル基などのC1〜C4の低級アルキル基や、フェ
ニル基やベンジル基であり、R2゜R8,R4は各々同
一または異なっていてもよい。
チルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イ
ソプロピルジメチルシリル基、アセチル基、ベンジルオ
キシカルボニル基、0−ニトロベンジルオキシカルボニ
ル基、p−ニトロベンジルオキシカルボニル基、t−ブ
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rt−ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリ
ル基で代表されるトリアルキルシリル基である。これら
のトリアルキルシリル基は、一般式(■)で示されるβ
−ラクタム化合物を合成する際、安定であり、目的のβ
−ラクタム化合物を取得後、”比較的容易に脱保護でき
るためである。前記一般式(I)中、R2゜R8+R4
は具体的には、メチル基、イソプロピル基、 tert
−ブチル基などのC1〜C4の低級アルキル基や、フェ
ニル基やベンジル基であり、R2゜R8,R4は各々同
一または異なっていてもよい。
これらの中で、好ましいのはR2と几3とR4が同一で
あってメチル基、R2とR3が各々メチル基でR4がt
−ブチル基、R2とR3が各々フェニル基で几4がt−
ブチル基で表わされる基である。
あってメチル基、R2とR3が各々メチル基でR4がt
−ブチル基、R2とR3が各々フェニル基で几4がt−
ブチル基で表わされる基である。
これらの置換基を使用する際、目的とするβ−ラクタム
化合物(1)の3−位と4−位の立体配置が望ましいト
ランス体になること、およびβ−ラクタム環の3−位に
おける立体配置が望ましい(R)体になりやすいためで
ある。
化合物(1)の3−位と4−位の立体配置が望ましいト
ランス体になること、およびβ−ラクタム環の3−位に
おける立体配置が望ましい(R)体になりやすいためで
ある。
本発明におけるエノールシリルエーテル類としては、例
示するとB −tert−プチルジメチルシIJ O4
シブチー1−ニルトリメチルシリルエーテル、 3−
tert−プチルジメチルシリ口キシブテ−1−ニルジ
メチルイソブチルシリルエーテル。
示するとB −tert−プチルジメチルシIJ O4
シブチー1−ニルトリメチルシリルエーテル、 3−
tert−プチルジメチルシリ口キシブテ−1−ニルジ
メチルイソブチルシリルエーテル。
B −tert−プチルジメチルシリロキシブテ−1−
二ルーtert −ブチルジメチルシリルエーテル。
二ルーtert −ブチルジメチルシリルエーテル。
3− tert−プチルジメチルシリロキシブテ−1−
二ルーtert −ブチルメチルフェニルシリルエーテ
ル、 a −tert−ブチルジメチルシリロキシ−ブ
テーL−ニルーtert−ブチルジフェニルシリルエー
テル、3−トリイソプロビルシリロキシブチ−1−ニル
トリメチルシリルエーテル、3−トリイソプロビルシリ
ロキシブチ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリ
ルエーテル、3−イソプロビルジメチルシリロキシブチ
−l−ニルトリメチルシリルエーテル、3−アセトキシ
ブチ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、3−アセト
キシブチ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリル
エーテル、3−アセトキシブチ−1−二ルーtert
−ブチルジフェニルシリルエーテル、8−tert−ブ
トキシ−ブチ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、
8− tert−ブトキシブチ−1−二ルーtert−
ブチルジメチルシリルエーテル。
二ルーtert −ブチルメチルフェニルシリルエーテ
ル、 a −tert−ブチルジメチルシリロキシ−ブ
テーL−ニルーtert−ブチルジフェニルシリルエー
テル、3−トリイソプロビルシリロキシブチ−1−ニル
トリメチルシリルエーテル、3−トリイソプロビルシリ
ロキシブチ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリ
ルエーテル、3−イソプロビルジメチルシリロキシブチ
−l−ニルトリメチルシリルエーテル、3−アセトキシ
ブチ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、3−アセト
キシブチ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリル
エーテル、3−アセトキシブチ−1−二ルーtert
−ブチルジフェニルシリルエーテル、8−tert−ブ
トキシ−ブチ−1−ニルトリメチルシリルエーテル、
8− tert−ブトキシブチ−1−二ルーtert−
ブチルジメチルシリルエーテル。
3− tert−ブトキシブチ−1−二ルーtert−
ブチルジフェニルシリルエーテル、3−ペンジルオキシ
カルボニルオキシブチ−1−ニルトリメチルシリルエー
テル、3−ペンジルオキシカルボニルオキシブチ−1−
二ルーtert−ブチルジメチルシリルエーテル、3−
ペンジルオキシカルボニルオキシブチ−1−二ルーte
rt−ブチルジフェニルエーテル、3−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシブチ−1−ニルトリメチル
シリルエーテル、3−p−ニトロペンジルオキシカルボ
ニルオキシブチ−1−二ルーtert−ブチルジメチル
シリルエーテル、3−p−ニトロペンジルオキシカルボ
ニルオキシブチ−1−二ルーtert −ブチルジフェ
ニルシリルエーテル、3−0−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルオキシブチ−1−ニルトリメチルシリルエーテ
ル、8−0−ニトロペンジルオキシカルボニルオキシブ
チ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリルエーテ
ル、3−0−ニトロペンジルオキシカルボニルオキシブ
チ−1−二ルーtert−ブチルジフェニルシリルエー
テル等が採用できるが、好ましくはR1がtert−ブ
チルジメチルシリル基である8 −tert−ブチルジ
メチル−シリロキシブチ−1−ニルトリメチルシリルエ
ーテル、 3− tert−プチルジメチルシリロキシ
ブテ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリルエー
テル、 8− tert−プチルジメチルシリロキシブ
テ−1−二ルーtert−ブチルジフェニルシリルエー
テル、3−tert−プチルジメチルシリロキシブテ−
1−二ルーtert−ブチルメチルフェニルシリルエー
テル、 3− tert−ブチルジメチルシリロキシ−
ブチ−1−ニルジメチルイソブチルシリルエーテルが挙
げられる。
ブチルジフェニルシリルエーテル、3−ペンジルオキシ
カルボニルオキシブチ−1−ニルトリメチルシリルエー
テル、3−ペンジルオキシカルボニルオキシブチ−1−
二ルーtert−ブチルジメチルシリルエーテル、3−
ペンジルオキシカルボニルオキシブチ−1−二ルーte
rt−ブチルジフェニルエーテル、3−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシブチ−1−ニルトリメチル
シリルエーテル、3−p−ニトロペンジルオキシカルボ
ニルオキシブチ−1−二ルーtert−ブチルジメチル
シリルエーテル、3−p−ニトロペンジルオキシカルボ
ニルオキシブチ−1−二ルーtert −ブチルジフェ
ニルシリルエーテル、3−0−ニトロベンジルオキシカ
ルボニルオキシブチ−1−ニルトリメチルシリルエーテ
ル、8−0−ニトロペンジルオキシカルボニルオキシブ
チ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリルエーテ
ル、3−0−ニトロペンジルオキシカルボニルオキシブ
チ−1−二ルーtert−ブチルジフェニルシリルエー
テル等が採用できるが、好ましくはR1がtert−ブ
チルジメチルシリル基である8 −tert−ブチルジ
メチル−シリロキシブチ−1−ニルトリメチルシリルエ
ーテル、 3− tert−プチルジメチルシリロキシ
ブテ−1−二ルーtert−ブチルジメチルシリルエー
テル、 8− tert−プチルジメチルシリロキシブ
テ−1−二ルーtert−ブチルジフェニルシリルエー
テル、3−tert−プチルジメチルシリロキシブテ−
1−二ルーtert−ブチルメチルフェニルシリルエー
テル、 3− tert−ブチルジメチルシリロキシ−
ブチ−1−ニルジメチルイソブチルシリルエーテルが挙
げられる。
β−ラ!タム化合物(1)において、8−位側鎖の〇−
保護ヒドロキシエチル基の立体配置は(B)−配置が好
ましく、そのためには光学活性の3(3)−ヒドロキシ
−醋酸エステルを用いて取得される光学活性のエノール
シリルエーテル化合物を用いて、反応式1で示されるβ
−ラクタム形成反応をおこなえばよい。
保護ヒドロキシエチル基の立体配置は(B)−配置が好
ましく、そのためには光学活性の3(3)−ヒドロキシ
−醋酸エステルを用いて取得される光学活性のエノール
シリルエーテル化合物を用いて、反応式1で示されるβ
−ラクタム形成反応をおこなえばよい。
二ノールシリルエーテル類トクロロスルホニルイソシア
ネートの反応によるβ−ラクタム環形成反応では、シリ
ルエーテル基の種類によって、生成するβ−ラクタムの
立体配置が異なり、チェナマイシンに代表されるカルバ
ペネム系β−ラクタム抗生物質の合成における望ましい
8(B)、4(B)配置のβ−ラクタム化合物(I)を
得るには、シリルエーテル基がトリメチルシリル基、
tert−ブチルジフェニルシリル基、 tert−ブ
チルジメチルシリル基、tert−ブチルメチルフェニ
ルシリル基、ジメチルイソブチルシリル基が適している
。
ネートの反応によるβ−ラクタム環形成反応では、シリ
ルエーテル基の種類によって、生成するβ−ラクタムの
立体配置が異なり、チェナマイシンに代表されるカルバ
ペネム系β−ラクタム抗生物質の合成における望ましい
8(B)、4(B)配置のβ−ラクタム化合物(I)を
得るには、シリルエーテル基がトリメチルシリル基、
tert−ブチルジフェニルシリル基、 tert−ブ
チルジメチルシリル基、tert−ブチルメチルフェニ
ルシリル基、ジメチルイソブチルシリル基が適している
。
また、エノールシリルエーテル類の水酸基の保護基であ
るR1については、上記の立体化学を考慮した点と、ク
ロロスルホニルイソシアネートとの反応性の良さから、
tert・−ブチルジメチルシリル基が好適である。
るR1については、上記の立体化学を考慮した点と、ク
ロロスルホニルイソシアネートとの反応性の良さから、
tert・−ブチルジメチルシリル基が好適である。
本発明の化合物は、式(■)
IO
(R1は前記に同じ)
で表わされる3−ヒドロキシブチルアルデヒド誘導体よ
り、塩基存在下、一般式(V) X−8i −R4(V ) (R2、Ra 、 R4は前記に同じ、Xはハロゲンを
示す。) で表わされるシリルハライドとの反応により製造するこ
とが出来る。
り、塩基存在下、一般式(V) X−8i −R4(V ) (R2、Ra 、 R4は前記に同じ、Xはハロゲンを
示す。) で表わされるシリルハライドとの反応により製造するこ
とが出来る。
上記一般式(ff )と一般式(V)で表わされる化合
物の反応において、塩基としてはトリメチルアミン、ト
リエチルアミン等のトリアルキルアミンやピリジンやジ
メチルアミノピリジン等の芳香族アミンやテトラメチレ
ンジアミン等の塩基が採用される。シリルハライドとし
ては、前述の式(1)の化合物に対応して各種シリルハ
ライドが適用でき、たとえばトリメチルシリルクロリド
やt−ブチルジメチルシリルクロリドやフェニルジメチ
ルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリドや
、イソプロピルジメチルシリルクロリドやt−ブチルメ
チルフェニルシリルクロリド等があげられる。
物の反応において、塩基としてはトリメチルアミン、ト
リエチルアミン等のトリアルキルアミンやピリジンやジ
メチルアミノピリジン等の芳香族アミンやテトラメチレ
ンジアミン等の塩基が採用される。シリルハライドとし
ては、前述の式(1)の化合物に対応して各種シリルハ
ライドが適用でき、たとえばトリメチルシリルクロリド
やt−ブチルジメチルシリルクロリドやフェニルジメチ
ルシリルクロリド、トリイソプロピルシリルクロリドや
、イソプロピルジメチルシリルクロリドやt−ブチルメ
チルフェニルシリルクロリド等があげられる。
反応は無溶媒下、または塩化メチレンやDMF等の反応
基質に不活性な溶媒存在下、室温〜100℃の反応温度
で実施できる。反応後、溶媒を留去、又は水を添加後、
n−ヘキサン等の溶媒による抽出で粗生成物を得、つい
でカラムクロマトグラフィーや蒸留によりエノールシリ
ルエーテルを単離精製することができる。
基質に不活性な溶媒存在下、室温〜100℃の反応温度
で実施できる。反応後、溶媒を留去、又は水を添加後、
n−ヘキサン等の溶媒による抽出で粗生成物を得、つい
でカラムクロマトグラフィーや蒸留によりエノールシリ
ルエーテルを単離精製することができる。
式(至)の化合物は、8−ヒドロキシ醋酸エステルより
水酸基を保護後、水素化アルミニウムリチウム、水素化
アルミニウムナトリウム、トリエトキシ水素化アルミニ
ウムリチウム、トリーt−ブチル水素化アルミニウムリ
チウム、ジイソブチル水素化アルミニウムやビス(メト
キシエトキシ)水素化アルミニウムナトリウム等で還元
し、ついで加水分解することにより得ることができる。
水酸基を保護後、水素化アルミニウムリチウム、水素化
アルミニウムナトリウム、トリエトキシ水素化アルミニ
ウムリチウム、トリーt−ブチル水素化アルミニウムリ
チウム、ジイソブチル水素化アルミニウムやビス(メト
キシエトキシ)水素化アルミニウムナトリウム等で還元
し、ついで加水分解することにより得ることができる。
(実施例)
以下に、本発明の実施例を記載する。
実施例1
(8R) −8−tert−プチルジメチルシリロキシ
ーブテー1−ニルトリメチルシリルエーテルの合成 (8R) −8−tert−ブチルジメチルシリロキシ
ブチルアルデヒドs、o、pを塩化メチレン40mj7
に加える。この溶液にトリエチルアミン8.Oyとトリ
メチルシリルクロライド12mJ!を添加し、13時間
還流させる。反応後、溶媒を留去した後、n−ヘキサン
を加え、5%NaHCOg 水溶液、pH8の塩酸水、
および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後
、溶媒を留去すると液体10.9を得た。これを減圧蒸
留にかけて8.Oy(bpg5℃/ 8 vrnHg
)の目的物を得た。この化合物はトランス体とシス体の
比が15:1の混合物であった。
ーブテー1−ニルトリメチルシリルエーテルの合成 (8R) −8−tert−ブチルジメチルシリロキシ
ブチルアルデヒドs、o、pを塩化メチレン40mj7
に加える。この溶液にトリエチルアミン8.Oyとトリ
メチルシリルクロライド12mJ!を添加し、13時間
還流させる。反応後、溶媒を留去した後、n−ヘキサン
を加え、5%NaHCOg 水溶液、pH8の塩酸水、
および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後
、溶媒を留去すると液体10.9を得た。これを減圧蒸
留にかけて8.Oy(bpg5℃/ 8 vrnHg
)の目的物を得た。この化合物はトランス体とシス体の
比が15:1の混合物であった。
〔α)、 =−8,2° (C=I CC14)’
HNMR(90MHz 、CC14) トランス体δ
、(1)I)m)0.11(6H,S)、0.25(9
H,S)、0.90(9H,S)、1.25(8H,d
)、4.25(IH,m)。
HNMR(90MHz 、CC14) トランス体δ
、(1)I)m)0.11(6H,S)、0.25(9
H,S)、0.90(9H,S)、1.25(8H,d
)、4.25(IH,m)。
4.95(LH,dd)、6.28(LH,d)実施例
2 (3几) −8−tert−ブチルジメチルシリロキシ
−ブチ−1−ニルーtert−ブチルジメチルシリルエ
ーテルの合成 (8R) 8− tert−ブチルジメチルシリロキ
シブチルアルデヒドs、oyをDMF50mJに加える
。この溶液に、tert−ブチルジメチルシリルクロラ
イド12.0.f、トリエチルアミン16.Olを添加
し、90℃で18時間撹拌する。反応後、DMFを減圧
下に留去し、次にn−ヘキサン1o。
2 (3几) −8−tert−ブチルジメチルシリロキシ
−ブチ−1−ニルーtert−ブチルジメチルシリルエ
ーテルの合成 (8R) 8− tert−ブチルジメチルシリロキ
シブチルアルデヒドs、oyをDMF50mJに加える
。この溶液に、tert−ブチルジメチルシリルクロラ
イド12.0.f、トリエチルアミン16.Olを添加
し、90℃で18時間撹拌する。反応後、DMFを減圧
下に留去し、次にn−ヘキサン1o。
呵を加え、この溶液を5%NaHOOa水溶液、ついで
pH8の塩酸水、および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると液体s、oji
を得た。これを減圧蒸留にかけて5.0!y(bpss
℃/1鴫HI)の目的物を得た。
pH8の塩酸水、および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグ
ネシウムで乾燥する。溶媒を留去すると液体s、oji
を得た。これを減圧蒸留にかけて5.0!y(bpss
℃/1鴫HI)の目的物を得た。
この化合物はトランス体とシス体の比がs:2の混合物
であった。
であった。
〔α〕。=−14,96° (C=2 0C14)’H
NMR(90MHz 、 0014 ) δ、(pp
m)トランス体 0.07(6H,S)、0.17(6
1(。
NMR(90MHz 、 0014 ) δ、(pp
m)トランス体 0.07(6H,S)、0.17(6
1(。
S)、0.90(9H,S)、0.97(9H;s)、
1.20(8H,d)、4.20(IH。
1.20(8H,d)、4.20(IH。
m)、4.95(IH,dd)、6.26(IH,d)
シス体 0.07(6H,s)、0.17(6H,s)
。
。
0.90(9H,S)、0.97(9H,S)。
1.15(8H,d)、4.20(LH,m)。
4.48(in、dd)、5.97(IH,d)実施例
3 (8R) −3−tert−ブチ/l/ジメチルシリロ
キシ−ブチ−1−ニルーtert−フチルメチルフェニ
ルシリルエーテルの合成 (S R) −8−tert−ブチルジメチルシリロキ
シブチルアルデヒド10.O,!9をDMF40ml!
に加える。この溶液にジメチルアミノピリジン6.6y
1tert−ブチルメチルフェニルシリルクロライド1
0.4g添加し、75℃で14時間撹拌する。
3 (8R) −3−tert−ブチ/l/ジメチルシリロ
キシ−ブチ−1−ニルーtert−フチルメチルフェニ
ルシリルエーテルの合成 (S R) −8−tert−ブチルジメチルシリロキ
シブチルアルデヒド10.O,!9をDMF40ml!
に加える。この溶液にジメチルアミノピリジン6.6y
1tert−ブチルメチルフェニルシリルクロライド1
0.4g添加し、75℃で14時間撹拌する。
反応後、DMFを減圧上留去し、次にn−ヘキサン10
0mrを加え、5%NaHCOa水溶液、pH3の塩酸
水、および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を留去すると液体10.21を得た。これを
シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=20:1)
で精製して7.21の目的物を得た。この化合物は、ト
ランス体とシス体の比が7:1の混合物であった。
0mrを加え、5%NaHCOa水溶液、pH3の塩酸
水、および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥後、溶媒を留去すると液体10.21を得た。これを
シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=20:1)
で精製して7.21の目的物を得た。この化合物は、ト
ランス体とシス体の比が7:1の混合物であった。
〔α)=−5,8° (C=1 、 C014)’HN
MR(90MHz 、0D01a) δ、(ppm)
トランス体 0.00(6H,S)、0.40(8H。
MR(90MHz 、0D01a) δ、(ppm)
トランス体 0.00(6H,S)、0.40(8H。
S)、0.85(9H,S)、0.93(9H。
s)、t、ts(8H,d)、4.2o(tH。
m)、5.06(IH=、dd)、6.85(II(、
d)、7.40(5H,m) 実施例4 (8R) −3−tert−ブチルジメチルシリロキシ
−ブチ−1−ニルジメチルイソブチルシリルエーテルの
合成 (8R) −8−tert−ブチルジメチルシリロキシ
ブチルアルデヒド20.0.FをDMF80.Oml!
に加える。この溶液にTMEJ)A 16.8mJと
イソブチルジメチルシリルクロライド14.8.9を添
加し3時間80℃で撹拌する。反応後、溶媒を留去した
後、n−ヘキサンを加え5%NaHCOs 水溶液、p
H8の塩酸水、および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を留去すると16.5.Fの液体
を得た。これをシリカゲルカラム(n−ヘキサン:酢酸
エチル=20:1)で処理し、トランス体とシス体の比
が5=1の目的物10.6&を得た。
d)、7.40(5H,m) 実施例4 (8R) −3−tert−ブチルジメチルシリロキシ
−ブチ−1−ニルジメチルイソブチルシリルエーテルの
合成 (8R) −8−tert−ブチルジメチルシリロキシ
ブチルアルデヒド20.0.FをDMF80.Oml!
に加える。この溶液にTMEJ)A 16.8mJと
イソブチルジメチルシリルクロライド14.8.9を添
加し3時間80℃で撹拌する。反応後、溶媒を留去した
後、n−ヘキサンを加え5%NaHCOs 水溶液、p
H8の塩酸水、および飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネ
シウムで乾燥後、溶媒を留去すると16.5.Fの液体
を得た。これをシリカゲルカラム(n−ヘキサン:酢酸
エチル=20:1)で処理し、トランス体とシス体の比
が5=1の目的物10.6&を得た。
〔α]=−6.0° (c = t 、 C014;)
’HNMR(90MHz 、 ODOl a ) δ
、(ppm)トランス体 0.08(6H,S)、0.
15(6H。
’HNMR(90MHz 、 ODOl a ) δ
、(ppm)トランス体 0.08(6H,S)、0.
15(6H。
S)、0.60(2H,d)、0.85(9H。
S)、0.90(6H,d)、1.15(3H。
d)、1.80(LH,m)、4.20(IH。
m)、4.95(IH,dd)、6.25(IH,cl
) 参考例1 8−(R)−(t−ブチルジメチルシリロキシ)−醋酸
メチル(純度95%)濃縮物68.96.f(261m
mole)li:トルエ7200mlを加え、N2雰
囲気下、撹拌しながら一90℃に冷却する。この溶液に
、水素化ジイソブチルアルミニウムの24.4m%溶液
を、内温を一80℃以下に保ちながら1681滴下する
。滴下終了後、この還元反応液と25%塩酸水溶液を、
氷冷水400幌中に、強撹拌しながら、内温か+15℃
以下でpHを1〜3に保つように注意深く添加する(こ
の際、還元反応液は一80℃以下に保っておく )。
) 参考例1 8−(R)−(t−ブチルジメチルシリロキシ)−醋酸
メチル(純度95%)濃縮物68.96.f(261m
mole)li:トルエ7200mlを加え、N2雰
囲気下、撹拌しながら一90℃に冷却する。この溶液に
、水素化ジイソブチルアルミニウムの24.4m%溶液
を、内温を一80℃以下に保ちながら1681滴下する
。滴下終了後、この還元反応液と25%塩酸水溶液を、
氷冷水400幌中に、強撹拌しながら、内温か+15℃
以下でpHを1〜3に保つように注意深く添加する(こ
の際、還元反応液は一80℃以下に保っておく )。
移液が終了後、pH2〜3を保ちながら+15℃以下で
30分間強撹拌を続け、分液ロートに移し、水400m
Iyで2回洗浄し、トルエン層を濃・縮すると、トルエ
ンを含む粗3−(B)−(t−ブチルジメチルシリロキ
シ)−ブタナール56.71(純度85%)を収率91
%で得た。
30分間強撹拌を続け、分液ロートに移し、水400m
Iyで2回洗浄し、トルエン層を濃・縮すると、トルエ
ンを含む粗3−(B)−(t−ブチルジメチルシリロキ
シ)−ブタナール56.71(純度85%)を収率91
%で得た。
’H−NMR(90MHz、CC14) δ(ppm
)0.08(6H,S)、0.91(9H,S)。
)0.08(6H,S)、0.91(9H,S)。
1.20(8H,d)、2.48(2H,m)。
4.19(IH,m)、9.85(LH,t)bp
65℃(LmH,9) 参考例2 参考例1と同様な操作により、次の化合物を得た。
65℃(LmH,9) 参考例2 参考例1と同様な操作により、次の化合物を得た。
(発明の効果)
本発明は、チェナマイシン等第4世代抗生物質合成の中
間体である化合物(IN)の前駆体としての新規化合物
(1)を工業的に有利に提供できるものである。
間体である化合物(IN)の前駆体としての新規化合物
(1)を工業的に有利に提供できるものである。
この化合物の水酸基の保護基の種類、シリルエーテルの
種類を適宜選ぶことにより、化合物■の(3R)又は(
3R)、(4几)体を選択的に得ることが出来る。
種類を適宜選ぶことにより、化合物■の(3R)又は(
3R)、(4几)体を選択的に得ることが出来る。
Claims (4)
- (1)一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R_1は水酸基の保護基、R_2、R_3、R
_4はC_1〜C_4の低級アルキル基、フェニル基ま
たはアラルキル基を示す。) で表わされるエノールシリルエーテル類。 - (2)3位の不斉炭素における立体配置がR配置である
特許請求の範囲第1項記載のエノールシリルエーテル類
。 - (3)R_1が一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II) (式中、R_5、R_6、R_7はC_1〜C_4の低
級アルキル基を示す。) である特許請求の範囲第1項もしくは第2項記載のエノ
ールシリルエーテル類。 - (4)R_1がt−ブチルジメチルシリル基である特許
請求の範囲第3項記載のエノールシリルエーテル類。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63039995A JPS63233989A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | エノールシリルエーテル類 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63039995A JPS63233989A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | エノールシリルエーテル類 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59139797A Division JPS6118791A (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 新規β−ラクタム化合物及びその製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63233989A true JPS63233989A (ja) | 1988-09-29 |
JPH0521113B2 JPH0521113B2 (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=12568509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63039995A Granted JPS63233989A (ja) | 1988-02-23 | 1988-02-23 | エノールシリルエーテル類 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63233989A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006101092A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Kaneka Corporation | 3-ヒドロキシブチルアルデヒド誘導体の製造方法 |
-
1988
- 1988-02-23 JP JP63039995A patent/JPS63233989A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006101092A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2006-09-28 | Kaneka Corporation | 3-ヒドロキシブチルアルデヒド誘導体の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0521113B2 (ja) | 1993-03-23 |
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