JPS6323349A - Ｃｍｏｓ半導体集積回路 - Google Patents
Ｃｍｏｓ半導体集積回路Info
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- JPS6323349A JPS6323349A JP61168601A JP16860186A JPS6323349A JP S6323349 A JPS6323349 A JP S6323349A JP 61168601 A JP61168601 A JP 61168601A JP 16860186 A JP16860186 A JP 16860186A JP S6323349 A JPS6323349 A JP S6323349A
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- Japan
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- output circuit
- transistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/085—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only
- H01L27/088—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate
- H01L27/092—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind including field-effect components only the components being field-effect transistors with insulated gate complementary MIS field-effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＭ ＯＳ半導体集積回路に関する。
従来、この種のＣＭＯＳ半導体集積回路の出力回路は第
３図に示すように最終段がｐ Ｍ ＯＳ １−ランジス
タＭ５とｎＭＯ３トランジスタＭ６から成るインバータ
Ｉ４で構成されている。
３図に示すように最終段がｐ Ｍ ＯＳ １−ランジス
タＭ５とｎＭＯ３トランジスタＭ６から成るインバータ
Ｉ４で構成されている。
通常同じ寸法・大きさのｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯ
３トランジスタを比較すると９ＭＯ３）−ランジスタの
方が能力が低い。そのため従来の出力回路ではｐＭＯＳ
トランジスタとｎＭＯ３トランジスタの能力をそろえる
ために９ＭＯ９）−ランジスタの寸法を大きくしている
。したがって出力回路の面積が大きくなり、スピードが
落ちる。第４図のＣＭＯＳインバータの断面図を示す。
３トランジスタを比較すると９ＭＯ３）−ランジスタの
方が能力が低い。そのため従来の出力回路ではｐＭＯＳ
トランジスタとｎＭＯ３トランジスタの能力をそろえる
ために９ＭＯ９）−ランジスタの寸法を大きくしている
。したがって出力回路の面積が大きくなり、スピードが
落ちる。第４図のＣＭＯＳインバータの断面図を示す。
この図かられかるようにｐ−ｎ−ｐ−ｎのサイリスタ構
造を持つために外部から雑音が入るとトランジスタを通
って電源から接地端に向って大きな電流が流れる現象で
あるラッチアップが起きるためそれを防止するための例
えばガードリングやそのコンタクＩ・が必要となるため
にさらに面積が大きくなる。
造を持つために外部から雑音が入るとトランジスタを通
って電源から接地端に向って大きな電流が流れる現象で
あるラッチアップが起きるためそれを防止するための例
えばガードリングやそのコンタクＩ・が必要となるため
にさらに面積が大きくなる。
上述した従来のＣＭＯＳ半導体集積回路は、出力回路の
最終段にＣＭＯＳインバータを有しているのでラッチア
ップを防止するためや動作速度を確保するためにどうし
ても面積が大きくなってしまうという欠点がある。
最終段にＣＭＯＳインバータを有しているのでラッチア
ップを防止するためや動作速度を確保するためにどうし
ても面積が大きくなってしまうという欠点がある。
本発明の目的は比較的に大面積を必要とせず高速動作可
能な出力回路をもったＣＭＯＳ半導体集積回路を提供す
ることにある。
能な出力回路をもったＣＭＯＳ半導体集積回路を提供す
ることにある。
本発明のＣＭＯＳ半導体集積回路は、ＣＭ ＯＳ構成の
内部回路と、ソースを接地した第１のｎＭＯ３）−ラン
ジスタとドレインを電源端子に接続した第２のｎ Ｍ
ＯＳ トランジスタの直列回路を最終段に有する出力回
路とを含んでなるものである。
内部回路と、ソースを接地した第１のｎＭＯ３）−ラン
ジスタとドレインを電源端子に接続した第２のｎ Ｍ
ＯＳ トランジスタの直列回路を最終段に有する出力回
路とを含んでなるものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例を示す出力回路の回路図
である。
である。
この実施例は、ＣＭＯＳ構成の内部回路（図示しない）
と、ソースを接地した第１のｎＭＯ３トランジスタＭ１
とドレインを電源端子に接続した第２のｎ Ｍ ＯＳ
トランジスタＭ２の直列回路を最終段に有する出力回路
とを含んでなるものである。
と、ソースを接地した第１のｎＭＯ３トランジスタＭ１
とドレインを電源端子に接続した第２のｎ Ｍ ＯＳ
トランジスタＭ２の直列回路を最終段に有する出力回路
とを含んでなるものである。
１、、Ｉ２はＣＭＯＳインバータでありＩＮは内部回路
の出力信号で出力回路の入力信号である。
の出力信号で出力回路の入力信号である。
第２図は本発明の第２の実施例を示す出力回路の回路図
である。
である。
Ｉ３はＣＭＯＳインバータ、Ｎ、、Ｎ２はＣＭＯＳ−Ｎ
ＯＲゲートである。Ｅはイネーブル信号の反転信号であ
る。この回路は３ステート出力バツフアであり、百＝“
Ｈ”のとき、Ｍ、、Ｍ２ともにオフとなり、高インピー
ダンス状態となる。
ＯＲゲートである。Ｅはイネーブル信号の反転信号であ
る。この回路は３ステート出力バツフアであり、百＝“
Ｈ”のとき、Ｍ、、Ｍ２ともにオフとなり、高インピー
ダンス状態となる。
Ｅ＝”Ｌ”のときは、ＩＮの゛Ｈ”、“Ｌ ”に応じて
それぞれＭＩ又はＭ２がオンして出力はＬ″又はＨ”と
なる。
それぞれＭＩ又はＭ２がオンして出力はＬ″又はＨ”と
なる。
いずれの実施例においても、ラッチアップや占有面積が
特に問題となっていた最終段がｎＭＯｓトランジスタの
みで成立っているため、比較的面積が少なくてすみ、ラ
ッチアップも問題にならない。
特に問題となっていた最終段がｎＭＯｓトランジスタの
みで成立っているため、比較的面積が少なくてすみ、ラ
ッチアップも問題にならない。
以上説明したように本発明のＣＭ ＯＳ半導体集積回路
は、その出力回路の最終段をｐＭＯＳトランジスタより
能力が高いｎ Ｍ ＯＳ ？”ランジスタのみで構成し
ているために従来のように能力をそろえるために片方の
トランジスタの寸法を大きくする必要がないので、出力
回路の面積が小さくなり、スピードが速くなる（実測で
ｉｎｓ＜らい速い）という効果がある。また従来のよう
にｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造を持っていないのでラッチアップ
がほとんど起きずラッチアップを防止するためのガード
リング等を付加する必要がない。
は、その出力回路の最終段をｐＭＯＳトランジスタより
能力が高いｎ Ｍ ＯＳ ？”ランジスタのみで構成し
ているために従来のように能力をそろえるために片方の
トランジスタの寸法を大きくする必要がないので、出力
回路の面積が小さくなり、スピードが速くなる（実測で
ｉｎｓ＜らい速い）という効果がある。また従来のよう
にｐ−ｎ−ｐ−ｎ構造を持っていないのでラッチアップ
がほとんど起きずラッチアップを防止するためのガード
リング等を付加する必要がない。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の第１．第２の実施例
を示す出力回路の回路図、第３図は従来例を示す出力回
路の回路図、第４図は第３図のインバータＩ４をＩＣ化
したときの半導体チップの断面図である。 １・・・ｐ型半導体基板、２・・・ｎウェル、３・・・
ｎ型領域（ｎＭＯ８トランジスタのドレイン又はソース
）、４・・・ｎ型領域（ｐＭＯｓトランジスタのトレイ
ン又はソース）、５・・・多結晶Ｓｉゲート、Ｅ・・・
イネーブル信号の反転信号、ＩＩ〜Ｉ４・−・ＣＭＯＳ
インバータ、ＭＩ、Ｍ２ 、Ｍ４．Ｍ６−・−ｎＭ○Ｓ
トランジスタ、Ｍ３．Ｍ、・・・ｐＭｏＳトランゝ−−
，／ 第 １ 口 第２ 図 第３図 第中図
を示す出力回路の回路図、第３図は従来例を示す出力回
路の回路図、第４図は第３図のインバータＩ４をＩＣ化
したときの半導体チップの断面図である。 １・・・ｐ型半導体基板、２・・・ｎウェル、３・・・
ｎ型領域（ｎＭＯ８トランジスタのドレイン又はソース
）、４・・・ｎ型領域（ｐＭＯｓトランジスタのトレイ
ン又はソース）、５・・・多結晶Ｓｉゲート、Ｅ・・・
イネーブル信号の反転信号、ＩＩ〜Ｉ４・−・ＣＭＯＳ
インバータ、ＭＩ、Ｍ２ 、Ｍ４．Ｍ６−・−ｎＭ○Ｓ
トランジスタ、Ｍ３．Ｍ、・・・ｐＭｏＳトランゝ−−
，／ 第 １ 口 第２ 図 第３図 第中図
Claims (1)
- ＣＭＯＳ構成の内部回路と、ソースを接地した第１のｎ
ＭＯＳトランジスタとドレインを電源端子に接続した第
２のｎＭＯＳトランジスタの直列回路を最終段に有する
出力回路とを含んでなることを特徴とするＣＭＯＳ半導
体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168601A JPS6323349A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Ｃｍｏｓ半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61168601A JPS6323349A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Ｃｍｏｓ半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6323349A true JPS6323349A (ja) | 1988-01-30 |
Family
ID=15871079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61168601A Pending JPS6323349A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | Ｃｍｏｓ半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6323349A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294868A (ja) * | 2005-06-27 | 2005-10-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP61168601A patent/JPS6323349A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294868A (ja) * | 2005-06-27 | 2005-10-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
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