JPS6323241A - 光デイスク用プラスチツク基板の製造方法 - Google Patents

光デイスク用プラスチツク基板の製造方法

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JPS6323241A
JPS6323241A JP16634586A JP16634586A JPS6323241A JP S6323241 A JPS6323241 A JP S6323241A JP 16634586 A JP16634586 A JP 16634586A JP 16634586 A JP16634586 A JP 16634586A JP S6323241 A JPS6323241 A JP S6323241A
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JP
Japan
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plastic substrate
injection molding
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radial direction
substrate
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JP16634586A
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Toshiichi Nagaura
長浦 歳一
Keiji Sakai
啓至 酒井
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Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はレーザービーム等によって情報を記録し、もし
くは記録した情報の再生を行う光ディスクに用いられる
プラスチック基板の製造方法に関し、更に詳しくは、半
径方向の複屈折分布の優れたプラスチック基板の製造方
法に係る。
(従来の技術) 記録層あるいは光反射層からなる情報記憶層にレーザー
光を照射することにより、該情報記憶層に情報を記憶し
、もしくは情報記憶層に記憶された情報を再生するいわ
ゆる光ディスクの基板として、−aにガラスやプラスチ
ックの円板が用いられている。中でも、プラスチック基
板はガラス基板より軽量でかつ成形加工が容易であり、
取扱中に破損する危険性も少なく、しかもガラス基板よ
り低コストで製造できるという利点を有している。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、プラスチック基板は主として成形時の分
子配向歪により複屈折が大きく、ディスクシステムとし
てのC/ Nを大きくできないという問題があった。こ
のため、樹脂の分子量を下げるとともに流動性をよくし
て、射出成形時に複屈折を小さくする努力がなされてき
た。ところが、射出成形時に複屈折が小さくなっても、
その後の熱履歴により複屈折の値が大きく変動すること
がわかってきた。すなわち、光ディスクの製造工程には
、射出成形後にプラスチック基板の乾燥、記録層のスパ
フタリング等の加熱工程があり、この加熱工程の際のプ
ラスチック基板の温度上昇により複屈折の値が大きく変
動することがわかってきた。
(問題点を解決するための手段) 本発明に係る光ディスク用プラスチック基板の製造方法
は、上記の点に鑑みてなされたもので、該プラスチック
基板の半径方向の複屈折分布が加熱工程後に均一になる
ように、射出成形時に半径方向に複屈折分布を与えてお
くものである。
(作用) 射出成形時に、該射出成形後の加熱工程によって変動す
る半径方向の複屈折分布を見越して、予め半径方向に複
屈折分布を与えておくことにより、その後の加熱工程に
よって半径方向の複屈折分布の均一なプラスチック基板
が得られる。
(実施例) 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
本発明の製造方法は、光ディスク用プラスチック基板を
射出成形によって作製する際に、射出成形後に行われる
プラスチック基板の乾燥、記録層のスパッタリング等と
いった加熱工程(以下アニールという)によって変動す
る半径方向の複屈折分布を見越して、予め半径方向に複
屈折分布を与えておくものである。
光ディスク用のプラスチック基板としては、ポリメタク
リル酸メチル(PMMA、)やポリカーボネー)(PC
)等の透明性に優れた材料が使用される。
ここで、アニールとは、射出成形したプラスチック基板
を所定の温度環境下に所定時間放置した後に室温まで降
下させる熱処理のことをいう。−例を上げれば、ポリカ
ーボネー) (PC)を使用して基板を作製する場合、
100℃で連続2時間の熱処理を行うことである。なお
、複屈折の変動量はアニール温度に依存し、アニール時
間にはあまり影響を受けない。すなわち、複屈折分布は
プラスチック基板が所定温度に到達した後30分程で大
きく変動し、その後はほとんど変化せず、仮に変化して
もその変化量はごくわずかである。また、−炭熱処理を
行った後は、再加熱に対しても一度目の温度以下ならば
複屈折の変動は少ない。
(実験例) 以下に実験例を示して本発明の効果を明らかにする。
第1図は本発明の製造方法によって半径方向に複屈折分
布を与えたプラスチック基板のアニール前とアニール後
の複屈折分布である。本実験例では、射出成形時に半径
方向の複屈折分布を20nm以上与えており、このよう
にして作製したプラスチ・ツク基板を100°Cで連続
2時間のアニールを行うことにより、半径方向の複屈折
分布が約10nmとなっている。
一方、この実験結果と比較するために、従来の製造方法
によって作製したプラスチック基板の半径方向の複屈折
分布の結果を第2図に示す。同図より、射出成形時に半
径方向の複屈折分布が3nm以下のプラスチック基板を
作製しても、100℃で連続2時間のアニールを行うこ
とにより、その分布は25nm以上となっている。
このように、アニールにより複屈折分布が変動するので
あるが、射出成形時に、変動量だけでなく変動の方向も
考慮して複屈折分布を与えておく必要がある。すなわち
、アニールにより複屈折がマイナス側からプラス側方向
へ変動する場合には、プラスチック基板の内周側の複屈
折をマイナスにしておく必要がある。
なお、上記した本発明の製造方法は、乾燥、スパッタリ
ング等とは別個に熱処理を施す場合であっても、それを
見越して射出成形時に半径方向に複屈折分布を与えてお
くことにより適用可能なものである。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明に係る光ディスク用プラス
チック基板の製造方法によれば、半径方向の複屈折分布
の均一なプラスチック基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】 第10は本発明の製造方法によって作製した光ディスク
用プラスチック基板の射出成形直後(アニール前)の半
径方向の複屈折分布とアニール後の半径方向の複屈折分
布を示す図、第2図は従来の製造方法によって作製され
た光ディスク用プラスチック基板の射出成形直後(アニ
ール前)の半径方向の複屈折分布とアニール後の半径方
向の複屈折分布の一例を示す図である。 第7 図 3o405060

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)射出成形によって作製する光ディスク用プラスチッ
    ク基板の製造方法であって、該プラスチック基板の半径
    方向の複屈折分布が加熱工程後に均一になるように、射
    出成形時に半径方向に複屈折分布を与えておくことを特
    徴とする光ディスク用プラスチック基板の製造方法。
JP16634586A 1986-07-15 1986-07-15 光ディスク用プラスチック基板の製造方法 Expired - Fee Related JPH06103547B2 (ja)

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JPH06103547B2 JPH06103547B2 (ja) 1994-12-14

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276897A2 (en) * 1987-01-30 1988-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing substrate for optical disk by annealing substrate with gradient double refraction distribution
JP2008133024A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Yoshino Kogyosho Co Ltd 把手付ボトル容器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0276897A2 (en) * 1987-01-30 1988-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing substrate for optical disk by annealing substrate with gradient double refraction distribution
JP2008133024A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Yoshino Kogyosho Co Ltd 把手付ボトル容器

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