JPH03141054A - 光学情報記録部材の製法 - Google Patents
光学情報記録部材の製法Info
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- JPH03141054A JPH03141054A JP27697390A JP27697390A JPH03141054A JP H03141054 A JPH03141054 A JP H03141054A JP 27697390 A JP27697390 A JP 27697390A JP 27697390 A JP27697390 A JP 27697390A JP H03141054 A JPH03141054 A JP H03141054A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ｇＬ レーザ光線等を用いて光学的に高密度の
情報を高速に記録 再生する光学情報記録部材の製法に
関するものであａ 従来例の構成とその問題点 レーザ光線を用いて、回転しているディスク上に高密度
な情報を高速に記録 再生する技術（よ光デイスク装置
としてすでに幾つもの研究成果仇商品開発例の報告が有
り、情報システムを構成するうえで不可欠のものとなり
つつあも これら光ディスクに用いる記録材料として１九穴や泡等
の形状変化を生じさせることで光の反射事変イし 透過
率変化を得るものと、光学的性質（屈折率ｎ、消衰係数
ｋ）を変えて反射率変化 透過率変化を得るものがある
バ 後者のタイプのもの力丈 密着した保護層を設けら
れる戊 原理的に変化が可逆的で書き換え可能なものが
得られるという点で有利であり、光ディスクの主流にな
ると考えられも このタイプの光ディスクとして代表的なものく［ＴｅＯ
ｘ （０＜ｘ＜２）］を用いたものがあａこれはＰＭＭ
Ａ等の樹脂基村上へ 紫外線硬化樹脂を用いて光ガイド
用のトラック溝を形成し その上に［ＴｅＯｘ］薄膜を
蒸着等の方法で設置し更に基材と同様の樹脂基材をはり
合わせた構造をしていも この光ディスクは既に静止画
ファイ）Ｌ＜文書ファイル等のシステム機器へ応用され
ている力丈 この［Ｔ ｅ Ｏｘ ］を主材料として用
い今後例えば 大型化 書き換え可能化啄 更に発展さ
せた形態にするためには幾つかの問題が残されてぃもつ
まり現状のままの構造で４１ ＜り返し使用すること
によって基材と記録層の界面付近で基材がダメージを受
けやすく記録信号の品質が低下してしまう胤 更に容量
を上げるためにディスク形状を大きくすべ あるいは転
送レートを上げるために回転速度を上げるというような
試みに対してＣよ現状の半導体レーザの出力では記録感
度が不足する心配があるＡ 等の理由から何らかの対策
を必要とすム 発明の目的 本発明は光ディスクの構造を改良して、記録惑嵐 消去
感度等を向上するとともに繰り返し使用してもダメージ
を受けにくい光ディスクの製法を提供することを目的と
す翫 発明の構成 本発明：友 基材上にレーザ光の入射効率を高めて見か
け上の記録感度を高めるとともに基材に対する防護層と
して作用し 繰り返し使用による基材の損傷を防止する
ための無機材質層と光照射によって加熱昇温し その光
学定数を変化する性質を有する記録層の２つの層を有す
る光ディス久さらには記録層の上にもう１つ無機材質層
を有する３つの層を有する光デイスク積層する際に観測
される前記光学情報記録部材の反射率の変化を予め測定
しておき、各層を順次積層する際各層の膜厚変化に応じ
て観測される前記反射率が所定の値を示すことを検出し
て各層の成膜を終了するものであも 実施例の説明 以下図面を参照しつつ本発明の詳細な説明すも第１図１
友 本発明の光学情報記録部材の製法を適用すべき光学
情報記録部材の１実施例の基本的構成の断面図を示した
ものであム 図中１１よ 基材であって、ＰＭＭＡ、塩
化ビニ−／ｌ＜ ポリカーボネイト等のブラスチッ久
又はガラス等を使用目的に応じて用いることができ７
）。２は酸化ゲルマニウムＧｅＯｘ （ｘ＝２又はＸ〜
２）の層であって蒸着、スパッタリング等の方法を用い
て形成す４Ｎ形成に際しては蒸着用ソース材料あるいは
スパッタリングのターゲット材料として二酸化ゲルマニ
ウムＧｅｎｅを用いも 蒸着あるいはスパッタリングの
条件によってはやや０がはずれてＧｅＯｘ （ｘ〜２）
となる場合があるが本発明においてζよ はぼ同様の効
果を得ることが可能であも膜厚としてＣヨ 例えば基
材１側から光を入射した時の反射光量が干渉効果として
極大値を示す時の膜厚に設定することができも 設定方
法としては 例えば特開昭５９−１７１３９に提案され
ている反射率測定方法を用いて行うことができも第２図
法 前述の方法を用いて酸化ゲルマニウム薄膜を堆積し
ていった時の膜厚と基材側からの反射率との関係を示し
たものであａ 反射光強度は 基材表面からの反射光と
、基材と酸化ゲルマニウム層の界面からの反射光との間
の多重干渉の結果 図のように膜厚の増加に従って増大
し 極大値をとった抵 減少することがわかり九 酸化
ゲルマニウムのように透明で光がほとんど吸収されない
物質の場合に１よ 極大値をとる場合の膜厚ｄと屈折率
ｎ、波長λの間に１よ ｎｄ＝λ／４のような近似式が
成立り、ｆｌ！化ゲルマニウム薄膜の屈折率ｎ＝１．６
、光源の波長λ＝８４０ ｎｍとすると、反射光強度が
極大をとる膜厚ｄ１エ 約１３０ｎｍとなも 第１図において３は記録層を示も 上述のように設計し
た酸化ゲルマニウム層２の上に記録層３を堆積させる場
淑 記録膜３の屈折率が酸化ゲルマニウム２の屈折率よ
りも犬であれ（戴 記録層３を含めた全体の系として、
基材側ｌからの反射光強度を、酸化ゲルマニウム層２の
無い場合に比べてはるかに小さくすることが可能であり
光の入射効率を高めることができも 第３図圏 記録層材料としてＴｅ−ＴｅＯ２系薄膜を用
いた場合において、酸化ゲルマニウム層２がある場合（
ａ）、と無い場合（ｂ）における反射光強度の相違をし
め机 酸化ゲルマニウム層２が無い（ｂ）の場合におい
ては反射光強度は膜厚の増加とともに増大し 極大値４
をとった樵減少し その微 極小５、極大６と増減を繰
り返しながら一定の値に集束すａ これに対して酸化ゲ
ルマニウム層２が有る場合においては反射光強度は小さ
い極小値７をとった跣 増大し極大８をとり、その後減
少し 極小９、極大１０と増減を繰り返しながら一定の
値に収束すも このとき、酸化ゲルマニウム層２が有る
場合にζよ 各極大鑑極小籠 又収束値とも無い場合に
比べて全体に低くすることができることがわかった 従
って基材ｌと記録膜３との間に酸化ゲルマニウム層２を
設けることで光の入射効率を高めることが可能となり、
全体として記録感度の向上が計れるものであム 酸化ゲルマニウム層２の膜厚として：よ 前述の近似式
で反射光強度が最大となるように選ぶ場合において上述
の反射率低減の効果を最大限得ることができるものであ
る力（反射光強度が最大でない場合においても類似の効
果を得ることは可能であり、この場合においては記録層
３を含めた光の反射率：よ 第３図ａとｂの中間の値を
とるものであａ 記録層３として（友 上記以外にもＳ ｂ ２ Ｔ ｅ
３゜５ｂ２Ｓｅ３ＱＥ やはり記録前後で光学的特
性を変化するもへ あるいはＴｅ−Ｃ系薄ｊｌｌＬ
Ｐｂ−Ｔｅ−３ｅ系薄膜等の穴を形成するような材料も
そのまま適用が可能であも 次へ 記録層３としてＴｅ−Ｇｅ−３ｎ−０系薄膜（特
開昭５９−１８５０４８号公報記載）を用いて、繰り返
し記級 消去を行った場合の実施例について説明すも
この系の記録薄膜ζよ その使用方法として膜をあらか
じめ反射率の高い状態にしておき、光を照射して反射率
の低い状態に変化させることで記録しようというもので
あるか収記録時の光の入射効率を高めるという意味て
酸化ゲルマニウム層による反射率低減効果は非常に有用
であａ 更に繰り返し使用する最には樹脂基材１が熱的
に変形し ノイズレベルが増大することが考えらる力（
酸化ゲルマニウムという無機材質層を介することでその
変形を押さえることができるものであム 特開昭５９−
１８５０４８号公報記載のＴｅ６０Ｓｎ１５Ｇｅ５０２
０薄膜を用いて、酸化ゲルマニウム層が有る場合と無い
場合との両方の光ディスクを試作し やはり特開昭５９
−１８°５０４８号公報記載の記録消去方法を用いてく
り返し記録消去実験を行った 第４図は酸化ゲルマニウム層を設けて試作した光ディス
クの断面医 第５図は光デイスク作成時の各行程におけ
るディスクの反射率を連続的に示したものであａ 基材
１１は１．２ｍｍ厚のＰＭＭＡを用へ その上に酸化ゲ
ルマニウム層１２を反射率が極大となるように蒸着し
その上にＴｅ６０Ｓｎ１５Ｇｅ５０２０薄膜層１３を、
その反射率が極小となるようにこれも蒸着して形成すａ
更く この場合は繰り返し使用時におけるゴミ、キズ等
の影響を避けるため記録膜の上にさらにもう一服 酸化
ゲルマニウム層１４を反射率が極小となるように蒸着し
紫外線硬化樹脂を用いて、１、１ｍｍ厚のＰＭＭＡ基
材１５をはり合わせて光ディスクとすも 第６図；友 これらの光ディスクを用いて、記録パワー
、消去パワーをそれぞれ８ ｍｗ、 １２ ｍＷ。
情報を高速に記録 再生する光学情報記録部材の製法に
関するものであａ 従来例の構成とその問題点 レーザ光線を用いて、回転しているディスク上に高密度
な情報を高速に記録 再生する技術（よ光デイスク装置
としてすでに幾つもの研究成果仇商品開発例の報告が有
り、情報システムを構成するうえで不可欠のものとなり
つつあも これら光ディスクに用いる記録材料として１九穴や泡等
の形状変化を生じさせることで光の反射事変イし 透過
率変化を得るものと、光学的性質（屈折率ｎ、消衰係数
ｋ）を変えて反射率変化 透過率変化を得るものがある
バ 後者のタイプのもの力丈 密着した保護層を設けら
れる戊 原理的に変化が可逆的で書き換え可能なものが
得られるという点で有利であり、光ディスクの主流にな
ると考えられも このタイプの光ディスクとして代表的なものく［ＴｅＯ
ｘ （０＜ｘ＜２）］を用いたものがあａこれはＰＭＭ
Ａ等の樹脂基村上へ 紫外線硬化樹脂を用いて光ガイド
用のトラック溝を形成し その上に［ＴｅＯｘ］薄膜を
蒸着等の方法で設置し更に基材と同様の樹脂基材をはり
合わせた構造をしていも この光ディスクは既に静止画
ファイ）Ｌ＜文書ファイル等のシステム機器へ応用され
ている力丈 この［Ｔ ｅ Ｏｘ ］を主材料として用
い今後例えば 大型化 書き換え可能化啄 更に発展さ
せた形態にするためには幾つかの問題が残されてぃもつ
まり現状のままの構造で４１ ＜り返し使用すること
によって基材と記録層の界面付近で基材がダメージを受
けやすく記録信号の品質が低下してしまう胤 更に容量
を上げるためにディスク形状を大きくすべ あるいは転
送レートを上げるために回転速度を上げるというような
試みに対してＣよ現状の半導体レーザの出力では記録感
度が不足する心配があるＡ 等の理由から何らかの対策
を必要とすム 発明の目的 本発明は光ディスクの構造を改良して、記録惑嵐 消去
感度等を向上するとともに繰り返し使用してもダメージ
を受けにくい光ディスクの製法を提供することを目的と
す翫 発明の構成 本発明：友 基材上にレーザ光の入射効率を高めて見か
け上の記録感度を高めるとともに基材に対する防護層と
して作用し 繰り返し使用による基材の損傷を防止する
ための無機材質層と光照射によって加熱昇温し その光
学定数を変化する性質を有する記録層の２つの層を有す
る光ディス久さらには記録層の上にもう１つ無機材質層
を有する３つの層を有する光デイスク積層する際に観測
される前記光学情報記録部材の反射率の変化を予め測定
しておき、各層を順次積層する際各層の膜厚変化に応じ
て観測される前記反射率が所定の値を示すことを検出し
て各層の成膜を終了するものであも 実施例の説明 以下図面を参照しつつ本発明の詳細な説明すも第１図１
友 本発明の光学情報記録部材の製法を適用すべき光学
情報記録部材の１実施例の基本的構成の断面図を示した
ものであム 図中１１よ 基材であって、ＰＭＭＡ、塩
化ビニ−／ｌ＜ ポリカーボネイト等のブラスチッ久
又はガラス等を使用目的に応じて用いることができ７
）。２は酸化ゲルマニウムＧｅＯｘ （ｘ＝２又はＸ〜
２）の層であって蒸着、スパッタリング等の方法を用い
て形成す４Ｎ形成に際しては蒸着用ソース材料あるいは
スパッタリングのターゲット材料として二酸化ゲルマニ
ウムＧｅｎｅを用いも 蒸着あるいはスパッタリングの
条件によってはやや０がはずれてＧｅＯｘ （ｘ〜２）
となる場合があるが本発明においてζよ はぼ同様の効
果を得ることが可能であも膜厚としてＣヨ 例えば基
材１側から光を入射した時の反射光量が干渉効果として
極大値を示す時の膜厚に設定することができも 設定方
法としては 例えば特開昭５９−１７１３９に提案され
ている反射率測定方法を用いて行うことができも第２図
法 前述の方法を用いて酸化ゲルマニウム薄膜を堆積し
ていった時の膜厚と基材側からの反射率との関係を示し
たものであａ 反射光強度は 基材表面からの反射光と
、基材と酸化ゲルマニウム層の界面からの反射光との間
の多重干渉の結果 図のように膜厚の増加に従って増大
し 極大値をとった抵 減少することがわかり九 酸化
ゲルマニウムのように透明で光がほとんど吸収されない
物質の場合に１よ 極大値をとる場合の膜厚ｄと屈折率
ｎ、波長λの間に１よ ｎｄ＝λ／４のような近似式が
成立り、ｆｌ！化ゲルマニウム薄膜の屈折率ｎ＝１．６
、光源の波長λ＝８４０ ｎｍとすると、反射光強度が
極大をとる膜厚ｄ１エ 約１３０ｎｍとなも 第１図において３は記録層を示も 上述のように設計し
た酸化ゲルマニウム層２の上に記録層３を堆積させる場
淑 記録膜３の屈折率が酸化ゲルマニウム２の屈折率よ
りも犬であれ（戴 記録層３を含めた全体の系として、
基材側ｌからの反射光強度を、酸化ゲルマニウム層２の
無い場合に比べてはるかに小さくすることが可能であり
光の入射効率を高めることができも 第３図圏 記録層材料としてＴｅ−ＴｅＯ２系薄膜を用
いた場合において、酸化ゲルマニウム層２がある場合（
ａ）、と無い場合（ｂ）における反射光強度の相違をし
め机 酸化ゲルマニウム層２が無い（ｂ）の場合におい
ては反射光強度は膜厚の増加とともに増大し 極大値４
をとった樵減少し その微 極小５、極大６と増減を繰
り返しながら一定の値に集束すａ これに対して酸化ゲ
ルマニウム層２が有る場合においては反射光強度は小さ
い極小値７をとった跣 増大し極大８をとり、その後減
少し 極小９、極大１０と増減を繰り返しながら一定の
値に収束すも このとき、酸化ゲルマニウム層２が有る
場合にζよ 各極大鑑極小籠 又収束値とも無い場合に
比べて全体に低くすることができることがわかった 従
って基材ｌと記録膜３との間に酸化ゲルマニウム層２を
設けることで光の入射効率を高めることが可能となり、
全体として記録感度の向上が計れるものであム 酸化ゲルマニウム層２の膜厚として：よ 前述の近似式
で反射光強度が最大となるように選ぶ場合において上述
の反射率低減の効果を最大限得ることができるものであ
る力（反射光強度が最大でない場合においても類似の効
果を得ることは可能であり、この場合においては記録層
３を含めた光の反射率：よ 第３図ａとｂの中間の値を
とるものであａ 記録層３として（友 上記以外にもＳ ｂ ２ Ｔ ｅ
３゜５ｂ２Ｓｅ３ＱＥ やはり記録前後で光学的特
性を変化するもへ あるいはＴｅ−Ｃ系薄ｊｌｌＬ
Ｐｂ−Ｔｅ−３ｅ系薄膜等の穴を形成するような材料も
そのまま適用が可能であも 次へ 記録層３としてＴｅ−Ｇｅ−３ｎ−０系薄膜（特
開昭５９−１８５０４８号公報記載）を用いて、繰り返
し記級 消去を行った場合の実施例について説明すも
この系の記録薄膜ζよ その使用方法として膜をあらか
じめ反射率の高い状態にしておき、光を照射して反射率
の低い状態に変化させることで記録しようというもので
あるか収記録時の光の入射効率を高めるという意味て
酸化ゲルマニウム層による反射率低減効果は非常に有用
であａ 更に繰り返し使用する最には樹脂基材１が熱的
に変形し ノイズレベルが増大することが考えらる力（
酸化ゲルマニウムという無機材質層を介することでその
変形を押さえることができるものであム 特開昭５９−
１８５０４８号公報記載のＴｅ６０Ｓｎ１５Ｇｅ５０２
０薄膜を用いて、酸化ゲルマニウム層が有る場合と無い
場合との両方の光ディスクを試作し やはり特開昭５９
−１８°５０４８号公報記載の記録消去方法を用いてく
り返し記録消去実験を行った 第４図は酸化ゲルマニウム層を設けて試作した光ディス
クの断面医 第５図は光デイスク作成時の各行程におけ
るディスクの反射率を連続的に示したものであａ 基材
１１は１．２ｍｍ厚のＰＭＭＡを用へ その上に酸化ゲ
ルマニウム層１２を反射率が極大となるように蒸着し
その上にＴｅ６０Ｓｎ１５Ｇｅ５０２０薄膜層１３を、
その反射率が極小となるようにこれも蒸着して形成すａ
更く この場合は繰り返し使用時におけるゴミ、キズ等
の影響を避けるため記録膜の上にさらにもう一服 酸化
ゲルマニウム層１４を反射率が極小となるように蒸着し
紫外線硬化樹脂を用いて、１、１ｍｍ厚のＰＭＭＡ基
材１５をはり合わせて光ディスクとすも 第６図；友 これらの光ディスクを用いて、記録パワー
、消去パワーをそれぞれ８ ｍｗ、 １２ ｍＷ。
消去レーザービーム長を半値幅で１５μｍとして同一ト
ラック上にくり返し記録消去を行った場合のＣ／Ｎの変
化の様子を示したものであも 記録周波数は５ＭＨｚ、
ディスクの周速は１５ｍ／ｓであも このとき、酸
化ゲルマニウム層を備えた光ディスクａにおいて（よ
光の吸収効率が良いために初期Ｃ／Ｎが高く、同時にく
り返し使用時においてもＣ／Ｎの劣化がごく微かでしか
なかったそれに比して、酸化ゲルマニウム層の無い光デ
ィスクｂにおいて（よ 初期Ｃ／Ｎがやや低く、くり返
し使用するとノイズレベルの上昇に伴（＼ Ｃ／Ｎが低
下する現象が観察された 発明の効果 本発明によれは 複数の層を有する光学情報記録部材の
各層の膜厚を全体の反射率を観測するだけで簡単に決定
することが可能であり、全体の系として記録感度が高く
、しかも基材を保護する効果を伴って、くり返し使用時
の耐久性に優れた光学情報記録部材の製法を提供するこ
とができも
ラック上にくり返し記録消去を行った場合のＣ／Ｎの変
化の様子を示したものであも 記録周波数は５ＭＨｚ、
ディスクの周速は１５ｍ／ｓであも このとき、酸
化ゲルマニウム層を備えた光ディスクａにおいて（よ
光の吸収効率が良いために初期Ｃ／Ｎが高く、同時にく
り返し使用時においてもＣ／Ｎの劣化がごく微かでしか
なかったそれに比して、酸化ゲルマニウム層の無い光デ
ィスクｂにおいて（よ 初期Ｃ／Ｎがやや低く、くり返
し使用するとノイズレベルの上昇に伴（＼ Ｃ／Ｎが低
下する現象が観察された 発明の効果 本発明によれは 複数の層を有する光学情報記録部材の
各層の膜厚を全体の反射率を観測するだけで簡単に決定
することが可能であり、全体の系として記録感度が高く
、しかも基材を保護する効果を伴って、くり返し使用時
の耐久性に優れた光学情報記録部材の製法を提供するこ
とができも
第１図１友 本発明の光学情報記録部材の基本構成の断
面医 第２図は酸化ゲルマニウム層の膜厚と反射率の関
係を示すグラフ、第３図（友 酸化ゲルマニウム層が有
る場合と無い場合の記録材料の反射率の差異を示すグラ
ス 第４図は書換え可能な材料を用いて、はり合わせた
構造の本発明の一実施例における光学情報記録部材の断
面医 第５図は ディスク作成時の各行程におけるディ
スクの反射率の連続的な変化を示すグラフ、第６図：よ
酸化ゲルマニウム層の有無によるくり返し使用時のＣ／
Ｎ変化の相違を示すグラフであ翫１・・・基材、２・・
・酸化ゲルマニウム凰３・・・記録部
面医 第２図は酸化ゲルマニウム層の膜厚と反射率の関
係を示すグラフ、第３図（友 酸化ゲルマニウム層が有
る場合と無い場合の記録材料の反射率の差異を示すグラ
ス 第４図は書換え可能な材料を用いて、はり合わせた
構造の本発明の一実施例における光学情報記録部材の断
面医 第５図は ディスク作成時の各行程におけるディ
スクの反射率の連続的な変化を示すグラフ、第６図：よ
酸化ゲルマニウム層の有無によるくり返し使用時のＣ／
Ｎ変化の相違を示すグラフであ翫１・・・基材、２・・
・酸化ゲルマニウム凰３・・・記録部
Claims (1)
- （１）基材上に少なくとも無機材質層と光照射によって
その光学定数が変化する性質を有する記録層の２層、ま
たは前記記録層の上にさらに無機材質層を追加した３層
を順次積層して成る光学情報記録部材の製法であって、 前記光学情報記録部材の各層を順次積層する過程にある
前記光学情報記録部材からの反射率の変化を検出する行
程と、各層の膜厚変化に応じて生じる前記反射率変化の
様子を予め調べておく行程とを含み、前記反射率が所定
の値を示すことを検出して各層の成膜を終了することを
特徴とする光学情報記録部材の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27697390A JPH03141054A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 光学情報記録部材の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27697390A JPH03141054A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 光学情報記録部材の製法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113301A Division JPS60257291A (ja) | 1984-06-01 | 1984-06-01 | 光学情報記録部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03141054A true JPH03141054A (ja) | 1991-06-17 |
Family
ID=17576995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27697390A Pending JPH03141054A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | 光学情報記録部材の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03141054A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700879A1 (fr) * | 1993-01-27 | 1994-07-29 | Jenoptik Jena Gmbh | Dispositif optique d'enregistrement, mémorisation et extraction d'informations à microstructure. |
| US5698386A (en) * | 1996-02-29 | 1997-12-16 | Eastman Kodak Company | Photographic dye-forming coupler, emulsion layer, element, and process |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257291A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27697390A patent/JPH03141054A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257291A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2700879A1 (fr) * | 1993-01-27 | 1994-07-29 | Jenoptik Jena Gmbh | Dispositif optique d'enregistrement, mémorisation et extraction d'informations à microstructure. |
| US5698386A (en) * | 1996-02-29 | 1997-12-16 | Eastman Kodak Company | Photographic dye-forming coupler, emulsion layer, element, and process |
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