JPS63232295A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
- Publication number
- JPS63232295A JPS63232295A JP62064276A JP6427687A JPS63232295A JP S63232295 A JPS63232295 A JP S63232295A JP 62064276 A JP62064276 A JP 62064276A JP 6427687 A JP6427687 A JP 6427687A JP S63232295 A JPS63232295 A JP S63232295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- metal
- layer
- emitting element
- fluorescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K aluminium iodide Chemical compound I[Al](I)I CECABOMBVQNBEC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、ＭＩＭ（金属−酸化物（絶縁層）−金属）構
造の発光素子に係り、特に酸化物又は絶縁層と金属の界
面に蛍光層を設けて、特定の波長の発光強度を大きくす
るようにしたものである。
造の発光素子に係り、特に酸化物又は絶縁層と金属の界
面に蛍光層を設けて、特定の波長の発光強度を大きくす
るようにしたものである。
又、この発光素子をアレイ状に配置してディスプレイ装
置等に用いたものである。
置等に用いたものである。
本発明は、特定の波長の発光強度を大きくできるように
した発光素子、及びその発光素子を用いてディスプレイ
装置等に応用した発光素子アレイに関する。
した発光素子、及びその発光素子を用いてディスプレイ
装置等に応用した発光素子アレイに関する。
従来、ＭＩＭ構造の発光素子が知られている。
第５図は従来の発光素子の構成を示す図である。
同図において、発光素子１は、基板２上にＡβ等を蒸着
した第１の金属３と、この第１の金属３の表面に形成し
た酸化アルミニウム（Ａ１２０３）等の酸化層４と、こ
の酸化層４の表面にＡｕ等を蒸着した第２の金属５とか
ら構成され、第１の金属３と第２の金属５との間に電源
６からの比較的低い２〜３■程度の直流電圧が印加され
る。このような発光素子１は、駆動電流が３０ｍＡで第
２図の点線Ａに示す如＜ 、４００ ｎｍ〜１μｍ程度
の光を発光する。
した第１の金属３と、この第１の金属３の表面に形成し
た酸化アルミニウム（Ａ１２０３）等の酸化層４と、こ
の酸化層４の表面にＡｕ等を蒸着した第２の金属５とか
ら構成され、第１の金属３と第２の金属５との間に電源
６からの比較的低い２〜３■程度の直流電圧が印加され
る。このような発光素子１は、駆動電流が３０ｍＡで第
２図の点線Ａに示す如＜ 、４００ ｎｍ〜１μｍ程度
の光を発光する。
しかしながら、従来のＭＩＭ構造の発光素子１では、光
波長に対する光強度の分布が比較的に平坦で、特定の波
長の光を強く発光することができなかった。そのため、
輝度の大きい３原色の素子が必要とされるディスプレイ
装置等に、この発光素子１を用いることができなかった
。
波長に対する光強度の分布が比較的に平坦で、特定の波
長の光を強く発光することができなかった。そのため、
輝度の大きい３原色の素子が必要とされるディスプレイ
装置等に、この発光素子１を用いることができなかった
。
本発明はこのような問題を解決するために成されたもの
で、その目的とするところは簡単な構造で特定の波長の
発光強度を上げることができ、かつ任意に発光色を変え
ることが可能な発光素子、及びその発光素子を用いてデ
ィスプレイ装置等の発光素子アレイを提供するにある。
で、その目的とするところは簡単な構造で特定の波長の
発光強度を上げることができ、かつ任意に発光色を変え
ることが可能な発光素子、及びその発光素子を用いてデ
ィスプレイ装置等の発光素子アレイを提供するにある。
第１図は本発明の発光素子の構成を示す図である。
第１図において、１１は発光素子、１２は基板、１３は
基板１２上に設けられた第１の金属、１４は第１の金属
１３の表面に形成された酸化層又は絶縁層、１５は酸化
層又は絶縁層１４の表面に設けられた蛍光材を含有した
蛍光層、１６は蛍光層１５の表面に設けられた第２の金
属である。そして、第１及び第２の金属１３及び１６の
間に電源１７からの電圧が印加される。又、第３図に示
す如く発光素子１１は基板１２上にアレイ状に配設され
、それぞれの発光素子１１が駆動される。
基板１２上に設けられた第１の金属、１４は第１の金属
１３の表面に形成された酸化層又は絶縁層、１５は酸化
層又は絶縁層１４の表面に設けられた蛍光材を含有した
蛍光層、１６は蛍光層１５の表面に設けられた第２の金
属である。そして、第１及び第２の金属１３及び１６の
間に電源１７からの電圧が印加される。又、第３図に示
す如く発光素子１１は基板１２上にアレイ状に配設され
、それぞれの発光素子１１が駆動される。
発光素子ＩＩにおいて、第１の金［１３と第２の金属１
６との間に電源１７の直流電圧を印加すると、トンネル
電流が流れ金属表面にプラズモンが励起され、これが光
に変換され発光する。このとき、酸化層又は絶縁層１４
の表面に設けられた蛍光層１５が励起されて、その蛍光
層１５の螢光材により決まる特定の波長の光が発光する
と同時に、トンネルした電子によっても直接励起されて
強い光が発光する。又、発光素子１１は螢光材を選択し
てプレイ状に配設され、ディスプレイ装置等に応用され
る。
６との間に電源１７の直流電圧を印加すると、トンネル
電流が流れ金属表面にプラズモンが励起され、これが光
に変換され発光する。このとき、酸化層又は絶縁層１４
の表面に設けられた蛍光層１５が励起されて、その蛍光
層１５の螢光材により決まる特定の波長の光が発光する
と同時に、トンネルした電子によっても直接励起されて
強い光が発光する。又、発光素子１１は螢光材を選択し
てプレイ状に配設され、ディスプレイ装置等に応用され
る。
以下、本発明の発光素子の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図は本発明の第一実施例に係り発光素子の構成を示
す図である。第１図の発光素子１１において、１２はパ
イレックス等のはうけい酸ガラスから成る基板、１３は
この基板１２上に形成した厚さ２００〜３００ 人、幅
１〜２１程度のキャリア濃度の大きい例えばＡ１．Ａｕ
、Ｃｕ等の第１の金属、１４はこの第１の金属１３の表
面に熱酸化あるいは陽極酸化等によって形成した厚さ約
２０〜３０人の酸化層、１５は厚さ１０〜２０人程度積
層された蛍光層、１６は蛍光層１５の上に形成した厚さ
２００〜３００人の第１金属１３と同様な第２の金属、
１７は第１及び第２の金属１３及び１６の間に直流電圧
を印加する電源である。
す図である。第１図の発光素子１１において、１２はパ
イレックス等のはうけい酸ガラスから成る基板、１３は
この基板１２上に形成した厚さ２００〜３００ 人、幅
１〜２１程度のキャリア濃度の大きい例えばＡ１．Ａｕ
、Ｃｕ等の第１の金属、１４はこの第１の金属１３の表
面に熱酸化あるいは陽極酸化等によって形成した厚さ約
２０〜３０人の酸化層、１５は厚さ１０〜２０人程度積
層された蛍光層、１６は蛍光層１５の上に形成した厚さ
２００〜３００人の第１金属１３と同様な第２の金属、
１７は第１及び第２の金属１３及び１６の間に直流電圧
を印加する電源である。
発光素子１１は、電源１７からの約２〜３Ｖの直流電圧
が第１及び第２の金属１３及び１６の間に印加されると
トンネル電流が流れ、この電流によって金属表面にプラ
ズモンが励起され、これが光に変換されて発光する。こ
の際、界面の蛍光層１５が励起されこの蛍光１１５の螢
光材により決まる特定の波長の光が発光すると同時に、
トンネルした電子によっても直接励起されて強い光が発
光する。例えば、蛍光層１５の蛍光材料がＺｎ２５ ｉ
０４ ： Ｍｎのときには、第２図の実線Ｂに示す如く
光波長５２５ ｎｍの強い光を発光する。
が第１及び第２の金属１３及び１６の間に印加されると
トンネル電流が流れ、この電流によって金属表面にプラ
ズモンが励起され、これが光に変換されて発光する。こ
の際、界面の蛍光層１５が励起されこの蛍光１１５の螢
光材により決まる特定の波長の光が発光すると同時に、
トンネルした電子によっても直接励起されて強い光が発
光する。例えば、蛍光層１５の蛍光材料がＺｎ２５ ｉ
０４ ： Ｍｎのときには、第２図の実線Ｂに示す如く
光波長５２５ ｎｍの強い光を発光する。
次に上記発光素子１１の製造方法について説明する。ま
ず、パイレックス基板１２上に１００〜１５０°Ｃで厚
さ２００〜３００人のＡｌＩ３を蒸着した後、１〜２顛
幅のパターンをリソグラフィーとエツチング法によって
作製する。次に、空気中で約１５０〜２００°Ｃ１３０
分間加熱を行いＡ１１３の表面に約２０〜３０人の酸化
層（Ａｊ２ｚＯｔ層）１４を形成する。さらに、蛍光層
１５は表に示したような蛍光粉末を母材としスパッタ法
により、これらの材料を１０〜２０人の厚さにＡ ’
ｚｏ：＋ Ｊｉｉ １４上に積層する。
ず、パイレックス基板１２上に１００〜１５０°Ｃで厚
さ２００〜３００人のＡｌＩ３を蒸着した後、１〜２顛
幅のパターンをリソグラフィーとエツチング法によって
作製する。次に、空気中で約１５０〜２００°Ｃ１３０
分間加熱を行いＡ１１３の表面に約２０〜３０人の酸化
層（Ａｊ２ｚＯｔ層）１４を形成する。さらに、蛍光層
１５は表に示したような蛍光粉末を母材としスパッタ法
により、これらの材料を１０〜２０人の厚さにＡ ’
ｚｏ：＋ Ｊｉｉ １４上に積層する。
（以下余白）
表において、例えば強く発光したい光が赤のときには６
３０ ｎｍの（Ｓｒ、Ｍｇ、 Ｂａ ）３ （Ｐ Ｏａ
）３： Ｓｎ ｓ緑のときには５２５ｎｍのＺ ｎ
ｚ Ｓ ｉ Ｏ４： Ｍ ｎ及び５４４ ｎｍのＹ２Ｓ
ｉＯ５： Ｃｅ 、Ｔｂ ％青のときには４２０ｎｍの
５ｒｚＰｚ０７ ： Ｅｕ２＋及び４１０ｎｍのＣａ
ＷＯ４等が選択される。最後に蛍光層■５の表面に厚さ
２００〜３００ 人のＡｕ１６を蒸着し、Ａ１１３と同
様に細状のパターンを形成して完成する。蛍光面は１０
０〜３００人程度粗れていた方が発光効率が良くなる。
３０ ｎｍの（Ｓｒ、Ｍｇ、 Ｂａ ）３ （Ｐ Ｏａ
）３： Ｓｎ ｓ緑のときには５２５ｎｍのＺ ｎ
ｚ Ｓ ｉ Ｏ４： Ｍ ｎ及び５４４ ｎｍのＹ２Ｓ
ｉＯ５： Ｃｅ 、Ｔｂ ％青のときには４２０ｎｍの
５ｒｚＰｚ０７ ： Ｅｕ２＋及び４１０ｎｍのＣａ
ＷＯ４等が選択される。最後に蛍光層■５の表面に厚さ
２００〜３００ 人のＡｕ１６を蒸着し、Ａ１１３と同
様に細状のパターンを形成して完成する。蛍光面は１０
０〜３００人程度粗れていた方が発光効率が良くなる。
第３図は本発明の第二の実施例に係り発光素子をマトリ
ックス状に複数配列した発光素子アレイである。第３図
において、発光素子１１は第一実施例と同様の構成であ
り、基板１２上に綿状のパターンをＸ軸、Ｙ軸方向にマ
トリックス状に複数配列し、かつ各発光素子１１毎に薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）１８が形成されている。１膜
トランジスタ１８において、１９はゲート、２０は厚さ
６０００人程度０酸化シリコン（ＳｉＯｚ）、窒化シリ
コン（ＳｉｔＮ４）等からなる絶縁層、２１はシリコン
半導体層、２２及び２３は３０００人程度人程ｌ、Ｃｕ
等からなるソース及びゲート、２４は発光素子１１の第
２の金属１６とソース２２との間を接続するコンタクト
である。又、２５はショートを防ぐための窒化シリコン
等からなる絶縁層である。
ックス状に複数配列した発光素子アレイである。第３図
において、発光素子１１は第一実施例と同様の構成であ
り、基板１２上に綿状のパターンをＸ軸、Ｙ軸方向にマ
トリックス状に複数配列し、かつ各発光素子１１毎に薄
膜トランジスタ（ＴＰＴ）１８が形成されている。１膜
トランジスタ１８において、１９はゲート、２０は厚さ
６０００人程度０酸化シリコン（ＳｉＯｚ）、窒化シリ
コン（ＳｉｔＮ４）等からなる絶縁層、２１はシリコン
半導体層、２２及び２３は３０００人程度人程ｌ、Ｃｕ
等からなるソース及びゲート、２４は発光素子１１の第
２の金属１６とソース２２との間を接続するコンタクト
である。又、２５はショートを防ぐための窒化シリコン
等からなる絶縁層である。
第４図は第３図の発光素子アレイの等価回路図である。
第４図において、発光素子１１はＴＰＴｌＢのソースと
接地間に接続され、ＴＰＴｌＢのゲート及びドレインは
それぞれＸ走査線＜ｖｘｒ。
接地間に接続され、ＴＰＴｌＢのゲート及びドレインは
それぞれＸ走査線＜ｖｘｒ。
ｖｘ２．・・・）及びＹ信号線（Ｖｙ＋、 Ｖｙ２．
・・・）に接続されている。
・・・）に接続されている。
各発光素子１１はＸ走査線及びＹ信号線を選択しゲート
及びドレインに電圧を印加することによりＴＰＴｌＢに
より駆動され発光する。
及びドレインに電圧を印加することによりＴＰＴｌＢに
より駆動され発光する。
第３図は本発明の第三の実施例に係り蛍光材を変えて配
列した発光素子アレイである。
列した発光素子アレイである。
第３図において、発光素子１１は例えばＸ！１ｌｈＹ軸
方向に赤緑青の蛍光層１５．１５’、 ・・・をマス
クしながらスパッタし、３元色の輝度の大きい発光素子
アレイを形成したものである。
方向に赤緑青の蛍光層１５．１５’、 ・・・をマス
クしながらスパッタし、３元色の輝度の大きい発光素子
アレイを形成したものである。
この発光素子アレイによれば、各発光素子１１を選択し
て電圧を印加することにより３元色を発光することがで
きる。
て電圧を印加することにより３元色を発光することがで
きる。
なお、上記実施例において使用する蛍光材料は表に示さ
れたものに限定されない。又、各発光素子１１を駆動す
る手段も薄膜トランジスタ１１に限られない。更に、酸
化層又は絶縁層１４の形成法も上記方法に限定されない
。
れたものに限定されない。又、各発光素子１１を駆動す
る手段も薄膜トランジスタ１１に限られない。更に、酸
化層又は絶縁層１４の形成法も上記方法に限定されない
。
以上詳細に説明したようにＭ Ｉ Ｍ構造から成る発光
素子の酸化物又は絶縁層と金属間に蛍光層を設けたため
に、簡単な構造で特定の波長の発光強度を上げることが
でき、かつ蛍光層の螢光材料を変えることにより任意の
発光色を得ることができる。又、その発光素子を用いて
ディスプレイ装置等の発光素子アレイを形成することが
できる。
素子の酸化物又は絶縁層と金属間に蛍光層を設けたため
に、簡単な構造で特定の波長の発光強度を上げることが
でき、かつ蛍光層の螢光材料を変えることにより任意の
発光色を得ることができる。又、その発光素子を用いて
ディスプレイ装置等の発光素子アレイを形成することが
できる。
第１図は本発明の第一の実施例に係る発光素子の構成を
示す図、 第２図は発光素子の発光強度を示す図、第３図は本発明
の第二及び第三の実施例に係る発光素子アレイ、 第４図は第３図の発光素子アレイの等価回路図、第５図
は従来の発光素子の構成を示す図である。 １１・・・発光素子、 １２・・・基板、 １３・・・第１の金属、 １４・・・酸化層又は絶縁層、 １５・・・蛍光層、 １６・・・第２の金属、 １７・・・電源、 １８・・・薄膜トランジスタ、 １９ ・ ・ ・ゲート、 ２０・・・絶縁層、 ２１・・・半導体層、 ２２・・・ソース、 ２３ ・ ・ ・ゲート、 ２４・・・コンタクト、 ２５・・・絶縁層。
示す図、 第２図は発光素子の発光強度を示す図、第３図は本発明
の第二及び第三の実施例に係る発光素子アレイ、 第４図は第３図の発光素子アレイの等価回路図、第５図
は従来の発光素子の構成を示す図である。 １１・・・発光素子、 １２・・・基板、 １３・・・第１の金属、 １４・・・酸化層又は絶縁層、 １５・・・蛍光層、 １６・・・第２の金属、 １７・・・電源、 １８・・・薄膜トランジスタ、 １９ ・ ・ ・ゲート、 ２０・・・絶縁層、 ２１・・・半導体層、 ２２・・・ソース、 ２３ ・ ・ ・ゲート、 ２４・・・コンタクト、 ２５・・・絶縁層。
Claims (3)
- （１） 第１の金属（１３）と、該第１の金属（１３）
の表面に形成した酸化層又は絶縁層（１４）と、該酸化
層又は絶縁層（１４）の表面に形成した蛍光材を含有し
た蛍光層（１５）と、該蛍光層（１５）の表面に形成し
た第２の金属（１６）とを備え、前記第１の金属（１３
）及び第２の金属（１６）の間に電圧を印加するように
したことを特徴とする発光素子。 - （２） 第１の金属（１３）と、該第１の金属（１３）
の表面に形成した酸化層又は絶縁層（１４）と、該酸化
層又は絶縁層（１４）の表面に形成した蛍光材を含有し
た蛍光層（１５）と、該蛍光層（１５）の表面に形成し
た第２の金属（１６）とを備え、前記第１の金属（１３
）及び第２の金属（１６）の間に電圧を印加するように
した発光素子（１１）が、複数個配列されたことを特徴
とする発光素子アレイ。 - （３） 発光波長の異なる蛍光材を含有した蛍光層（１
５）を有する発光素子（１１）が複数個組合わせて配設
されたことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の発
光素子アレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064276A JPS63232295A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064276A JPS63232295A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232295A true JPS63232295A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13253533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62064276A Pending JPS63232295A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | 発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232295A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351917A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路 |
| JP2013522815A (ja) * | 2010-03-19 | 2013-06-13 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | ガラス基材発光素子、その製造方法、並びにその発光方法 |
| WO2014013566A1 (ja) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | パイオニア株式会社 | ミラー装置 |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62064276A patent/JPS63232295A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351917A (ja) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光集積回路 |
| JP2013522815A (ja) * | 2010-03-19 | 2013-06-13 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | ガラス基材発光素子、その製造方法、並びにその発光方法 |
| WO2014013566A1 (ja) * | 2012-07-18 | 2014-01-23 | パイオニア株式会社 | ミラー装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105609535B (zh) | 显示基板、显示装置及其制作方法 | |
| JPS63224190A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JP2006260982A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP4544518B2 (ja) | 電界励起型発光素子及び画像表示装置 | |
| JPS63232295A (ja) | 発光素子 | |
| JPH04280094A (ja) | 薄膜発光素子 | |
| JP2003173750A (ja) | 画像表示装置 | |
| GB1594357A (en) | Production of electroluminescent powder | |
| JP2005209503A (ja) | 高密度集積発光デバイスの作製方法、及び高密度集積発光デバイス | |
| KR100745343B1 (ko) | 녹색칼라필터 및 이를 이용한 유기발광 표시장치 | |
| CN110176530A (zh) | 一种图案化色彩变换阵列Micro LED及其制备方法和用途 | |
| JP2006040642A (ja) | 色変換膜及びこれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2020035891A (ja) | 発光装置 | |
| KR100270333B1 (ko) | 전계방출 디스플레이를 위한 후막 및 박막 적층형 발광층 제조방법 | |
| JPH05299175A (ja) | Ｅｌ発光素子 | |
| JP3914067B2 (ja) | Ｅｌディスプレイ | |
| JPS5835587A (ja) | 薄膜ｅｌ素子 | |
| JPS61160786A (ja) | Ｅｌ表示素子 | |
| JPH04115490A (ja) | 発光素子 | |
| JPH0555970B2 (ja) | ||
| JPS62182789A (ja) | マトリクスｅｌ素子 | |
| JPH0119759B2 (ja) | ||
| JPH04101391A (ja) | 発光素子 | |
| JPH04115489A (ja) | 発光素子 | |
| JPS598040B2 (ja) | 薄膜ｅｌ素子 |