JP2020035891A - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】紫外光を発光する小型の発光装置を提供する。【解決手段】発光装置は、紫外光を発する発光素子と、前記発光素子の上に設けられ、前記発光素子が発する紫外光により励起され、前記発光素子が発する紫外光よりも長波長の紫外光を発する蛍光体粒子を含む蛍光体層と、を備えている。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。
現在、ＵＶ（ultraviolet）ランプとして、水銀を封入した管内の壁面にＵＶ発光蛍光体を塗布した構造の水銀ＵＶランプが知られている。また、水銀レスＵＶランプとして、キセノンガスを封入したＵＶランプも提案されている。
特表２００９−５１９５７６号公報
「真空紫外励起高効率ＵＶ発光蛍光体」、映像情報メディア学会誌Vol.55,No.4,pp.566〜570(2001)
本発明は、紫外光を発光する小型の発光装置を提供する。
本発明の一態様によれば、発光装置は、紫外光を発する発光素子と、前記発光素子の上に設けられ、前記発光素子が発する紫外光により励起され、前記発光素子が発する紫外光よりも長波長の紫外光を発する蛍光体粒子を含む蛍光体層と、を備えている。
本発明によれば、紫外光を発光する小型の発光装置を提供することができる。
本発明の実施形態の発光装置における第１発光素子、第２発光素子、および蛍光体層の配置例を示す模式平面図である。 本発明の第１実施形態の発光装置の模式端面図である。 本発明の第１実施形態の発光装置の模式平面図である。 本発明の第２実施形態の発光装置の模式端面図である。 本発明の第２実施形態の発光装置の模式平面図である。 本発明の第３実施形態の発光装置の模式端面図である。 本発明の第３実施形態の発光装置の模式平面図である。 本発明の第４実施形態の発光装置の模式端面図である。 本発明の第４実施形態の発光装置の模式平面図である。 本発明の第５実施形態の発光装置の模式端面図である。 本発明の第５実施形態の発光装置の模式平面図である。 本発明の実施形態の発光装置の駆動回路図である。 本発明の第６実施形態の発光装置の模式端面図である。 本発明の第６実施形態の発光装置の模式平面図である。 本発明の第６実施形態の発光装置の模式平面図である。
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
実施形態は、紫外光を発する発光素子と、紫外光を発する蛍光体層とを組み合わせた発光装置を提供する。蛍光体層は、発光素子が発する紫外光により励起され、発光素子が発する紫外光よりも長波長の紫外光を発する。本明細書における紫外光は、２４５ｎｍ以上３８０ｎｍ以下の範囲にピーク波長をもつ。
図１の模式的な平面図に示すように、実施形態の発光装置は、複数の第１発光素子１１と複数の第２発光素子１２を含むことができる。または、実施形態の発光装置は、１つの第１発光素子１１と１つの第２発光素子１２を含むことができる。または、実施形態の発光装置は、第２発光素子１２は含まずに、第１発光素子１１と蛍光体層２１（または２２）を含むことができる。
第１発光素子１１の上に蛍光体層２１（または２２）が設けられている。第２発光素子１２の上に蛍光体層は設けられず、第２発光素子１２は蛍光体層を含まない領域に配置されている。
第１発光素子１１および第２発光素子１２は、例えば、２４５ｎｍ以上３０５ｎｍ以下の範囲にピーク波長をもつ深紫外光を発する。第１発光素子１１の発光波長および第２発光素子１２の発光波長は、例えば、２８０ｎｍ付近、または３１０ｎｍ付近にピークをもつ。第１発光素子１１および第２発光素子１２は、例えば、窒化アルミニウムガリウムを含む発光層を有する。
蛍光体層２１（または２２）は蛍光体粒子を含む。蛍光体粒子は、セリウムがドープされたオルトリン酸イットリウム（ＹＰＯ４：Ｃｅ）、ガドリニウムがドープされた酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３：Ｇｄ）、および、ガドリニウムとプラセオジムがドープされたフッ化イットリウム（ＹＦ３：Ｇｄ，Ｐｒ）の少なくともいずれかを含む。
ＹＰＯ４：Ｃｅの発光波長は、例えば、３３０ｎｍ付近、または３６５ｎｍ付近にピークをもつ。
Ｙ２Ｏ３：Ｇｄの発光波長は、例えば、３１５ｎｍ付近にピークをもつ。
ＹＦ３：Ｇｄ，Ｐｒの発光波長は、例えば、３１１ｎｍ付近にピークをもつ。
（第１実施形態）
図２Ａは、第１実施形態の発光装置の模式端面図である。
図２Ｂは、第１実施形態の発光装置の模式平面図である。
第１発光素子１１と第２発光素子１２は、配線基板５０上に載置されている。配線基板５０の上面には、配線５３とパッド５２が形成されている。配線５３とパッド５２は、一体の金属パターンとして形成されている。
第１発光素子１１は、例えば上面に主発光面をもち、主発光面の反対側の面に外部電極３１をもつ。第２発光素子１２は、例えば上面に主発光面をもち、主発光面の反対側の面に外部電極３２をもつ。第１発光素子１１の外部電極３１および第２発光素子１２の外部電極３２が、配線基板５０に形成されたパッド５２に接合されている。または、第１発光素子１１および第２発光素子１２の上面側に設けられた外部電極を、ワイヤによって、パッド５２と接続してもよい。
蛍光体層２１は、蛍光体粒子と、蛍光体粒子が分散されたガラス２４とを有する。蛍光体層２１は、第１発光素子１１の上面に接合されている。蛍光体層２１は、有機成分を含む接着剤を介さずに、例えば常温で第１発光素子１１の上面に直接接合される。
第２発光素子１２の上に蛍光体層は設けられず、第２発光素子１２は蛍光体層を含まない領域に配置されている。
第１発光素子１１が発する紫外光の一部は蛍光体層２１の蛍光体粒子に吸収され、蛍光体粒子を励起する。励起された蛍光体粒子は、第１発光素子１１が発する紫外光よりも長波長の紫外光を発する。すなわち、第１発光素子１１が配置された領域からは、蛍光体層２１を透過した第１発光素子１１の紫外光と、蛍光体粒子によって波長変換された紫外光が放出される。第２発光素子１２が配置された領域からは、第２発光素子１２が発する紫外光が放出される。
このような第１実施形態の発光装置によれば、紫外光の波長領域のより広い範囲をカバーするブロードな発光スペクトルをもつ紫外光を放出することができる。また、放電管を使わないため小型化できる。
実施形態の発光装置は、例えば、レジスト膜の露光、樹脂の硬化、塗料の乾燥などに適用することができる。例えば、レジストの種類によっては、ある特定波長だけでなく、その特定波長の近傍の波長に対しても感光性をもつ場合がある。そのようなレジストに対して、実施形態の発光装置が放出するブロードな発光スペクトルをもつ紫外光を適用することで、レジストの効率的な露光反応が可能となる。
蛍光体粒子はガラス２４に分散され、蛍光体層２１は樹脂を含まない。蛍光体粒子はガラス２４に覆われ露出せず、高い耐湿性を有する。さらに、蛍光体層２１は第１発光素子１１の上面に直接接合されている。また、配線基板５０の絶縁基材は例えばセラミックである。したがって、紫外光が照射され得る領域には、樹脂よりも紫外光に対する耐光性に優れたガラスやセラミックが使われ、信頼性を高くできる。セラミックの絶縁基材として例えば酸化アルミニウムを使うと、配線基板５０の表面は紫外光に対する良好な反射面として機能することができる。
（第２実施形態）
図３Ａは、第２実施形態の発光装置の模式端面図である。
図３Ｂは、第２実施形態の発光装置の模式平面図である。
第１実施形態と同様、第１発光素子１１と第２発光素子１２が配線基板５０に載置されている。
配線基板５０上において第１発光素子１１の周囲および第２発光素子１２の周囲に壁部６２が設けられている。壁部６２は、例えば金属またはセラミックからなる。壁部６２は、第１発光素子１１の周囲および第２発光素子１２の周囲を連続して囲んでいる。
第１発光素子１１の周囲に設けられた壁部６２の上面には、蛍光体層２１が接合されている。蛍光体層２１は、蛍光体粒子と、蛍光体粒子が分散されたガラス２４とを有する。蛍光体層２１は、有機成分を含む接着剤を介さずに、例えば常温で壁部６２の上面に直接接合される。
第１発光素子１１は、壁部６２および蛍光体層２１で囲まれた空間７０内に配置されている。第１発光素子１１の上面は、空間７０を隔てて蛍光体層２１に対向している。
第２発光素子１２の上に蛍光体層は設けられず、第２発光素子１２は蛍光体層を含まない領域に配置されている。第２発光素子１２の上方は開放されている。
第１実施形態と同様、第２実施形態の発光装置においても、紫外光の波長領域のより広い範囲をカバーするブロードな発光スペクトルをもつ紫外光を放出することができる。また、放電管を使わないため小型化できる。
蛍光体粒子はガラス２４に分散され、蛍光体層２１は樹脂を含まない。蛍光体粒子はガラス２４に覆われ露出せず、高い耐湿性を有する。さらに、蛍光体層２１は壁部６２の上面に直接接合されている。また、壁部６２は金属またはセラミックからなり、配線基板５０の絶縁基材は例えばセラミックである。したがって、紫外光が照射され得る領域には、樹脂よりも紫外光に対する耐光性に優れたガラス、金属、セラミックが使われ、信頼性を高くできる。セラミックとして例えば酸化アルミニウムを使うと、配線基板５０の表面、および壁部６２の側面は、紫外光に対する良好な反射面として機能することができる。
（第３実施形態）
図４Ａは、第３実施形態の発光装置の模式端面図である。
図４Ｂは、第３実施形態の発光装置の模式平面図である。図４Ｂは、図４Ａにおいてカバー膜２５を除いた要素の模式平面図である。
上記実施形態と同様、第１発光素子１１と第２発光素子１２が配線基板５０に載置されている。
第１発光素子１１の上面および側面には、蛍光体粒子２３が配置されている。蛍光体粒子２３は、例えば電気泳動を利用した電着法により、第１発光素子１１の上面および側面に付着し堆積する。
第１発光素子１１、第２発光素子１２、および配線基板５０の表面を覆うように、カバー膜２５が設けられている。カバー膜２５は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法によって、配線基板５０の表面、第１発光素子１１の側面および上面、第２発光素子１２の側面および上面に沿ってコンフォーマルに形成される。
カバー膜２５は、第１発光素子１１が発する紫外光および蛍光体粒子２３が発する紫外光に対する透過性を有し、例えば酸化アルミニウム膜である。蛍光体粒子２３は、カバー膜２５に覆われ、第１発光素子１１の上面および側面からの脱落が防止される。蛍光体粒子２３およびカバー膜２５は、蛍光体層２２を構成する。
蛍光体粒子が配置されていない第２発光素子１２の上面および側面も、カバー膜２５で覆われている。第２発光素子１２の上に蛍光体層は設けられず、第２発光素子１２は蛍光体層を含まない領域に配置されている。
上記実施形態と同様、第３実施形態の発光装置においても、紫外光の波長領域のより広い範囲をカバーするブロードな発光スペクトルをもつ紫外光を放出することができる。また、放電管を使わないため小型化できる。
蛍光体層２２は樹脂を含まず、蛍光体粒子２３は例えば酸化アルミニウム膜であるカバー膜２５に覆われ露出せず、高い耐湿性を有する。また、配線基板５０の絶縁基材は例えばセラミックである。したがって、紫外光が照射され得る領域には、樹脂よりも紫外光に対する耐光性に優れたセラミックが使われ、信頼性を高くできる。セラミックとして例えば酸化アルミニウムを使うと、配線基板５０の表面は、紫外光に対する良好な反射面として機能することができる。
（第４実施形態）
図５Ａは、第４実施形態の発光装置の模式端面図である。
図５Ｂは、第４実施形態の発光装置の模式平面図である。図５Ｂは、図５Ａにおいてガラス板６１およびカバー膜２５を除いた要素の模式平面図である。
上記実施形態と同様、第１発光素子１１と第２発光素子１２が配線基板５０に載置されている。
配線基板５０上において第１発光素子１１および第２発光素子１２が配置された領域の周囲に壁部６２が設けられている。壁部６２は、例えば金属またはセラミックからなる。壁部６２は、第１発光素子１１および第２発光素子１２が配置された領域の周囲を連続して囲んでいる。
壁部６２の上面には、ガラス板６１が接合されている。ガラス板６１は、有機成分を含む接着剤を介さずに、例えば常温で壁部６２の上面に直接接合される。
ガラス板６１の上面において第１発光素子１１の上面に対向する領域には、蛍光体粒子２３が配置されている。蛍光体粒子２３は、例えば電気泳動を利用した電着法により、ガラス板６１の上面に付着し堆積する。
蛍光体粒子２３を覆うように、ガラス板６１の上面にカバー膜２５が設けられている。カバー膜２５は、第１発光素子１１が発する紫外光および蛍光体粒子２３が発する紫外光に対する透過性を有し、例えば酸化アルミニウム膜である。蛍光体粒子２３は、カバー膜２５に覆われ、ガラス板６１の上面からの脱落が防止される。蛍光体粒子２３およびカバー膜２５は、蛍光体層２２を構成する。
第１発光素子１１および第２発光素子１２は、壁部６２およびガラス板６１で囲まれた空間７０内に配置されている。第１発光素子１１の上面は、空間７０およびガラス板６１を隔てて蛍光体層２２に対向している。
第２発光素子１２の上に蛍光体層は設けられず、第２発光素子１２は蛍光体層を含まない領域に配置されている。第２発光素子１２の上面は、空間７０を隔ててガラス板６１に対向している。
上記実施形態と同様、第４実施形態の発光装置においても、紫外光の波長領域のより広い範囲をカバーするブロードな発光スペクトルをもつ紫外光を放出することができる。また、放電管を使わないため小型化できる。
蛍光体層２２は樹脂を含まず、蛍光体粒子２３は例えば酸化アルミニウム膜であるカバー膜２５に覆われ露出せず、高い耐湿性を有する。さらに、蛍光体層２２が設けられたガラス板６１は壁部６２の上面に直接接合されている。また、壁部６２は金属またはセラミックからなり、配線基板５０の絶縁基材は例えばセラミックである。したがって、紫外光が照射され得る領域には、樹脂よりも紫外光に対する耐光性に優れたガラス、金属、セラミックが使われ、信頼性を高くできる。セラミックとして例えば酸化アルミニウムを使うと、配線基板５０の表面、および壁部６２の側面は、紫外光に対する良好な反射面として機能することができる。
（第５実施形態）
図６Ａは、第５実施形態の発光装置の模式端面図である。
図６Ｂは、第５実施形態の発光装置の模式平面図である。図６Ｂは、図６Ａにおいてガラス板６１を除いた要素の模式平面図である。
上記実施形態と同様、第１発光素子１１と第２発光素子１２が配線基板５０に載置されている。
配線基板５０上において第１発光素子１１および第２発光素子１２が配置された領域の周囲に壁部６２が設けられている。壁部６２は、例えば金属またはセラミックからなる。壁部６２は、第１発光素子１１および第２発光素子１２が配置された領域の周囲を連続して囲んでいる。
壁部６２の上面には、ガラス板６１が接合されている。ガラス板６１は、有機成分を含む接着剤を介さずに、例えば常温で壁部６２の上面に直接接合される。
ガラス板６１の上面において第１発光素子１１の上面に対向する領域には、蛍光体層２１が設けられている。蛍光体層２１は、蛍光体粒子と、蛍光体粒子が分散されたガラス２４とを有する。蛍光体層２１は、有機成分を含む接着剤を介さずに、例えば常温でガラス板６１の上面に直接接合される。
第１発光素子１１および第２発光素子１２は、壁部６２およびガラス板６１で囲まれた空間７０内に配置されている。第１発光素子１１の上面は、空間７０およびガラス板６１を隔てて蛍光体層２２に対向している。
第２発光素子１２の上に蛍光体層は設けられず、第２発光素子１２は蛍光体層を含まない領域に配置されている。第２発光素子１２の上面は、空間７０を隔ててガラス板６１に対向している。
上記実施形態と同様、第５実施形態の発光装置においても、紫外光の波長領域のより広い範囲をカバーするブロードな発光スペクトルをもつ紫外光を放出することができる。また、放電管を使わないため小型化できる。
蛍光体粒子はガラス２４に分散され、蛍光体層２１は樹脂を含まない。蛍光体粒子はガラス２４に覆われ露出せず、高い耐湿性を有する。さらに、蛍光体層２１が設けられたガラス板６１は壁部６２の上面に直接接合されている。また、壁部６２は金属またはセラミックからなり、配線基板５０の絶縁基材は例えばセラミックである。したがって、紫外光が照射され得る領域には、樹脂よりも紫外光に対する耐光性に優れたガラス、金属、セラミックが使われ、信頼性を高くできる。セラミックとして例えば酸化アルミニウムを使うと、配線基板５０の表面、および壁部６２の側面は、紫外光に対する良好な反射面として機能することができる。
図４Ａおよび図４Ｂに示す第３実施形態、および図５Ａおよび図５Ｂに示す第４実施形態において、蛍光体粒子２３を第１発光素子１１に付着させた後に蛍光体粒子２３をカバー膜２５で覆うことに限らず、予めカバー膜２５で覆われた蛍光体粒子２３を第１発光素子１１に付着させてもよい。
図７は、前述した実施形態の発光装置の駆動回路図である。
第１発光素子１１のアノードおよび第２発光素子１２のアノードは共通の電源８１に接続されている。第１発光素子１１のカソードは、トランジスタ８３と抵抗８４を介してグランドに接続されている。第２発光素子１２のカソードは、トランジスタ８３と抵抗８４を介してグランドに接続されている。トランジスタ８３の制御端子には、増幅器８２を介して制御信号が与えられ、トランジスタ８３はオンオフされる。
第１発光素子１１と第２発光素子１２は、発光波長が同じ同種類の発光素子である。このような第１発光素子１１と第２発光素子１２は、共通の電源８１から与えられる同じ駆動電圧で駆動することができ、さらに、トランジスタ８３、増幅器８２、抵抗８４等も同じものを使用でき、回路構成を簡単にできる。第１発光素子１１と第２発光素子１２のそれぞれについて、異なる電圧値の電源、異なる抵抗値の抵抗、異なる仕様の増幅器、異なる仕様のトランジスタが必要とならない。
トランジスタ８３のオンオフにより、蛍光体層２１（または２２）の下に配置された第１発光素子１１のみを駆動する、蛍光体層を含まない領域に配置された第２発光素子１２のみを駆動する、または第１発光素子１１と第２発光素子１２の両方を駆動することができ、発光装置が出射する紫外光の波長切り替え、強度切り替えが可能になる。
（第６実施形態）
図８Ａは、第６実施形態の発光装置の模式端面図である。
図８Ｂは、第６実施形態の発光装置の模式平面図である。
上述の第１〜第５実施形態に開示した発光装置は、さらに、可視光蛍光体層を備えることができる。例えば、図８Ａ、８Ｂに示す例は、第１実施形態と同様に、第１発光素子１１と第２発光素子１２が配線基板５０に載置されており、第１発光素子１１上には蛍光体層２１が配置されている。さらに、第１発光素子１１と第２発光素子１２の側面には発光素子が発する紫外光により励起され可視光を発する蛍光体粒子を含む、可視光蛍光体層９１が配置されている。
第１発光素子１１と第２発光素子１２が発する紫外光の一部を吸収し、可視光蛍光体層９１から可視光が出射される。そのため、発光装置が駆動されていること、すなわち、紫外光を出射していることを肉眼で確認することができる。これにより、より安全な使用が可能になる。
可視光蛍光体層９１の配置は上記の位置に限定されず、発光素子の紫外光が照射される位置であればよい。例えば図８Ｃに示すように発光素子１１、１２の側面に接触させず、すなわち発光素子から離間した位置に、可視光蛍光体層９１を配置することも可能である。また、第２〜第５実施形態においても同様に可視光蛍光体を配置することは可能である。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。本発明の上述した実施形態を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての形態も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
１１…第１発光素子、１２…第２発光素子、２１,２２…蛍光体層、２３…蛍光体粒子、２４…ガラス、２５…カバー膜、５０…配線基板、６１…ガラス板、６２…壁部、９１…可視光蛍光体層

Claims (12)

  1. 紫外光を発する発光素子と、
    前記発光素子の上に設けられ、前記発光素子が発する紫外光により励起され、前記発光素子が発する紫外光よりも長波長の紫外光を発する蛍光体粒子を含む蛍光体層と、
    を備えた発光装置。
  2. 前記蛍光体粒子は、ＹＰＯ４：Ｃｅ、Ｙ２Ｏ３：Ｇｄ、およびＹＦ３：Ｇｄ，Ｐｒの少なくともいずれかを含む請求項１記載の発光装置。
  3. 前記蛍光体層は、前記蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子が分散されたガラスとを有する請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 前記蛍光体層は、前記発光素子に直接接合されている請求項３記載の発光装置。
  5. 前記発光素子の周囲に設けられ、金属またはセラミックからなる壁部をさらに備え、
    前記蛍光体層は、前記壁部の上面に接合され、
    前記発光素子は、前記壁部および前記蛍光体層で囲まれた空間内に配置されている請求項３記載の発光装置。
  6. 前記発光素子の周囲に設けられ、金属またはセラミックからなる壁部と、
    前記壁部の上面に接合されたガラス板と、
    をさらに備え、
    前記蛍光体層は、前記ガラス板の上面に接合され、
    前記発光素子は、前記壁部および前記ガラス板で囲まれた空間内に配置されている請求項３記載の発光装置。
  7. 前記蛍光体層は、
    前記発光素子の表面に付着した前記蛍光体粒子と、
    前記蛍光体粒子を覆うカバー膜と、
    を有する請求項１または２に記載の発光装置。
  8. 前記発光素子の周囲に設けられ、金属またはセラミックからなる壁部と、
    前記壁部の上面に接合されたガラス板と、
    をさらに備え、
    前記蛍光体層は、
    前記ガラス板の上面に付着した前記蛍光体粒子と、
    前記蛍光体粒子を覆うカバー膜と、
    を有し、
    前記発光素子は、前記壁部および前記ガラス板で囲まれた空間内に配置されている請求項１または２に記載の発光装置。
  9. 前記カバー膜は、酸化アルミニウム膜である請求項７または８に記載の発光装置。
  10. 前記発光素子は複数設けられ、
    前記複数の発光素子は、
    前記蛍光体層の下に設けられた第１発光素子と、
    蛍光体層を含まない領域に設けられた第２発光素子と、
    を有する請求項１〜９のいずれか１つに記載の発光装置。
  11. 前記第１発光素子の駆動電圧と前記第２発光素子の駆動電圧は同じである請求項１０記載の発光装置。
  12. 前記発光素子の側面乃至周囲に、
    前記発光素子が発する紫外光により励起され可視光を発する蛍光体粒子を含む可視光蛍光体層を備えた請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102450969B1 (ko) * 2018-08-09 2022-10-05 삼성전자 주식회사 무선 통신 시스템에서 경로감쇄 결정 방법 및 장치

Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109541A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Harison Toshiba Lighting Corp 紫外線蛍光ランプ
JP2005019359A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Okaya Electric Ind Co Ltd 紫外線ランプ
JP2005158551A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｅｌファイバー及び光触媒反応容器
JP2007277549A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Osram Sylvania Inc 紫外線放射燐光体及びそれを含むランプ
JP2008163061A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Kyushu Institute Of Technology 蛍光体及びランプ
JP2009519576A (ja) * 2005-12-16 2009-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された効率を有する低圧放電ランプ
JP2013175767A (ja) * 2006-12-26 2013-09-05 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
JP2013539238A (ja) * 2010-10-08 2013-10-17 オスラム ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント及びその製造方法
JP2013216800A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Nichia Corp 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
JP2013229438A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2014500890A (ja) * 2010-10-22 2014-01-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光物質と当該発光物質を有する発光装置
JP2017036418A (ja) * 2015-08-12 2017-02-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US20170186921A1 (en) * 2015-12-23 2017-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2017523600A (ja) * 2014-06-10 2017-08-17 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 調整可能な発光スペクトルを持つ発光装置
CN206471355U (zh) * 2017-01-20 2017-09-05 深圳市威尔晟光电有限公司 紫外发光二极管灯珠及指甲油固化装置
JP2018056236A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 日機装株式会社 紫外光照射装置
JP2018095755A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 大電株式会社 紫外線発光蛍光体、発光素子、及び発光装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100476567B1 (ko) 2003-09-26 2005-03-17 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
US20070126341A1 (en) 2004-11-22 2007-06-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. El fiber and photocatalyst reaction vessel
JP4640427B2 (ja) 2008-03-14 2011-03-02 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体発光素子、発光素子組立体、発光装置、ＧａＮ系半導体発光素子の製造方法、ＧａＮ系半導体発光素子の駆動方法、及び、画像表示装置
JP2010067927A (ja) 2008-09-12 2010-03-25 Toshiba Corp 窒化物半導体発光素子
TWM405514U (en) * 2009-11-30 2011-06-11 Top Energy Saving System Corp Lighting module
CN103367611B (zh) 2012-03-28 2017-08-08 日亚化学工业株式会社 波长变换用无机成型体及其制造方法以及发光装置
JP2015142046A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 シャープ株式会社 波長変換部材、発光装置、および波長変換部材の製造方法
JP6800221B2 (ja) * 2016-05-13 2020-12-16 ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 光源装置及び照明装置
KR102475924B1 (ko) * 2017-08-31 2022-12-08 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 및 이를 포함하는 헤드 램프
TWI739931B (zh) * 2017-10-18 2021-09-21 優顯科技股份有限公司 顯示裝置

Patent Citations (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003109541A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Harison Toshiba Lighting Corp 紫外線蛍光ランプ
JP2005019359A (ja) * 2003-06-30 2005-01-20 Okaya Electric Ind Co Ltd 紫外線ランプ
JP2005158551A (ja) * 2003-11-27 2005-06-16 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｅｌファイバー及び光触媒反応容器
JP2009519576A (ja) * 2005-12-16 2009-05-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された効率を有する低圧放電ランプ
JP2007277549A (ja) * 2006-04-06 2007-10-25 Osram Sylvania Inc 紫外線放射燐光体及びそれを含むランプ
JP2013175767A (ja) * 2006-12-26 2013-09-05 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
JP2008163061A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Kyushu Institute Of Technology 蛍光体及びランプ
JP2013539238A (ja) * 2010-10-08 2013-10-17 オスラム ゲーエムベーハー オプトエレクトロニクス半導体コンポーネント及びその製造方法
JP2014500890A (ja) * 2010-10-22 2014-01-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 発光物質と当該発光物質を有する発光装置
JP2013216800A (ja) * 2012-04-10 2013-10-24 Nichia Corp 色変換用無機成形体及びその製造方法、並びに発光装置
JP2013229438A (ja) * 2012-04-25 2013-11-07 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2017523600A (ja) * 2014-06-10 2017-08-17 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 調整可能な発光スペクトルを持つ発光装置
JP2017036418A (ja) * 2015-08-12 2017-02-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US20170186921A1 (en) * 2015-12-23 2017-06-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package
JP2018056236A (ja) * 2016-09-27 2018-04-05 日機装株式会社 紫外光照射装置
JP2018095755A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 大電株式会社 紫外線発光蛍光体、発光素子、及び発光装置
CN206471355U (zh) * 2017-01-20 2017-09-05 深圳市威尔晟光电有限公司 紫外发光二极管灯珠及指甲油固化装置

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