JPS63229721A - 単分子累積膜パタ−ン形成方法 - Google Patents
単分子累積膜パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS63229721A JPS63229721A JP62064530A JP6453087A JPS63229721A JP S63229721 A JPS63229721 A JP S63229721A JP 62064530 A JP62064530 A JP 62064530A JP 6453087 A JP6453087 A JP 6453087A JP S63229721 A JPS63229721 A JP S63229721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- films
- monomolecular
- irradiated
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 150000004668 long chain fatty acids Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- -1 CH2 Chemical class 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、水相上に展開されたエネルギー線感応性分子
に、紫外線や電子線などのエネルギー線の照射を行うこ
とにより、半導体デバイス製造用の単分子累積膜による
レジストパターンを形成する方法や、分子素子を構築す
る方法などを提供するものである。
に、紫外線や電子線などのエネルギー線の照射を行うこ
とにより、半導体デバイス製造用の単分子累積膜による
レジストパターンを形成する方法や、分子素子を構築す
る方法などを提供するものである。
従来の技術
従来、ラングミュア・ブロジェット法は、半導体分野や
バイオテアノロジー分野などの研究を行う上での高分子
材料の薄膜化形成の手法としての研究がなされている。
バイオテアノロジー分野などの研究を行う上での高分子
材料の薄膜化形成の手法としての研究がなされている。
例えば、半導体分野においては、ウェハー製造プロセス
における超高解像のレジストとして、オレフィン系の長
鎖脂肪酸の単分子膜（あるいは累積膜）を用いて紫外線
や電子線などをパターン状に照射重合し、パターン形成
する方法が研究されている。また、分子内構造に共役系
をもたせ、導電性有機薄膜として利用する研究もなされ
ている。しかしながら、導電性有機薄膜の実現には、単
分子膜（あるいは累積膜）形成でも特に高度な技術が必
要であり、現在までのところ、膜内での分子配列制御な
どにおける実用的手法はまだ確立されていない。
における超高解像のレジストとして、オレフィン系の長
鎖脂肪酸の単分子膜（あるいは累積膜）を用いて紫外線
や電子線などをパターン状に照射重合し、パターン形成
する方法が研究されている。また、分子内構造に共役系
をもたせ、導電性有機薄膜として利用する研究もなされ
ている。しかしながら、導電性有機薄膜の実現には、単
分子膜（あるいは累積膜）形成でも特に高度な技術が必
要であり、現在までのところ、膜内での分子配列制御な
どにおける実用的手法はまだ確立されていない。
また、半導体分野におけるデバイス製造プロセスの中に
おいて使用されるレジスト材料としては、ω−トリコセ
ン服やベンタコサジイノイック酸等で検討されていない
が、まだ実用化されたものはない。
おいて使用されるレジスト材料としては、ω−トリコセ
ン服やベンタコサジイノイック酸等で検討されていない
が、まだ実用化されたものはない。
発明が解決しようとする問題点
単分子累積膜のパターン形成は、ラングミーア・ブロジ
ェット法、水平付着法などの方法によってエネルギー感
応性基を含む長鎖脂肪酸を任意の基板に分子を規則正し
く累積し、紫外線や電子線などのエネルギー線をパター
ン状に照射することによって行う。ところが、現在一般
に検討されている累積膜のパターン形成方法では、あら
かじめ任意の基板に累積された累積膜に、エネルギー線
照射を行っていた。従って、重合その他の反応性が互い
に異っている複数の膜からなる累積膜の作成は、非常に
困難であった。
ェット法、水平付着法などの方法によってエネルギー感
応性基を含む長鎖脂肪酸を任意の基板に分子を規則正し
く累積し、紫外線や電子線などのエネルギー線をパター
ン状に照射することによって行う。ところが、現在一般
に検討されている累積膜のパターン形成方法では、あら
かじめ任意の基板に累積された累積膜に、エネルギー線
照射を行っていた。従って、重合その他の反応性が互い
に異っている複数の膜からなる累積膜の作成は、非常に
困難であった。
問題点を解決するための手段
本発明は、上述のような従来の問題点に鑑みなされたも
のである。すなわち、水相上に展開された分子に対して
エネルギー線をパターン状に照射後、これを任意の基板
に移し取り、次に新たに展開された水相上の分子に対し
てエネルギー線を前記パターンとは異るパターン状に照
射後、再び前記基板に移し取ることにより、結果として
互いに異るパターンを持つ膜からなる単分子累積膜を形
成する事を特徴とするものである。
のである。すなわち、水相上に展開された分子に対して
エネルギー線をパターン状に照射後、これを任意の基板
に移し取り、次に新たに展開された水相上の分子に対し
てエネルギー線を前記パターンとは異るパターン状に照
射後、再び前記基板に移し取ることにより、結果として
互いに異るパターンを持つ膜からなる単分子累積膜を形
成する事を特徴とするものである。
作 用
上述のような単分子累積膜を用いることにより、エネル
ギー線照射による反応を膜間で制御した有機薄膜を形成
することができる。また、本発明は、膜単位で、異るパ
ターンが形成できるために、膜内のみならず、膜間の機
能性も制御でき、分子素子実現の一手法として利用でき
る。
ギー線照射による反応を膜間で制御した有機薄膜を形成
することができる。また、本発明は、膜単位で、異るパ
ターンが形成できるために、膜内のみならず、膜間の機
能性も制御でき、分子素子実現の一手法として利用でき
る。
実施例
以下、図面に基づいて本発明の一実施例の方法を更に詳
しく説明する。第１図に示すように、水１の入った水槽
２の水面に、バリア３分設置し、バリア３内へ長鎖脂肪
酸（例えば、ＣＨ２，−ＣＨ−（ＣＨ２） １８−Ｃ０
ＯＨ，ｎは整数）のりｏｏホ／ｌ／４希薄溶液を滴下後
、ラングミュア法を用いて単分子膜４を形成する。
しく説明する。第１図に示すように、水１の入った水槽
２の水面に、バリア３分設置し、バリア３内へ長鎖脂肪
酸（例えば、ＣＨ２，−ＣＨ−（ＣＨ２） １８−Ｃ０
ＯＨ，ｎは整数）のりｏｏホ／ｌ／４希薄溶液を滴下後
、ラングミュア法を用いて単分子膜４を形成する。
このとき、ひ子オーダーでは、第２図に示すように単分
子膜４は、水面６に対して、親小基６を向け（一方へ、
ビニル基７を向け）で規則正しく配列させている。
子膜４は、水面６に対して、親小基６を向け（一方へ、
ビニル基７を向け）で規則正しく配列させている。
次に、第３図に示すように、膜４に対して上方から、フ
ォトマスク８を挾んで電子線などのエネルギー線９をパ
ターン状に照射する。ただし、この時、あらかじめ水槽
内の水中１に、表面が親水性（例えば熱酸化処理された
もの）のシリコンウェハー１０を設置しておく。
ォトマスク８を挾んで電子線などのエネルギー線９をパ
ターン状に照射する。ただし、この時、あらかじめ水槽
内の水中１に、表面が親水性（例えば熱酸化処理された
もの）のシリコンウェハー１０を設置しておく。
すると第４図に示すように、エネルギー線が照射された
部分１１のビニル基の二重結合は、まわシで互いに結合
１２を生じる。
部分１１のビニル基の二重結合は、まわシで互いに結合
１２を生じる。
次に、第６図に示すように、水槽１内にあらかじめ設置
していたウェハー１０へ、膜４（の１部）を水平付着法
を用いて移し取ると、第６図に示すように、ウェハ〜１
０には、電子線照射部のみ性質め異なる第１層目の膜１
４が写しとられる。
していたウェハー１０へ、膜４（の１部）を水平付着法
を用いて移し取ると、第６図に示すように、ウェハ〜１
０には、電子線照射部のみ性質め異なる第１層目の膜１
４が写しとられる。
そこで、第２図に示すように、このウェハー１０を水中
に戻して、バリア内の水面を清浄する。
に戻して、バリア内の水面を清浄する。
次に、第８図に示すように、たとえば膜４と同じ新しい
膜１４をバリア内に作成し、前記第１図から第３図まで
の工程を再び行う。ただし、この時、フォトマスク１５
は、マスク８とパターン形状は異なる。また写しとられ
た膜４とウエノ為−１０の間には、エネルギー線９の通
過を阻止するための、板１６を設置しておく。
膜１４をバリア内に作成し、前記第１図から第３図まで
の工程を再び行う。ただし、この時、フォトマスク１５
は、マスク８とパターン形状は異なる。また写しとられ
た膜４とウエノ為−１０の間には、エネルギー線９の通
過を阻止するための、板１６を設置しておく。
すると、第３図ｉに示すように、新しい膜１４を形成す
る分子において、エネルギー線が照射された部分１７の
ビニル基の二重結合は、まわりで互いに結合１８を生じ
る。
る分子において、エネルギー線が照射された部分１７の
ビニル基の二重結合は、まわりで互いに結合１８を生じ
る。
そこで、第９図に示すように、水槽内のウェハー１０へ
、第６図と同様の方法で、膜１４の一部を移し取ると、
結果として、第１１図に示すように第一層目の膜４のパ
ターン形状と異るパターン形状をもつ第２層目の膜１４
を付着することができる。
、第６図と同様の方法で、膜１４の一部を移し取ると、
結果として、第１１図に示すように第一層目の膜４のパ
ターン形状と異るパターン形状をもつ第２層目の膜１４
を付着することができる。
なお、本発明においては、上記実施例の際に用、いた膜
材料に限らず、分子内にエネルギー線感応基を持ち、単
分子膜形成可能な材料であれば、使用可能である。
材料に限らず、分子内にエネルギー線感応基を持ち、単
分子膜形成可能な材料であれば、使用可能である。
発明の効果
本発明によると、単分子膜単位で異るパターンが形成で
きるため、膜間の機能性を制御できる。
きるため、膜間の機能性を制御できる。
また、基板に移し取る前の分子配向制御可能な時に反応
させるので、分子配向を膜間で自在に変化させた単分子
累積膜が容易に製造できる。
させるので、分子配向を膜間で自在に変化させた単分子
累積膜が容易に製造できる。
Ｅ部の拡大図である。
１・・・・・・水、２・・・・・・水槽、３・・・・・
・バリア、４・・・・・電子線照射部のみ性質の異なる
第１層目の単分子膜、１４・・・・・・膜４のパターン
形状と異るパターン形状をもつ第２層目の膜、６・・・
・・水面、６・・・・・・親水基、７・・・・・・ビニ
ル基、８．１５・・・・・・フォトマスク、９・・・・
・エネルギーＭ、１ｏ・・・・・・シリコンウェハー、
１１．１７・・・・・・エネルギー線が照射された部分
、１２．ｊ８・・・・・・結合。 第１図 第４図 第６図 第 ７ 図
・バリア、４・・・・・電子線照射部のみ性質の異なる
第１層目の単分子膜、１４・・・・・・膜４のパターン
形状と異るパターン形状をもつ第２層目の膜、６・・・
・・水面、６・・・・・・親水基、７・・・・・・ビニ
ル基、８．１５・・・・・・フォトマスク、９・・・・
・エネルギーＭ、１ｏ・・・・・・シリコンウェハー、
１１．１７・・・・・・エネルギー線が照射された部分
、１２．ｊ８・・・・・・結合。 第１図 第４図 第６図 第 ７ 図
Claims (2)
- （１）単分子膜及び単分子累積膜装置内で、水相上に展
開形成された単分子膜に、エネルギー線をパターン状に
照射し、前記水相上にてパターン形成された単分子膜と
基板に移し取ることを特徴とした単分子累積膜パターン
形成方法。 - （２）水相上に展開された分子が、エネルギー線を照射
されることにより反応することを特徴とした特許請求の
範囲第１項記載の単分子累積膜パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064530A JPS63229721A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62064530A JPS63229721A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229721A true JPS63229721A (ja) | 1988-09-26 |
Family
ID=13260866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62064530A Pending JPS63229721A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63229721A (ja) |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62064530A patent/JPS63229721A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Werts et al. | Nanometer scale patterning of Langmuir− Blodgett films of gold nanoparticles by electron beam lithography | |
| US9182673B2 (en) | Method for providing a template for a self-assemblable polymer for use in device lithography | |
| JPS6194042A (ja) | 分子構築体およびその製造方法 | |
| JPH02237625A (ja) | 選択透過性膜およびその製造方法 | |
| JPS6221151A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| US5093154A (en) | Process for preparing a monomolecular built-up film | |
| Guan et al. | In situ chemical patterning technique | |
| KR102012765B1 (ko) | 디바이스 리소그래피에서 사용되는 자가조립가능한 블록 공중합체들에 대한 패터닝된 화학적 에피택시 템플릿을 제공하는 방법들 | |
| JPS63229721A (ja) | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 | |
| JPH01236207A (ja) | ポリジアセチレン薄膜の製造法 | |
| JPS60230650A (ja) | 微細パタ−ンの製作法 | |
| JPH0727215B2 (ja) | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 | |
| JP2842909B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| Darling et al. | Ordered nanoscale domains by infiltration of block copolymers | |
| JP2851081B2 (ja) | 二分子膜の作製方法 | |
| JPS63161630A (ja) | 基板 | |
| JPS62280837A (ja) | エネルギ−感応性単分子累積膜及びそれを用いたパタ−ン形成方法 | |
| Patil et al. | Optimisation of techniques for fabrication of nanopatterned substrates | |
| JPH0217672A (ja) | 単分子吸着膜形成方法 | |
| JP2788286B2 (ja) | 二分子膜作製基板 | |
| JPS62262868A (ja) | 単分子累積膜パタ−ン形成方法 | |
| JPH0275A (ja) | マトリツクス内部にパターンを付けられた金属中間層 | |
| JPH0654813B2 (ja) | 有機光導電デバイスおよびその製造方法 | |
| JPH01165776A (ja) | 金属超薄膜の製造方法およびパターン形成方法 | |
| JPS61180437A (ja) | パタ−ン形成方法 |