JPS63227034A - ウエ−ハ位置合わせ方法 - Google Patents

ウエ−ハ位置合わせ方法

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JPS63227034A
JPS63227034A JP62061838A JP6183887A JPS63227034A JP S63227034 A JPS63227034 A JP S63227034A JP 62061838 A JP62061838 A JP 62061838A JP 6183887 A JP6183887 A JP 6183887A JP S63227034 A JPS63227034 A JP S63227034A
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JP
Japan
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wafer
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light
alignment
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JP62061838A
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Kazuo Shimane
島根 一男
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Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔↑既要〕 外周の一部にファセットを有する円板状のつ工−ハを回
転可能なテーブル上に載置し回転させて、ファセットの
向きを所定の方向に合わせるウェーハ位置合わせにおい
て、 載置されたウェーハが合わせ位置の近傍に来た際に照射
位置がファセットに来るように咳ウェーへの外周側面に
光束を照射し、その反射光の検知により上記回転の停止
位置を求めることにより、合わせ精度の向上を図ったも
のである。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、外周の一部にファセットを有する円板状のウ
ェーハを回転可能なテーブル上に載置し回転させて、フ
ァセットの向きを所定の方向に合わせるウェーハ位置合
わせの方法に関す。
半導体装置などの製造に用いられるホトリソグラフィ技
術の露光においては、ウェーハの位置合わせが必要であ
るため、露光に先立ち上記の位置合わせを行うことが多
い。
そして、この位置合わせは、露光パターンの微細化に伴
い合わせ精度を高めることが望まれる。
〔従来の技術〕
第4図は上記位置合わせの従来方法例を示す平面図であ
る。
同図において、位置合わせの対象となるウェーハWは、
外周の一部に外周側面が平面となるファセッ)Fを有す
る円板状をなしており、真空チャックを具えて回転可能
なチーゲル1上に中心を合わせて載置されチャックされ
る。載置された際のウェーハWは、ファセットFの向き
方向が不定であるので、位置合わせは、不図示の駆動機
構によリテーブル1と共にウェーハWを回転させ、図示
の如くファセットFの向きが所定の方向に達したところ
で、ホトセンサ2a、 2bにファセットFを検知させ
、その検知により上記の回転を止めることによって行う
ホトセンサ2a、 2bは、発光素子および受光素子を
具えて光通過型と光反射型とがあり、何れの場合もウェ
ーハWに対する発光素子の照射位置がウェーハW主面の
円弧部周縁より内側にあって、前者の場合ウェーハWに
よる光遮蔽の消失が、また後者の場合光反射の消失がフ
ァセットFを検知するような位置に配置される。
そして、ウェーハWには外径寸法およびファセットFの
長さ寸法にばらつきがあるため、ホトセンサ2a、 2
bの配置は、ウェーハWの中心からの距離が最大となる
ファセットFの位置となる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このため、ウェーハWの中心からの距離が上記最大より
小さいファセットFを有するウェーハWに対して位置合
わせをした場合には、第5図に示す如(、ファセソ)F
の位置が長鎖線から短鎖線までの範囲の中に入れば位置
合わせの条件が満たされるので、位置合わせ精度が悪く
なる問題がある。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、外周の一部に外周側面が平面となるファ
セットを有する円板状のウェーハを回転可能なテーブル
上に載置し回転させて、該ファセットの向きを所定の方
向に合わせるウェーハ位置合わせにおいて、載置された
ウェーハが合わせ位置の近傍に来た際に照射位置がファ
セットに来るように該ウェーハの外周側面に光束を照射
し、その反射光の検知により上記回転の停止位置を求め
る本発明のウェーハ位置合わせ方法によって解決される
本発明によれば、上記反射光の検知は、該反射光が、上
記載置されたウェーハが合わせ位置の直前に来た際に一
方でまた直後に来た際に他方で極大の強さとなり、且つ
合わせ位置に来た際に互いに等しい強さとなる二つの位
置で、該反射光の強さを検知するものとなし、該二つの
位置における該反射光の強さの差が、正負に渡り変化す
る領域のOとなるところを上記回転の停止位置とするの
が望ましい。
〔作用〕
本方法では、ファセットを検知するための光照射がウェ
ーハの外周側面になされる。そして、上記回転により照
射位置がファセットに来ると、そこが平面であるため反
射光の方向がウェーハの回転に伴って移動する。従って
、反射光の検知を所定の位置で行うことにより、回転の
停止位置を所定の一点に求めることが出来る。
然も、反射光の方向は、ウェーハ中心からファセット塩
の距離に関係なくファセットの向きの方向により一義的
に定まるので、求められた回転の停止位置は、ウェーハ
に外径寸法やファセットの長さ寸法のばらつきがあって
も、それに関係なくファセットの向きの方向を一定にさ
せる。
また一般に、ファセットの平面が鏡面より粗いため上記
反射光は中心を最強とする散乱光となるので、上記の如
くにした二つの位置での反射光ヰ★知および回転停止位
置の求めが可能である。
そして、このようにした場合には、回転途上で検知した
極大が回転停止の直前を示すこと、および停止位置が明
確に示されることにより、正確な位置に回転を停止させ
ることが容易になる。
〔実施例〕
以下本発明方法の実施例について第1図〜第3図により
説明する。
第1図は実施例を示す平面図、第2図は実施例における
停止位置の求めの説明図、第3図は他の実施例を示す平
面図、であり、企図を通じ同一符号は同一対象物を示す
第1図において、ウェーハWは、従来方法例の場合と同
様に、テーブル1上に中心を合わせて載置されチャック
されて、不図示の駆動機構によりテーブルlと共に回転
する。そして、図示の如くファセットFの向きが所定の
方向に達したところで、発光素子3a、3bおよび受光
素子4a、 4bの組み合わせによりファセットFの向
きが検知され、その検知により回転が止められて、所望
の位置合わせがなされる。
発光素子3a、 3bは、例えば発光ダイオードなどか
らなり、何れも、ウェーハWが合わせ位置の近傍に来た
際に照射位置がファセットFに来るようにウェーハWの
外周側面に光束5を照射する。
受光素子4aは、例えばホトダイオードまたはホトトラ
ンジスタなどからなり、ウェーハWが合わせ位置の直前
に来た際に発光素子3aの光束5による反射光6を極大
の強さに検知し、合わせ位置に来た際に該反射光6を適
宜の強さに検知する位置に配置される。
また、受光素子4bは、受光素子4aと同じものであり
、ウェーハWが合わせ位置の直後に来た際に発光素子3
bの光束5による反射光6を極大の強さに検知し、合わ
せ位置に来た際に該反射光6を受光素子4aの場合と同
じ強さに検知する位置に配置される。
受光素子4a、4bが反射光6をこのように検知出来る
のは、先に述べた如く、ファセットFの平面が鏡面より
粗いため、反射光6が中心を最強とする散乱光となるた
めである。
さすれば、ウェーハWが合わせ位置に来たときに、受光
素子4aおよび4bが検知した光の強さの差は0となる
従って、上記光の強さの差をウェーハWの回転に対して
リアルタイムに検出することにより、ウェーハWの合わ
せ位置となる回転の停止位置は、その差がOとなったと
ころとして求めることが出来る。
ウェーハWの回転を横軸に取ってその様子を示したのが
第2図であり、受光素子4aが検知した光の強さが長鎖
線で、受光素子4bが検知した光の強さを正負逆転させ
たものが短鎖線で、また、両光の強さの差が長鎖線と短
鎖線との和である実線で示される。
この実線は、ウェーハWの回転に従って極大・0・極少
の経過をたどり、この0の点が回転の停止位置を示す。
然も、その近傍の傾斜が大きいことから、停止位置を明
確に示している。また、上記の極大は、停止位置の直前
にあるため停止位置が近いことを示すので、ウェーハW
の回転速度を落とすことに利用することが出来て回転停
止の位置に正確に停止させることを容易にさせる。
そして、この位置合わせ方法では、先に説明したように
、ウェーハWの外周側面に光束5を照射してその反射光
6により回転の停止位置を求めているため、求められた
停止位置は、ウェーハWに外径寸法やファセッl−Fの
長さ寸法のばらつきがあっても、ファセットFの方向を
一定にさせ、従来方法例の如き位置合わせ精度の低下が
ない。
本発明者の実験によれば、上記実施例によって位置合ね
せをした場合のファセソl−Fの向き方向のばらつきは
、従来方法例によった場合の約175となり、合わせ精
度が大幅に向上した。
第3図に示す他の実施例は、先の実施例の発光素子3a
および3bを共通にして発光素子3aに3bを兼ねさせ
たものである。図(a)では、ウェーハWが合わせ位置
にある際に光束5がファセッ)Fを略垂直に照射するよ
うにして、受光素子4aおよび4bを発光素子3aの両
側に配置している。また図(b)では、同じくファセッ
トFを斜めに照射するようにして、受光素子4aおよび
4bを発光素子3aの片側に配置している。
そして、何れの場合も、ファセットFの向きの検知の仕
組みは、先の実施例と同様であり、合わせ精度も同様で
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の構成によれば、外周の一部
にファセットを有する円板状のウェーハを回転可能なテ
ーブル上に載置し回転させて、ファセットの向きを所定
の方向に合わせるウェーハ位置合わせにおいて、ウェー
ハに外径寸法やファセットの長さ寸法のばらつきがあっ
ても、そのばらつきに影響されないようにした合わせ精
度の向上を図ることが出来て、例えば、露光におけるパ
ターンの微細化に対する対応を容易にさせる効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法の実施例を示す平面図、第2図は実
施例における停止位置の求めの説明図、 第3図は他の実施例を示す平面図、 第4図は従来方法例を示す平面図、 第5図は従来方法例の問題点説明図、 である。 図において、 1はテーブル、   2a、2bはホトセンサ、3a、
3bは発光素子、 4a、4bは受光素子、5は光束、
      6は反射光、 Wはウェーハ、    Fはファセット、である。 fθ・ノ                     
      (17]矛J)図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)外周の一部に外周側面が平面となるファセットを有
    する円板状のウェーハを回転可能なテーブル上に載置し
    回転させて、該ファセットの向きを所定の方向に合わせ
    るウェーハ位置合わせにおいて、 載置されたウェーハが合わせ位置の近傍に来た際に照射
    位置がファセットに来るように該ウェーハの外周側面に
    光束を照射し、その反射光の検知により上記回転の停止
    位置を求めることを特徴とするウェーハ位置合わせ方法
    。 2)上記反射光の検知は、該反射光が、上記載置された
    ウェーハが合わせ位置の直前に来た際に一方でまた直後
    に来た際に他方で極大の強さとなり、且つ合わせ位置に
    来た際に互いに等しい強さとなる二つの位置で、該反射
    光の強さを検知するものであり、 該二つの位置における該反射光の強さの差が、正負に渡
    り変化する領域の0となるところを上記回転の停止位置
    とすることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のウ
    ェーハ位置合わせ方法。
JP62061838A 1987-03-17 1987-03-17 ウエ−ハ位置合わせ方法 Expired - Lifetime JPH0770583B2 (ja)

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JPS63227034A true JPS63227034A (ja) 1988-09-21
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55105347A (en) * 1979-02-07 1980-08-12 Sanyo Electric Co Ltd Apparatus for scribing single-crystal wafer
JPS6143442A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Toshiba Corp ウエハ方向位置決め装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55105347A (en) * 1979-02-07 1980-08-12 Sanyo Electric Co Ltd Apparatus for scribing single-crystal wafer
JPS6143442A (ja) * 1984-08-08 1986-03-03 Toshiba Corp ウエハ方向位置決め装置

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