JPS63224373A - 増幅機能を有する受光素子およびその製作法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は小面積にして高感度な増幅機能を有する受光素
子およびその製作法に関するものである。

（従来の技術） 従来の受光素子には光導電効果を利用した光導電体を使
用するものと、光起電力効果を利用した各種フォトダイ
オードを使用するものとの２種類があり、ともに光セン
サや撮像素子等に広く用いられている。光導電体を用い
る受光素子は、ストライプ状の光導電体の両端から単に
電極を取り出すだけの構造であり、構造が極めて簡単で
あるという特長を有する。しかし、光照射時の抵抗値が
小さい材料を用いる必要があるので、これまでＣｄＳを
主成分とする材料が用いられており、このため同一基板
上にＳｉを主材料とするスイッチングトランジスタを形
成する場合、工程上の整合性が悪くなり、工程数が多く
なるという欠点があった。

一方、フォトダイオードを使用する受光素子は、これま
でに固体撮像素子に最も多く用いられてきた素子である
が、フォトダイオードを用いた固体撮像素子では、ダイ
オードの容量に蓄積された光生成電荷をそのまま出力部
まで移動させて信号電荷として直接読取る方式を採って
いる。したがって、信号電荷は素子の面積および電荷蓄
積時間に比例する。このため分解能を高めるため素子面
積を小さくしたり、また画面の高精細化のため画素数を
増やしたりすると出力信号が低下し、Ｓ／Ｎ比が劣化す
るという欠点があった。

そこで、受光素子の出力信号を大きくして高Ｓ／Ｎ比を
実現するため、これまでに受光素子自体に増幅機能をも
たせた新たな受光素子（以下、増幅型受光素子という。

）が提案されている。

その第１はＳＩＴ型受光受光素子ばれるもので、いわゆ
る静電誘導トランジスタ（ＳＩＴ）を基本に受光部およ
び増幅部を構成したものである。その詳細については文
献（テレビジョン学会技術報告ε０１００５　Ｐ５５１
９８６年）等に記載されているので、ここでは簡単に動
作原理について第５図（ａ）、（ｂ）を用いて説明する
。

まず、ゲート１をあらかじめ負電位にセットしておく。

この負電位のためゲート１とソース２／ドレイン３間は
逆バイアス状態となり、第５図（ａ）に示すように空乏
層領域４が濃度の低いｎ−エビクキシャル層５いっばい
に拡がり、この空乏層領域４が受光領域となる。素子に
入射した光は、空乏層領域４で正孔と電子を発生させ、
電子は基板６に、正孔はゲート１に集められる。ゲート
１はあらかじめ負電位にリセットされ浮遊電極となって
いるので、正孔が集るにしたがってその電位は上がる。

読み出し動作でゲート１に一定の正電圧が加えられると
、第５図（ｂ）に示すように、ゲート１とソース２間は
順バイアス状態となり、バイポーラ動作のＳＩＴ　とし
てソース２／ドレイン３間に電流が流れる。このとき、
蓄積した正孔の数が多いほど実効的にゲート１にかかる
電圧は大きくなり、電流も多くなる。すなわち、光強度
に応じた信号電荷を電流値の変化に増幅して取り出すこ
とができ、大きな出力が得られる。

しかし、この素子は不純物濃度や伝導タイプの異なる半
導体を垂直方向に積み重ねた複雑な構造をとること、ま
た基板上に形成された半導体層の空乏層幅をゲート電位
により数μｍの範囲にわたって制御するためには欠陥の
極めて少ない半導体層を形成する必要があり、素子の製
作には高度な技術や複雑な工程を必要とする欠点があっ
た。さらに、構造上、オフ電流が大きく、明暗電流比が
小さいという欠点もあった。

第２としてＣＭＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏ
ｎ　Ｄｅｖｉｃｅ）　型受光素子と呼ばれる素子がある
。この素子については文献（テレビジョン学会技術報告
ＥＤ１００５　Ｐ５５１９８６年）に詳細が記述されて
いるので説明は省略するが、動作原理は前述のＳＩＴ型
受光受光素子とんど同じと考えてよい。ただし、ＳＩＴ
型受光受光素子流を縦方向に流すのに対し、この素子で
は電流を水平方向に流す点だけが異なる。したがって、
ＳＩＴ型受光受光素子様に大きな出力電流を得ることが
できる。

しかし、この素子も不純物濃度や伝導タイプの異なる半
導体を垂直方向に積み重ねた複雑な構造をとること、ま
たゲート電位より空乏層幅を数μｍの範囲にわたって制
御できる極めて欠陥の少ない半導体層を基板上に形成す
る必要があり、素子の製作には高度な技術や複雑な工程
を必要とする等、前述のＳＩＴ型受光受光素子様の欠点
があった。

第３として光ＴＰＴ（光薄膜トランジスタ）と呼ばれる
素子がある。光ＴＰＴの詳細については文献（ＩＥＥＥ
　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉｃｅｓ　Ｖｏｌ、８０３
２　Ｐ１５５９）に記述されているので、ここでは簡単
に、第６図の光ＴＰＴの構造を示す断面図により説明す
る。光ＴＰＴのチャネル部分は下部のｐ型不純物領域１
１とｎ型不純物領域１２から成る。したがって、チャネ
ル領域にｐ−ｎ接合が存在する。ゲート１３に負の電圧
を印加するとｐ−ｎ接合は逆方向バイアスとなる。光が
照射されると、電子、正孔対が発生するが、電子はｎ領
域へ、正孔はｐ領域へ吸収される。したがって、電子と
正孔は空間的に分離されたことになる。ｎ領域に吸収さ
れた電子はチャネルを走行し、光電流としてドレインに
流れるが、正孔と空間的に分離されているので、再結合
して消滅する割合は激減する。このため、電子の寿命（
ｔｌ）は極めて長くなり、チャネル走行時間（ｔ２）を
上回る。

これより、光電交換率ｃ　（＝ｔ＋／１２）は１以上と
なり増幅機能をもつ。

しかし、基本的には出力電流は光励起で生じた電荷のみ
によるものであることから、大きな出力電流は得られな
いという欠点があった。

前述の三つの素子のほか、古（から知られている素子と
してフォトトランジスタとアバランシェフォトダイオー
ドがある。フォトトランジスタの構造は通常のバイポー
ラトランジスタと同じである。受光素子として用いる場
合は、ベースを電気的に浮遊させる。以下、ｐｎｐ　　
）ランジスタを例にとって説明する。光照射によって、
コレクタ／ベース接合で生じる光生成電荷のうち正孔は
コレクタへ向うが、電子はベース領域へ入り、ベース領
域を拡散してエミッタ／ベース接合へ達スる。この電子
電流がエミッタ／ベース接合を通過することによってエ
ミッタ／ベース接合は順バイアスされる。この結果、エ
ミッタからベース領域へ少数キャリアである正孔が注入
され、以下、通常のバイポーラトランジスタの動作原理
にしたがって増幅作用が生じ、コレクク端子に増幅され
た大きな出力電流が取り出せる。しかし、ベース領域を
欠陥の極めて少ない半導体層で形成しなければならない
ので、単結晶しか用いられないという材料の制限があり
、密着型イメージセンサ等、大面積基板上に薄膜で素子
を形成する必要がある場合には使えないという欠点があ
った。

アバランシェフォトダイオードは光生成電荷が空乏層の
高電界領域で衝突電離を起こすことを利用した素子で、
通常のフォトダイオ−〆に比べて１桁程度大きな出力電
流を取り出すことができる。

しかし、高電界領域を生じさせるため素子内部に高濃度
不純物層や電界の局部集中を避けるためのガードリング
が必要であり、構造が複雑であるという欠点があった。

以上説明した従来提案されている増幅型受光素子は、す
べて一つのトランジスタ内で受光と増幅を行う素子であ
るが、このことが素子構造を複雑にしたり、製作に高度
な技術や複雑な工程を必要とするという欠点を生じさせ
ていた。そこで、こ゛れらの欠点を克服するため、受光
部と増幅部、さらにリセット部を分離し、それぞれ専用
のフォトダイオードとトランジスタを用いる素子が提案
されている。′この素子の詳細は文献（テレビジョン学
会技術報告　ＥＤ１００５　Ｐ５５１９８６年）で述べ
られているのでここでは簡単に説明する。

第７図（ａ）はその構造を示し、第７図（ｂ）はその回
路構成を示す。一つの受光素子は１個のフォトダイオー
ドと２個の電界効果トランジスタで構成される。入射光
によって励起された電子、正孔対は、電子がフォトダイ
オードＤに、正孔は基板にそれぞれ吸収される。したが
って、リセット用電界効果トランジスタＴｒｓにより一
定の初期値にリセットされたフォトダイオードＤの電位
が入射光に応じて減少する。この電位を増幅用電界効果
トランジスタＴａのゲー・トに加えて増幅し、出力する
。

この素子では、フォトダイオードの出力を電界効果トラ
ンジスタの出力を制御するためのゲート電圧として利用
し、出力は電界効果トランジスタの出力を用いることに
なるので、大きな出力電流と大きな明暗電流比が得られ
るという特長がある。

しかし、薄膜で素子を形成する場合は、フォトダイオー
ドと電界効果トランジスタを同一工程で形成できないの
で、受光部と増幅部を別工程で形成することになり、工
程数が多くなるという欠点があった。

（発明が解決しようとする問題点）。

本発明は、従来の受光素子および増幅型受光素子におけ
る欠点を除去し、構造が簡単で、かつ大きな出力電流が
得られる増幅型受光素、子およびこの増幅型受光素子を
、バルク、薄膜いずれにおいても少ない工程数で形成で
きる製作法を提供することにある。

なお、薄膜を用いた素子７とは第８図（ａ）に示すよう
に、基板９の上に堆積した数１００人から数μｍ程度の
膜厚の薄膜８により形成した素子をいう。この場合、基
板は単に素子をのせる台にすぎない。

バルクとは薄膜に対し大きく厚いという意味であり、一
般にバルクを用いた素子１０という場合、第８図（ｂ）
に示すように、ウェハのような結晶基板を用いてその基
板９の中に形成した素子のことをいう。

（問題点を解決するための手段） 本発明による増幅型受光素子を第１図（ａ）を用いて説
明する。第１図（ａ）において、Ｒａは光照射により抵
抗値が変化する素子、Ｒｂは光照射により抵抗値の変化
しない素子を示す。光照射により抵抗値が変化する素子
Ｒａとしては、ＣｄＳ　％　Ｃｄ５ｅＸＳｔまたはＧｅ
等の材質を用いた光導電体を使用すればよい。

また、光照射により抵抗値が変化しない素子Ｒｂとして
は、光感受性のない素子を用いてもよいが、光導電体等
の光感受性を有する素子を遮光して用いてもよい。Ｔは
増幅用の電界効果トランジスタである。素子Ｒａと素子
Ｒｂを直列に接続し、一方を電源に、他方をアースに接
続する。そして、素子Ｒａと素子Ｒｂの接続点（Ａ点）
と電界効果トランジスタＴのゲートＧを電気的に接続す
る。このような構成にすることによって、電界効果トラ
ンジスタＴのゲートＧには素子Ｒａと素子Ｒｂの抵抗値
の比によって分割された電源電圧が印加されることにな
る。素子Ｒａの抵抗値は光照射により変化するので、電
界効果トランジスタＴのゲートＧの電位も光照射により
変化する。そこで、電界効果トランジスタＴのゲー）Ｇ
の電位が、たとえば光が照射されていないときは電界効
果トランジスタＴのしきい値電圧を上回り、光が照射さ
れているときはしきい値電圧を下回るようにあらかじめ
素子Ｒａと素子Ｒｂの抵抗値を選んでおけば、光の有無
によるトランジスタのオン・オフ制御が可能とｐる。

以上の説明は光の有無のみを検出するいわゆるデジタル
動作についてのものであったが、素子Ｒａの値は光の強
度に応じて変化するので、電界効果トランジスタＴのゲ
ート電位も光の強さに応じて変化し、光強度に応じた出
力電流の取り出し、すなわちアナログ動作も可能である
。

なお、第１図（ａ）においては、素子Ｒａおよび素子Ｒ
ｂを抵抗体の記号で表示しているが、第１図ら）に例示
するように、これらのいずれか一方、または両方に、逆
方向に接続された光感受性のあるダイオードも使用でき
ることは、本発明による増幅型受光素子の原理からして
明らかである。

本発明による増幅型受光素子では、光による電圧変化を
トランジスタにより増幅して出力とするので、大きな出
力を得ることが可能となる。また、電界効果トランジス
タとして絶縁ゲートトランジスタを用いれば、大きな出
力とともに、大きな明暗出力比を得ることも可能である
。さらに、素子Ｒａ、素子Ｒｈの抵抗値および増幅用ト
ランジスタＴの出力電流はそれぞれの素子の縦横比で決
まり、面積には依存しないので、素子面積を小さくして
も大きな出力電流が得られる。さらに、光照射により抵
抗値が変化しない素子として、光照射により抵抗値が変
化する素子を遮光して使用すれば、光照射により抵抗値
が変化しない素子と、光照射により抵抗値が変化する素
子、さらには増幅用トランジスタを同一材料で形成する
ことが可能である。このことは、素子構造や製作工程を
簡単にするとともに、光照射により抵抗値が変化しない
素子と光照射により抵抗値が変化する素子が同一の温度
特性をもつことになり、画素子の抵抗値の温度変化をキ
ャンセルでき、温度特性の優れた受光素子の実現も可能
とする。

以上の説明から明らかなように、本発明による受光素子
の主な特長は、バルク、薄膜のいずれにおいても少ない
工程数で製作でき、構造が簡単で、かつ素子面積を小さ
くしても大きな出力が得られる点にあり、増幅機能を備
えるため構造を複雑としたり、または工程数を増した従
来の素子とは、構造の簡単さ、または工程の少なさが異
なる。

（実施例） 第２図は本発明の増幅型受光素子の一実施例を模式的に
示した断面図である。この実施例は光照射により抵抗値
が変化しない素子として、光照射により抵抗値が変化す
る素子を遮光して使用した例である。すなわち光照射に
より抵抗値が変化する素子ＲｖとしてＰｏ１ｙ　Ｓｉ（
多結晶シリコン）による光導電体を、光照射により抵抗
値が変化しない素子Ｒｃとして遮光されたＰｏ１ｙ　Ｓ
ｉ　による光導電体を使用した。さらに、増幅用トラン
ジスタとしてのＴＰＴ（薄膜トランジスタ）Ｔｒ　もＰ
ｏ１ｙ　Ｓｉ　を用いて製作した。ＴＦＴ　Ｔｒは公知
の方法により形成した。ＴＦＴＴｒのゲート幅およびゲ
ート長はそれぞれ５μｍ。

１０μｍと“した。素子Ｒｃと素子Ｒｖは次のように形
成した。まず、長方形のＰｏ１ｙ　Ｓｉバタンを形成し
、バタンの両端およびバタン中の一部の領域にりんイオ
ンをイオン注入法により注入し、電極取り出し用の高濃
度不純物領域２１を形成した。この高濃度不純物領域２
１を境として両側がそれぞれ素子Ｒｅと素子Ｒｖとなる
。バタン中に形成した高濃度不純物領域２１は光が照射
されないときの素子Ｒｃと素子Ｒｖの抵抗値をｌ：１０
に分割するように位置を選んだ。

素子Ｒｃの上部の層間絶縁膜２２の上には、光照射によ
り素子Ｒｃの抵抗が変化しないように八ｔによる遮光マ
スク２３が形成されている。素子Ｒｃおよび素子Ｒｖ用
のＰｏ１ｙ　Ｓｉ　バタンはＴＦＴ　ＴｒのＰｏ１ｙ　
Ｓｉ　バタン形成時に同時に形成した。また、素子Ｒｃ
および素子ＲｖのＰｏ１ｙ　Ｓｉバタン両端およびバタ
ン中に形成した高濃度不純物領域２１はＴＦＴ　Ｔｒの
ソース／ドレイン２４形成時に同時に形成した。さらに
、素子Ｒｃの上部の層間膜上に形成した遮光マスクのＡ
ＩはＡＩ配線２５形成時に同時に形成した。すなわち素
子Ｒｅと素子Ｒｖの形成工程はすべてＴＦＴ　Ｔｒ形成
工程に含まれており、受光部を増幅部形成時に同時に形
成できるので、受光部形成のための余分な工程は必要と
しない。

以上の方法で形成した増幅型受光素子の素子Ｒｖは光照
射によって抵抗値が約３桁減少する。また、ＴＦＴ　Ｔ
ｒはしきい値電圧がＬＬ移動度は約５０Ｖ　　・ｃ［Ｉ
Ｉ２／Ｓであった。したがって、電源電圧をＩＯＶとし
て動作させたところ、光が照射されていないときは前述
のように素子Ｒｃの抵抗値を素子Ｒｖの抵抗値より１桁
大きくなるように選んでいるので、ＴＦＴＴｒのゲー）
Ｇｔには約９ｖの電圧が印加しＴＦＴ　Ｔｒはオン状態
となった。一方、光を照射したときは素子Ｒνの抵抗値
が３桁減少するので、逆に素子Ｒｃの方が素子Ｒｖに比
べて抵抗値が約２桁小さくなって、ＴＦＴ　Ｔｒのゲー
）Ｇｔに印加される電圧は０．１ｖとＴＰＴのしきい値
電圧に比べて、はるかに小さくなり、ＴＦＴ　Ｔｒはオ
フ状態となった。出力電流はオン状態では約１０−’Ａ
　、オフ状態では約１０−ｇＡとなり、出力電流の明暗
比は約５桁あった。

この実施例による増幅型受光素子では、増幅用トランジ
スタが光照射時にオフ、光遮断時にオンとなっているが
、この関係は素子Ｒｃと素子Ｒｖの位置を入れ替えるこ
とにより逆転することは明らかである。

また、この実施例では、素子Ｒｖの端に形成した高濃度
不純ｉ領域とＴＰＴのソースを分離して形成しているが
、これらはともにアース電極となるため共用でき、素子
面積の縮小が可能である。

なお、前述においては、一つの実施例を示したに留まり
、本発明の精神を脱することなしに種々の変更、変形を
なし得ることは言うまでもない。

第３図は本発明の増幅型受光素子の他の実施例を模式的
に示した断面図であって、素子Ｒｖの一端の高濃度不純
物領域とＴＦＴ　Ｔｒのソースを共用した受光素子の例
を示す。第３図中の符号は、第２図中の同一符号のもの
と同じである。

次に本発明による増幅機能を有する受光素子の製作法の
一実施例について説明する。第４図（ａ）〜（ｇ）はそ
の製作法の各工程を示す。

まず第４図（ａ）に示すように、基板２７の上にＰｏ１
ｙＳ１膜２８を堆積し、第４図（ｂ）に示すように、Ｐ
ｏ１ｙＳｉ膜パタニングにより、素子Ｒｃと素子ＲＶ、
およびＴＦＴ　Ｔｒの活性領域を同時に形成する。次に
第４図（Ｃ）に示すように、Ｐｏ１ｙ　Ｓｉバタン２９
を覆うようにゲート絶縁膜３０を堆積し、第４図（ｄ）
に示すように、ＴＦＴ　Ｔｒのゲート電極３１を形成す
る。その後、りんイオン注入により、第４図（ｅ）に示
すように、素子Ｒｃと素子ＲｖＯ高濃度不純物領域２１
、およびＴＰＴＴｒのソース／ドレイン２４を同時に形
成する。そして第４図（ｆ）に示すように、層間絶縁膜
３２を堆積した後、コンタクトホール３３を形成し、第
４図（ｇ）に示すように、Ａ１膜を堆積した後、ＡＩ膜
パタニングにより、素子Ｒｃの遮光マスク２３およびＡ
Ｉ配線２５を同時に形成して製作工程を完了する。

（発明の効果） 以上説明したように本発明による増幅型受光素子では、
受光部と増幅部に同一材料を使用できるので、両者を同
一工程で形成でき、従来の受光部と増幅部を別工程で形
成する増幅型受光素子に比べて製作工程数が少ないとい
う利点がある。また、受光部の特性は光照射により抵抗
値が変化しない素子と、光照射により抵抗値が変化する
素子の抵抗値の比で決まり、増幅部の特性は電界効果ト
ランジスタのゲートの縦横比で決まるので、各特性は各
素子の面積には依存せず、素子面積をフォトリングラフ
ィ技術の限界まで小さくできるという利点もある。また
、光照射による電位変化を電界効果トランジスタで増幅
して出力とするので、大きな出力が得られる。さらに、
増幅用電界効果トランジスタとして実施例で示したよう
に絶縁ゲートトランジスタを使用すれば、大きな出力電
流とともに、大きな明暗電流比が得られるという利点も
ある。さらにまた、結晶のはかａ−３ｉ　（アモルファ
ス　シリコン）やｐｏｌｙ　Ｓｉ　等の薄膜の使用も可
能であり、大面積基板上に素子アレイが形成できるとい
う利点もある。

本発明による増幅型受光素子には以上の利点があるので
、高分解能で、かつ画素数の多い撮像素子やイメージセ
ンサに用いると有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）は本発明による受光素子の構成図
、第２図は本発明の増幅型受光素子の一実施例を模式的
に示した断面図、 第３図は本発明の増幅型受光素子の他の実施例を模式的
に示した断面図、 第４図は本発明の増幅型受光素子の製作法の一実施例の
工程図、 第５図（ａ）、（５）は従来のＳＩＴ型受光受光素子作
原理を示す構造図、 第６図は従来の光ＴＰＴの構造を示す断面図、第７図（
ａ）は従来のＣＭＤ型受光受光素子造を示す断面図、 第７図ら）はその回路構成図、 第８図（ａ）は薄膜を用いた素子の構造を示す断面図、 第８図（ｂ）はバルクを用いた素子の構造を示す断面図
である。 ■・・・ゲート　　　　　　　２・・・ソース３・・・
ドレイン　　　　　４・・・空乏層領域５・・・ローエ
ビクキシャル層 ６・・・基板°゛　　　　　　７・・・薄膜を用いた素
子８・・・薄膜　　　　　　　９・・・基板１０・・・
バルクを用いた素子 １１・・・ｐ型不純物領域　　１２・・・ｎ型不純物領
域１３・・・ゲート１４・・・ゲート絶縁膜１５・・・
ソース／ドレイン　１６・・・透明基板２１・・・高濃
度不純物領域　２２・・・層間絶縁膜２３・・・Ａｌｆ
ｉ光マスク　　　２４・・・ソース／ドレイン２５・・
・ＡＩ配線　　　　　　２６・・・ゲート２７・・・基
板　　　　　　　２８・・・Ｐｏ１ｙ　Ｓｉ膜２９・・
・Ｐｏ１ｙ　Ｓｉパタン　　３０・・・ゲート絶縁膜３
１・・・ゲート電極　　　　３２・・・層間絶縁膜Ｄ・
・・フォトダイオード Ｔａ・・・増幅用電界効果トランジスタＴｒｓ・・・リ
セット用電界効果トランジスタＲａ・・・光照射により
抵抗値が変化する素子Ｒｂ・・・光照射により抵抗値が
変化しない素子Ｔ・・・電界効果トランジスタ Ｒｖ・・・光照射により抵抗値が変化する素子Ｒｃ・・
・光照射により抵抗値が変化しない素子Ｔｒ・・・Ｐｏ
１ｙ　Ｓｉ　ＴＦＴ 区 線　−゛　　　〜−−− 簗 請 シ 巨 （Ｌ）　　　　　　％＋４　　　　　　　□□□喫 一ユ 第６図 第７図 （ａ〕 第８図１ （ａ〕 （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光照射により抵抗値が変化する第１の素子と、この
   第１の素子と直列に接続された光照射により抵抗値が変
   化しない第２の素子と、前記第１の素子と第２の素子の
   接続点とゲート電極とを電気的に接続した電界効果型ト
   ランジスタとで構成されたことを特徴とする増幅機能を
   有する受光素子。 ２、前記光照射により抵抗値が変化しない第２の素子は
   、光照射により抵抗値が変化する素子を遮光した素子で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の増幅
   機能を有する受光素子。 ３、光照射により抵抗値が変化する第１の素子と、この
   第１の素子と直列に接続され、かつ光照射により抵抗値
   が変化する素子を遮光することにより得られる、光照射
   により抵抗値が変化しない第２の素子との接続点を、電
   界効果トランジスタのゲート電極に電気的に接続した増
   幅機能を有する受光素子の製作法において、前記第１の
   素子と第２の素子、および電界効果型トランジスタの活
   性領域を同時に形成する工程と、前記第１の素子と第２
   の素子の電極取り出し用の高濃度不純物領域、および電
   界効果型トランジスタのソース／ドレインを同一形成法
   で同時に形成する工程とを、少なくとも含むことを特徴
   とする増幅機能を有する受光素子の製作法。