JPS63224218A - シリコン単結晶膜の改善方法 - Google Patents
シリコン単結晶膜の改善方法Info
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- JPS63224218A JPS63224218A JP5648687A JP5648687A JPS63224218A JP S63224218 A JPS63224218 A JP S63224218A JP 5648687 A JP5648687 A JP 5648687A JP 5648687 A JP5648687 A JP 5648687A JP S63224218 A JPS63224218 A JP S63224218A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は選択エピタキシャル成長で形成したシリコン
単結晶膜の改善方法に関する。
単結晶膜の改善方法に関する。
［従来の技術］
従来のシリコン選択エピタキシャル成長は、シリコン基
板上に形成された酸化シリコン膜に開口部を設けてシリ
コン基板表面を露出させ、５ｉＨ２Ｇ！２などの原料ガ
スに選択性を増す目的でＨＣＲを加え、シリコンが露出
している部分だけに単結晶シリコンを形成している。第
５図および第６図は従来による場合の基板の部分断面図
を示したもので、シリコン基板２１の上に形成された酸
化膜２２よりもエピタキシャル・シリコン膜２３が薄い
か同程度であれば第５図に示すように開口部２４の中だ
けがシリコンで埋込まれる。一方、シリコン基板２１の
上に形成された酸化膜２２よりもエピタキシャル・シリ
コン膜２５が厚いときは第６図に示すようにエピタキシ
ャル・シリコン膜は酸化膜２２の上に横方向成長し、い
わゆる５ＯＩ（３ｉ１ｉｃｏｎ−Ｏｎ −Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）構造が形成される。どちらの例もシリコン素子
の微細分離を目的とした構造であり、シリコンと酸化膜
との界面の性質が素子そのものの特性および素子分離特
性に大きな影響を及ぼすことになる。
板上に形成された酸化シリコン膜に開口部を設けてシリ
コン基板表面を露出させ、５ｉＨ２Ｇ！２などの原料ガ
スに選択性を増す目的でＨＣＲを加え、シリコンが露出
している部分だけに単結晶シリコンを形成している。第
５図および第６図は従来による場合の基板の部分断面図
を示したもので、シリコン基板２１の上に形成された酸
化膜２２よりもエピタキシャル・シリコン膜２３が薄い
か同程度であれば第５図に示すように開口部２４の中だ
けがシリコンで埋込まれる。一方、シリコン基板２１の
上に形成された酸化膜２２よりもエピタキシャル・シリ
コン膜２５が厚いときは第６図に示すようにエピタキシ
ャル・シリコン膜は酸化膜２２の上に横方向成長し、い
わゆる５ＯＩ（３ｉ１ｉｃｏｎ−Ｏｎ −Ｉｎ５ｕｌａ
ｔｏｒ）構造が形成される。どちらの例もシリコン素子
の微細分離を目的とした構造であり、シリコンと酸化膜
との界面の性質が素子そのものの特性および素子分離特
性に大きな影響を及ぼすことになる。
［発明が解決しようとする問題点］
シリコンの熱酸化で形成される３ｉ／ＳｉＯ２界面は、
界面準位が非常に少ないことが知られているが、選択エ
ピタキシセル成長で形成されるエピタキシャル・シリコ
ン膜２３（あるいは２５）と酸化膜２２どの界面には熱
酸化に較べ多くの界面準位があるという問題がある。た
とえば、選択エビタキシャ／Ｌ／膜にＭＯＳＦＥＴ（Ｍ
ｅｔａｌ ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
）を形成しその特性を調べてみると、Ｄ−ＭＯＳではサ
ブスレッシュホールドのリーク電流が非常に少ないのに
対し、ｎ−ＭＯＳではサブスレッシュホールドのリーク
電流がＬＯＣＯ３（ＬｏｃａｌＱＸｉｄａｔｉｏｎ
ｏｆ ３ｉ１ｉｃｏｎ）を用いた場合に較べ多いとい
う結果が１ｑられている。側壁材として非晶ＭＳｉ３Ｎ
４を用いた場合には格子欠陥の発生などがないにもかか
わらずリーク電流が６桁近く増えるという結果が得・ら
れている。このｎ−ＭＯＳでのリーク電流の大きさはチ
ャンネル幅に依存しないこと、および電流のパスがエピ
タキシャル・シリコン膜と側壁酸化膜との界面に接しな
いような構造となるリング・トランジスタ（ゲートがリ
ング状）ではリーク電流が非常に小ざくなることから、
このリーク電流がグー１〜酸化膜直下を流れるのではな
くエピタキシャル・シリコン膜と側壁酸化膜との界面を
流れるものであることがわかる。また側壁部に格子欠陥
が発生していても発生していなくてもこのリーク電流は
殆ど変らないことから、格子欠陥とは関係なく、界面準
位が多いために界面にｎ−チャンネルが形成されてしま
うことが原因と考えられた。シリコンの熱酸化で形成さ
れる３ｉ／ＳｉＯ２界面は、界面準位が非常に少ないが
、その場合の界面はシリコン中に形成される。一方、選
択エピタキシセル成長では成長するシリコンが既に形成
されていた酸化シリコン膜に接することにより形成され
るために、界面にダングリング・ボンドが多いとか、汚
染の影響を受けやすく、熱酸化によるＳｉ／ＳｉＯ２界
面より遥かに界面準位が多い可能性があると考えられる
。本発明の目的は、選択エピタキシャル成長で形成され
る３ｉ／ＳｉＯ２界面を改善することによるシリコン単
結晶膜の改善方法を提供することにある。
界面準位が非常に少ないことが知られているが、選択エ
ピタキシセル成長で形成されるエピタキシャル・シリコ
ン膜２３（あるいは２５）と酸化膜２２どの界面には熱
酸化に較べ多くの界面準位があるという問題がある。た
とえば、選択エビタキシャ／Ｌ／膜にＭＯＳＦＥＴ（Ｍ
ｅｔａｌ ＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ
）を形成しその特性を調べてみると、Ｄ−ＭＯＳではサ
ブスレッシュホールドのリーク電流が非常に少ないのに
対し、ｎ−ＭＯＳではサブスレッシュホールドのリーク
電流がＬＯＣＯ３（ＬｏｃａｌＱＸｉｄａｔｉｏｎ
ｏｆ ３ｉ１ｉｃｏｎ）を用いた場合に較べ多いとい
う結果が１ｑられている。側壁材として非晶ＭＳｉ３Ｎ
４を用いた場合には格子欠陥の発生などがないにもかか
わらずリーク電流が６桁近く増えるという結果が得・ら
れている。このｎ−ＭＯＳでのリーク電流の大きさはチ
ャンネル幅に依存しないこと、および電流のパスがエピ
タキシャル・シリコン膜と側壁酸化膜との界面に接しな
いような構造となるリング・トランジスタ（ゲートがリ
ング状）ではリーク電流が非常に小ざくなることから、
このリーク電流がグー１〜酸化膜直下を流れるのではな
くエピタキシャル・シリコン膜と側壁酸化膜との界面を
流れるものであることがわかる。また側壁部に格子欠陥
が発生していても発生していなくてもこのリーク電流は
殆ど変らないことから、格子欠陥とは関係なく、界面準
位が多いために界面にｎ−チャンネルが形成されてしま
うことが原因と考えられた。シリコンの熱酸化で形成さ
れる３ｉ／ＳｉＯ２界面は、界面準位が非常に少ないが
、その場合の界面はシリコン中に形成される。一方、選
択エピタキシセル成長では成長するシリコンが既に形成
されていた酸化シリコン膜に接することにより形成され
るために、界面にダングリング・ボンドが多いとか、汚
染の影響を受けやすく、熱酸化によるＳｉ／ＳｉＯ２界
面より遥かに界面準位が多い可能性があると考えられる
。本発明の目的は、選択エピタキシャル成長で形成され
る３ｉ／ＳｉＯ２界面を改善することによるシリコン単
結晶膜の改善方法を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明はシリコン中でキャリアを発生する不純物を含み
、かつ非晶質絶縁膜で被覆された物質をシリコン基板上
に部分的に形成する工程と、前記シリコン基板が露出し
ている領域に選択的に単結晶シリコン膜を成長させる工
程と、熱処理を行う工程とを具備してなることを特徴と
するシリコン単結晶膜の改善方法である。
、かつ非晶質絶縁膜で被覆された物質をシリコン基板上
に部分的に形成する工程と、前記シリコン基板が露出し
ている領域に選択的に単結晶シリコン膜を成長させる工
程と、熱処理を行う工程とを具備してなることを特徴と
するシリコン単結晶膜の改善方法である。
ここで非晶質絶縁膜とは、たとえばＳ ｉ ０２があげ
られ、この非晶質絶縁膜で被覆された物質とは多結晶シ
リコンやサファイア等があげられる。
られ、この非晶質絶縁膜で被覆された物質とは多結晶シ
リコンやサファイア等があげられる。
なお、被覆する非晶質絶縁膜の厚さは、たとえば５ｉＯ
ｚの場合、５０〜１００Å以上であればよい。
ｚの場合、５０〜１００Å以上であればよい。
、この程度の厚さがあれば、成長中にＳｉＯ２が揮発性
のＳｉＯとなって絶縁膜が消失することを防ぐことがで
きる。
のＳｉＯとなって絶縁膜が消失することを防ぐことがで
きる。
［作 用］
ｎ−ＭＯＳＦＥＴのリーク特性から判断すると、選択エ
ピタキシャル成長で形成されるＳｉ／ＳｉＯ２界面は、
選択エピタキシャル成長で形成されるＳｉ／Ｓｉ３Ｎ４
界面に較べるとずっと界面単位が少ないため、界面だけ
にｐ型不純物をドープできれば界面に発生するｎ型のチ
ャンネル発生は抑制することができる。不純物を部分的
にドープするためにはイオン注入が用いられているが、
特に第５図に示すような選択エピタキシャル成長の場合
に、Ｓｉ／ＳｉＯ２界面だけにイオン注入で不純物をド
ープすることは不可能である。
ピタキシャル成長で形成されるＳｉ／ＳｉＯ２界面は、
選択エピタキシャル成長で形成されるＳｉ／Ｓｉ３Ｎ４
界面に較べるとずっと界面単位が少ないため、界面だけ
にｐ型不純物をドープできれば界面に発生するｎ型のチ
ャンネル発生は抑制することができる。不純物を部分的
にドープするためにはイオン注入が用いられているが、
特に第５図に示すような選択エピタキシャル成長の場合
に、Ｓｉ／ＳｉＯ２界面だけにイオン注入で不純物をド
ープすることは不可能である。
本発明の構造はＳｉ／５ｉＯｚ界面の近くに拡散源を形
成しであるため比較的低温・短時間の熱処理、で界面に
不純物をドープすることができる。
成しであるため比較的低温・短時間の熱処理、で界面に
不純物をドープすることができる。
［実施例］
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例１〜２
第１図は本発明の方法の一実施例を説明するための基板
の部分断面図である。シリコン基板１の上には薄い酸化
膜２で被覆された多結晶シリコン３があり、多結晶シリ
コン３中には不純物としてボロンがドープされている。
の部分断面図である。シリコン基板１の上には薄い酸化
膜２で被覆された多結晶シリコン３があり、多結晶シリ
コン３中には不純物としてボロンがドープされている。
シリコン基板１の開口部４には選択エピタキシャル成長
により単結晶シリコン膜５が形成されている。
により単結晶シリコン膜５が形成されている。
このにうな構造は
１）シリコン基板表面の酸化、
２） ＣＶＤ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などによる多結晶シリコンの堆積
、 ３）多結晶シリコン表面の酸化、 ４）反応性イオンエツチングなどによる開口部の形成、 ５）薄い酸化膜の形成、 ６）反応性（異方性）イオンエツチングを用いた開口部
だけのシリコン基板の露出、 ７） Ｓ ｉ ｔ−１４や５ｉＨ２Ｃβ２ （＋ＨＣ
β）を用いたシリコンの選択エピタキシャル成長の順に
行うことによって形成することができる。
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などによる多結晶シリコンの堆積
、 ３）多結晶シリコン表面の酸化、 ４）反応性イオンエツチングなどによる開口部の形成、 ５）薄い酸化膜の形成、 ６）反応性（異方性）イオンエツチングを用いた開口部
だけのシリコン基板の露出、 ７） Ｓ ｉ ｔ−１４や５ｉＨ２Ｃβ２ （＋ＨＣ
β）を用いたシリコンの選択エピタキシャル成長の順に
行うことによって形成することができる。
多結晶シリコン中への不純物のドーピングは、多結晶シ
リコン形成時のドーピングや、多結晶シリコン形成後の
イオン注入を用いることができる。
リコン形成時のドーピングや、多結晶シリコン形成後の
イオン注入を用いることができる。
第１図の構造を形成した後、Ｎ２雰囲気でアニールを行
うことによって３ｉ／５ｉｏ２界面近くだけにボロンを
拡散させることができた。
うことによって３ｉ／５ｉｏ２界面近くだけにボロンを
拡散させることができた。
５ｉＨ２Ｃβ２にＨＣｆを加えて９００°Ｃで選択成長
を行う場合には薄い酸化膜２の厚さは１００人程度あれ
ば多結晶シリコンが露出（その場合には多結晶シリコン
の粒成長が起る）することはなかった。この方法で３
ｉ ／３ ｉ Ｑ２界面を改善した必とｎ−ＭＯＳＦＥ
Ｔを形成してリーク電流を測定したところ、リーク電流
は２桁近く改善されていた。
を行う場合には薄い酸化膜２の厚さは１００人程度あれ
ば多結晶シリコンが露出（その場合には多結晶シリコン
の粒成長が起る）することはなかった。この方法で３
ｉ ／３ ｉ Ｑ２界面を改善した必とｎ−ＭＯＳＦＥ
Ｔを形成してリーク電流を測定したところ、リーク電流
は２桁近く改善されていた。
一方、ｐ−ＭＯＳＦＥＴの場合、一般にはリーク電流は
低い。この方法を用いて０ＭＯ３を形成するような場合
にはｎ−ＭＯＳの特性を改善する一方でｐ−ＭＯＳの特
性を悪化ざＵる可能性がある。従って０ＭＯ３の場合に
はｍｌ−ＭＯＳに隣接する多結晶シリコン中にはボロン
などのｎ型不純物を、ｐ−ＭＯＳに隣接する多結晶シリ
コン中にはリンやヒ素などのｎ型不純物をドーピングし
ておくことが望ましい。このような場合には本発明の第
二の実施例として第２図に示すような構造とすることが
できる。すなわち、シリコン基板６の上にはボロンがド
ープされた多結晶シリコン７とビ素がドープされた多結
晶シリコン８がパターニングされて配置されており、そ
れぞれの多結晶シリコンは薄い酸化膜９で被覆されてお
り、シリコン基板６の開口部１０ａおよび１０ｂには選
択エピタキシャル成長により単結晶シリコン膜１１が形
成されている。
低い。この方法を用いて０ＭＯ３を形成するような場合
にはｎ−ＭＯＳの特性を改善する一方でｐ−ＭＯＳの特
性を悪化ざＵる可能性がある。従って０ＭＯ３の場合に
はｍｌ−ＭＯＳに隣接する多結晶シリコン中にはボロン
などのｎ型不純物を、ｐ−ＭＯＳに隣接する多結晶シリ
コン中にはリンやヒ素などのｎ型不純物をドーピングし
ておくことが望ましい。このような場合には本発明の第
二の実施例として第２図に示すような構造とすることが
できる。すなわち、シリコン基板６の上にはボロンがド
ープされた多結晶シリコン７とビ素がドープされた多結
晶シリコン８がパターニングされて配置されており、そ
れぞれの多結晶シリコンは薄い酸化膜９で被覆されてお
り、シリコン基板６の開口部１０ａおよび１０ｂには選
択エピタキシャル成長により単結晶シリコン膜１１が形
成されている。
実施例３
第３図は本発明の方法の第三の実施例を示している。図
中、第１図と同一の構造のものについては第１図と同一
符号を付している。選択エピタキシャル成長前の基板構
造は第１図と同じであり、シリコン基板１の上には薄い
酸化膜２で被覆された多結晶シリコン３があり、多結晶
シリコン３の中には不純物としてボロンがドープされて
いる。
中、第１図と同一の構造のものについては第１図と同一
符号を付している。選択エピタキシャル成長前の基板構
造は第１図と同じであり、シリコン基板１の上には薄い
酸化膜２で被覆された多結晶シリコン３があり、多結晶
シリコン３の中には不純物としてボロンがドープされて
いる。
シリコン基板１の開口部４には選択エピタキシャル成長
により単結晶シリコン膜１２が形成されている。
により単結晶シリコン膜１２が形成されている。
シリコンの膜厚が酸化膜２の部分を含む多結晶シリコン
３の厚さを越えると、単結晶シリコン膜１２は横方向に
成長するようになり５ｏｉｌ造が形成される。こうして
形成された酸化膜上のシリコン膜１２と、多結晶シリコ
ン３の上に市る薄い酸化膜２との界面ら第１図と同じよ
うに多くの界面準位がおり、シリコン膜１２に形成した
ｎ−ＭＯＳＦＥＴのリーク電流は非常に大ぎい。第３図
の構造を形成した後、Ｎ２雰囲気でアニールを行ったと
ころ、第一の実施例と同じようにエピタキシャル膜と酸
化膜との界面が改善された。
３の厚さを越えると、単結晶シリコン膜１２は横方向に
成長するようになり５ｏｉｌ造が形成される。こうして
形成された酸化膜上のシリコン膜１２と、多結晶シリコ
ン３の上に市る薄い酸化膜２との界面ら第１図と同じよ
うに多くの界面準位がおり、シリコン膜１２に形成した
ｎ−ＭＯＳＦＥＴのリーク電流は非常に大ぎい。第３図
の構造を形成した後、Ｎ２雰囲気でアニールを行ったと
ころ、第一の実施例と同じようにエピタキシャル膜と酸
化膜との界面が改善された。
実施例４
第４図は本発明の第四の実施例を示している。
図中、第１図と同一の構造のものについては第１図と同
一符号を付している。選択エピタキシャル成長までの基
板構造は第１図と同じであり、シリコン基板１の上には
薄い酸化膜２で被覆された多結晶シリコン３があり、多
結晶シリコン３の中には不純物としてボロンがドープさ
れている。シリコン基板１の開口部４には選択エピタキ
シャル成長により単結晶シリコン膜５が形成されている
。
一符号を付している。選択エピタキシャル成長までの基
板構造は第１図と同じであり、シリコン基板１の上には
薄い酸化膜２で被覆された多結晶シリコン３があり、多
結晶シリコン３の中には不純物としてボロンがドープさ
れている。シリコン基板１の開口部４には選択エピタキ
シャル成長により単結晶シリコン膜５が形成されている
。
このような構造を形成したあとアニールとしては炭酸ガ
スレーザ光１３を照射した。炭酸ガスレーザの波長は約
１０珈と長いためシリコンには吸収されず、薄い酸化膜
２と多くのキャリアを含んでいる多結晶シリコン３が７
ＪＯ熱される。従って、ボロンの拡散は特にＳ！／Ｓｉ
Ｏ２界面で顕著になり、不純物は界面から離れるほど急
激に少ないという傾向を示した。
スレーザ光１３を照射した。炭酸ガスレーザの波長は約
１０珈と長いためシリコンには吸収されず、薄い酸化膜
２と多くのキャリアを含んでいる多結晶シリコン３が７
ＪＯ熱される。従って、ボロンの拡散は特にＳ！／Ｓｉ
Ｏ２界面で顕著になり、不純物は界面から離れるほど急
激に少ないという傾向を示した。
ざらに、多結晶シリコン３の代りにスパッタリングで形
成した４ノフアイアを用い、炭酸ガスレーザ光を照射し
たところサファイア中のアルミニウムが３ｉ／ＳｉＯ２
界面へ拡散し、やはり界面近くのシリコンをｐ型にする
ことができた。
成した４ノフアイアを用い、炭酸ガスレーザ光を照射し
たところサファイア中のアルミニウムが３ｉ／ＳｉＯ２
界面へ拡散し、やはり界面近くのシリコンをｐ型にする
ことができた。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明を用いれば、選択エピタキ
シャル成長で形成される５ｉ／ＳｉＯ２界面近くだけに
不純物を供給することによって、望ましくないチャンネ
ルの形成を抑制することができ、素子特性、特に界面準
位に起因するリーク電流を格段に減少させることができ
た。
シャル成長で形成される５ｉ／ＳｉＯ２界面近くだけに
不純物を供給することによって、望ましくないチャンネ
ルの形成を抑制することができ、素子特性、特に界面準
位に起因するリーク電流を格段に減少させることができ
た。
第１図〜第４図はそれぞれ本発明の方法の実施例を示す
ための基板の部分断面図、第５図および第６図はそれぞ
れ従来例による場合の基板の部分断面図でおる。 １．６．２１・・・シリコン基板 ２．９．２２・・・酸化膜 ３・・・多結晶シリコン ４、１０ａ、 ｉｏｂ、 ２４・・・開口部５、１１．
１２・・・単結晶シリコン膜７・・・ボロンがドープさ
れた多結晶シリコン８・・・ヒ素がドープされた多結晶
シリコン１３・・・炭酸ガスレーザ光 ２３、２５・・・エピタキシャル・シリコン膜代理人弁
理士 舘 野 千恵子 １３應ブスレープ゛光 第４図 ２１″／リコシ基本プ 第５図 第６図
ための基板の部分断面図、第５図および第６図はそれぞ
れ従来例による場合の基板の部分断面図でおる。 １．６．２１・・・シリコン基板 ２．９．２２・・・酸化膜 ３・・・多結晶シリコン ４、１０ａ、 ｉｏｂ、 ２４・・・開口部５、１１．
１２・・・単結晶シリコン膜７・・・ボロンがドープさ
れた多結晶シリコン８・・・ヒ素がドープされた多結晶
シリコン１３・・・炭酸ガスレーザ光 ２３、２５・・・エピタキシャル・シリコン膜代理人弁
理士 舘 野 千恵子 １３應ブスレープ゛光 第４図 ２１″／リコシ基本プ 第５図 第６図
Claims (1)
- （１）シリコン中でキャリアを発生する不純物を含み、
かつ非晶質絶縁膜で被覆された物質をシリコン基板上に
部分的に形成する工程と、前記シリコン基板が露出して
いる領域に選択的に単結晶シリコン膜を成長させる工程
と、熱処理を行う工程とを具備してなることを特徴とす
るシリコン単結晶膜の改善方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5648687A JPS63224218A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | シリコン単結晶膜の改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5648687A JPS63224218A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | シリコン単結晶膜の改善方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224218A true JPS63224218A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13028431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5648687A Pending JPS63224218A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | シリコン単結晶膜の改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224218A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378644A (en) * | 1990-04-13 | 1995-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a semiconductor device |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP5648687A patent/JPS63224218A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5378644A (en) * | 1990-04-13 | 1995-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a semiconductor device |
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