JPS63224050A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPS63224050A JPS63224050A JP62059442A JP5944287A JPS63224050A JP S63224050 A JPS63224050 A JP S63224050A JP 62059442 A JP62059442 A JP 62059442A JP 5944287 A JP5944287 A JP 5944287A JP S63224050 A JPS63224050 A JP S63224050A
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- reflective film
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、音声１画像等の情報を、これに対応するピン
ト列としてその一面に記録してある光ディスクに関する
。
ト列としてその一面に記録してある光ディスクに関する
。
（従来技術〕
光学的ビデオディスク及びディジタルオーディオディス
クとして既に実用化されている光ディスクは、情報の記
録密度が大であること、また算接触にて前記情報の再生
が可能であり、耐用年数が長いこと等、磁気テープ、磁
気ディスク等の従来の記録媒体と比較して優れた特質を
有しており、画像、音声等の記録媒体として、近年特に
脚光を浴びている。
クとして既に実用化されている光ディスクは、情報の記
録密度が大であること、また算接触にて前記情報の再生
が可能であり、耐用年数が長いこと等、磁気テープ、磁
気ディスク等の従来の記録媒体と比較して優れた特質を
有しており、画像、音声等の記録媒体として、近年特に
脚光を浴びている。
このような光ディスクは、アクリル樹脂又はポリカーボ
ネート樹脂等の透明度の高い合成樹脂製の円板状をなす
基板の一面に、記録すべき情報に対応するピント列を螺
旋状に形成し、この−面全体を反射膜にて被覆して構成
してあり、他面側から、前記反射膜にこれに直交するレ
ーザビームを照射し、該反射膜からの反射光を受光して
、前記ビット列の形成状態を読取り、前記情報の再生を
行うものである。
ネート樹脂等の透明度の高い合成樹脂製の円板状をなす
基板の一面に、記録すべき情報に対応するピント列を螺
旋状に形成し、この−面全体を反射膜にて被覆して構成
してあり、他面側から、前記反射膜にこれに直交するレ
ーザビームを照射し、該反射膜からの反射光を受光して
、前記ビット列の形成状態を読取り、前記情報の再生を
行うものである。
さてこのような光ディスクにおいて、前記反射膜には高
い反射率が要求され、従来この反射膜としては、８０％
以上の高反射率を有する純アルミニウムの蒸着膜が使用
されている。
い反射率が要求され、従来この反射膜としては、８０％
以上の高反射率を有する純アルミニウムの蒸着膜が使用
されている。
しかしながら純アルミニウムは、大気中における長時間
の放置によって容易に酸化するという難点があり、その
反射率は、酸化の進行に伴って低下するため、従来の光
ディスクにおいては、長期間の使用により前記反射膜の
反射率が低下して、この低下に起因する読取り誤差、所
謂ピットエラーを招来する虞がある。
の放置によって容易に酸化するという難点があり、その
反射率は、酸化の進行に伴って低下するため、従来の光
ディスクにおいては、長期間の使用により前記反射膜の
反射率が低下して、この低下に起因する読取り誤差、所
謂ピットエラーを招来する虞がある。
更に、前記反射膜の酸化が著しく進ｊテした場合、その
反射率が数パーセントにまで低下する結果、フォーカシ
ング及びトラッキングが不可能となって、情報の再生が
不能になるという難点がある。
反射率が数パーセントにまで低下する結果、フォーカシ
ング及びトラッキングが不可能となって、情報の再生が
不能になるという難点がある。
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、ビッ
トエラー又は再生不能を招来することなく、長期にわた
って安定した情報の再生が可能である光ディスクを提供
することを目的とする。
トエラー又は再生不能を招来することなく、長期にわた
って安定した情報の再生が可能である光ディスクを提供
することを目的とする。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明に係る光ディスクは、酸化され難い材料にて反射
面を形成したものであり、情報を記録してある基板の一
面に、該情報の再生を行わしめるべく、これに照射され
る光ビームを反射する反射膜を形成してなる光ディスク
において、前記反射膜が、アルミニウム及びチタンから
なる二元合金であることを特徴とし、更に本発明の他の
発明に係る光ディスクは、前記反射膜が、アルミニウム
。
面を形成したものであり、情報を記録してある基板の一
面に、該情報の再生を行わしめるべく、これに照射され
る光ビームを反射する反射膜を形成してなる光ディスク
において、前記反射膜が、アルミニウム及びチタンから
なる二元合金であることを特徴とし、更に本発明の他の
発明に係る光ディスクは、前記反射膜が、アルミニウム
。
チタン及び銀からなる三元合金であることを特徴とする
。
。
本発明においては、光ディスクの情報記録面にアルミニ
ウムとチタンとの二元合金、又はこれに銀を加えた三元
合金にて反射膜を形成し、これに照射される光ビームを
、該反射膜において反射させ、この反射光に基づいて、
前記記録面上に記録された情報の再生を行う。
ウムとチタンとの二元合金、又はこれに銀を加えた三元
合金にて反射膜を形成し、これに照射される光ビームを
、該反射膜において反射させ、この反射光に基づいて、
前記記録面上に記録された情報の再生を行う。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づいて詳述する
。第１図は本発明に係る光ディスク（以下本発明品とい
う）の一部を示す縦断面図である。
。第１図は本発明に係る光ディスク（以下本発明品とい
う）の一部を示す縦断面図である。
図中１は、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂等の透
明度に優れた合成樹脂を円板状に成形してなる基板であ
って、該基板１の一面上には、その軸心廻りに螺旋状の
列をなして、記録すべき情報に対応する多数のピント２
．２・・・が形成してある。更に基板１の前記−面には
、少なくとも前記ピア）２．２・・・の形成範囲全域を
被覆する態様にて、反射膜３が形成してある。
明度に優れた合成樹脂を円板状に成形してなる基板であ
って、該基板１の一面上には、その軸心廻りに螺旋状の
列をなして、記録すべき情報に対応する多数のピント２
．２・・・が形成してある。更に基板１の前記−面には
、少なくとも前記ピア）２．２・・・の形成範囲全域を
被覆する態様にて、反射膜３が形成してある。
該反射膜３は、アルミニウム及びチタンからなる二元合
金、又はアルミニウム、チタン及び銀からなる三元合金
であり、８００〜２０００人の厚さに形成されている。
金、又はアルミニウム、チタン及び銀からなる三元合金
であり、８００〜２０００人の厚さに形成されている。
以上の如く構成された光ディスクは、図示しないターン
テーブルに装着されてこれと共に回転され、前記ピット
２，２・・・の形成状態を読取らせるべく、該ピット２
．２・・・が形成されている０Ｍ状の列に沿って、第１
図に二点鎖線にて示す如く、基板１の他面側から照射さ
れるレーザビーム４を、前記反射？！３にて反射せしめ
、その反射光の受光によって、前記ピット２．２・・・
に対応させて記録されている情報の再生をｊテわせる。
テーブルに装着されてこれと共に回転され、前記ピット
２，２・・・の形成状態を読取らせるべく、該ピット２
．２・・・が形成されている０Ｍ状の列に沿って、第１
図に二点鎖線にて示す如く、基板１の他面側から照射さ
れるレーザビーム４を、前記反射？！３にて反射せしめ
、その反射光の受光によって、前記ピット２．２・・・
に対応させて記録されている情報の再生をｊテわせる。
さて前記反射ｌｌ１３は、これをアルミニウム、チタン
及び銀からなる三元合金にて形成せしめる場合、公知の
膜形成方法である電子ビーム若しくは抵抗加熱による真
空蒸着法、又はスパッタリング法が通用可能である。
及び銀からなる三元合金にて形成せしめる場合、公知の
膜形成方法である電子ビーム若しくは抵抗加熱による真
空蒸着法、又はスパッタリング法が通用可能である。
前記三元合金の反射膜３をスパッタリング法により形成
する場合には、アルミニウム、チタン及び銀からなる三
元合金製の１ （ｍのターゲットを用いる方法、又はア
ルミニウム、チタン及び銀の３種の金属の内いずれか２
種からなる合金製、及び他の１１にの金属製の２個のタ
ーゲットを用いるか、若しくは前記３種の金属製の３個
のターゲットを用い、各ターゲットから同時にスパッタ
を行わせる方法のいずれによっても形成可能である。
する場合には、アルミニウム、チタン及び銀からなる三
元合金製の１ （ｍのターゲットを用いる方法、又はア
ルミニウム、チタン及び銀の３種の金属の内いずれか２
種からなる合金製、及び他の１１にの金属製の２個のタ
ーゲットを用いるか、若しくは前記３種の金属製の３個
のターゲットを用い、各ターゲットから同時にスパッタ
を行わせる方法のいずれによっても形成可能である。
一方、前記反射ｌｌｌ３を真空蒸着法によって形成する
場合には、アルミニウムとチタンとの合金を蒸発源とし
て用いると、両者間の融点の差によりアルミニウムのみ
が先に蒸発し、また純チタンを蒸発源として用いること
は困雑であるから、線状又は粒状のアルミニウムの表面
に、チタン及び銀からなる二元合金の層を形成せしめた
材料を蒸発源として用いて前記反射膜３を形成せしめる
。
場合には、アルミニウムとチタンとの合金を蒸発源とし
て用いると、両者間の融点の差によりアルミニウムのみ
が先に蒸発し、また純チタンを蒸発源として用いること
は困雑であるから、線状又は粒状のアルミニウムの表面
に、チタン及び銀からなる二元合金の層を形成せしめた
材料を蒸発源として用いて前記反射膜３を形成せしめる
。
前記材料は、例えば銀を１０重量％含有するチタンと銀
との二元合金を蒸発源として用い、これを真空槽中に蒸
発せしめ、該槽中の粒状又は線状のアルミニウムの表面
に蒸着させる真空蒸着法によって得られ、これを蒸着源
として゛使用する場合、アルミニウム、チタン及び銀か
らなる三元合金の反射膜３を、これを純アルミニウムに
よって形成せしめる場合と略同等の蒸着条件下において
、基板１上に形成せしめることが可能である。即ち、前
記三元合金の反射ｌ１Ｉ３中に含有される銀は、チタン
を含有する反射膜３を真空蒸着法によって形成可能とす
るために添加されるものであって、該反射膜３の酸化抑
制に寄与するものではない、また、蒸発源に前記材料を
用い、前述の如く真空蒸着法によって形成された反射膜
３中に含有される銀のモル数は、該反射ｌｌ！！３中の
チタンのモル数の１／２以下となる。
との二元合金を蒸発源として用い、これを真空槽中に蒸
発せしめ、該槽中の粒状又は線状のアルミニウムの表面
に蒸着させる真空蒸着法によって得られ、これを蒸着源
として゛使用する場合、アルミニウム、チタン及び銀か
らなる三元合金の反射膜３を、これを純アルミニウムに
よって形成せしめる場合と略同等の蒸着条件下において
、基板１上に形成せしめることが可能である。即ち、前
記三元合金の反射ｌ１Ｉ３中に含有される銀は、チタン
を含有する反射膜３を真空蒸着法によって形成可能とす
るために添加されるものであって、該反射膜３の酸化抑
制に寄与するものではない、また、蒸発源に前記材料を
用い、前述の如く真空蒸着法によって形成された反射膜
３中に含有される銀のモル数は、該反射ｌｌ！！３中の
チタンのモル数の１／２以下となる。
また、アルミニウム及びチタンからなる二元合金にて前
記反射膜３を形成する場合、前述の理由により、真空蒸
着法を通用することは不可能であり、前記二元合金の反
射膜３を形成する場合には、アルミニウム及びチタンか
らなる二元合金製の１個のターゲットを用いるか、又は
アルミニウム製及びチタン製の２個のターゲットを用い
、両ターゲットから同時にスパッタを行わせるスパッタ
リング法を通用する。
記反射膜３を形成する場合、前述の理由により、真空蒸
着法を通用することは不可能であり、前記二元合金の反
射膜３を形成する場合には、アルミニウム及びチタンか
らなる二元合金製の１個のターゲットを用いるか、又は
アルミニウム製及びチタン製の２個のターゲットを用い
、両ターゲットから同時にスパッタを行わせるスパッタ
リング法を通用する。
さて、反射膜３中のチタンは、アルミニウムの酸化を抑
制し、この酸化による反射膜３の反射率の低下を抑制す
べく作用する一方、該反射１１１３の初期反射率を低下
させ、その含有率が１０モル％を超える場合、初期反射
率が光ディスクの再生時におけるビットエラーの発生防
止のため反射膜３に要求される反射率の下限値（７５％
）を下回る虞があり、反射膜３中のチタンの含有率は１
０モル％以下とするのがよい。また、反射膜３が三元合
金であり、真空蒸着によってこれを形成した場合、前述
した如く、該合金中の銀の含有量はチタンの含有量の１
／２以下となるから、該反射膜３中の銀の含有率は５モ
ル％以下となる。
制し、この酸化による反射膜３の反射率の低下を抑制す
べく作用する一方、該反射１１１３の初期反射率を低下
させ、その含有率が１０モル％を超える場合、初期反射
率が光ディスクの再生時におけるビットエラーの発生防
止のため反射膜３に要求される反射率の下限値（７５％
）を下回る虞があり、反射膜３中のチタンの含有率は１
０モル％以下とするのがよい。また、反射膜３が三元合
金であり、真空蒸着によってこれを形成した場合、前述
した如く、該合金中の銀の含有量はチタンの含有量の１
／２以下となるから、該反射膜３中の銀の含有率は５モ
ル％以下となる。
第２図は、チタン及び銀の含有率を、夫々３．０モル％
及び０．１モル％とした場合の、本発明品における反射
膜３の材料たるアルミニウム、チタン及び銀からなる三
元合金と、従来の光ディスクにおける反射膜３の材料た
る純アルミニウムとを用い、両者の反射率の低下特性を
比較すべく、温度６０℃、湿度９０％なる条件下におい
て、加速試験を行った結果を示すグラフであり、本図中
のＯ印は、前記三元合金における反射率の測定結果を、
また０印は、純アルミニウムにおける反射率の測定結果
を夫々示すものである。
及び０．１モル％とした場合の、本発明品における反射
膜３の材料たるアルミニウム、チタン及び銀からなる三
元合金と、従来の光ディスクにおける反射膜３の材料た
る純アルミニウムとを用い、両者の反射率の低下特性を
比較すべく、温度６０℃、湿度９０％なる条件下におい
て、加速試験を行った結果を示すグラフであり、本図中
のＯ印は、前記三元合金における反射率の測定結果を、
また０印は、純アルミニウムにおける反射率の測定結果
を夫々示すものである。
第２図は、前記三元合金が、純アルミニウムと略同等の
８０％前後の初期反射率を有することを示していると共
に、該三元合金は、２０日間にわたる加速試験の終了後
においても、反射膜３に要求される反射率の下限値であ
る７５％以上の高反射率を維持しているのに対し、純ア
ルミニウムの反射率は、加速試験を開始してから略２日
経過後に前記下限値に達し、その後急激に低下して、略
１０日経過後において１０％前後にて平衡することを示
している。これは、純アルミニウムが、加速試験時の劣
悪な環境下において急激に酸化し、１０日経過後の十分
に酸化が進行した時点において、１０％前後の反射率に
て平衡するのに対し、三元合金は、これに含有されたチ
タンの酸化抑制効果により、前記環境下においても殆ど
酸化しないからである。
８０％前後の初期反射率を有することを示していると共
に、該三元合金は、２０日間にわたる加速試験の終了後
においても、反射膜３に要求される反射率の下限値であ
る７５％以上の高反射率を維持しているのに対し、純ア
ルミニウムの反射率は、加速試験を開始してから略２日
経過後に前記下限値に達し、その後急激に低下して、略
１０日経過後において１０％前後にて平衡することを示
している。これは、純アルミニウムが、加速試験時の劣
悪な環境下において急激に酸化し、１０日経過後の十分
に酸化が進行した時点において、１０％前後の反射率に
て平衡するのに対し、三元合金は、これに含有されたチ
タンの酸化抑制効果により、前記環境下においても殆ど
酸化しないからである。
以上の如く、この加速試験の結果、反射膜３にお・ける
反射率が、前記下限値たる７５％に達するまでの時間を
反射膜３の寿命とする場合、本発明品における反射膜３
は、従来の光ディスクにおける反射膜３の略１０倍の寿
命を有することが明らかとなり、本発明品は、劣悪な環
境下での長期間の放置にも耐え得るものであることが明
らかとなった。
反射率が、前記下限値たる７５％に達するまでの時間を
反射膜３の寿命とする場合、本発明品における反射膜３
は、従来の光ディスクにおける反射膜３の略１０倍の寿
命を有することが明らかとなり、本発明品は、劣悪な環
境下での長期間の放置にも耐え得るものであることが明
らかとなった。
以上詳述した如く本発明に係る光ディスクは、その−面
に酸化され難いアルミニウム及びチタンからなる二元合
金、又はこれに錫を加えた三元合金の反射膜が形成して
あり、その反射率の経年変化が少ないから、ビットエラ
ー又は再生不能を招来することなく、長期にわたって安
定した情報の再生が可能である等優れた効果を奏する。
に酸化され難いアルミニウム及びチタンからなる二元合
金、又はこれに錫を加えた三元合金の反射膜が形成して
あり、その反射率の経年変化が少ないから、ビットエラ
ー又は再生不能を招来することなく、長期にわたって安
定した情報の再生が可能である等優れた効果を奏する。
図面は本発明の一実施例を示すものであり、第１図は本
発明品の一部の縦断面図、第２図はアルミニウム、チタ
ン及び銀からなる三元合金と純アルミニウムとにおける
反射率の低下特性を示すグラフである。 ｌ・・・基板 ２・・・ピット ３・・・反射Ｍり
特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 失 業 ２ （２）
発明品の一部の縦断面図、第２図はアルミニウム、チタ
ン及び銀からなる三元合金と純アルミニウムとにおける
反射率の低下特性を示すグラフである。 ｌ・・・基板 ２・・・ピット ３・・・反射Ｍり
特 許 出願人 三洋電機株式会社 代理人 弁理士 河 野 登 失 業 ２ （２）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、情報を記録してある基板の一面に、該情報の再生を
行わしめるべく、これに照射される光ビームを反射する
反射膜を形成してなる光ディスクにおいて、 前記反射膜が、アルミニウム及びチタンからなる二元合
金であることを特徴とする光ディスク。 ２、前記二元合金中のチタンの含有率が、１０モル％以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光ディスク。 ３、情報を記録してある基板の一面に、該情報の再生を
行わしめるべく、これに照射される光ビームを反射する
反射膜を形成してなる光ディスクにおいて、 前記反射膜が、アルミニウム、チタン及び銀からなる三
元合金であることを特徴とする光ディスク。 ４、前記三元合金中のチタンの含有率が、１０モル％以
下であり、銀の含有率が、５モル％以下であること を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059442A JPS63224050A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059442A JPS63224050A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 光デイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224050A true JPS63224050A (ja) | 1988-09-19 |
Family
ID=13113405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62059442A Pending JPS63224050A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 光デイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63224050A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02165442A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
| JPH0417670A (ja) * | 1990-05-11 | 1992-01-22 | Kobe Steel Ltd | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 |
| JPH05334727A (ja) * | 1992-05-28 | 1993-12-17 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学式情報記録円盤の反射膜 |
| US5976641A (en) * | 1991-03-07 | 1999-11-02 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | A1 alloy films and melting A1 alloy sputtering targets for depositing A1 alloy films |
| WO2010030004A1 (ja) * | 2008-09-11 | 2010-03-18 | 株式会社神戸製鋼所 | 読み出し専用の光情報記録媒体および該光情報記録媒体の反射膜形成用スパッタリングターゲット |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62059442A patent/JPS63224050A/ja active Pending
Cited By (8)
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