JPS63223652A

JPS63223652A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63223652A
Application number: JP5519487A
Authority: JP
Inventors: Teigo Sakakibara; 悌互榊原; Akio Maruyama; 晶夫丸山; Yuichi Hashimoto; 雄一橋本; Hajime Miyazaki; 宮崎　元
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1987-03-12
Filing date: 1987-03-12
Publication date: 1988-09-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は新規な電子写真感光体に関するものであり、更
に詳しくは特定の分子構造を有するジスアゾ顔料を光導
電層中に含有する電子写真感光体に関するものである。

〔従来の技術〕従来より、光導電性を示す顔料や染料については、数多
くの文献等で発表されている。

例えば、”　ＲＣＡ　Ｒｅｖｉｅｗ”Ｖｏｌ、２３．Ｐ
、４１３〜Ｐ、４１９（１９６２，９Ｊではフタロシア
ニン顔料の光導電性についての発表がなされておジ、ま
たこのフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が米
国特許第３，３９７，０８６号公報や米国特許第３．８
１６，１１８号公報等に示されている。その他に、電子
写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国特
許４，３１５，９８３号公報、米国特許第４．３２７，
１６９号公報や”　Ｒａ５ｅａｅｈ　Ｄｉｓｃｌｏｓｕ
ｒｅ　’２０５１７（１９８１，５Ｊ　　に示されてい
るピリリウム系染料、米国特許第３，８２４，０９９号
公報に示されているスフエアリ、り酸メチン染料、米国
特許第３．８９８，０８４号公報、米国特許第４，２５
１，６１３号公報に示されたジスアゾ顔料等があげられ
る。

この様な有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容易
で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をもつ
ような化合物として合成することができ、このような有
機半導体の被膜を導電性支持体に形成した電子写真感光
体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感
度及び耐久性において実用できるものは、ごく僅がであ
る。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明の目的は新規な光導電性材料を用いた電子写真感
光体を提供することにある。

本発明の他の目的は、現存する全ての電子写真プロセス
においても使用可能であり、実用的な高感度特性と繰り
返しの使用における安定した一位特性を有する電子写真
感光体を提供することにある。

本発明のさらに別の目的は、可視域から近赤外、赤外領
域にまたがる広い分光感度を有する電子写真感光体を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は導電
性支持体上に感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層が下記一般式〔■〕で示されるジスアゾ顔料を
含有することを特徴とする。

一般式（１）中のＲ１，Ｒ２は水素、置換基を有してい
てもよいアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン基、ニト
ロ基、シアノ基を示し具体的にはメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル、５ｅｅ−ブチル、ｔ−ブ
チル、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フッ素、塩素
、ヨウ素、ＪＩＸ、ニトロ、フリル、チオニル、ピロイ
ル等を示す。

Ｒ１，Ｒ２の示すアルキル基、アルコキシ基の置換基と
しては、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル等の
アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノ
キシ等のアルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチル
アミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホ
リノ、ピペリジノ、ピロリジノ等の置換アミノ基等が挙
げられる。

一般式〔Ｉ〕中のＡ、Ａ２はフェノール性のＯＨ基を有
する力グラー残基金示し、Ａ１．　Ａ２の示すカゾラー
残基のより好ましい具体例としては一般式（ＩＩ）〜〔
■〕で示される。

一般式式（ＩＩ）中Ｘはベンゼン環と縮合してナフタレン環、
アントラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール
環、ジベンゾフラン環、ジペンゾナフトフラン環、ジフ
ェニレンサルファイド環等の多環芳香環ないしは、ヘテ
ロ環を形成するに必要な残基金示す。

Ｘの結合した環はナフタレン環、アントラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより好
ましい。

式〔■〕中のＲ５，Ｒ４は水素、置換基を有していても
よいアルキル基、アリール基、アラルキル基、ヘテロ項
基ないしばＲ３，Ｒ４の結合する窒素原子とともに環状
アミノ基を示す。

アルキル基の具体例としてはメチル、エチル、プロピル
、ブチル等が、アラルキル基の具体例としてはベンジル
、７エイ・チル、ナフチルメチル等が、アリール基の具
体例としてはフェニル、ジフェニル、ナフチル、アンス
リル等が、ヘテロ環基の具体例としてはカルバゾール、
ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジン等かめけられる。

一般式式Ｃｍ）　、　（ＩＶ）中のＲ５，Ｒ６は水素、置換−
Ｍを有していてもよいアルキル基、アリール基、アラル
キル基を示す。Ｒ５，Ｒ６の具体例は前記Ｒ，、Ｒ４と
同じ例によって示される。

式〔■〕〜ＣＩＶ）中の置換基Ｒ３〜Ｒ６の示すアルキ
ル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘテ
ロ環基はさらに他の置換基例えはフッ素、塩素、ヨウ素
、臭素等のハロゲン基、メチル、エチル、プロピル、イ
ンプロピル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エトキ
シ、プロポキシ、フェノキシ等のアルコキシ基、ニトロ
基、シアン基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジ
フェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ
等の置換アミノ基によＶ置換きれていてもよい。

一般式式（Ｖ：ｌ　、　ＣＭ）中のＹは芳香族炭化水素の２価
の基ないしは窒素原子ｔ−ＩＪ内に含むヘテロ環の２価
の基を示す。

芳香族炭化水素の２価の基としては０−フェニレン等の
単環式芳香族炭化水素の２価の基、〇−ナフチレン、ペ
リナフチレン、■、２−アンスリレン、９，１０−フェ
ナンスリレン等の縮合多環式芳香族炭化水素の２価の基
が挙げられる。また窒素原子を環内に含むヘテロ環の２
価の基としては、３．４−ピラゾールジイル基、２，３
−ビリノンジイル基、４，５−ピリミジンジイル基、６
，７−インダゾールジイル基、６．７−キラリンジイル
基等の２価の基が挙けられる。

一般式式〔■〕中のＲ７は置換基含有していてもよいアリール
基ないしはへテロ環基含水し具体的にはフェニル、ナフ
チル、アンスリル、ピレニル、ピリジル、チェニル、フ
リル、カルバゾリル基を示す。

Ｒ７の示すアリール基、ヘテロ環基の置換基としてはフ
ッ素、塩素、ヨウ素、臭素等のハロダン基、メチル、エ
チル、プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基
、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシ等のア
ルコキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジ
ベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、モルホリノ、ビ被
リッツ、ピロリジノ等の置換アミノ基が挙げられる。

一般式式〔■〕中のＲ８，Ｒ，は置換基を有していてもよいア
ルキル基、アリール基、アラルキル基、ないしはヘテロ
環基を示し具体的にはメチル、エチル、プロピル、ブチ
ル、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチル、フェニル
、ナフチル、アンスリル、ジフェニル、カルバゾール、
ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾー
ル、チアゾール、ピリジンを示す。

式〔■〕中のＲ８，Ｒ７の示すアルキル基、アリール基
、アラルキル基、ヘテロ環基の置換基としてはフッ素、
塩素、ヨウ素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチル、
プロピル、イソプロピル、ブチル等のアルキル基、メト
キシ、エトキシ、プロポキシ、フェノキシ等のアルコキ
シ基、ニトロ基、シアン基、ジメチルアミノ、ジベンジ
ルアミノ、ジフェニルアミン、モルホリノ、ピｄ　ＩＪ
アミノピロリジノ等の置換アミン基が挙げられる。

一般式（１）中のＢは芳香族キノンもしくは芳香族多環
キノン残基含水し、Ｂの示す残基のより好ましい具体例
としては一般式〔■〕〜〔刈〕で示される。

一般式式〔■〕中Ｒ１０１Ｒ１＋は水素、置換基を有していて
もよいアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す。

Ｒｌｏ、Ｒ１１の具体例は前記Ｒ３，Ｒ４と同じ例てよ
って示される。

一般式式〔Ｘ）中のＲ１２は、水素、置換基を有していてもよ
いアルキル基、アリール基、アラルキル基金示す。Ｒ４
２の具体例は前記Ｒ３，Ｒ４と同じ例によって示される
。

式（Ｘ）　、　［Ｘｌ）中ｏｚ１．ｚ２．ｚ３は置換さ
れていナイか、あるいは置換されても良いベンゼン環、
ナフタレン環などの芳香族及びインドール環、カルバゾ
ール環、ベンゾフラン環等のへテロ環を示す。

一般式式〔刈〕中のＲ１３，Ｒ１４は水素、置換基を有してい
てもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基を示す
。Ｒ５３，Ｒ１４の具体例はＲ５，Ｒ４と同じ例によっ
て示される。

式〔■〕〜〔刈〕中の置換基Ｒ１０−Ｒ’４の示すアル
キル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、ヘ
テロ環基はさらに他の置換基例えばフッ素、塩素、ヨウ
素、臭素等のハロゲン基、メチル、エチル、プロピル、
イングロビル、ブチル等のアルキル基、メトキシ、エト
キシ、プロポキシ、フェノキシ等のアルコキシ基、ニト
ロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジベンジルアミノ、
ジフェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジ
ノ等の置換アミノ基により置換されていてもよい。

以下、本発明で用いるアゾ顔料の具体例を列挙する。

２Ｈ５Ｈ２Ｈ５奮上記具体例で示されるジスアゾ顔料は本発明の特許請求
の範囲を限定するものではない。

これらジアゾ顔料は１種または２種以上組み合わせて用
いることが出来る。また、本発明において用いられるこ
れらの顔料は、例えば一般式［：Ｘｎ１）で示されるジ
アミンを常法により亜硝除塩で処理してテトラゾニウム化し、
次いで一般式（Ｉｆ）〜〔■〕で示されるフェノール性
０Ｈｔ−有するカプラーをアルカリの存在下に水系力、
シリングするか、または前記ジアミンのテトラジニウム
塩ｔ−ＢＦ４塩、ＰＦ６塩あるいｈ塩化亜鉛複塩等の形
で一旦単離した後、適当な溶媒たとえばＮ、Ｎ−ジメチ
ルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の溶媒中でア
ルカリの存在下にカプラーと力、プリングすることＫよ
り容易に製造することができる。次に本発明で用いるジ
スアゾ顔料の代表的な合成例を下記に示す。

合成例（前記例示のジスアゾ顔料Ａ１の合成）　５ＱＱ
ｍ／ビーカーに水１８０１１Ｌ１１濃塩酸３７．４ｍ／
（０，４４モルラ、構造式で表わされる化合物２５．３．９　（０，０６５１モル
）を入れ、氷水浴で冷却しながら攪拌し液温を３℃とし
た。次に亜硝酸ソーダ９．５．９（０，１４モル）を水
１５ｍ／に溶かした液を液温０〜５℃の範囲にコントロ
ールしながら２５分間で滴下し、滴下終了後同温度で更
に３０分間攪拌した。反応液にカーがンを加え、濾過し
てテトラゾ液を得た。

次に３１ビーカーに水１．５１　ｔ−入れ、水酸化ナト
リウム４７．３．９（１，１８モル）を溶解した後ナフ
トールＡｓ（３−ヒドキシ−２−ナフトエ酸ア二リド）
　３６．３　、Ｆ　Ｃ０，１３８モルフを添加して溶解
した。このカプラー溶液ｔ−６℃に冷却し、液温を６〜
１０℃にコントロールしながら前述のテトラゾ化成ｔ−
３０分間かけて攪拌下滴下して・その後２時間攪拌し、
更に一晩放置した。反応液を濾過後水洗いし、固形分換
算で５１．５＃の水ペーストを得た。次に９００ｄのＮ
、Ｎ−ジメチルホルムアミドを用い、室温で攪拌波過を
４回繰り返した。その後ｃ＋ｏｏｍｚのメチルエチルケ
トンで２回攪拌濾過を繰り返した後減圧乾燥し、精製顔
料４３．７１（収率７５．８％）を得た。

融点〉３００℃ 元素分析計算値（旬　　　実験値Ｃ７８，１７７８，１３Ｈ４，３１４，２７Ｎ　　　　８．９７　　　　　８．９５以上代表的な顔
料の合成法について述べたが、一般式ＣＩ）で示される
他のジスアゾ顔料も同様にして合成される。

前述のジスアゾ顔料を有する被膜は光導電性を示し、従
って下達する電子写真感光体の・感光層に用いることが
できる。

すなわち、本発明の具体例では導電性支持体の上に前述
のジスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることにより電子写真感光体を製造することができる。

本発明の好ましい具体例では、感光層を電荷発生層と電
荷輸送層に機能分離した電子写真感光体における電荷発
生層として、前述の光導電性被膜を適用することができ
る。

電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くの前述の光導電性を示すジアゾ顔料を含有し、且つ
発生した電荷キャリアが電荷輸送層と界面ないしは導電
性支持体との界面まで効率的に輸送されるために被膜層
、例えば５μ以下、好ましくは０．０１〜１μの膜厚を
もつ薄膜層とすることが好ましい。このことは、入射光
量の大部分が電荷発生層で吸収されて、多くの電荷キャ
リアを生成すること、さらに発生した電荷キャリアを再
結合や捕獲（トラッｆ）により失活することなく電荷輸
送層に注入する必要があることに帰因している。

電荷発生層は、前述のジアゾ顔料を適当なバインダーに
分散させ、これを支持体の上に塗工することによって形
成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成すること
によって得ることができる。

上記バインダーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき
、またポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアン
トラセンやポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマ
ーから選択できる。好ましくｌｄ、／リピニルブチラー
ル、ポリビニルペンゾールポリアリレート（ビスフェノ
ールＡとフタル酸の縮重合体など。ノボリカーボネート
、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢叡ビニル、ア
クリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリアミド、ポリビ
ニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタン樹脂、エポ
キシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げることができる。

電荷発生層中に含有する樹脂は、８０′Ｎ量係以下、好
ましくは４０重ｔチ以下が適している。

電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これの電荷キャリアを表面
まで輸送できる機能を有している。この際、この電荷輸
送層は、電荷発生層の上に積層されていてもまたその下
に積層されていてもよい。

電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合、電荷輸
送層における電荷キャリアを輸送する物質（以下、単に
電荷輸送物質という）は、前述の電荷発生層が感応する
電磁波の波長域に実質的に非感応性であることが好まし
い。ここで言う「電磁波」とは、γ線、Ｘ線、紫外線、
可視光線、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包含する
広義の「光線」の定義を包含する。電荷輸送層の光感応
性波長域が電荷発生層のそれと一致またはオーツ々−ラ
、プする時には、両者で発生した電荷キャリアが相互に
捕獲し合い、結果的には感度の低下の原因となる。

電荷輸送物質には電子輸送性物質と正孔輸送性物質があ
る。電子輸送性物質としては、クロルアニル、テトラシ
アノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２．４．５
．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，４，５．
７−チトラニトロキサントン、２．４．８−　）リニト
ロチオキサントン等の電子吸引性物質やこれら電子吸引
性物質を高分子化したもの等がある。

正孔輸送性物質としては、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾ
ール、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェノチア
ジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−
ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒ
ド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ノエチルペン
ズアルデヒドー３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒ
ドラゾン等のヒドラゾン類、２．５−ビス（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）　−１，３，４−オキサジアゾール
、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−〔ピリジル（２）　］　−３−（ｐ　−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−〔ピリジル−（３）　）　−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル７）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−〔ピリジル（２Ｊ　）　
−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル、４−メチル−５
−（ｐ−ジエチルアミノフェニルノピラゾリン、１−７
エニルー３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メ
チル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン
、スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−（ｐ−ジ
エチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノペンズオ
キサゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノフェニルＪ−４
−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（２−クロロ
フェニル）オキサソール等のオキサゾール系化合物、２
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−６−ジニチルアミ
ノペンゾチアゾール等のチアゾール系化合物、ビス（４
−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル戸フェニルメタ
ン等のトリアリールメタン系化合物、１．１−ビス（４
−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）へブ
タン、１，１．２．２−テトラキス（４−Ｎ、Ｎ−ジメ
チルアミノ−２−メチルフェニル）エタン等のポリアリ
ールアルカン類、トリフェニルアミン、ポリ−Ｎ−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアント
ラセン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェ
ニルアントラセン、ピレンーホルムアルデヒｔ’　樹ｊ
ｌ　、ｘ　ｆ　ルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂等
がある。

これらの有機電荷輸送物質の他に、セレン、セレン−テ
ルルアモルファスシリコン、硫化カドミウムなどの無機
材料も用いることができる。

また、これらの電荷輸送物質は、１種または２種以上組
合せて用いることができる。

電荷輸送物質に成膜性がない時には、適当なバインダー
を選択することによって被膜形成できる。

バインダーとして使用でさぁ樹脂は、例えばアクリル樹
脂、ポリアクリレート、ポリエステル、ポリカーブネー
ト、テリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、あるいはポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレンなどの有
機光導電性ポリマーを挙げる事ができる。

電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限界があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない。一般的
には、５〜３０μであるが、好ましい範囲は８〜２０μ
である。塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前
述した様な適当なコーティング法を用いることができる
。

この様な電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる感
光層は、導電層を有する支持体の上に設けられる。導電
層を有する支持体としては、支持体自体が導電性をもつ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、パナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金や白金などを用いるこ
とができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、
酸化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金
などを真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプ
ラスチ、り（例えばポリエチレン、ポリ゛プロピレン、
ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、アクリ
ル樹脂、ポリフッ化エチレンなど〕、導電性粒子（例え
は、カーデンブラック、銀粒子など）を適当なバインダ
ーとともにグラスチックの上に被覆した支持体、導電性
粒子をプラスチックや紙に含浸した支持体や導電性ポリ
マーを有するプラスチックなどを用いることができる。

導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引層全般けることもできる。下引層ハ、カゼイン、
ぼりビニルアルコール、ニトロセルロース、エチレン−
アクリル敵コポリマー、ポリアミド（ナイロン６、ナイ
ロン６６、ナイロン６１０、共重合ナイロン、アルコキ
シメチル化ナイロンなど）、ポリウレタン、ゼラチン、
酸化アルミニウムなどによって形成できる。

下引層の膜厚は、０．１〜５μ、好ましくは０．５〜３
μが適当である。

導電層・電荷輸送層・電荷発生層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり、帯電後露光すると、露光部では電荷発生層にお
いて生成した電子は電荷輸送層に注入され、そのあと基
盤に達する。一方電荷発生層において生成した正孔は表
面に達し表面電位の減衰が生じ未露光部との間に静電コ
ントラストが生じる。この様にしてできた静電潜像を正
荷電性のトナーで現像すれば可視像が得られる。これを
直接定着するか、あるいはトナー像を紙やグラスチック
フィルム等に転写後現像し定着することができる。また
、感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後現像
し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方法、
定着方法は従来のものを採用してもよく、特定のものに
限定されるものではない。

一方、電荷発生層が正孔輸送性物質からなるときは、電
荷発生層表面を正に帯電する必要があり１帯電後露光す
ると露光部では電荷発生層において生成し叱正孔は電荷
輸送層に注入されその後基盤に達する。一方電荷発生層
において生成した電子は表面に達し表面電位の減衰が生
じ未露光部との間に静電コントラストが生じる。現像時
には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に負電荷性トナ
ーを用いる必要がある。

本発明の別の具体例としては前述の一般式（１）で示さ
れるジスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有
させた電子写真感光体を挙げることができる。この際前
述の電荷輸送物質の他にポリ−Ｎ−ビニルカルバシール
ドトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯体化合物
ヲ゛用いることができる。この例の電子写真感光体は前
述のジスアゾ顔料と電荷移動錯体化合物をテトラヒドロ
フランに溶解されたポリエステル溶液中に分散させた後
、被膜形成させて製造できる。

いずれの感光体においても用いる顔料は一般式［Ｉ）で
示されるジスアゾ顔料から選ばれる少なくとも一種類の
顔料を含有し、その結晶形は非晶質であっても結晶質で
あってもよい。又、必要に応じて光吸収の異なる顔料を
組合せて使用し感光体の感度を高めたｐ１パンクロマチ
ックな感光体を得るなどの目的で一般式ＣＤで示される
ジスアゾ顔料を２種類以上組合せたり、または公知の染
料、顔料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用する
とさも可能である。

本発明の電子写真感光体は電子写真複写機て利用するの
みならず、レーザープリンターやＣＲＴ　ｆリンター、
ＬＥＤプリンター、液晶プリンター、レーザー製版等の
電子写真応用分野にも広く用いる事ができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例によって説明する。

実施例１〜１５アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液（カゼイン１
１．２％、アンモニア水Ｉ！！、水２２２．ｄ　）をマ
イヤーパーで乾燥後の膜厚が１．０μとなる様に塗布し
乾燥した。

次に前記例示のジスアゾ顔料Ａ１５Ｊｉ’をエタノール
９５ｍＪにブチラール樹脂（ブチラール化度６３モル％
）２ｆＩを溶かした液に加え、サンドミルで２時間分散
した。この分散液を先に形成したカゼイン層の上に乾燥
後の膜厚が０．５μとなる様にマイヤーパーで塗布し、
乾燥して電荷発生層を形成した。次いで構造式のヒドラゾン化合物５ｙとポリメチルメタクリレート樹
脂（数平均分子量１０００００　）、５　ｇをベンゼン
７０ｍ１に溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥後の膜
厚が１２μとなる様にマイヤーパーで塗布し乾燥して電
荷輸送層を形成し、実施例１の電子写真感光体を作成し
た。ジスアゾ顔料黒１に代えて第１〜５表に示す他の例
示顔料を用い実施例２〜１５に対応する電子写真感光体
を全く同様にして作成した。

この様にして製造した電子写真感光体を静電複写紙試験
装置（Ｍｏｄｅｌ　ＥＰＡ　−８１００川口電機（株〕
製）を用いてスタテイ、り方式で−５ｋＶでコロナ帯電
し暗所で１秒間保持した後、照度２１ｕｘで露光し帯電
特性を調べた。

帯電特性としては表面電位（ｖｏ）と１秒間暗減衰させ
た時の電位を１／２に減衰するに必要な露光量（Ｅ１／
２　）を測定した。この結果を第１表に示す。

第　　１　　表第１表の結果から本発明になる電子写真感光体はいずれ
も十分な帯電能と十分な感度を有している事が判る。

実施例１６〜２０実施例１．２，４，６．１０に用いた電子写真感光体を
用い、繰シ返し使用時の明部電位と暗部電位の変動を測
定した。方法としては−５，６ｋＶのコロナ帯電器、露
光光学系、現像器、転写帯電器、除電露光光学系および
クリーナーを備えて電子写真複写機のシリンダーに電子
写真感光体を貼り付けた。この複写機はシリンダーの駆
動に伴い、転写紙上に画像が得られる構成になっている
。この複写機を用いて初期の明部電位（Ｖｔ、）と暗部
電位（ＶＤＪをそれぞれ一１００ｖ、−６００ｖ付近に
設定し５０００回使用した後の明部電位（ｖＬ）暗部電
位（Ｖｎ）を測定したこの結果を第２表に示す。

第　　２　　表実施例２１実施例１で作成し７１ｃ電荷発生層の上に、２．４．７
−ドリニトロー９−フルオレノン５１Ｉとポリ−４，４
′−ジオキシジフェニル−２，２′−プロノ母ンカーが
ネート（分子量３００．０００）５．Ｆ會テトラヒドロ
フラン７０ゴに溶解して調製した塗布液を乾燥後の塗工
量が１０１／／ｍ”となる様に塗布し、乾燥した。

こうして製造した電子写真感光体を実施例１と同様の方
法で帯電測定を行なった。この時、帯電極性は十とした
。この結果を第３表に示す。

第３表Ｖｏ：＄　６１０ボルトＥ１／２　：　３．７１ｕｘ−ｓｅｃ実施例２２アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に膜厚０．５μのポリビニルアルコールの被膜を
形成した。次に実施例１で用いたジスアゾ顔料の分散液
を先に形成したポリビニルアルコール層の上に乾燥後の
膜厚が０．５μとなる様にマイヤーパーで塗布し、乾燥
して電荷発生層を形成した。次いで構造式のピラゾリン化合物５Ｉｉとボリアリレート樹脂（ビス
フェノールＡとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体
）５１１’ｊｆ：テトラヒドロフラン７Ｑｍ／に溶かし
た液を電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が１０μとなる様
に塗布し、乾燥して電荷輸送層を形成した。こうして製
造した電子写真感光体の帯電特性および耐久特性を実施
例１及び実施例１６〜２０と同様の方法によって測定し
た。この結果を第４表に示す。

第４表Ｖｏ　：０５９０デルトＥ１／２　：　３．６１ｕｘＨｓｅｃ耐久特性第４表の結果より上記電子写真感光体は感度も良く耐久
使用時の電位安定性も良好である。

実施例２３厚さ１００μのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布し、乾燥して膜厚０．５μの下引層を形成した
。

次に、２，４．７−　）ジニトロ−９−フルオレノン５
Ｉとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（数平均分子量３０
００００　）５Ｊｔ−テトラヒドロフラン７０ゴに溶か
して電荷移動錯体化合物を形成した。この電荷移動錯体
化合物と前記例示のジスアゾ顔料Ａ３　１＃をポリエス
テル樹脂（パイロン：東洋紡製）５１１″Ｉｋテトラヒ
ドロフラン７０ｍ１に溶かした液に加え分散した。この
分散液を下引層の上に塗布し、乾燥して厚さ１２μの電
子写真感光体を製造した。

こうして製造した電子写真感光体の帯電特性を実施例１
と同様の方法によって測定した。この結果を第５表に示
す。但し帯電極性は■とした。

第５表 ■。　：の６００ゲルトＥ１／２　：　３．１１ｕｘ−ｓｅｃ実施例２４実施例２３で用いたアルミ支持体のカゼイン層上に実施
例１の電荷輸送層、電荷発生層を順次積層し、層構成を
異にする以外は実施例１と全く同様にして電子写真感光
体を製造し、実施例１と同様に帯電特性を測定した。た
だし帯電極性をのとした。この結果を第７表に示す。

第７表ｖｏ：の６００？ルトＥ１／２　：　　３．４１ｕｘ・ｓｅｃ実施例２５実施例１０で用いた電子写真感光体？ニア８０ｎｍに発
振波長をもつ半導体レーザーにより露光したところ、７
８０ｎｍにおける分光感度は１．８μＪ／α２（半減露
光量）であった。

次にこの感光体をキャノンＬＢＰ　−ＣＸのドラムに塗
布し実写テストを行なったところ、カプリのない良好な
画像が得られた。また、これは５０００回繰り返しても
変ることはなかった。

実施例２５実施例２５において例示化合物（４２３）Ｋ代えて潟（
１８）、（１９Ｊ、（２４）、（２５）を用いた他は、
同様にしてドラム状の電子写真感光体を製造した。それ
ぞれの電子写真感光体の７８０ｎｍにおける分光感度は
第８表に示す通りであった。

第８表例示化合物　　　　１８１９２４２５半減露光ｉｋ（μＪ／ｃｍ”　）　　２．２　２．８　
１．９　２．０次に実施例２５と同様にして実写テスト
を行なったところカプリのない画像が得られ、これは５
０００回繰り返しても変化はなかった。

〔発明の効果〕

本発明によると特定のアゾ顔料を感光層に用いる事によ
り当該のアゾ顔料を含む感光層内部に於けるキャリアー
発生効率ないしはキャリアー輸送効率にいずれの一方な
いしは双方が良くなる事が推定され、高感度で耐久使用
時に於ける電位安定性のすぐれた感光体が得られる。ま
た、半導体レーデ−の発振波長域においても高感度でカ
プリのない良好な画像を得ることができる。さらに本発
明の電子写真感光体は可視域から近赤外、赤外領域にま
たがる広い分光感度を有するものである。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性支持体上に感光層を有する電子写真感光体
において、該感光層が下記一般式［ I ］で示されるジ
スアゾ顔料を含有することを特徴とする電子写真感光体
。 ▲数式、化学式、表等があります▼［ I ］（ただし式［ I ］中Ｒ＿１、Ｒ＿２は水素、アルキル
基、アルコキシ基、ハロゲン基、ニトロ基またはシアノ
基を示し、Ｒ＿１、Ｒ＿２は同じであっても異なってい
てもよい。式［ I ］中Ａ＿１、Ａ＿２はフェノール性ＯＨ基を有
するカプラー残基を示し、Ａ＿１、Ａ＿２は同じであっ
ても異なっていてもよい。式［ I ］中Ｂは芳香族キノンもしくは芳香族多環キノ
ン残基を示す。）
（２）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［II］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［II］（式［II］中Ｘはベンゼン環と縮合して多環芳香環ない
しは、ヘテロ環を形成するに必要な残基を示す。式［II］中Ｒ＿３およびＲ＿４は水素、置換基を有して
いてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリ
ール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換
基を有していてもよいヘテロ環基ないしはＲ＿３、Ｒ＿
４の結合する窒素原子とともに環状アミノ基を示す。）
（３）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［III］で示される特許請求の範囲第（１）項
記載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［III］（式［III］中のＲ＿５はアルキル基、アリール基、ま
たはアラルキル基で、これらの基は置換基を有していて
もよい。）
（４）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［IV］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［IV］（式［IV］中のＲ＿６はアルキル基、アリール基、また
はアラルキル基で、これらの基は置換基を有していても
よい。）
（５）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［Ｖ］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｖ］（式［Ｖ］中のＹは芳香族炭化水素の２価の基ないしは
窒素原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。）
（６）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［VI］で示される特許請求の範囲第（１）項記
載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［VI］（式［VI］中のＹは芳香族炭化水素の２価ないしは窒素
原子を環内に含むヘテロ環の２価の基を示す。）
（７）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［VII］で示される特許請求の範囲第（１）項
記載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［VII］（式［VII］中のＲ＿７は置換基を有していても良いア
リール基ないしは置換基を有していても良いヘテロ環基
を示し、Ｘは前記一般式［II］中のＸと同じ意味を表わ
す。）
（８）前記一般式［ I ］中のＡ＿１およびＡ＿２が下
記一般式［VIII］で示される特許請求の範囲第（１）項
記載の電子写真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［VIII］（式［VIII］中のＲ＿８、Ｒ＿９はアルキル基、アリー
ル基、アラルキル基、またはヘテロ環基で、これらの基
は置換基を有していても良い。Ｘは前記一般式［II］中
のＸと同じ意味を表わす。）
（９）前記一般式［ I ］中のＢが下記一般式［IX］で
示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感光
体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［IX］（式［IX］中Ｒ＿１＿０、Ｒ＿１＿１は前記一般式［
I ］中のＲ＿１と同じ意味を表わす。）
（１０）前記一般式［ I ］中のＢが下記一般式［Ｘ］
で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真感
光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｘ］（式［Ｘ］中Ｒ＿１＿２は前記一般式［ I ］中のＲ＿
１と同じ意味を表わす。Ｚ＿１は芳香族またはヘテロ環
を示す。）
（１１）前記一般式［ I ］中のＢが下記一般式［Ｘ I
］で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子写
真感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［Ｘ I ］（式［Ｘ I ］中Ｚ＿２、Ｚ＿３は前記一般式［Ｘ］中
のＺ＿１と同じ意味を表わし、同じであっても異なって
いてもよい。）
（１２）前記一般式［ I ］中のＢが下記一般式［ＸII
］で示される特許請求の範囲第（１）項記載の電子写真
感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼［ＸII］（式［ＸII］中のＲ＿１＿３、Ｒ＿１＿４は前記一般式
［ I ］中のＲ＿１と同じ意味を表わす。）