JPS63223553A - 半導体式ガスセンサの製造方法 - Google Patents

半導体式ガスセンサの製造方法

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Publication number
JPS63223553A
JPS63223553A JP5675887A JP5675887A JPS63223553A JP S63223553 A JPS63223553 A JP S63223553A JP 5675887 A JP5675887 A JP 5675887A JP 5675887 A JP5675887 A JP 5675887A JP S63223553 A JPS63223553 A JP S63223553A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
insulating substrate
gas
lead
insulating layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP5675887A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Matsuzaka
孝 松坂
Masayuki Shiratori
白鳥 昌之
Hiroteru Okazaki
岡崎 洋暉
Masamichi Ipponmatsu
正道 一本松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Osaka Gas Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Osaka Gas Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Osaka Gas Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5675887A priority Critical patent/JPS63223553A/ja
Publication of JPS63223553A publication Critical patent/JPS63223553A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的1 (産業上の利用分野) この発明は、ガス漏れ警報器などに用いる半導体式ガス
センサの製造方法に関する。
(従来の技術) 近年、ガス漏れによる爆発事故が多発するようになり、
必要に迫られてガス漏れ警報器を取付ける家庭が増えて
いる。
このような家庭用のガス漏れ警報器に用いられるガスセ
ンサとしては、たとえば半導体式ガスセンサがあり、そ
の−例を第4図に示す。
第4図において、1は本体の基部となるステムで、その
ステム1にはリードビン2a、2b。
2c、2d、2e、2fが植設されている。そして、こ
れらリードビンにそれぞれリード線3を介して絶縁管4
が接続される。この絶縁管4は、内部にヒータを内蔵す
るとともに、外周面に一対の電極を対向して設け、その
各電極の上に感ガス体を設けたもので、リード線3によ
り、ヒータの両端がリードビン2b、 2e、一方の電
極がリードビン2a、2c、他方の電極がリードビン2
d。
2f1.:電気的に接続される。なお、ステム1には図
示していないネットキャップが被せられる。
すなわち、ヒータで絶縁管4を熱した状態において、大
気中のガスの濃度に応じて各電極間の感ガス体の抵抗値
が変化する。これをセンサ出力として取出すものである
ところで、このような従来の半導体式ガスセンサでは、
絶縁管4がリード線3によって保持される形となってい
るが、リード線3としては白金(Pt)等の細線(約0
.1φ)が採用されており、しかもリード線3と絶縁管
4との接続部はリード線が感ガス体に対して潜り込んだ
状態となっているため、過度の衝撃が加わるとリード線
3が断線したり、感ガス体の破損を招くなどの問題があ
る。
そこで、最近、絶縁基板にヒータを内蔵し、その絶縁基
板の上面に一対の電極を対向して設け、さらにその各電
極の上に感ガス体を設けて平板形の素子を形成し、それ
をリードフレームにて保持するようにした半導体式ガス
センサが開発されつつある。これは、保持部材としてリ
ードフレームを採用し、しかもリードフレームと感ガス
体との非接触状態を保つことにより、衝撃に対する十分
な強度および安全を確保し、半導体式ガスセンサの弱点
と云われている耐久性を改善するものである。
(発明が解決しようとする問題点) ただし、このような平板形の素子の場合、ヒータを絶縁
基板に対する印刷によって形成しており、その印刷時の
位置ずれがヒータ抵抗のばらつきとなって現われ、感ガ
ス特性に悪影響を及ぼすという問題がある。
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、ヒータ抵抗のばらつきを小さ
く抑えることができ、これにより常に適正な感ガス特性
を得ることができる信頼性にすぐれた半導体式ガスセン
サの製造方法を提供することにある。
[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 予め成形したヒータを絶縁基板に埋込み、その上に絶縁
層を設け、その絶縁層上に一対の電極および感ガス体を
設ける (作用) 予め成形したヒータの採用により、ヒータ抵抗のばらつ
きを小さく抑えることができる。
(実施例) 以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。
第1図、第2図、および第3図において、11は本体の
基部となるステムで、そのステム11にリードビン12
a、12b、12c、12dが植設されている。そして
、これら9−ドビンにそれぞれリードフレーム13を介
して矩形状の絶縁基板14が接続される。つまり、リー
ドビンおよびリードフレームにより、絶縁基板14が保
持される。ここで、リードフレーム13は、厚さが約1
00ミクロンの板状のもので、純ニッケルを材質として
いる。絶縁基板14は、アルミナを主成分(93%)と
するセラミックを材質としている。
また、絶縁基板14は、底板14aと上板(絶縁層)1
4bとからなり、予め線状に成形された白金(Pt)−
タングステン(W)製のヒータ15を底板14aに螺旋
状に埋込み、それに上板14bを1層している。そして
、上板14bの上面の対角線上に一対の電極(金)16
.17を対向配設し、その電極16.17の全周を被覆
するように感ガス体18を設けている。この感ガス体1
8は、膜状のものをスクリーン印刷法などで印刷した後
、高温焼成(500℃〜800℃)することにより形成
される。
さらに、絶縁基板14の上面(上板14b)の四隅には
対角の位置にそれぞれ電極リード用ポンディングパッド
19.19およびヒータリード用ポンディングパッド2
0.20が設けられる。電極リード用ポンディングパッ
ド19.19は電極16.17とそれぞれ電気的に導通
され、ヒータリード用ポンディングパッド20.20は
ヒータ15の両端とそれぞれ電気的に導通される。しか
して、電極リード用ポンディングパッド19゜19に対
してリードフレーム13の一端がパラレルギャップウエ
ルダにて接合され、そのリードフレーム13の他端はリ
ードビン12b、12dの上部に同じくパラレルギャッ
プウェルダにて接合される。一方、ヒータリード用ポン
ディングパッド20.20に対してリードフレーム13
の一端がパラレルギャップウエルダにて接合され、その
リードフレーム13の他端はり−ドビン12a。
12Cの上部に同じくパラレルギャップウェルダにて接
合される。
なお、ステム11上にはネットキャップ21が被せられ
る。
つぎに、上記のような構成において作用を説明する。
リードビン12a、12c間に電圧が印加されると、ヒ
ータ15が発熱し、絶縁基板14が熱せられる。この状
態において、大気中に所定のガスが存在すると、それに
感ガス体18が反応し、ガスの濃度に応じて電極16.
17間の抵抗値が変化する。そして、抵抗値変化がセン
サ出力としてリードビン12b、12dから取出される
ところで、ヒータ15は予め成形したものであり、その
寸法精度を高くすることでヒータ15の抵抗値のばらつ
きを小さく抑えることができる。
このように寸法精度を高めることは容易に実行できるも
のである。
こうして、ヒータ15の抵抗値のばらつきを小さく抑え
ることができることにより、絶縁基板14の加熱温度の
安定化を図ることができ、よって常に適正な感ガス特性
を得ることができる。つまり、適正なガス検知を行なう
ことができ、信頼性の向上が図れる。
また、ヒータ15を絶縁基板14の底板14aに埋め込
む形としているので、熱膨張による断線や腐蝕による断
線、さらにはヒータ外れなどを防ぐことができ、耐久性
にもすぐれたものとなる。
なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく
、要旨を変えない範囲で種々変形実施可能である。
[発明の効果] 以上述べたようにこの発明によれば、予め成形したヒー
タを絶縁基板に埋込み、その上に絶縁層を設け、その絶
縁層上に一対の電極および感ガス体を設けるようにした
ので、ヒータ抵抗のばらつきを小さく抑えることができ
、これにより常に適正な感ガス特性を得ることができる
信頼性にすぐれた半導体式ガスセンサの製造方法を提供
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例における半導体式ガスセン
サの全体的な構成を示す斜視図、第2図は第1図におけ
る要部の具体的な構成を示す斜視図、第3図は第2図に
おける絶縁基板およびヒータを分解して示す斜視図、第
4図は従来における半導体式ガスセンサの一例を概略的
に示す斜視図である。 14・・・絶縁基板、14 a 川底板、14b・・・
上板(絶縁層)、15・・・ヒータ、16.17・・・
電極、18・・・感ガス体。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 J 窮2 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 予め成形したヒータを絶縁基板に埋込み、その上に絶縁
    層を設け、その絶縁層上に一対の電極および感ガス体を
    設けることを特徴とする半導体式ガスセンサの製造方法
JP5675887A 1987-03-13 1987-03-13 半導体式ガスセンサの製造方法 Pending JPS63223553A (ja)

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JP5675887A JPS63223553A (ja) 1987-03-13 1987-03-13 半導体式ガスセンサの製造方法

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JPS63223553A true JPS63223553A (ja) 1988-09-19

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ID=13036402

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JP5675887A Pending JPS63223553A (ja) 1987-03-13 1987-03-13 半導体式ガスセンサの製造方法

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