JPS63223175A - 非晶質シリコン被膜の形成方法 - Google Patents

非晶質シリコン被膜の形成方法

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Publication number
JPS63223175A
JPS63223175A JP5419887A JP5419887A JPS63223175A JP S63223175 A JPS63223175 A JP S63223175A JP 5419887 A JP5419887 A JP 5419887A JP 5419887 A JP5419887 A JP 5419887A JP S63223175 A JPS63223175 A JP S63223175A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon film
amorphous silicon
chloropolysilane
film
heated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5419887A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Ikeda
洋 池田
Makoto Tsunashima
綱島 真
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Metal Corp
Original Assignee
Mitsubishi Metal Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Metal Corp filed Critical Mitsubishi Metal Corp
Priority to JP5419887A priority Critical patent/JPS63223175A/ja
Priority to KR870010937A priority patent/KR880005031A/ko
Priority to EP87114667A priority patent/EP0264722A3/en
Publication of JPS63223175A publication Critical patent/JPS63223175A/ja
Priority to US07/456,572 priority patent/US5034208A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は非晶質シリコン被膜の形成方法に関する。非晶
質シリコンの膜は非常に硬く、種々の材料の表面にコー
ティングして表面硬化膜として近年特に注目されている
〈従来技術とその問題点〉 これまで、非晶質シリコンの膜は、SiH4゜Si2 
H6,5i3HB等の熱分解によって行なわれていた。
しかし、これらの化合物は酸素に対して極めて不安定で
あり、爆発の危険があり、不活性雰囲気中で作業する必
要があり1価格も必ずしも安価でない、また、これらの
化合物は蒸気圧が高く、#圧ボンベに貯蔵しなければな
らず、取扱いにくく、そのための経費も問題である。
く問題を解決するための手段〉 本発明者らは、比較的安価に得られ、爆発性もないクロ
ロポリシラン、特にヘキサクロロジシランを用いて非晶
質シリコン膜を形成できることを見出だした。
〈発明の構成〉 本発明は、250℃〜700℃に加熱したノ^体に、不
活性気体で5客用%以下に稀釈されたクロロポリシラン
(S +、?LC12/rL+:z、n22)を接触さ
せることからなる非晶質シリコン被膜の形成方法を提供
する。
本発明の方法は、250℃〜700″Cに加熱できる剛
体材料にはすべて適用できる。
本発明方法において使用される、クロロポリシランは、
一般に、S i、71CtMtl  (ただしn≧2)
で表されるが、代表的には、ヘキサクロロジシラン、オ
クタクロロトリシラン、hに前者である。
基体の加熱は何によってもよいが、レーザー、紫外線、
プラズマを使用してもよい、加熱温度が250℃未満で
はクロロポリシランが分解しにくく、700″Cを越え
る温度では、分解生成するシな不活性気体で5容量%以
下、好ましくは2%以ドに稀釈して使用する。特に膜形
成の初期の間はゆっくり分解させる方が、膜の基体への
固着が良好である。5%を越えると良好な膜生成を行な
えない。
本発明の方法は基体によく固着した非晶質シリコンの膜
を与え、膜厚2000A以下ならば、膜は透明であって
、基体材料の外観を損なわない。
このシリコンI漠は、非常に硬くビッカース硬度が14
00以上ある。また化学的に極めて安定であって、6酸
に侵されない。
〈発明の具体的開示〉 以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例1 1m立方の反応容器のなかに、裏面からニクロム線で4
00℃に加熱した30cm四方のガラス板を置き、ヘキ
サクロロジシラン(0,02g / win) トアル
ゴン(100ml#+in)を40時間吹き込んだ。未
反応のへキサクロロジシランは循環して使用した。生成
する塩素ガスは水酸化ナトリウム液に吸収させた。これ
により、ガラス面に1000人の透明のシリコン膜が形
成され、ラマン分光によって非晶質であることが確認さ
れた。
このように処理したガラス板は透明で、そのシリコン層
はどツカース硬度が1490あり、8゜°Cの6規定塩
酸に100時間浸漬しても、なんら表面の変化がなく、
表面保護膜として役立つと判断される。
比較例1 ガラス板の加熱温度を200℃として実施例1の操作を
繰り返した。シリコン膜は形成されなかった。
比較例2 ガラス板の加熱温度を800℃として実施例1の操作を
繰り返した。シリコン膜は形成されたが膜は透明でなく
、ラマン分析により多結晶であることが確認された。
実施例2 ガラス板の加熱温度を250℃として実施例1の操作を
縁り返した。非晶質のシリコン膜by形成され、そのビ
ッカース硬度は1420であり、実施例1と同様の試験
で酸に侵されなかった。
実施例3 ガラス板の加熱温度を700℃として実施例1の操作を
緑り返した。非晶質のシリコン膜は形成され、そのビッ
カース硬度は1430であり、同様の試験で、酸に侵さ
れなかった。
実施例4 実施例1と同じ反応容器に、厚さ1mmで3 0m四方
の金の板を加熱炉中の反応管内で300℃に加熱し、実
施例1と同様の条件でシリコン膜を形成した。このよう
に処理した金の板は全く金と同じ外観を呈するが、シリ
コン膜のビッカース硬度は1415であった。同様の試
験でシリコン膜は酸に侵されなかった。
実施例5 実施例1と同じ反応容器に、厚さ2■で5  am四方
の銀の板を加熱炉中の反応管内で300℃に加熱してお
き、実施例1と同様の条件でシリコン膜を形成した。こ
のように処理した銀の板は全く金と同じ外観を呈するが
、シリコン膜のビッカース硬度は1421であった。同
様の試験でシリコン膜は酸に侵されなかったが、銀の露
出した部分は硝酸に侵された。
実施例6 表面を陽極酸化したアルミニウム板を使用し、加熱炉中
の反応管内で400″Cに加熱し、実施例1の操作を繰
り返した。得られたシリコン被W1膜のビッカース硬度
は1418であり、同様の試験において、酸に侵されな
かった。
実施例7 複雑な形状をした錫の装飾花器を300°Cに加熱して
、実施例1と同様に処理した。花器の内部も、切れ込み
部の底部もよくシリコン膜で被覆され、鍋蓋は酸に対し
てよく保護された。
実施例日 実施例1と同じ反応容器に、厚さ41で50cm四方の
軟鋼の板を1m3のチャンバー内に設置されたニクロム
線で300℃に加熱し、実施例1と同様の条件でシリコ
ン膜を形成した。このように処理した軟鋼の板は全く軟
鋼と同じ外観を呈するが、シリコン膜のビッカース硬度
は1490であった。同様の試験で、シリコン膜は酸に
侵されなかったが、軟鋼の露出した部分は酸には溶解し
た。
実施例9〜11、比較例1 ヘキサクロロジシランの濃度を変えて実施例1と同様の
反応を行なった。稀釈ガスにはアルゴンを用いた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 250℃〜700℃に加熱した基体に、不活性気体
    で5容量%以下に稀釈したクロロポリシラン(Si_n
    LCl_2_n_+_2、n≧2)を接触させることか
    らなる非晶質シリコン被膜の形成方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の方法であって、クロロ
    ポリシランが不活性気体で2容量%以下に稀釈されて使
    用される方法。 3 特許請求の範囲第1項記載の方法であって、クロロ
    ポリシランがヘキサクロロジシラン(Si_2Cl_6
    )である方法。
JP5419887A 1986-10-09 1987-03-11 非晶質シリコン被膜の形成方法 Pending JPS63223175A (ja)

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JP5419887A JPS63223175A (ja) 1987-03-11 1987-03-11 非晶質シリコン被膜の形成方法
KR870010937A KR880005031A (ko) 1986-10-09 1987-09-30 비정질 실리콘의 제조방법
EP87114667A EP0264722A3 (en) 1986-10-09 1987-10-08 Process for preparing amorphous silicon
US07/456,572 US5034208A (en) 1986-10-09 1989-12-29 Process for preparing amorphous silicon

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JP5419887A JPS63223175A (ja) 1987-03-11 1987-03-11 非晶質シリコン被膜の形成方法

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JP (1) JPS63223175A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009543828A (ja) * 2006-07-20 2009-12-10 レヴ・リニューワブル・エナージー・ヴェンチャーズ・インコーポレーティッド ポリシラン加工処理方法及び利用方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009543828A (ja) * 2006-07-20 2009-12-10 レヴ・リニューワブル・エナージー・ヴェンチャーズ・インコーポレーティッド ポリシラン加工処理方法及び利用方法

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