JPS63223175A - 非晶質シリコン被膜の形成方法 - Google Patents
非晶質シリコン被膜の形成方法Info
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- JPS63223175A JPS63223175A JP5419887A JP5419887A JPS63223175A JP S63223175 A JPS63223175 A JP S63223175A JP 5419887 A JP5419887 A JP 5419887A JP 5419887 A JP5419887 A JP 5419887A JP S63223175 A JPS63223175 A JP S63223175A
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- silicon film
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は非晶質シリコン被膜の形成方法に関する。非晶
質シリコンの膜は非常に硬く、種々の材料の表面にコー
ティングして表面硬化膜として近年特に注目されている
。
質シリコンの膜は非常に硬く、種々の材料の表面にコー
ティングして表面硬化膜として近年特に注目されている
。
〈従来技術とその問題点〉
これまで、非晶質シリコンの膜は、SiH4゜Si2
H6,5i3HB等の熱分解によって行なわれていた。
H6,5i3HB等の熱分解によって行なわれていた。
しかし、これらの化合物は酸素に対して極めて不安定で
あり、爆発の危険があり、不活性雰囲気中で作業する必
要があり1価格も必ずしも安価でない、また、これらの
化合物は蒸気圧が高く、#圧ボンベに貯蔵しなければな
らず、取扱いにくく、そのための経費も問題である。
あり、爆発の危険があり、不活性雰囲気中で作業する必
要があり1価格も必ずしも安価でない、また、これらの
化合物は蒸気圧が高く、#圧ボンベに貯蔵しなければな
らず、取扱いにくく、そのための経費も問題である。
く問題を解決するための手段〉
本発明者らは、比較的安価に得られ、爆発性もないクロ
ロポリシラン、特にヘキサクロロジシランを用いて非晶
質シリコン膜を形成できることを見出だした。
ロポリシラン、特にヘキサクロロジシランを用いて非晶
質シリコン膜を形成できることを見出だした。
〈発明の構成〉
本発明は、250℃〜700℃に加熱したノ^体に、不
活性気体で5客用%以下に稀釈されたクロロポリシラン
(S +、?LC12/rL+:z、n22)を接触さ
せることからなる非晶質シリコン被膜の形成方法を提供
する。
活性気体で5客用%以下に稀釈されたクロロポリシラン
(S +、?LC12/rL+:z、n22)を接触さ
せることからなる非晶質シリコン被膜の形成方法を提供
する。
本発明の方法は、250℃〜700″Cに加熱できる剛
体材料にはすべて適用できる。
体材料にはすべて適用できる。
本発明方法において使用される、クロロポリシランは、
一般に、S i、71CtMtl (ただしn≧2)
で表されるが、代表的には、ヘキサクロロジシラン、オ
クタクロロトリシラン、hに前者である。
一般に、S i、71CtMtl (ただしn≧2)
で表されるが、代表的には、ヘキサクロロジシラン、オ
クタクロロトリシラン、hに前者である。
基体の加熱は何によってもよいが、レーザー、紫外線、
プラズマを使用してもよい、加熱温度が250℃未満で
はクロロポリシランが分解しにくく、700″Cを越え
る温度では、分解生成するシな不活性気体で5容量%以
下、好ましくは2%以ドに稀釈して使用する。特に膜形
成の初期の間はゆっくり分解させる方が、膜の基体への
固着が良好である。5%を越えると良好な膜生成を行な
えない。
プラズマを使用してもよい、加熱温度が250℃未満で
はクロロポリシランが分解しにくく、700″Cを越え
る温度では、分解生成するシな不活性気体で5容量%以
下、好ましくは2%以ドに稀釈して使用する。特に膜形
成の初期の間はゆっくり分解させる方が、膜の基体への
固着が良好である。5%を越えると良好な膜生成を行な
えない。
本発明の方法は基体によく固着した非晶質シリコンの膜
を与え、膜厚2000A以下ならば、膜は透明であって
、基体材料の外観を損なわない。
を与え、膜厚2000A以下ならば、膜は透明であって
、基体材料の外観を損なわない。
このシリコンI漠は、非常に硬くビッカース硬度が14
00以上ある。また化学的に極めて安定であって、6酸
に侵されない。
00以上ある。また化学的に極めて安定であって、6酸
に侵されない。
〈発明の具体的開示〉
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例1
1m立方の反応容器のなかに、裏面からニクロム線で4
00℃に加熱した30cm四方のガラス板を置き、ヘキ
サクロロジシラン(0,02g / win) トアル
ゴン(100ml#+in)を40時間吹き込んだ。未
反応のへキサクロロジシランは循環して使用した。生成
する塩素ガスは水酸化ナトリウム液に吸収させた。これ
により、ガラス面に1000人の透明のシリコン膜が形
成され、ラマン分光によって非晶質であることが確認さ
れた。
00℃に加熱した30cm四方のガラス板を置き、ヘキ
サクロロジシラン(0,02g / win) トアル
ゴン(100ml#+in)を40時間吹き込んだ。未
反応のへキサクロロジシランは循環して使用した。生成
する塩素ガスは水酸化ナトリウム液に吸収させた。これ
により、ガラス面に1000人の透明のシリコン膜が形
成され、ラマン分光によって非晶質であることが確認さ
れた。
このように処理したガラス板は透明で、そのシリコン層
はどツカース硬度が1490あり、8゜°Cの6規定塩
酸に100時間浸漬しても、なんら表面の変化がなく、
表面保護膜として役立つと判断される。
はどツカース硬度が1490あり、8゜°Cの6規定塩
酸に100時間浸漬しても、なんら表面の変化がなく、
表面保護膜として役立つと判断される。
比較例1
ガラス板の加熱温度を200℃として実施例1の操作を
繰り返した。シリコン膜は形成されなかった。
繰り返した。シリコン膜は形成されなかった。
比較例2
ガラス板の加熱温度を800℃として実施例1の操作を
繰り返した。シリコン膜は形成されたが膜は透明でなく
、ラマン分析により多結晶であることが確認された。
繰り返した。シリコン膜は形成されたが膜は透明でなく
、ラマン分析により多結晶であることが確認された。
実施例2
ガラス板の加熱温度を250℃として実施例1の操作を
縁り返した。非晶質のシリコン膜by形成され、そのビ
ッカース硬度は1420であり、実施例1と同様の試験
で酸に侵されなかった。
縁り返した。非晶質のシリコン膜by形成され、そのビ
ッカース硬度は1420であり、実施例1と同様の試験
で酸に侵されなかった。
実施例3
ガラス板の加熱温度を700℃として実施例1の操作を
緑り返した。非晶質のシリコン膜は形成され、そのビッ
カース硬度は1430であり、同様の試験で、酸に侵さ
れなかった。
緑り返した。非晶質のシリコン膜は形成され、そのビッ
カース硬度は1430であり、同様の試験で、酸に侵さ
れなかった。
実施例4
実施例1と同じ反応容器に、厚さ1mmで3 0m四方
の金の板を加熱炉中の反応管内で300℃に加熱し、実
施例1と同様の条件でシリコン膜を形成した。このよう
に処理した金の板は全く金と同じ外観を呈するが、シリ
コン膜のビッカース硬度は1415であった。同様の試
験でシリコン膜は酸に侵されなかった。
の金の板を加熱炉中の反応管内で300℃に加熱し、実
施例1と同様の条件でシリコン膜を形成した。このよう
に処理した金の板は全く金と同じ外観を呈するが、シリ
コン膜のビッカース硬度は1415であった。同様の試
験でシリコン膜は酸に侵されなかった。
実施例5
実施例1と同じ反応容器に、厚さ2■で5 am四方
の銀の板を加熱炉中の反応管内で300℃に加熱してお
き、実施例1と同様の条件でシリコン膜を形成した。こ
のように処理した銀の板は全く金と同じ外観を呈するが
、シリコン膜のビッカース硬度は1421であった。同
様の試験でシリコン膜は酸に侵されなかったが、銀の露
出した部分は硝酸に侵された。
の銀の板を加熱炉中の反応管内で300℃に加熱してお
き、実施例1と同様の条件でシリコン膜を形成した。こ
のように処理した銀の板は全く金と同じ外観を呈するが
、シリコン膜のビッカース硬度は1421であった。同
様の試験でシリコン膜は酸に侵されなかったが、銀の露
出した部分は硝酸に侵された。
実施例6
表面を陽極酸化したアルミニウム板を使用し、加熱炉中
の反応管内で400″Cに加熱し、実施例1の操作を繰
り返した。得られたシリコン被W1膜のビッカース硬度
は1418であり、同様の試験において、酸に侵されな
かった。
の反応管内で400″Cに加熱し、実施例1の操作を繰
り返した。得られたシリコン被W1膜のビッカース硬度
は1418であり、同様の試験において、酸に侵されな
かった。
実施例7
複雑な形状をした錫の装飾花器を300°Cに加熱して
、実施例1と同様に処理した。花器の内部も、切れ込み
部の底部もよくシリコン膜で被覆され、鍋蓋は酸に対し
てよく保護された。
、実施例1と同様に処理した。花器の内部も、切れ込み
部の底部もよくシリコン膜で被覆され、鍋蓋は酸に対し
てよく保護された。
実施例日
実施例1と同じ反応容器に、厚さ41で50cm四方の
軟鋼の板を1m3のチャンバー内に設置されたニクロム
線で300℃に加熱し、実施例1と同様の条件でシリコ
ン膜を形成した。このように処理した軟鋼の板は全く軟
鋼と同じ外観を呈するが、シリコン膜のビッカース硬度
は1490であった。同様の試験で、シリコン膜は酸に
侵されなかったが、軟鋼の露出した部分は酸には溶解し
た。
軟鋼の板を1m3のチャンバー内に設置されたニクロム
線で300℃に加熱し、実施例1と同様の条件でシリコ
ン膜を形成した。このように処理した軟鋼の板は全く軟
鋼と同じ外観を呈するが、シリコン膜のビッカース硬度
は1490であった。同様の試験で、シリコン膜は酸に
侵されなかったが、軟鋼の露出した部分は酸には溶解し
た。
実施例9〜11、比較例1
ヘキサクロロジシランの濃度を変えて実施例1と同様の
反応を行なった。稀釈ガスにはアルゴンを用いた。
反応を行なった。稀釈ガスにはアルゴンを用いた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 250℃〜700℃に加熱した基体に、不活性気体
で5容量%以下に稀釈したクロロポリシラン(Si_n
LCl_2_n_+_2、n≧2)を接触させることか
らなる非晶質シリコン被膜の形成方法。 2 特許請求の範囲第1項記載の方法であって、クロロ
ポリシランが不活性気体で2容量%以下に稀釈されて使
用される方法。 3 特許請求の範囲第1項記載の方法であって、クロロ
ポリシランがヘキサクロロジシラン(Si_2Cl_6
)である方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5419887A JPS63223175A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 非晶質シリコン被膜の形成方法 |
KR870010937A KR880005031A (ko) | 1986-10-09 | 1987-09-30 | 비정질 실리콘의 제조방법 |
EP87114667A EP0264722A3 (en) | 1986-10-09 | 1987-10-08 | Process for preparing amorphous silicon |
US07/456,572 US5034208A (en) | 1986-10-09 | 1989-12-29 | Process for preparing amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5419887A JPS63223175A (ja) | 1987-03-11 | 1987-03-11 | 非晶質シリコン被膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63223175A true JPS63223175A (ja) | 1988-09-16 |
Family
ID=12963842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5419887A Pending JPS63223175A (ja) | 1986-10-09 | 1987-03-11 | 非晶質シリコン被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63223175A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009543828A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-10 | レヴ・リニューワブル・エナージー・ヴェンチャーズ・インコーポレーティッド | ポリシラン加工処理方法及び利用方法 |
-
1987
- 1987-03-11 JP JP5419887A patent/JPS63223175A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009543828A (ja) * | 2006-07-20 | 2009-12-10 | レヴ・リニューワブル・エナージー・ヴェンチャーズ・インコーポレーティッド | ポリシラン加工処理方法及び利用方法 |
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