JPS63219158A - 一次元イメ−ジセンサ - Google Patents
一次元イメ−ジセンサInfo
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- JPS63219158A JPS63219158A JP62052560A JP5256087A JPS63219158A JP S63219158 A JPS63219158 A JP S63219158A JP 62052560 A JP62052560 A JP 62052560A JP 5256087 A JP5256087 A JP 5256087A JP S63219158 A JPS63219158 A JP S63219158A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、ファクシミリ装置や複写機などの原稿読み
収り部に用いられる一次元イメージセ/A−7 すに関し、特に、縮小光学系を用いずに密着型イメージ
センサとして応用するタイプのものに関する。
収り部に用いられる一次元イメージセ/A−7 すに関し、特に、縮小光学系を用いずに密着型イメージ
センサとして応用するタイプのものに関する。
従来の技術
密着型イメージセンサについては例えば「日経メカニカ
ルJ 1986年12月1日号71〜78頁に詳しく開
示されている。
ルJ 1986年12月1日号71〜78頁に詳しく開
示されている。
第3図および第4図に密着型イメージセンサ(−次元イ
メージセンサ)の代表的な配線レイアウト構造を示して
いる。
メージセンサ)の代表的な配線レイアウト構造を示して
いる。
基板1上に多数の受光素子2が直線状に配列して形成さ
れているとともに、共通電極3および個別電極4からな
る配線パターンが形成されている。
れているとともに、共通電極3および個別電極4からな
る配線パターンが形成されている。
この例では6個の受光素子2を1つの群とし、各群ごと
に同じ配線パターンになっている。つまり、受光素子2
の片側において6個の受光素子2の1端が1つの共通電
極3に接続され、各受光素子2の他端はそれぞれ個別電
極4に接続されている。
に同じ配線パターンになっている。つまり、受光素子2
の片側において6個の受光素子2の1端が1つの共通電
極3に接続され、各受光素子2の他端はそれぞれ個別電
極4に接続されている。
共通電極3は基板1の1端側に配置されたパッド部3a
につながっている。また、個別電極4は3A−7 6個1組のパターンでマド1,1ックス配線部5につな
がっている。
につながっている。また、個別電極4は3A−7 6個1組のパターンでマド1,1ックス配線部5につな
がっている。
マl−IJソクス配線部5にはフィルム配線板6が重ね
られている。フィルム配線板6は、ポリイミドフィルム
6a上に6木の銅箔リード線6bが平行に形成されたも
ので、フィルム6aの切除m6cの部分で基板1」二の
個別電極4とフィルム6a上のリード線6bとが接続さ
れている。その結果、第4図のように6個の受光素子2
を1群とするマトリックス配線になっている。
られている。フィルム配線板6は、ポリイミドフィルム
6a上に6木の銅箔リード線6bが平行に形成されたも
ので、フィルム6aの切除m6cの部分で基板1」二の
個別電極4とフィルム6a上のリード線6bとが接続さ
れている。その結果、第4図のように6個の受光素子2
を1群とするマトリックス配線になっている。
」1記イメージセンサの周辺回路(走査駆動回路や出力
回路彦ど)は別の基板に実装されるのが普通で、両者は
上記フィルム配線板6を介して接続されるとともに、」
1記共通電極3のパッド部3aにも両者を結ぶ配線の・
・ンダ付けやワイヤーボンディングが施される。
回路彦ど)は別の基板に実装されるのが普通で、両者は
上記フィルム配線板6を介して接続されるとともに、」
1記共通電極3のパッド部3aにも両者を結ぶ配線の・
・ンダ付けやワイヤーボンディングが施される。
発明が解決しようとする問題点
上述した従来の配線レイアウト構造では、共通電極3の
パッド部3aは受光素子2の列に比較的接近したものと
なり(遠ざけようとすれば基板1を大きくしなければな
らない)、そのために周辺回路との接続に関して次のよ
うな問題を生じていた。
パッド部3aは受光素子2の列に比較的接近したものと
なり(遠ざけようとすれば基板1を大きくしなければな
らない)、そのために周辺回路との接続に関して次のよ
うな問題を生じていた。
パッド部3aに配線を・・ンダ付けする場合、ハンダ付
は時の熱が受光素子2に及びやすく、またフラックス等
の薬品が付着しやすいことから、受光素子2の特性を損
々い、素子の出力がばらつく等の悪影響を与える。
は時の熱が受光素子2に及びやすく、またフラックス等
の薬品が付着しやすいことから、受光素子2の特性を損
々い、素子の出力がばらつく等の悪影響を与える。
捷た、パッド部3aにワイヤーボンディングで配線する
場合には、接続部分を保護するモールF剤を塗布する際
に、その作業を厳密に高精度に行がわないと、接近して
いる光電素子2の特性を損なう悪影響を及ぼしやすい。
場合には、接続部分を保護するモールF剤を塗布する際
に、その作業を厳密に高精度に行がわないと、接近して
いる光電素子2の特性を損なう悪影響を及ぼしやすい。
この発明は上述した従来の問題点に鑑みなされたもので
、その目的は、センサ基板と周辺回路基板との接続作業
をそれほど厳密、高精度に行なわなくても、受光素子に
悪影響が及ばないようにした一次元イメージセンサを提
供することにある。
、その目的は、センサ基板と周辺回路基板との接続作業
をそれほど厳密、高精度に行なわなくても、受光素子に
悪影響が及ばないようにした一次元イメージセンサを提
供することにある。
問題点を解決するだめの手段
そこで本発明では、前記共通電極のパッド部を5 ヘー
・ 前記マトリックス配線部の側方の基板」二に形成し、前
記受光素子列の片側にある前記共通電極と新しい位置に
設けたパッド部とを、前記受光素子列、前記個別電極お
よび前記マ) IJソックス線部の間をぬうように基板
に形成したリード部で接続する配線レイアウト構造にし
た。
・ 前記マトリックス配線部の側方の基板」二に形成し、前
記受光素子列の片側にある前記共通電極と新しい位置に
設けたパッド部とを、前記受光素子列、前記個別電極お
よび前記マ) IJソックス線部の間をぬうように基板
に形成したリード部で接続する配線レイアウト構造にし
た。
作用
本発明の上述の構成では、前記共通電極のパッド部と前
記受光素子列との間には前記個別電極および前記マトリ
ックス配線部があり、両者間の距離は非常に大きい。そ
のため、パッド部への配線およびその後処理の際に受光
素子列に前述したような悪影響はほとんど及ばない。
記受光素子列との間には前記個別電極および前記マトリ
ックス配線部があり、両者間の距離は非常に大きい。そ
のため、パッド部への配線およびその後処理の際に受光
素子列に前述したような悪影響はほとんど及ばない。
実施例
第1図および第2図は本発明の一実施例の構成を示して
いる。
いる。
第3図の従来構成と同様に、基板1上の受光素子2の配
列の片側において、6個の受光素子2のL端が1つの共
通電極3で接続されている。ただし、共通電極3のパッ
ド部3aは、受光素子2列6/、−5 の共通電極3の側にはなく、遠く離れた反対側に形成さ
れており、共通電極3とパッド部3aとは細長いリード
部3bで接続されている。
列の片側において、6個の受光素子2のL端が1つの共
通電極3で接続されている。ただし、共通電極3のパッ
ド部3aは、受光素子2列6/、−5 の共通電極3の側にはなく、遠く離れた反対側に形成さ
れており、共通電極3とパッド部3aとは細長いリード
部3bで接続されている。
受光素子2列と上記パッド部3aとの間の基板1面には
従来とほぼ同様な個別電極4およびマトリックス配線部
5が形成されており、マトリックス配線部5の上にはフ
ィルム配線板6が重ねられている。
従来とほぼ同様な個別電極4およびマトリックス配線部
5が形成されており、マトリックス配線部5の上にはフ
ィルム配線板6が重ねられている。
個別電極4の一端は受光素子2の端部に接続され、他端
側は6個1組のパターンでマトリックス配線部5を形成
している。フィルム配線板6はポリイミドフィルム6a
上に6本のリード線6bを形成したもので、フィルム6
aの切除部6Cの部分でリード線6bとマトリックス配
線部5とが接続されている。
側は6個1組のパターンでマトリックス配線部5を形成
している。フィルム配線板6はポリイミドフィルム6a
上に6本のリード線6bを形成したもので、フィルム6
aの切除部6Cの部分でリード線6bとマトリックス配
線部5とが接続されている。
共通電極3からパッド部3aに至る細長いIJ −ド部
3bは、6個1組の受光素子2、個別電極4、マトリッ
クス配線部5の中央部をまっすぐ横切っており、勿論こ
れらと干渉しない。この干渉を避けるために、マトリッ
クス配線部5のパターンは従来例と異なっており、フィ
ルム配線板6の切除部6Cは6個分を2つに分けて形成
されている。
3bは、6個1組の受光素子2、個別電極4、マトリッ
クス配線部5の中央部をまっすぐ横切っており、勿論こ
れらと干渉しない。この干渉を避けるために、マトリッ
クス配線部5のパターンは従来例と異なっており、フィ
ルム配線板6の切除部6Cは6個分を2つに分けて形成
されている。
以」−のように構成されたセンサ基板は、周辺回路基板
に対し、フィルム配線板6と、パッド部3bへの・・ン
ダ付けまたはワイヤーボンディングの配線によって接続
される。
に対し、フィルム配線板6と、パッド部3bへの・・ン
ダ付けまたはワイヤーボンディングの配線によって接続
される。
上記センサ基板の製造工程は本質的に従来と変わらない
が、一応それを説明する。!f、ず、ガラス等の基板1
上にCd5−CdSe等の光導電膜を蒸着等で形成し、
それの不用部分をエツチングで除去して受光素子2列の
形状を得る。これをCd C12等の蒸気中で450〜
600℃に加熱処理することで、光感度を付与した受光
素子2列とする。次に、す7+−オフ法により基板1」
二にTi、NiCr−Au等からなる電極3,4マトリ
ックス配線部5、パッド部3a、 リード部3bをパ
ターン形成する。
が、一応それを説明する。!f、ず、ガラス等の基板1
上にCd5−CdSe等の光導電膜を蒸着等で形成し、
それの不用部分をエツチングで除去して受光素子2列の
形状を得る。これをCd C12等の蒸気中で450〜
600℃に加熱処理することで、光感度を付与した受光
素子2列とする。次に、す7+−オフ法により基板1」
二にTi、NiCr−Au等からなる電極3,4マトリ
ックス配線部5、パッド部3a、 リード部3bをパ
ターン形成する。
次に、ポリイミド系樹脂の被膜を基板l」−に形成する
。ただし、フィルム配線板6との接続部分には被膜は形
成しない。次にフィルム配線板6を重ねる。
。ただし、フィルム配線板6との接続部分には被膜は形
成しない。次にフィルム配線板6を重ねる。
発明の効果
以上詳細に説明したように、この発明にあっては、基板
上の受光素子列の片側に個別電極、マトリックス配線部
、共通電極パッド部の順で配設されているので、受光素
子列と共通電極パッド部との距離が長くな9、パッド部
に配線を7・ンダ吋けまたはワイヤーボンディングして
も、熱や薬品や樹脂等によって受光素子の特性に悪影響
を与えるととがなくなり、実装作業が簡単になる。
上の受光素子列の片側に個別電極、マトリックス配線部
、共通電極パッド部の順で配設されているので、受光素
子列と共通電極パッド部との距離が長くな9、パッド部
に配線を7・ンダ吋けまたはワイヤーボンディングして
も、熱や薬品や樹脂等によって受光素子の特性に悪影響
を与えるととがなくなり、実装作業が簡単になる。
第1図は本発明の一実施例による一次元イメージセンザ
の部分斜視図、第2図は第1図のものの等価配線図、第
3図は従来の一次元イメージセ/すの部分斜視図、第4
図は第3図のものの等価配線図である。 ■・・・基板、2・・・受光素子、3・・・共通電極、
4・・・個別電極、5・・・マトリックス配線部、6・
・・フィルム配線板、3a・・パッド部、3b・・リー
ド部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第3
図 3″ 3ユ (B′<ツ率3共通潰1退 2食光衆耳 24″口貫1 基板 A ( 第4図 13α
の部分斜視図、第2図は第1図のものの等価配線図、第
3図は従来の一次元イメージセ/すの部分斜視図、第4
図は第3図のものの等価配線図である。 ■・・・基板、2・・・受光素子、3・・・共通電極、
4・・・個別電極、5・・・マトリックス配線部、6・
・・フィルム配線板、3a・・パッド部、3b・・リー
ド部。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第3
図 3″ 3ユ (B′<ツ率3共通潰1退 2食光衆耳 24″口貫1 基板 A ( 第4図 13α
Claims (1)
- 基板上に直線状に配列された多数の受光素子と、この受
光素子列の一側方の上記基板面に形成されたマトリック
ス配線部およびこれと各受光素子の一端とを接続する個
別電極と、上記マトリックス配線部の一側方の上部基板
面に形成された電極パッド部と、上記受光素子列の他側
方の上記基板面にあって複数個の上記受光素子の他端を
共通接続する共通電極と、上記受光素子列、上記個別電
極および上記マトリックス配線部の間をぬって上記基板
面に形成され、上記共通電極と上記電極パッドとを接続
するリード部とを有する一次元イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62052560A JPS63219158A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 一次元イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62052560A JPS63219158A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 一次元イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63219158A true JPS63219158A (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=12918196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62052560A Pending JPS63219158A (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 一次元イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63219158A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001029896A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Reseau d'elements recepteurs de lumiere et puce de reseau d'elements recepteurs de lumiere |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62052560A patent/JPS63219158A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001029896A1 (fr) * | 1999-10-18 | 2001-04-26 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Reseau d'elements recepteurs de lumiere et puce de reseau d'elements recepteurs de lumiere |
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