JPS63218596A - 光透過性に優れたリチウムタンタレ−ト単結晶およびその製造方法 - Google Patents
光透過性に優れたリチウムタンタレ−ト単結晶およびその製造方法Info
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- JPS63218596A JPS63218596A JP5106687A JP5106687A JPS63218596A JP S63218596 A JPS63218596 A JP S63218596A JP 5106687 A JP5106687 A JP 5106687A JP 5106687 A JP5106687 A JP 5106687A JP S63218596 A JPS63218596 A JP S63218596A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は９例えば光変調素子等、特に光を透過させて使
用する素子に好適である光通過性に優れたリチウムタン
タレート単結晶およびその製造方法に関するものである
。
用する素子に好適である光通過性に優れたリチウムタン
タレート単結晶およびその製造方法に関するものである
。
リチウムタンタレート単結晶は、その融点が１６５０℃
であるため、イリジウム若しくは白金ロジウム合金から
なるるつぼを使用して結晶を成長させるのが最も一般的
な製造方法である。前者のイリジウムるつぼを使用する
方法においては、結晶育成作業を還元性若しくは不活性
雰囲気において行った後、酸素欠陥をなくすために、育
成した単結晶を酸素雰囲気中で熱処理を行っている。一
方白金ロジウム合金るつぼを使用する方法においては、
上記のような還元性若しくは不活性雰囲気とする必要が
ないので、育成結晶中の酸素欠陥を少な（するため、大
気中若しくは酸素雰囲気中で育成する。
であるため、イリジウム若しくは白金ロジウム合金から
なるるつぼを使用して結晶を成長させるのが最も一般的
な製造方法である。前者のイリジウムるつぼを使用する
方法においては、結晶育成作業を還元性若しくは不活性
雰囲気において行った後、酸素欠陥をなくすために、育
成した単結晶を酸素雰囲気中で熱処理を行っている。一
方白金ロジウム合金るつぼを使用する方法においては、
上記のような還元性若しくは不活性雰囲気とする必要が
ないので、育成結晶中の酸素欠陥を少な（するため、大
気中若しくは酸素雰囲気中で育成する。
上記従来の方法においては、各々利点はあるものの、下
記のような問題点がある。まず前者のイリジウムるつぼ
を使用する方法においては、結晶育成中に酸素欠陥が起
こり、単結晶中にクランクを発生するため、光を透過さ
せて使用する素子としての特性を著しく劣化させる。ま
た後者の白金ロジウム合金るつぼを使用する方法におい
ては。
記のような問題点がある。まず前者のイリジウムるつぼ
を使用する方法においては、結晶育成中に酸素欠陥が起
こり、単結晶中にクランクを発生するため、光を透過さ
せて使用する素子としての特性を著しく劣化させる。ま
た後者の白金ロジウム合金るつぼを使用する方法におい
ては。
るつぼの価格が比較的低置であると共に、修復が容易で
あるという利点がある反面において、るつぼを形成する
ロジウムが融液内に溶は込み、育成した結晶を茶褐色に
着色するため光透過性を著しく劣化させる。更にロジウ
ムの溶は込みにより。
あるという利点がある反面において、るつぼを形成する
ロジウムが融液内に溶は込み、育成した結晶を茶褐色に
着色するため光透過性を著しく劣化させる。更にロジウ
ムの溶は込みにより。
結晶内に気泡、クランク等を誘発するのみならず。
るつぼ表面が荒れ、消耗を助長し、るつぼの使用耐用回
数を著しく低下させる等の問題点がある。
数を著しく低下させる等の問題点がある。
本発明は、上記従来技術に存在する問題点を解消し、特
に光透過性に優れたリチウムタンタレート単結晶および
その製造方法を提供することを目的とする。
に光透過性に優れたリチウムタンタレート単結晶および
その製造方法を提供することを目的とする。
上記従来技術の問題点を解決するため、下記のような技
術的手段を採用したのである。
術的手段を採用したのである。
まず第一の発明においては、波長λ≦３６０＋ｖにおい
て光透過率Ｔ≧７０％とすることにより、光透過性を確
保するものである。
て光透過率Ｔ≧７０％とすることにより、光透過性を確
保するものである。
次に第二の発明においては、上記第一の発明における光
透過性に優れたリチウムタンタレート単結晶を製造する
ために、リチウムタンタレート単結晶原料融液をイリジ
ウムるつぼ内に収容し、還元性若しくは不活性ガスに０
．２〜５重量％の酸素を含有させた混合ガス雰囲気中に
おいて結晶を成長させる。という技術的手段を採用した
のである。
透過性に優れたリチウムタンタレート単結晶を製造する
ために、リチウムタンタレート単結晶原料融液をイリジ
ウムるつぼ内に収容し、還元性若しくは不活性ガスに０
．２〜５重量％の酸素を含有させた混合ガス雰囲気中に
おいて結晶を成長させる。という技術的手段を採用した
のである。
本発明において、還元性若しくは不活性ガス中に含有さ
せる酸素量が０．２％未満では、結晶育成中に酸素欠陥
が生じ１着色するため光透過、性を劣化させるため不都
合である。一方上記含有酸素量が５％を越えると、るつ
ぼ構成材料であるイリジウムと反応して酸化イリジウム
を生成し、結晶中に混入する。この結果るつぼの減耗が
増大するのみならず、結晶中に混入したイリジウムが、
当該結晶中にレーザ等の光を透過させた場合、透過光の
散乱因子となるため不都合である。従って酸素含有量を
０．２〜５重量％と限定するのが好ましい。
せる酸素量が０．２％未満では、結晶育成中に酸素欠陥
が生じ１着色するため光透過、性を劣化させるため不都
合である。一方上記含有酸素量が５％を越えると、るつ
ぼ構成材料であるイリジウムと反応して酸化イリジウム
を生成し、結晶中に混入する。この結果るつぼの減耗が
増大するのみならず、結晶中に混入したイリジウムが、
当該結晶中にレーザ等の光を透過させた場合、透過光の
散乱因子となるため不都合である。従って酸素含有量を
０．２〜５重量％と限定するのが好ましい。
まず１００ｆｉφ×１００■ｈＸ２ｍｔのイリジウムる
つぼに、リチウムタンタレートの焼結体３．５瞳を装入
し、高周波加熱炉によって融解させる。融解後２種子結
晶を使用して、大きさ例えば６０冒φ×９０鶴りのリチ
ウムタンクレート単結晶を育成する。なお上記原料の融
解工程および結晶育成工程においては、窒素ガス中に酸
素を１重量％含有させた混合ガスを２１／ｓｉｎで流通
させる。結晶はＺ軸方向に、引き上げ速度２〜Ｌｏｗ／
ｈ、回転数２Ｏｒｐｍで育成した。育成した単結晶には
着色が観察されず、不純物の含有量も０．０１〜２ Ｐ
Ｉ）ＩＩの微量であった。
つぼに、リチウムタンタレートの焼結体３．５瞳を装入
し、高周波加熱炉によって融解させる。融解後２種子結
晶を使用して、大きさ例えば６０冒φ×９０鶴りのリチ
ウムタンクレート単結晶を育成する。なお上記原料の融
解工程および結晶育成工程においては、窒素ガス中に酸
素を１重量％含有させた混合ガスを２１／ｓｉｎで流通
させる。結晶はＺ軸方向に、引き上げ速度２〜Ｌｏｗ／
ｈ、回転数２Ｏｒｐｍで育成した。育成した単結晶には
着色が観察されず、不純物の含有量も０．０１〜２ Ｐ
Ｉ）ＩＩの微量であった。
次に白金７０％、ロジウム３０％の合金るつぼを使用し
て、上記同様のリチウムタンタレート単結晶を育成した
ところ、茶褐色の着色が観察された。単結晶中のロジウ
ム量は９分析の結果５〜５ｏｐｐ−であった。
て、上記同様のリチウムタンタレート単結晶を育成した
ところ、茶褐色の着色が観察された。単結晶中のロジウ
ム量は９分析の結果５〜５ｏｐｐ−であった。
図は上記育成単結晶について、光透過率の波長依存性を
示す図であり１曲線ａ、ｂは各々イリジウムるつぼおよ
び白金ロジウムるつぼによって育成した単結晶に対応す
るものである。同図から明らかなように、白金ロジウム
るつぼを使用して育成した単結晶中には、ロジウムの混
入があるため。
示す図であり１曲線ａ、ｂは各々イリジウムるつぼおよ
び白金ロジウムるつぼによって育成した単結晶に対応す
るものである。同図から明らかなように、白金ロジウム
るつぼを使用して育成した単結晶中には、ロジウムの混
入があるため。
曲線すで示されるように、波長が４７０ｎ−近傍におい
て光透過率が略５７％を示す極小点があると共に、波長
が略５２０ｎｓ以上の領域にならないと光透過率が７０
％を越えない、このような透過特性を示す結晶は９例え
ば波長４８０ｍ＋＊のＡｒレーザーを使用する場合には
使用できない。これに対して本発明のものは１曲線ａで
示されるように波長が略３６０ｎｍにおいて光透過率が
すでに７０％を越えていると共に、前記曲線すに見られ
るような極大極小点が存在せず、全体として光透過率の
値が上回っている。
て光透過率が略５７％を示す極小点があると共に、波長
が略５２０ｎｓ以上の領域にならないと光透過率が７０
％を越えない、このような透過特性を示す結晶は９例え
ば波長４８０ｍ＋＊のＡｒレーザーを使用する場合には
使用できない。これに対して本発明のものは１曲線ａで
示されるように波長が略３６０ｎｍにおいて光透過率が
すでに７０％を越えていると共に、前記曲線すに見られ
るような極大極小点が存在せず、全体として光透過率の
値が上回っている。
本実施例においては、還元性ガス若しくは不活性ガスと
して窒素ガスを使用した例を示したが。
して窒素ガスを使用した例を示したが。
単結晶の酸素欠陥の発生を防止するために上記ガス中に
含有させる酸素ガス量は、０．２〜５重量％の範囲内に
おいて適宜に選定できる。
含有させる酸素ガス量は、０．２〜５重量％の範囲内に
おいて適宜に選定できる。
本発明は以上記述のような構成および作用であるから、
不純物の混入が極めて少ないと共に、従来のものより短
い波長域においても光透過率を極めて高くすることがで
き、光変調素子環、光を透過させて使用する素子用とし
て優れた特性を有するリチウムタンタレート単結晶を提
供できるという効果がある。
不純物の混入が極めて少ないと共に、従来のものより短
い波長域においても光透過率を極めて高くすることがで
き、光変調素子環、光を透過させて使用する素子用とし
て優れた特性を有するリチウムタンタレート単結晶を提
供できるという効果がある。
図は本発明の実施例における単結晶の光透過率の波長依
存性を示す図である。 ５１Ｌ−％：入（η索）
存性を示す図である。 ５１Ｌ−％：入（η索）
Claims (2)
- （１）波長λ≦３６０ｎｍにおける光透過率Ｔが７０％
以上であることを特徴とする光透過性に優れたリチウム
タンタレート単結晶。 - （２）リチウムタンタレート単結晶原料融液をイリジウ
ムるつぼ内に収容し、還元性若しくは不活性ガスに０．
２〜５重量％の酸素を含有させた混合ガス雰囲気中にお
いて結晶を成長させることを特徴とする光透過性に優れ
たリチウムタンタレート単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106687A JPS63218596A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光透過性に優れたリチウムタンタレ−ト単結晶およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5106687A JPS63218596A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光透過性に優れたリチウムタンタレ−ト単結晶およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63218596A true JPS63218596A (ja) | 1988-09-12 |
Family
ID=12876426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5106687A Pending JPS63218596A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 光透過性に優れたリチウムタンタレ−ト単結晶およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63218596A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496526B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2005-06-22 | 일진디스플레이(주) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 |
| JP2016079080A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 国立大学法人信州大学 | β−Ｇａ２Ｏ３結晶の製造方法及び製造装置並びにるつぼ容器 |
| US10570528B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-02-25 | Shinshu University | Apparatus and method for producing gallium oxide crystal |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP5106687A patent/JPS63218596A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100496526B1 (ko) * | 2002-09-25 | 2005-06-22 | 일진디스플레이(주) | 표면 탄성파 소자용 탄탈산 리튬 단결정 기판의 제조방법 |
| JP2016079080A (ja) * | 2014-10-21 | 2016-05-16 | 国立大学法人信州大学 | β−Ｇａ２Ｏ３結晶の製造方法及び製造装置並びにるつぼ容器 |
| US10570528B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-02-25 | Shinshu University | Apparatus and method for producing gallium oxide crystal |
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