JPS63217000A - 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、電解コンデンサ用のアルミニウム箔を、重金
属が再析出しないように交流エツチングする方法である
。
属が再析出しないように交流エツチングする方法である
。
[従来の技術]
アルミニウム電解コンデンサの静電容量は構成する陽極
および陰極の合成容量として表わすことができる。又、
陽極および陰極の容量は、それぞれの表面積に比例する
ことから、電極用のアルミニウム箔は予めエツチングに
より粗面化される。
および陰極の合成容量として表わすことができる。又、
陽極および陰極の容量は、それぞれの表面積に比例する
ことから、電極用のアルミニウム箔は予めエツチングに
より粗面化される。
エツチング法には大別して電気化学的な方法と化学的な
方法の2種類があり、電気化学的な方法はざらに直流法
と交流法に分けることができる。実際のエツチングは、
これら3法の中から最適な条件を選択し決定され、いず
れかの単独条件又は2.3種を組み合せた条件で行われ
る。
方法の2種類があり、電気化学的な方法はざらに直流法
と交流法に分けることができる。実際のエツチングは、
これら3法の中から最適な条件を選択し決定され、いず
れかの単独条件又は2.3種を組み合せた条件で行われ
る。
アルミニウム箔はエツチング後、誘電体皮膜を付けるた
め化成される。化成電圧が低い場合は皮膜が薄いことか
ら細かいエッチピットでも使用可能でおる。
め化成される。化成電圧が低い場合は皮膜が薄いことか
ら細かいエッチピットでも使用可能でおる。
一方、電解コンデンサ用のアルミニウム箔には、エツチ
ング後に高い静電容量を得る目的で銅を添加するのが一
般的で、その量は陽極用で30〜601)l)m 1陰
極用で0.2〜0.3%の場合が多い。
ング後に高い静電容量を得る目的で銅を添加するのが一
般的で、その量は陽極用で30〜601)l)m 1陰
極用で0.2〜0.3%の場合が多い。
[発明が解決しようとする問題点]
銅を含有したアルミニウム箔を交流エツチングするとア
ノード分極時にアルミニウムとともに銅も溶解し、カソ
ード分極時には銅のみがアルミニウム箔の表面に析出す
る。すなわち、交流エツチング中の電位変化の一例では
、電位は十〇、1〜−1.7Vの間で変化しているが、
銅の析出電位は液中の銅イオンの濃度によるものの、十
0.05〜+0.1Vと見積られることから交流エツチ
ングのカソード分極時に溶液中の銅が析出する。このよ
うな箔を用いてコンデンサをつくると、この銅が悪影響
を及ぼす。
ノード分極時にアルミニウムとともに銅も溶解し、カソ
ード分極時には銅のみがアルミニウム箔の表面に析出す
る。すなわち、交流エツチング中の電位変化の一例では
、電位は十〇、1〜−1.7Vの間で変化しているが、
銅の析出電位は液中の銅イオンの濃度によるものの、十
0.05〜+0.1Vと見積られることから交流エツチ
ングのカソード分極時に溶液中の銅が析出する。このよ
うな箔を用いてコンデンサをつくると、この銅が悪影響
を及ぼす。
そこで、本発明は交流エツチング時に銅が析出しない方
法を提供するものである。
法を提供するものである。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、銅を含むアルミニウム箔を塩素イオンを含む
水溶液中で交流電解エツチングするに際し、銅と錯イオ
ンを形成する添加物を含有する電解液を用いることを特
徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング
方法である。そして上記添加物としては、0.1g15
1〜25(Julの濃度範囲の五酸化燐、シアンおるい
はカルボキシル基含有化合物およびEDTA、トリポリ
リン酸とそれらの塩のうちの一種以上を用いるものであ
る。
水溶液中で交流電解エツチングするに際し、銅と錯イオ
ンを形成する添加物を含有する電解液を用いることを特
徴とする電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング
方法である。そして上記添加物としては、0.1g15
1〜25(Julの濃度範囲の五酸化燐、シアンおるい
はカルボキシル基含有化合物およびEDTA、トリポリ
リン酸とそれらの塩のうちの一種以上を用いるものであ
る。
すなわち、本発明は電解時に銅が表面に析出した箔は、
コンデンサ作成時の電気的特性を悪くし、電極用として
好ましくない点に着目し、銅の析出を抑制するには、銅
の析出電位を例えば−1,7V以下にする。すなわち、
電解液中で銅が何らかの錯体を形成する条件にすること
が有効であることを見出したものである。
コンデンサ作成時の電気的特性を悪くし、電極用として
好ましくない点に着目し、銅の析出を抑制するには、銅
の析出電位を例えば−1,7V以下にする。すなわち、
電解液中で銅が何らかの錯体を形成する条件にすること
が有効であることを見出したものである。
そして、実験結果から、五酸化燐又はシアン、カルボキ
シル基含有化合物の電解液への添加が、銅と錯イオンを
形成し、交流エツチング中に銅が析出するのを抑制する
効果のあることを見出した。シアン化合物としては、シ
アン化カリウム、シアン化ソーダ等が挙げられ、カルボ
キシル基含有化合物としては、グリシン、酢酸ソーダ、
シュウ酸ソーダ等が挙げられる。又、同様の効果を奏す
る添加物としては、他にEDTA、トリポリリン酸とそ
れらの塩類が挙げられる。
シル基含有化合物の電解液への添加が、銅と錯イオンを
形成し、交流エツチング中に銅が析出するのを抑制する
効果のあることを見出した。シアン化合物としては、シ
アン化カリウム、シアン化ソーダ等が挙げられ、カルボ
キシル基含有化合物としては、グリシン、酢酸ソーダ、
シュウ酸ソーダ等が挙げられる。又、同様の効果を奏す
る添加物としては、他にEDTA、トリポリリン酸とそ
れらの塩類が挙げられる。
上記物質の電解液への添加量は、溶液中の銅イオンの量
にもよるが、0.1a/1以上は必要であり、上限は塩
素イオン濃度に変化を及ぼさない程度の量の250/1
で、それ以上添加するとエツチングに悪影響を及ぼす。
にもよるが、0.1a/1以上は必要であり、上限は塩
素イオン濃度に変化を及ぼさない程度の量の250/1
で、それ以上添加するとエツチングに悪影響を及ぼす。
水沫によれば、銅以外の重金属例えば鉄の電解液からの
析出を抑制することも可能でおる。
析出を抑制することも可能でおる。
[実施例]
つぎに実施例並びに比較例について述べる。
実施例1
エツチングするアルミニウム箔として、Cu35ppm
、 S i 50ppm 、 F e50ppmその
信奉可避不純物を含む純度99.98%の0.1mm厚
さのものを用いた。
、 S i 50ppm 、 F e50ppmその
信奉可避不純物を含む純度99.98%の0.1mm厚
さのものを用いた。
エツチングは12.5%塩酸と0.6%燐酸の水溶液に
グリシン(N2 NC)−12C0OH>0.51;l
/Uを添加した55℃の電解液中で、0、6A/cm
2で3分間、60H2の交流を流すことにより行った。
グリシン(N2 NC)−12C0OH>0.51;l
/Uを添加した55℃の電解液中で、0、6A/cm
2で3分間、60H2の交流を流すことにより行った。
実施例2
グリシンに代え、0.25111/文のシアン化カリウ
ム(KCN>を添加した以外、実施例1と同一条件にて
行った。
ム(KCN>を添加した以外、実施例1と同一条件にて
行った。
実施例3
グリシンに代え、0.1g/lの五酸化燐(P205
)を添加した以外、実施例1と同一条件にて行った。
)を添加した以外、実施例1と同一条件にて行った。
実施例4
グリシンに代え、0.5M文のEDTA(CIlH14
N20a Na2・2H20)を添加した以外、実施例
1と同一条件にて行った。
N20a Na2・2H20)を添加した以外、実施例
1と同一条件にて行った。
実施例5
グリシンに代え、1.0g/Uのトリポリ燐酸ソーダ(
NasP30+o)を添加した以外、実施例1と同一条
件にて行った。
NasP30+o)を添加した以外、実施例1と同一条
件にて行った。
実施例6
C:、 u O,28%、3 i 0.05%、FeO
,07%その信奉可避不純物を含む純度99.5%の5
0μm厚さのアルミニウム箔を用いた以外は実施例1と
同一条件にて行った。但し電解時間は1分とした。
,07%その信奉可避不純物を含む純度99.5%の5
0μm厚さのアルミニウム箔を用いた以外は実施例1と
同一条件にて行った。但し電解時間は1分とした。
比較例1
グリシンの添加量を0.010/ 、Qとした他は実施
例1と同一条件にて行った。
例1と同一条件にて行った。
比較例2
グリシンを無添加とした他は実施例1と同一条件にて行
った。
った。
比較例3
グリシンを無添加とした他は実施例4と同一条件にて行
った。
った。
上記各実施例並びに比較例にお−けるエツチング後の箔
の表層を硝酸で溶解し、銅の含有量を分析した。結果を
表1に示した。
の表層を硝酸で溶解し、銅の含有量を分析した。結果を
表1に示した。
表1
表1の結果から明らかなように、比較例のエツチング後
の箔の表層は銅含有量が増加しているのに対し、実施例
では銅含有量の増加が少なく、銅の析出が抑制されてい
るのがわかる。
の箔の表層は銅含有量が増加しているのに対し、実施例
では銅含有量の増加が少なく、銅の析出が抑制されてい
るのがわかる。
[発明の効果]
本発明によれば、交流エツチング時の銅の析出を抑制す
ることにより安定した品質のコンデンサを作ることがで
きる。本発明を利用することにより、現在99.98%
A1が使用されている陽極低圧用の分野に、より低純度
例えば99.94%A1の利用の可能性が生じた。つま
り、低純度のアルミニウムを使用した場合、析出する重
金属が多くなり、コンデンサ特性が悪化しがちであるが
、本発明によって、その析出を抑制することが可能とな
り、低純度のアルミニウム箔を用いた場合でも特性のす
ぐれたコンデンサを提供することができる。
ることにより安定した品質のコンデンサを作ることがで
きる。本発明を利用することにより、現在99.98%
A1が使用されている陽極低圧用の分野に、より低純度
例えば99.94%A1の利用の可能性が生じた。つま
り、低純度のアルミニウムを使用した場合、析出する重
金属が多くなり、コンデンサ特性が悪化しがちであるが
、本発明によって、その析出を抑制することが可能とな
り、低純度のアルミニウム箔を用いた場合でも特性のす
ぐれたコンデンサを提供することができる。
Claims (2)
- (1)銅を含むアルミニウム箔を塩素イオンを含む水溶
液中で交流電解エッチングするに際し、銅と錯イオンを
形成する添加物を含有する電解液を用いることを特徴と
する電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法
。 - (2)添加物として0.1g/l〜25g/lの濃度範
囲の五酸化燐、シアンあるいはカルボキシル基含有化合
物およびEDTA、トリポリリン酸とそれらの塩のうち
の一種以上を用いる特許請求の範囲第(1)項記載の電
解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4886387A JPS63217000A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4886387A JPS63217000A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63217000A true JPS63217000A (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=12815115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4886387A Pending JPS63217000A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエツチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63217000A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311681A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP4886387A patent/JPS63217000A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007311681A (ja) * | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JP4754404B2 (ja) * | 2006-05-22 | 2011-08-24 | ニチコン株式会社 | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
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