JPS63216380A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63216380A JPS63216380A JP5071287A JP5071287A JPS63216380A JP S63216380 A JPS63216380 A JP S63216380A JP 5071287 A JP5071287 A JP 5071287A JP 5071287 A JP5071287 A JP 5071287A JP S63216380 A JPS63216380 A JP S63216380A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/107—Substrate region of field-effect devices
- H01L29/1075—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、高電子移動度電界効果トランジスタ（ＨＥ
ＭＴ）において、 半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ｎ型Ｇｅ層とノンドープの
ＧａＡｓ層と電子供給層とを順次積層し、該ＧａＡｓ層
に生成される２次元電子ガスにオーミックコンタクトす
るソース、ドレイン電極と該電子供給層にショットキコ
ンタクトする通常のゲート電極に加えて、該ｎ型Ｇｅ層
にオーミックコンタクトする電極を設け、該ｎ型Ｇｅ層
をバックゲートとして機能させることにより、 その特性改善を実現するものである。
ＭＴ）において、 半絶縁性ＧａＡｓ基板上に、ｎ型Ｇｅ層とノンドープの
ＧａＡｓ層と電子供給層とを順次積層し、該ＧａＡｓ層
に生成される２次元電子ガスにオーミックコンタクトす
るソース、ドレイン電極と該電子供給層にショットキコ
ンタクトする通常のゲート電極に加えて、該ｎ型Ｇｅ層
にオーミックコンタクトする電極を設け、該ｎ型Ｇｅ層
をバックゲートとして機能させることにより、 その特性改善を実現するものである。
本発明は半導体装置、特に高電子移動度電界効果トラン
ジスタ（）ＩＥＭＴ）のバンクゲート構造に関する。
ジスタ（）ＩＥＭＴ）のバンクゲート構造に関する。
シリコン（Ｓｉ）より電子移動度が大きい砒化ガリウム
（ＧａＡｓ）等の化合物半導体を用い、更に空間分離ド
ーピングと電子の２次元量子化により一層の高移動度を
実現したＩＩ Ｅ Ｍ Ｔは、マイクロ波通信への実用
化が既に開始され、高速コンピュータ等への適用が推進
されているが、更に一層の性能向上を実現するためにそ
の相互コンダクタンスの増大、制御電極容量の低減が要
望されている。
（ＧａＡｓ）等の化合物半導体を用い、更に空間分離ド
ーピングと電子の２次元量子化により一層の高移動度を
実現したＩＩ Ｅ Ｍ Ｔは、マイクロ波通信への実用
化が既に開始され、高速コンピュータ等への適用が推進
されているが、更に一層の性能向上を実現するためにそ
の相互コンダクタンスの増大、制御電極容量の低減が要
望されている。
化合物半導体のへテロ接合を用いて、空間分離ドーピン
グと電子の２次元量子化による高電子移動度を実現した
ＨＥＭＴの一従来例の模式断面図を第３図（ａｌに示す
。
グと電子の２次元量子化による高電子移動度を実現した
ＨＥＭＴの一従来例の模式断面図を第３図（ａｌに示す
。
本従来例では半絶縁性砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板２
１上に、ノンドープのｉ形ＧａＡｓＪｉｌｉＦ２４と、
これより電子親和力が小さくドナー不純物を高濃度にド
ープしたｎ型砒化アルミニウムガリウム（Ａ１ｘＧａ＋
−ｘＡｓ）層２５と、これと同程度以上にドナー不純物
をドープしたｎ型ＧａＡｓＮ２６が設けられ、ｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ電子供給層２５からｉ形ＧａＡｓ層２４へ遷移
した電子によってヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガス
２４ｅが形成される。
１上に、ノンドープのｉ形ＧａＡｓＪｉｌｉＦ２４と、
これより電子親和力が小さくドナー不純物を高濃度にド
ープしたｎ型砒化アルミニウムガリウム（Ａ１ｘＧａ＋
−ｘＡｓ）層２５と、これと同程度以上にドナー不純物
をドープしたｎ型ＧａＡｓＮ２６が設けられ、ｎ型Ａｌ
ＧａＡｓ電子供給層２５からｉ形ＧａＡｓ層２４へ遷移
した電子によってヘテロ接合界面近傍に２次元電子ガス
２４ｅが形成される。
この半導体基体のｎ型ＧａＡｓ層２６上に例えば金ゲル
マニウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてソース、ドレ
イン電極２７を設け、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層２５
上に例えばチタン／白金／金（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）又は
アルミニウム（ＡＩ）等を用いてゲート電極２８を設け
る。なお２７Ａはソース、ドレイン電極２７と半導体基
体との間に形成された合金化領域、３０は素子間分離領
域である。
マニウム／金（ＡｕＧｅ／Ａｕ）を用いてソース、ドレ
イン電極２７を設け、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層２５
上に例えばチタン／白金／金（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）又は
アルミニウム（ＡＩ）等を用いてゲート電極２８を設け
る。なお２７Ａはソース、ドレイン電極２７と半導体基
体との間に形成された合金化領域、３０は素子間分離領
域である。
ゲート電極２８によるショットキ空乏層で２次元電子ガ
ス２４ｅの面密度を制御してトランジスタ動作が行われ
るが、この２次元電子ガス２４ｅは不純物散乱による移
動度低下が殆どなく、特に格子散乱が低下する７７に程
度以下の低温では例えば１×１０５ｃｍ”／Ｖ、 ３程
度の電子移動度が得られる。
ス２４ｅの面密度を制御してトランジスタ動作が行われ
るが、この２次元電子ガス２４ｅは不純物散乱による移
動度低下が殆どなく、特に格子散乱が低下する７７に程
度以下の低温では例えば１×１０５ｃｍ”／Ｖ、 ３程
度の電子移動度が得られる。
この電子移動度を更に高くして相互コンダクタンスを増
大し、或いは制御電極容量を低減するなどの目的からバ
ックゲート構造が試みられている。
大し、或いは制御電極容量を低減するなどの目的からバ
ックゲート構造が試みられている。
例えば第３図（ｂ）に図示した従来例ではＧａＡｓ基板
２１を選択的に除去して、バッファ層とチャネル層とを
兼ねるノンドープのｉ形ＧａＡｓ層２４の下面にバック
ゲートと呼ばれる第２の制御電極２９を設けているが、
この様なバックゲート２９は下記■、■の何れかの作用
を意図している。
２１を選択的に除去して、バッファ層とチャネル層とを
兼ねるノンドープのｉ形ＧａＡｓ層２４の下面にバック
ゲートと呼ばれる第２の制御電極２９を設けているが、
この様なバックゲート２９は下記■、■の何れかの作用
を意図している。
■ これに正の定電圧を印加して２次元電子ガス２４ｅ
の波動関数をヘテロ接合界面から深く拡大し、電子の相
互散乱を低減して移動度を大きくし相互コンダクタンス
を高める。
の波動関数をヘテロ接合界面から深く拡大し、電子の相
互散乱を低減して移動度を大きくし相互コンダクタンス
を高める。
■ バックゲート２３にも制御信号を印加して２次元電
子ガス２４ｅの密度とともに移動度も変調し、相互コン
ダクタンスの増大と電極容量の低減とを実現する。
子ガス２４ｅの密度とともに移動度も変調し、相互コン
ダクタンスの増大と電極容量の低減とを実現する。
上述の如き従来のバックゲート構造では２次元電子ガス
とバックゲート電極との距離が太き（、■のバックゲー
トによる２次元電子ガスの変調は甚だ困難であり、また
■の方法でも必要な電圧値が大きいために、実用化に適
するバックゲート構造が強く要望されている。
とバックゲート電極との距離が太き（、■のバックゲー
トによる２次元電子ガスの変調は甚だ困難であり、また
■の方法でも必要な電圧値が大きいために、実用化に適
するバックゲート構造が強く要望されている。
前記問題点は、半絶縁性砒化ガリウム基板上に、ｎ型ゲ
ルマニウム層とノンドープの砒化ガリウム層と電子供給
層とが順次積層されて、該砒化ガリウム層に２次元電子
ガスが生成され、 該２次元電子ガスにオーミックコンタクトする入出力電
極と、該電子供給層にショットキコンタクトする第１の
制御電極と、該ｎ型ゲルマニウム層にオーミックコンタ
クトする電極とを備えて、該ｎ型ゲルマニウム層を該２
次元電子ガスに対する第２の制御電極として機能させる
本発明による半導体装置により解決される。
ルマニウム層とノンドープの砒化ガリウム層と電子供給
層とが順次積層されて、該砒化ガリウム層に２次元電子
ガスが生成され、 該２次元電子ガスにオーミックコンタクトする入出力電
極と、該電子供給層にショットキコンタクトする第１の
制御電極と、該ｎ型ゲルマニウム層にオーミックコンタ
クトする電極とを備えて、該ｎ型ゲルマニウム層を該２
次元電子ガスに対する第２の制御電極として機能させる
本発明による半導体装置により解決される。
本発明による半導体装置のエネルギーバンド図は第１図
に例示する如き状態となる。同図において、３はｎ型Ｇ
ｅ層、４はノンドープのＧａＡｓチャネル層、５は例え
ばｎ型ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層、８は第１の制
御電極（通常のゲート電極）を表し、Ｇｅはその格子定
数がＧａＡｓに掘めて近くて相互にエピタキシャル成長
が可能である。
に例示する如き状態となる。同図において、３はｎ型Ｇ
ｅ層、４はノンドープのＧａＡｓチャネル層、５は例え
ばｎ型ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層、８は第１の制
御電極（通常のゲート電極）を表し、Ｇｅはその格子定
数がＧａＡｓに掘めて近くて相互にエピタキシャル成長
が可能である。
Ｇｅはエネルギーバンドギャップが約０．６７ｅＶで、
ＧａＡｓの約１．４３ｅＶとは大差があり、Ｇｅ層３と
ＧａＡｓ層４のへテロ接合界面でＧａＡｓ層４の伝導帯
底Ｅ、はＧｅ層３より約０，２ｅＶ高くなる。従って高
濃度のｎ型Ｇｅ層３の伝導帯底Ｅ。がフェルミ準位ＥＦ
にほぼ一致しても、ＧａＡｓ層４の伝導帯底Ｅ。はこの
へテロ接合界面でほぼこのエネルギー準位差だけフェル
ミ準位ＥＦより高くなり、電子ガス４ｅの２次元量子化
を確保してこのＧａＡｓ層４の厚さを例えば２０〜３０
ｎｍ程度まで薄くすることが可能で、Ｇｅ層３を２次元
電子４ｅガスに対する第２の制御電極すなわちバックゲ
ートとして有効に機能させることができる。
ＧａＡｓの約１．４３ｅＶとは大差があり、Ｇｅ層３と
ＧａＡｓ層４のへテロ接合界面でＧａＡｓ層４の伝導帯
底Ｅ、はＧｅ層３より約０，２ｅＶ高くなる。従って高
濃度のｎ型Ｇｅ層３の伝導帯底Ｅ。がフェルミ準位ＥＦ
にほぼ一致しても、ＧａＡｓ層４の伝導帯底Ｅ。はこの
へテロ接合界面でほぼこのエネルギー準位差だけフェル
ミ準位ＥＦより高くなり、電子ガス４ｅの２次元量子化
を確保してこのＧａＡｓ層４の厚さを例えば２０〜３０
ｎｍ程度まで薄くすることが可能で、Ｇｅ層３を２次元
電子４ｅガスに対する第２の制御電極すなわちバックゲ
ートとして有効に機能させることができる。
以下本発明を、第２図に模式側断面図を示す実施例によ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
本実施例では半絶縁性ＧａＡｓ基板１上に、ノンドープ
のＧａＡｓバッファ層２、例えば砒素（Ａｓ）を濃度１
、 ＸＩＯ”ｃｍ−’程度にドープし厚さ２０ｎｍ程度
のｎ型Ｇｅ層３、厚さ例えば２０〜３０ｎｍ程度のノン
ドープのｌ型ＧａＡｓチャネル層４、例えばＳｉを濃度
２Ｘ１０”ｃｍ−”程度にドープして厚さ４ Ｑ ｎｍ
程度のｎ型ＡＩ０，３Ｇａｏ、 ｆｆ八へ電子供給層５
、例えばＳｉを濃度２Ｘ１０”ｃｍ−３程度にドープし
厚さ１１００ｎ程度のｎ型ＧａＡｓ層６を順次エピタキ
シャル成長している。
のＧａＡｓバッファ層２、例えば砒素（Ａｓ）を濃度１
、 ＸＩＯ”ｃｍ−’程度にドープし厚さ２０ｎｍ程度
のｎ型Ｇｅ層３、厚さ例えば２０〜３０ｎｍ程度のノン
ドープのｌ型ＧａＡｓチャネル層４、例えばＳｉを濃度
２Ｘ１０”ｃｍ−”程度にドープして厚さ４ Ｑ ｎｍ
程度のｎ型ＡＩ０，３Ｇａｏ、 ｆｆ八へ電子供給層５
、例えばＳｉを濃度２Ｘ１０”ｃｍ−３程度にドープし
厚さ１１００ｎ程度のｎ型ＧａＡｓ層６を順次エピタキ
シャル成長している。
この半導体基体は第１図に例示した如きエネルギーバン
ドを有し、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５からｉ型Ｇａ
Ａｓチャネル層４に電子が遷移して、ヘテロ接合界面近
傍に２次元電子ガス４ｅが形成される。
ドを有し、ｎ型ＡｌＧａＡｓ電子供給層５からｉ型Ｇａ
Ａｓチャネル層４に電子が遷移して、ヘテロ接合界面近
傍に２次元電子ガス４ｅが形成される。
この半導体基体のｎ型Ｇｅ層３にオーミックコンタクト
する電極９を形成する位置に、例えばＳｉをエネルギー
１５０ｋｅＶ、ドーズｆｆｉ ５ ＸＩＯ”ｃｍ−”程
度にイオン注入して活性化熱処理を行い、ｎ型Ｇｅ層３
に達するｎ型領域９ｎを形成する。
する電極９を形成する位置に、例えばＳｉをエネルギー
１５０ｋｅＶ、ドーズｆｆｉ ５ ＸＩＯ”ｃｍ−”程
度にイオン注入して活性化熱処理を行い、ｎ型Ｇｅ層３
に達するｎ型領域９ｎを形成する。
また例えば酸素イオン（０゛）注入法により、ｎ型Ｇｅ
層３を越える深さの素子間分離領域１０と２次元電子ガ
ス４ｅを越える深さの素子内分離領域１１をこの半導体
基体に形成する。
層３を越える深さの素子間分離領域１０と２次元電子ガ
ス４ｅを越える深さの素子内分離領域１１をこの半導体
基体に形成する。
次いでこの半導体基体のｎ型ＧａＡｓ層６上に、ソース
、ドレイン電極７と前記電極９とを例えばＡｕＧｅ／Ａ
ｕを用いて形成し、例えば温度４００℃、１分間程度の
熱処理を行って、ソース、ドレイン電極７の合金化領域
７Ａを２次元電子ガス４ｅに達してｎ型Ｇｅ層３に達し
ない深さに形成する。なお同時に電極９の合金化領域も
ｎ型領域９ｎ内に形成されるが図示を省略している。
、ドレイン電極７と前記電極９とを例えばＡｕＧｅ／Ａ
ｕを用いて形成し、例えば温度４００℃、１分間程度の
熱処理を行って、ソース、ドレイン電極７の合金化領域
７Ａを２次元電子ガス４ｅに達してｎ型Ｇｅ層３に達し
ない深さに形成する。なお同時に電極９の合金化領域も
ｎ型領域９ｎ内に形成されるが図示を省略している。
更にこの半導体基体のソース、ドレイン電極７間のｎ型
ＧａＡｓ層６をエツチングし、ｎ型Ａ］ＧａＡｓ電子供
給層５上に例えばＡＩ等を用いて、第１の制御電極（通
常のゲート電極）８を設ける。
ＧａＡｓ層６をエツチングし、ｎ型Ａ］ＧａＡｓ電子供
給層５上に例えばＡＩ等を用いて、第１の制御電極（通
常のゲート電極）８を設ける。
上述の実施例では静的バックゲート電圧として例えば０
，２ｖを電極９に印加すれば、相当する第３図（ａｌに
示した構造のＨＥＭＴに比較して、２次元電子ガス４ｅ
の移動度及び相互コンダクタンスが約２０％増加する。
，２ｖを電極９に印加すれば、相当する第３図（ａｌに
示した構造のＨＥＭＴに比較して、２次元電子ガス４ｅ
の移動度及び相互コンダクタンスが約２０％増加する。
またこのパンクゲート構造を動的に制御づれば、容量が
約２０％低減する。
約２０％低減する。
以上説明した如く本発明によれば、ＨＥＭＴの２次元量
子化された電子ガスを制御するバツクゲ−１・構造が容
易に効果的に構成され、このＧｅ層に正の定電圧を印加
して電子移動度を大きくし相互コンダクタンスを高める
こと。制御信号を印加して２次元電子ガスの移動度も変
調し、相互コンダクタンスを増大し電極容量を低減する
ことなどが実現して、ＨＥＭＴの一層の高性能化が達成
される。
子化された電子ガスを制御するバツクゲ−１・構造が容
易に効果的に構成され、このＧｅ層に正の定電圧を印加
して電子移動度を大きくし相互コンダクタンスを高める
こと。制御信号を印加して２次元電子ガスの移動度も変
調し、相互コンダクタンスを増大し電極容量を低減する
ことなどが実現して、ＨＥＭＴの一層の高性能化が達成
される。
第１図は本発明による半導体装置のエネルギーバンド図
、 第２図は実施例の模式断面図、 第３図は従来例の模式断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧａＡｓバッファ層、３はｎ型Ｇｅ層
、 ４はノンドープのｉ型ＧａＡｓチャネル層、４ｅは２次
元電子ガス、 ５は電子供給層（例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ層）、６はｎ
型ＧａＡｓ層、 ７はソース、ドレイン電極、 ７Ａは合金化領域、 ８は第１の制御電極（通常のゲート電極）、９はｎ型Ｇ
ｅ層３にオーミックコンタクトする電極、 ９ｎはｎ型領域、 １０は素子間分離領域、 １１は素子内分離領域を示す。 ）ｆＪ Ｉ 后 ズ多１−−４クリ−７７りへ〆ｑｆｆｉ 図７２図
、 第２図は実施例の模式断面図、 第３図は従来例の模式断面図である。 図において、 １は半絶縁性ＧａＡｓ基板、 ２はノンドープのＧａＡｓバッファ層、３はｎ型Ｇｅ層
、 ４はノンドープのｉ型ＧａＡｓチャネル層、４ｅは２次
元電子ガス、 ５は電子供給層（例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ層）、６はｎ
型ＧａＡｓ層、 ７はソース、ドレイン電極、 ７Ａは合金化領域、 ８は第１の制御電極（通常のゲート電極）、９はｎ型Ｇ
ｅ層３にオーミックコンタクトする電極、 ９ｎはｎ型領域、 １０は素子間分離領域、 １１は素子内分離領域を示す。 ）ｆＪ Ｉ 后 ズ多１−−４クリ−７７りへ〆ｑｆｆｉ 図７２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半絶縁性砒化ガリウム基板上に、ｎ型ゲルマニウム層と
ノンドープの砒化ガリウム層と電子供給層とが順次積層
されて、該砒化ガリウム層に２次元電子ガスが生成され
、 該２次元電子ガスにオーミックコンタクトする入出力電
極と、該電子供給層にショットキコンタクトする第１の
制御電極と、該ｎ型ゲルマニウム層にオーミックコンタ
クトする電極とを備えて、該ｎ型ゲルマニウム層を該２
次元電子ガスに対する第２の制御電極として機能させる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5071287A JPS63216380A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5071287A JPS63216380A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216380A true JPS63216380A (ja) | 1988-09-08 |
Family
ID=12866503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5071287A Pending JPS63216380A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216380A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329231B1 (en) * | 1999-05-31 | 2001-12-11 | Fujitsu Limited | Distributed constant circuit with active element |
| CN103715235A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-09 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的增强型mis-hemt器件及其制备方法 |
| CN103715257A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-09 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的hemt器件及其制备方法 |
| CN103730360A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-16 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的增强型hemt器件及其制备方法 |
| CN103730492A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-16 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的mis-hemt器件及其制备方法 |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP5071287A patent/JPS63216380A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6329231B1 (en) * | 1999-05-31 | 2001-12-11 | Fujitsu Limited | Distributed constant circuit with active element |
| CN103715235A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-09 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的增强型mis-hemt器件及其制备方法 |
| CN103715257A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-09 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的hemt器件及其制备方法 |
| CN103730360A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-16 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的增强型hemt器件及其制备方法 |
| CN103730492A (zh) * | 2014-01-09 | 2014-04-16 | 苏州能屋电子科技有限公司 | 具有背面场板结构的mis-hemt器件及其制备方法 |
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