JPH02150038A - 変調ドープ電界効果トランジスタ - Google Patents
変調ドープ電界効果トランジスタInfo
- Publication number
- JPH02150038A JPH02150038A JP30481988A JP30481988A JPH02150038A JP H02150038 A JPH02150038 A JP H02150038A JP 30481988 A JP30481988 A JP 30481988A JP 30481988 A JP30481988 A JP 30481988A JP H02150038 A JPH02150038 A JP H02150038A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- buffer layer
- gaas
- electron
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 18
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 241001669573 Galeorhinus galeus Species 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000002329 Inga feuillei Species 0.000 description 1
- 101100217524 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) apg-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は■−■族化合物半導体を用いた変調ドープ電
界効果トランジスタ、特に高周波領域での雑音特性を改
善した変調ドープ電界効果トランジスタに関する。
界効果トランジスタ、特に高周波領域での雑音特性を改
善した変調ドープ電界効果トランジスタに関する。
〈従来の技術〉
従来、半絶縁性ＧａＡｓ基板上にアンドープＩｎＧａＡ
ｓからなる電子走行層とドナー不純物ドープ１！ＧａＡ
ｓからなる電子供給層を備えた変調ドープ電界効果トラ
ンジスタ（以下ＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＰＥＴと略す。
ｓからなる電子走行層とドナー不純物ドープ１！ＧａＡ
ｓからなる電子供給層を備えた変調ドープ電界効果トラ
ンジスタ（以下ＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＰＥＴと略す。
）としては第３図に示すようなしのがある。第３図に示
すＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥ′ｒは、半絶縁性のＧａ
Ａｓ基板４１上に、アンドープＧａＡｓバッファ層４２
、アンドープＩｎＧａＡｓ電子走行層４３、アンドープ
Ａ（ＧａＡｓスペーザ層４４、ドナー不純物ドープＡ１
２ＧａＡｓ電子供給層４５、ドナー不純物ドープＧａＡ
ｓコンタクト抵抗低減用キャップ層４６が、分子線エピ
タキシャル成長法により原子層レベルで層厚を制御して
順次積層されている。そして、上記ＡＱＧａＡＳ電子供
給層４５の中央部表面上にゲート電極４７か形成され、
上記ＧａＡｓキャップ層４６上にソース及びドレイン電
極」８．４９がそれぞれ設けられている。また、上記１
ｎＧａＡｓ電子走行層４３の層厚は、その下層のＧａＡ
ｓバッファ層４２との間の界面すなわちＩｎＧａＡｓ／
ＧａＡｓ界面に格子不整による転位が発生しないように
、Ｉｎ混晶比が１０％のとき約４００Å以下、１５％の
とき２００Å以下、２５％のとき１００Å以下に制御さ
れている。
すＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥ′ｒは、半絶縁性のＧａ
Ａｓ基板４１上に、アンドープＧａＡｓバッファ層４２
、アンドープＩｎＧａＡｓ電子走行層４３、アンドープ
Ａ（ＧａＡｓスペーザ層４４、ドナー不純物ドープＡ１
２ＧａＡｓ電子供給層４５、ドナー不純物ドープＧａＡ
ｓコンタクト抵抗低減用キャップ層４６が、分子線エピ
タキシャル成長法により原子層レベルで層厚を制御して
順次積層されている。そして、上記ＡＱＧａＡＳ電子供
給層４５の中央部表面上にゲート電極４７か形成され、
上記ＧａＡｓキャップ層４６上にソース及びドレイン電
極」８．４９がそれぞれ設けられている。また、上記１
ｎＧａＡｓ電子走行層４３の層厚は、その下層のＧａＡ
ｓバッファ層４２との間の界面すなわちＩｎＧａＡｓ／
ＧａＡｓ界面に格子不整による転位が発生しないように
、Ｉｎ混晶比が１０％のとき約４００Å以下、１５％の
とき２００Å以下、２５％のとき１００Å以下に制御さ
れている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、ＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥＴを動作さける
場合、動作点をヂャンネル遮断状態近くにとるので、」
二足電子走行層４３内を走行する電子の多くは上記電子
走行層下部へテロ界面４３ａに押しつけられる。つまり
、走行する電子の波動関数の振幅、したがって存在確率
がこの電子走行層下部へテロ界面４３ａの付近で大きい
。したがって、電子の走行する状態はこの電子走行層へ
テロ界面の平坦性に強く影響される。
場合、動作点をヂャンネル遮断状態近くにとるので、」
二足電子走行層４３内を走行する電子の多くは上記電子
走行層下部へテロ界面４３ａに押しつけられる。つまり
、走行する電子の波動関数の振幅、したがって存在確率
がこの電子走行層下部へテロ界面４３ａの付近で大きい
。したがって、電子の走行する状態はこの電子走行層へ
テロ界面の平坦性に強く影響される。
従来のＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥＴはＩｎＧａＡｓ／
ＧａＡｓ界面における格子不整合のために、上記ＩｎＧ
ａＡｓ電子走行層４３の成長段階において、Ｉｎ及びＧ
ａ原子のマイグレーションが阻止され、その結果、原子
層レベルでレイヤ・パイ・レイヤの成長が困難になる。
ＧａＡｓ界面における格子不整合のために、上記ＩｎＧ
ａＡｓ電子走行層４３の成長段階において、Ｉｎ及びＧ
ａ原子のマイグレーションが阻止され、その結果、原子
層レベルでレイヤ・パイ・レイヤの成長が困難になる。
特に上記ＩｎＧａＡｓ電子走行層４３の成長段階の初期
に、電子走行層下部ヘテ〔１界而４３ａを形成する第１
〜２原子層か歪を最乙強く受けるので、この電子走行層
下部へテロ界面４３ａはどうして乙凸凹になる。このた
め、凸凹の電子走行層下部ヘテ〔１界面４３ａを有する
従来のＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥＴは、高周波領域に
おける雑音特性では、ＩｎＧａＡｓ材料の電子移動度及
び電子飽和速度に見合うだけの期待通りの性能が得られ
ていない。
に、電子走行層下部ヘテ〔１界而４３ａを形成する第１
〜２原子層か歪を最乙強く受けるので、この電子走行層
下部へテロ界面４３ａはどうして乙凸凹になる。このた
め、凸凹の電子走行層下部ヘテ〔１界面４３ａを有する
従来のＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥＴは、高周波領域に
おける雑音特性では、ＩｎＧａＡｓ材料の電子移動度及
び電子飽和速度に見合うだけの期待通りの性能が得られ
ていない。
そこでこの発明の目的は、電子走行層下部へテロ界面の
平坦性を改善し高周波低雑音特性の変調ドープ電界効果
トランジスタを提供することにある。
平坦性を改善し高周波低雑音特性の変調ドープ電界効果
トランジスタを提供することにある。
〈課題を解決するだめの手段〉
上記目的を達成するため、この発明の変調トープ電界効
果トランジスタは、ＧａＡｓからなる基板と、上記堰板
に隣接するバッファ層と、アンドープＩｎＧａＡｓから
なり上記バッファ層に隣接する電子走行層と、ドナー不
純物ドープＡｆｆＧａＡｓからなる電子供給層とを備え
た変調ドープ電界効果トランジスタにおいて、上記バッ
ファ層は、ＧａＡｓ若しくはＡρＧａＡｓ又はこれらの
組み合せからなり上記基板に隣接ずろ第１バッファ層と
、上記電子走行層と同一のＩｎ混晶比を有するＩｎＡｆ
ｆＡｓからなり上記第１バッファ層に隣接する第２バッ
ファ層とからなり、上記第２バッファ層と上記電子走行
層の格子定数を略等しくしたことを特徴としている。
果トランジスタは、ＧａＡｓからなる基板と、上記堰板
に隣接するバッファ層と、アンドープＩｎＧａＡｓから
なり上記バッファ層に隣接する電子走行層と、ドナー不
純物ドープＡｆｆＧａＡｓからなる電子供給層とを備え
た変調ドープ電界効果トランジスタにおいて、上記バッ
ファ層は、ＧａＡｓ若しくはＡρＧａＡｓ又はこれらの
組み合せからなり上記基板に隣接ずろ第１バッファ層と
、上記電子走行層と同一のＩｎ混晶比を有するＩｎＡｆ
ｆＡｓからなり上記第１バッファ層に隣接する第２バッ
ファ層とからなり、上記第２バッファ層と上記電子走行
層の格子定数を略等しくしたことを特徴としている。
〈作用〉
ＩｎＧａＡｓからなる電子走行層とそれに隣接しＩｎＧ
ａＡｓからなる第２バッファ層のＩｎ混晶比を同一にし
ているため、上記電子走行層と上記第２バッファ層の格
子定数はほぼ等しく、格子不整合は起こらない。したが
って電子走行層下部へテロ界面は平坦となる。一方、上
記第２バッファ層に隣接する第１バッファ層はＧａＡｓ
若しくはＡＱＧａ八８又へこれらの組み合せからなり格
子定数が異なるので、上記第２バッファ層と上記第１バ
ッファ層との界面が格子不整合面となる。すなわち、電
子走行層下部へテロ界面とラフな格子不整合面とが異な
る面となる。したがって、」二足電子走行層を走行する
電子は、チャンネル遮断状態に近い動作点でその下部に
押しつけられていても、ラフな格子不整合面の悪影響を
受けることなくソーストレイン間を通過することが可能
となる。その結果、変調ドープ電界効果トランジスタの
高周波低雑音特性が達成される。
ａＡｓからなる第２バッファ層のＩｎ混晶比を同一にし
ているため、上記電子走行層と上記第２バッファ層の格
子定数はほぼ等しく、格子不整合は起こらない。したが
って電子走行層下部へテロ界面は平坦となる。一方、上
記第２バッファ層に隣接する第１バッファ層はＧａＡｓ
若しくはＡＱＧａ八８又へこれらの組み合せからなり格
子定数が異なるので、上記第２バッファ層と上記第１バ
ッファ層との界面が格子不整合面となる。すなわち、電
子走行層下部へテロ界面とラフな格子不整合面とが異な
る面となる。したがって、」二足電子走行層を走行する
電子は、チャンネル遮断状態に近い動作点でその下部に
押しつけられていても、ラフな格子不整合面の悪影響を
受けることなくソーストレイン間を通過することが可能
となる。その結果、変調ドープ電界効果トランジスタの
高周波低雑音特性が達成される。
〈実施例〉
以下、この発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図はこの発明の変調ドープ電界効果トランジスタの
一実施例を示す概略断面図である。第１図において、１
１は（１００）表面を有する半絶縁性ＧａＡｓＪｉ＆板
である。上記半絶縁性ＧａＡｓ（１００）基板１１上に
アンドープＧａＡｓ第１バッファ層１２、アンドープＩ
ｎＡ（！Ａｓ第２バッファ層Ｉ３、アンドープＩｎＧ
ａＡｓＥｉ子走行層１４、アンドープＡ１２ＧａＡｓス
ペーサ層１５、ＳｉドープＡａＧａＡｓ？ｉ子供給８１
６、ＳｉドープＧａＡｓコンタクト抵抗低減用キャップ
層【７が積層されている。
一実施例を示す概略断面図である。第１図において、１
１は（１００）表面を有する半絶縁性ＧａＡｓＪｉ＆板
である。上記半絶縁性ＧａＡｓ（１００）基板１１上に
アンドープＧａＡｓ第１バッファ層１２、アンドープＩ
ｎＡ（！Ａｓ第２バッファ層Ｉ３、アンドープＩｎＧ
ａＡｓＥｉ子走行層１４、アンドープＡ１２ＧａＡｓス
ペーサ層１５、ＳｉドープＡａＧａＡｓ？ｉ子供給８１
６、ＳｉドープＧａＡｓコンタクト抵抗低減用キャップ
層【７が積層されている。
そして、本実施例は、いわゆるリセス構造をしており、
リセス底部にゲート電極Ｉ８、その側方、キャップ層上
にソース、ドレイン電極１９．２０がそれぞれ配置され
ている。
リセス底部にゲート電極Ｉ８、その側方、キャップ層上
にソース、ドレイン電極１９．２０がそれぞれ配置され
ている。
この変調トープ電界効果トランジスタは、以下に述べる
ようにして作製される。
ようにして作製される。
■第２図（ａ）に示すように、ＬＥＣ（リキッド・エン
カプンユレーノヨン・ヂョクラルスキ）製法による半絶
縁性ＧａＡｓ（Ｉ ＯＯ）基板１！上に、まず５０００
人アンドープＧａＡｓからなる第１バッファ層１２を基
板温度５８０℃でＭＢＥ成長させる。
カプンユレーノヨン・ヂョクラルスキ）製法による半絶
縁性ＧａＡｓ（Ｉ ＯＯ）基板１！上に、まず５０００
人アンドープＧａＡｓからなる第１バッファ層１２を基
板温度５８０℃でＭＢＥ成長させる。
■次にＧａ分子線照射を止め、Ａｓ分子線のみ照射し、
成長を一時中断する。
成長を一時中断する。
■基板温度を５２０℃に降下安定後、Ｉｎ混晶比が１５
％になるようＥｎとΔｇの分子線量比を調節し、Ｉｎ及
び１分子線を同時に照射しＩｎＡｌ２Ａｓからなる第２
バッファ層Ｉ３を３０人成長する。
％になるようＥｎとΔｇの分子線量比を調節し、Ｉｎ及
び１分子線を同時に照射しＩｎＡｌ２Ａｓからなる第２
バッファ層Ｉ３を３０人成長する。
■第２バッファ層１３上にＩｎ混晶比が１５％のＩ ｎ
Ｇ ａＡｓからなる電子走行層１４を１５０人成長させ
る。
Ｇ ａＡｓからなる電子走行層１４を１５０人成長させ
る。
■次にＩｎ分子線を切りＧａ分子線を照射させ、基板温
度はＩｎ／Ｇａ分子線切り替えとほぼ同時に５８０８Ｃ
に上昇させて、アンドープΔＱＧａＡｓからなるスペー
サ層！５を２０人成長させる。なお■、■において材料
であるＡｃＧａＡｓのΔＱ混晶比は２６％に設定する。
度はＩｎ／Ｇａ分子線切り替えとほぼ同時に５８０８Ｃ
に上昇させて、アンドープΔＱＧａＡｓからなるスペー
サ層！５を２０人成長させる。なお■、■において材料
であるＡｃＧａＡｓのΔＱ混晶比は２６％に設定する。
■更に２ Ｘ Ｉ Ｏ１８ｃｍ−”のＳｉドープＡ１２
ＧａＡｓからなる電子供給層＋６（４５０人）、続いて
２×１０１８ｃＩ１１−２のＳｉドープＧａＡｓコンタ
クト抵抗低減用キャップ層＋７（５００人）を成長する
。
ＧａＡｓからなる電子供給層＋６（４５０人）、続いて
２×１０１８ｃＩ１１−２のＳｉドープＧａＡｓコンタ
クト抵抗低減用キャップ層＋７（５００人）を成長する
。
■次いで第２図（ｂ）に示すようにソース、ドレインの
オーミック電Ｉ＆１９．２０をＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ
を蒸着、リフトオフしアロイ処理４００℃、１分を施す
ことにより形成する。
オーミック電Ｉ＆１９．２０をＡｕ−Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕ
を蒸着、リフトオフしアロイ処理４００℃、１分を施す
ことにより形成する。
■次いで第２図（ｃ）に示すように中央部にリセスエッ
チングを施し、上記ＧａＡｓからなるコンタクト抵抗低
減用キャップ層１７の中央部を除去し、その底部に、ゲ
ート長は０．３μｍに設定してＡＱゲート電極１８をリ
フトオフにて形成して作製を完了ずろ。
チングを施し、上記ＧａＡｓからなるコンタクト抵抗低
減用キャップ層１７の中央部を除去し、その底部に、ゲ
ート長は０．３μｍに設定してＡＱゲート電極１８をリ
フトオフにて形成して作製を完了ずろ。
このようにして作製された変調トープ電界効果トランジ
スタは、上記１ｎＧａＡｓからなる電子走行層１４とそ
れに隣接する下層であってＩｎＡｃＡｓからなる第２バ
ヅフア層１３のＩｎ混晶比を同一にしているため、この
２つの層の格子定数はほぼ等しく格子不整合は起こらな
い。したがって゛電子走行層下部へテロ界面１４ａは平
坦に形成された状態となる。一方、上記１ ｎＡ１２Ａ
ｓからなる第２バッファ層１３とそれに隣接する下層で
あるＧａＡｓからなる第１バッファ層１２は格子定数が
異なるので、上記第２バッファ層１３と第１バッファ層
１２との界面が格子不整合面となる。すなわち、電子走
行層下部へテロ界面１４ａとラフな格子不整合面とが異
なる而となる。したがって、上記電子走行層１４を走行
する電子は、ヂャンネル遮断状態に近い動作点でその下
部に押しつけられていて乙、ラフな格子不整合面の悪影
響を受けることなくソース−トレイン間を通過すること
ができる。その結果、変調ドープ電界効果トランジスタ
の高周波低雑音特性を達成するごとができる。
スタは、上記１ｎＧａＡｓからなる電子走行層１４とそ
れに隣接する下層であってＩｎＡｃＡｓからなる第２バ
ヅフア層１３のＩｎ混晶比を同一にしているため、この
２つの層の格子定数はほぼ等しく格子不整合は起こらな
い。したがって゛電子走行層下部へテロ界面１４ａは平
坦に形成された状態となる。一方、上記１ ｎＡ１２Ａ
ｓからなる第２バッファ層１３とそれに隣接する下層で
あるＧａＡｓからなる第１バッファ層１２は格子定数が
異なるので、上記第２バッファ層１３と第１バッファ層
１２との界面が格子不整合面となる。すなわち、電子走
行層下部へテロ界面１４ａとラフな格子不整合面とが異
なる而となる。したがって、上記電子走行層１４を走行
する電子は、ヂャンネル遮断状態に近い動作点でその下
部に押しつけられていて乙、ラフな格子不整合面の悪影
響を受けることなくソース−トレイン間を通過すること
ができる。その結果、変調ドープ電界効果トランジスタ
の高周波低雑音特性を達成するごとができる。
この実施例のＩｎＧａＡｓ ＭＯＤＦＥＴと第３図に
示した従来構造のものについて、１２ＧＨｚでの最小雑
音指数（Ｎ Ｆ ｍ１ｎ）と有能電力利得（ＡＰＧ）を
測定したところ、この実施例の１ｎＧａＡｓ ＭＯＤ
Ｆ Ｅ ’ｒではＮＦｍ１ｎＯ，７ｄＢ、ＡＰＧ １
１ｄＢ。
示した従来構造のものについて、１２ＧＨｚでの最小雑
音指数（Ｎ Ｆ ｍ１ｎ）と有能電力利得（ＡＰＧ）を
測定したところ、この実施例の１ｎＧａＡｓ ＭＯＤ
Ｆ Ｅ ’ｒではＮＦｍ１ｎＯ，７ｄＢ、ＡＰＧ １
１ｄＢ。
上記従来構造のものではＮｒ；’ｍ１ｎ０．９ｄＢ、Ａ
ＰＧ１０ｄＢであり、この発明の上記実施例のＩｎＧａ
Ａ ｓ Ｍ ＯＤ Ｆ Ｅ Ｔが高性能であることが
判明した。
ＰＧ１０ｄＢであり、この発明の上記実施例のＩｎＧａ
Ａ ｓ Ｍ ＯＤ Ｆ Ｅ Ｔが高性能であることが
判明した。
〈発明の効果〉
以上より明らかなように、この発明の変調ドープ電界効
果トランジスタは、ＧａＡｓからなる基板と、上記基板
に隣接するバッファ層と、アンドープ［ｎＧａＡｓから
なり上記バッファ層に隣接する電子走行層と、ドナー不
純物トープＡ＆ＧａＡｓからなる電子供給層とを備えた
変調ドープ電界効果トランジスタにおいて、上記バッフ
ァ層は、ＧａＡｓ若しくはＡ１２ＧａＡｓ又はこれらの
組み合せからなり」−記基板に隣接する第１バッファ層
と、上記電子走行層と同一のＩｎ混晶比を有するＩｎＡ
（Ａｓからなり上記第１バッファ層に隣接する第２バッ
ファ層とからなり、上記第２バッファ層と上記電子走行
層の格子定数を略等しくしているので、上記電子走行層
と上記バッファ層の界面を格子不整合面とせず、上記第
２バッファ層と上記第１バッファ層の界面を格子不整合
面とすることができる。
果トランジスタは、ＧａＡｓからなる基板と、上記基板
に隣接するバッファ層と、アンドープ［ｎＧａＡｓから
なり上記バッファ層に隣接する電子走行層と、ドナー不
純物トープＡ＆ＧａＡｓからなる電子供給層とを備えた
変調ドープ電界効果トランジスタにおいて、上記バッフ
ァ層は、ＧａＡｓ若しくはＡ１２ＧａＡｓ又はこれらの
組み合せからなり」−記基板に隣接する第１バッファ層
と、上記電子走行層と同一のＩｎ混晶比を有するＩｎＡ
（Ａｓからなり上記第１バッファ層に隣接する第２バッ
ファ層とからなり、上記第２バッファ層と上記電子走行
層の格子定数を略等しくしているので、上記電子走行層
と上記バッファ層の界面を格子不整合面とせず、上記第
２バッファ層と上記第１バッファ層の界面を格子不整合
面とすることができる。
したがって、電子走行層下部へテロ界面の平坦性を改善
することができ、従来構造では生かしきれなかったＩｎ
ＧａＡｓ材料の有する高い電子移動度と電子飽和速度の
特長を十二分に発揮させることができる。その結果、変
調ドープ電界効果トランジスタの高周波領域での低雑音
特性を達成することができる。
することができ、従来構造では生かしきれなかったＩｎ
ＧａＡｓ材料の有する高い電子移動度と電子飽和速度の
特長を十二分に発揮させることができる。その結果、変
調ドープ電界効果トランジスタの高周波領域での低雑音
特性を達成することができる。
第１図はこの発明の変調ドープ電界効果トランジスタの
一実施例を示す概略断面図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は
上記実施例の作製工程を示す断面図、第３図は従来構造
の変調ドープ電界効果トランノスタの断面図である。 １１・・・基板、１２・・・第１バッファ層、１３・・
・第２バッファ層、１４・・・電子走行層、１４ａ・・
・電子走行層下部へテロ界面、１５・・・スペーサ層、
Ｉ６・・・電子供給層、１７・・・コンタクト抵抗低減
用キャンプ層、１８・・・ゲート電極、１９・・ソース
電極、２０・・・ドレイン電極。 特 許 出 頼 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆 ほか１名第２図 第１図 １１
′し一一一一一一一一」
一実施例を示す概略断面図、第２図（ａ）乃至（ｃ）は
上記実施例の作製工程を示す断面図、第３図は従来構造
の変調ドープ電界効果トランノスタの断面図である。 １１・・・基板、１２・・・第１バッファ層、１３・・
・第２バッファ層、１４・・・電子走行層、１４ａ・・
・電子走行層下部へテロ界面、１５・・・スペーサ層、
Ｉ６・・・電子供給層、１７・・・コンタクト抵抗低減
用キャンプ層、１８・・・ゲート電極、１９・・ソース
電極、２０・・・ドレイン電極。 特 許 出 頼 人 シャープ株式会社代 理 人
弁理士 青白 葆 ほか１名第２図 第１図 １１
′し一一一一一一一一」
Claims (1)
- （１）ＧａＡｓからなる基板と、上記基板に隣接するバ
ッファ層と、アンドープＩｎＧａＡｓからなり上記バッ
ファ層に隣接する電子走行層と、ドナー不純物ドープＡ
ｌＧａＡｓからなる電子供給層とを備えた変調ドープ電
界効果トランジスタにおいて、 上記バッファ層は、ＧａＡｓ若しくはＡｌＧａＡｓ又は
これらの組み合せからなり上記基板に隣接する第１バッ
ファ層と、上記電子走行層と同一のＩｎ混晶比を有する
ＩｎＡｌＡｓからなり上記第１バッファ層に隣接する第
２バッファ層とからなり、上記第２バッファ層と上記電
子走行層の格子定数を略等しくしたことを特徴とする変
調ドープ電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30481988A JPH02150038A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 変調ドープ電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30481988A JPH02150038A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 変調ドープ電界効果トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02150038A true JPH02150038A (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=17937634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30481988A Pending JPH02150038A (ja) | 1988-11-30 | 1988-11-30 | 変調ドープ電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02150038A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298445A (en) * | 1992-05-22 | 1994-03-29 | Nec Corporation | Method for fabricating a field effect transistor |
| EP0863554A2 (en) * | 1997-03-05 | 1998-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
-
1988
- 1988-11-30 JP JP30481988A patent/JPH02150038A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298445A (en) * | 1992-05-22 | 1994-03-29 | Nec Corporation | Method for fabricating a field effect transistor |
| EP0863554A2 (en) * | 1997-03-05 | 1998-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
| EP0863554A3 (en) * | 1997-03-05 | 1998-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Field-effect transistor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6797994B1 (en) | Double recessed transistor | |
| US6271547B1 (en) | Double recessed transistor with resistive layer | |
| JPS63281475A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11261054A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH02150038A (ja) | 変調ドープ電界効果トランジスタ | |
| JPH02246121A (ja) | ヘテロ接合閉込めチャンネルｆｅｔ | |
| US5773853A (en) | Compound semiconductor device | |
| JPH09321061A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0574819A (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS609174A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2773782B2 (ja) | 化合物半導体ヘテロ接合構造 | |
| JPS6235677A (ja) | 反転型高電子移動度トランジスタ装置 | |
| JPH0789586B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6376380A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04326734A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JP3423812B2 (ja) | Ｈｅｍｔ素子およびその製造方法 | |
| JP3122471B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPS6068661A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0327537A (ja) | 変調ドープ型電界効果トランジスタ | |
| JPS63281474A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06302625A (ja) | 電界効果トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH084141B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH04142750A (ja) | 高電子移動度トランジスタ | |
| JPH0671011B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| JPH04280640A (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |