JPS63213851A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 致亙立国 本発明は電子写真用感光体に関するものであり、特に導
電性基体と感光層との間に特定の化合物を主成分とする
共晶錯体層を設けたことを特徴とする電子写真用感光体
に関するものである。

従】Ｕ創１ 電子写真複写機に使用される感光体は、最近安価、生産
性、無公害性を利点とする有機系の感光材料を用いたも
のが使用され始めている。

有機系の電子写真感光体には、ポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）に代表される光導電性樹脂、ＰＶＫ−ＴＮＦ
　（２，４，７トリニト０７／ｌ／オレノン）に代表さ
れる電荷移動錯体型、フタロシアニン−バインダーに代
表される顔料分散型、電荷発生物質と電荷輸送物質とを
組合せて用いる機能分離型の感光体などが知られており
、特に機能分離型の感光体が注目されている。

この様な機能分離型感光体を、カールソンプロセスに適
用した場合、帯電性が低く、電荷保持性が悪い（暗減衰
が大きい）上、繰返し使用による。これら特性の劣化が
大きく、画像上に、濃度ムラ、カブリ、また反転現像の
場合地汚れを生ずるという欠点を有している。

一般に高感度感光体は、前露光疲労によって帯電性が低
下する。この前露光疲労は主に電荷発生材料が吸収する
光によって起こることから、光吸収によって発生した電
荷が移動可能な状態で感光体内に残留している時間が長
い程、またその電荷の数が多い程、前露光疲労による帯
電性の低下が著しくなると考えられる。即ち、光吸収に
よって発生した電荷が残留している状態で帯電操作をし
ても、残留しているキャリアの移動で表面電荷が中和さ
れる為、残留電荷が消費されるまで表面電位は上昇しな
い、従って。

前露光疲労分だけ表面電位の上昇が遅れることに゛なり
、見かけ上の帯電４位は低くなる。

上述の欠点に対して例えば、特開昭４７−６３４１．４
ｇ−３５４４および４８−１２０３４号には硝酸セルロ
ース系樹脂中間層が、特開昭４８−４７３４４．５２−
２５６３８．５８−３０７５７．５ｇ−６３９４５，５
８−９５３５１，５８−９８７３９および６０−６６２
５８号にはナイロン系樹脂中間層が、特開昭４８−２６
１４１には酢酸ビニル系樹脂中間層が、特開昭４９−８
９３３２および５２−１０１３８号にはマレイン酸系樹
脂中間層が、そして特開昭５８−１０５１５５号にはポ
リビニルアルコール樹脂中間層がそれぞれ開示されてい
る。

また中間層の電気抵抗を制御するべく種々の導電性添加
物を樹脂中に含有させた中間層が提案されている０例え
ば、特開昭５１−６５９４２号にはカーボンまたはカル
コゲン系物質を硬化性樹脂に分散した中間層が、特開昭
５２−８２２３８号には四級アンモニウム塩を添加して
イソシアネート系硬化剤を用いた熱重合体中間層が、特
開昭５５−１１８０４５１号には抵抗調節剤を添加した
樹脂中間層が、特開昭５８−５８５５６号にはアルミニ
ウムまたはスズの酸化物を分散した樹脂中間層が、特開
昭５８−９３０６２号には有機金属化合物を添加した樹
脂中間層が、特開昭５８−９３０６３．６０−９７３６
３および６０−１１１２５５号には導電性粒子を分散し
た樹脂中間層が、さらに特開昭５９−８４２５７．５９
−９３４５３および６０−３２０５４号にはＴｉＯ，と
ＳｎＯ，粉体とを分散した樹脂中間層が開示されている
。

さらにまた電気抵抗のかわりに電荷の移動性を制御しよ
うという考え方から、マイナス電荷移動性の物質として
の電子受容性の有機化合物を含有した樹脂中間層が提案
されている０例えば、特開昭５３−８９４３３号には多
環芳香族ニトロ化合物を添加した有機高分子光導電体中
間層が。

また特開昭５４−４１３４．５９−１６０１４７および
５９−１７０８４６号には電子受容性有機物を含有する
樹脂中間層が開示されている。

しかしながら、繰返し使用による帯電性の低下、とりわ
け帯電電位の立上りの遅れに関しては未だに不充分であ
り、よりいっそうの改善が望まれていた。

且−一立 本発明の目的は感光体の帯電性を改良することにあり、
詳しくは、繰返し使用後の帯電電位の立上りの遅れのな
い感光体を提供することである。

碧−一」逸 本発明者らは、導電性基体上に感光層を設けて成る電子
写真感光体において、導電性基体と感光層の間に、ビリ
リウム系染料、電気絶縁性重合体および下記一般式（１
）で示される化合物を主成分とする共晶錯体層を設ける
ことによって、繰返し使用後の帯電電位の立上りの遅れ
のない電子写真感光体が得られることを見い出し本発明
に至った。

Ｒｏ （式中、Ｒ１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換又は
非置換のフェニル基あるいは複素環式基を表わし、　Ｒ
，、Ｒ，はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素
原子、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキル
基、クロルアルキル基、あるいは置換又は非置換のアラ
ルキル基を表わし、またＲ２とＲ１は互いに結合し、窒
素を含む複素環を形成してもよく、Ｒ４＝　Ｒｓはそれ
ぞれ同一でも異なっていてもよく、水素原子、炭素数１
〜４のアルキル基、アルコキシ基。

又はハロゲン原子を表わす） 以下、添付図面に従って本発明を具体的に説明する。

第１図ａおよびｂは本発明の電子写真感光体の構成例を
示す断面図であり、導電性基体ｌｌ上に共晶錯体層１３
を設け、更にその上に、感光層１５を設けたものである
。感光層１５は単層の場合と、電荷発生層２１および電
荷輸送層２２より成る積層のものとがある。

第２図は、本発明の別の構成例であり導電性基体と共晶
錯体層との間に下引層１２を設けたものである。

第３図ａおよびｂは本発明の別の構成例であり共晶錯体
層と感光層との間に目止め層１４を設けたものである。

導電性基体１１としては、体積抵抗１０１ａΩＣｌ１１
以下の導電性を示すもの１例えばアルミニウム、ニッケ
ル、クロム、ニクロム、銅、銀、金、白金などの金属、
酸化ズズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着又は
スパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプ
ラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、ニッケル、ステンレス等の板お
よびそれらをり、１．．１．１．、押出し、引抜き等の
工法で素管化後、切削、超仕上げ、研摩等で表面処理し
た管等を使用することができる。

共晶錯体層１３は、共晶錯体と、一般式（１）で示され
る導電性物質を主成分として形成されている。ここでの
共晶錯体はピリリウム系染料と。

電気絶縁性重合体とからつくられるものである。

ピリリウム系染料には、ピリリウム塩、チアピリリウム
塩及びセレナピリリウム塩の３種があり、下記一般式を
有している。

上式においてＲａ、Ｒｂ、Ｒｏ、Ｒｄ及びＲ８は夫々。

（ａ）水素原子 （ｂ）アルキル基、代表的にはメチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソ
アミル、ヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシルなどの
０１〜Ｃ１ｓのアルキル基 （Ｃ）メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ア
ミロキシ、ヘキソキシ、オクトキシなどのアルコキシ基 （ｄ）フェニル、４−ジフェニル、４−エチルフェニル
、４−プロピルフェニルなどのアルキルフェニル類；４
−エトキシフェニル、４−メトキシフェニル、４−アミ
ロキシフェニル、２−ヘキソキシフェニル、２−メトキ
シフェニル、３．４−ジメトキシフェニルなどのアルコ
キシフェニル類；２−ヒドロキシエトキシフェニル、３
−ヒドロキシエトキシフェニルなどのβ−ヒドロキシア
ルコキシフェニル類；４−ヒドロキシフェニル、２，４
−ジクロロフェニル、３，４−ジブロモフェニル、４−
クロロフェニル、３，４−ジクロロフェニルなどのハロ
フェニル類；アジドフェニル、ニトロフェニル、４−ジ
エチルアミノフェニル、４−ジメチルアミノフェニルな
どのアミノフェニル類；ナフチル、スチリル、メトキシ
スチリル、ジェトキシスチリル、ジメチルアミノスチリ
ル、１−ブチル−４−Ｐ−ジメチルアミノフェニル−１
，３−ブタジェニル、β−エチル−４−ジメチルアミノ
スチリル等のビニル置換アリール基のような置換アリー
ル基を含めたアリール基 を表わし、又は硫黄、酸素又はセレン原子であり、また
２−はバークロレート、フルオロボレート、沃化物、塩
化物、臭化物、硫酸塩、適状化物、ｐ−トルエンスルホ
ネート、ヘキサフルオロホスフェートなどの陰イオン官
能基である。

してピリリウム核に融合したアリール環を完成するに必
要な原子であってもよい・ このようなピリリウム系染料の代表例を下記に示す。

（以下余白） 配＠Ｎｏ　　　化合物名 １　　４−Ｃ４−ビス−２（クロロエチル）アミノフェ
ニル）−２，６−シフエニルチアピリリウムパークロレ
ート２　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，
６−シフエニルチアピリリウムパークロレート ３　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−
シフエニルチアピリリウムフルオロボレート ４　　４−（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル
）−２，６−ジフェニルピリリウムバークロレート ５　　４−（４−ビス２（−クロロエチル）アミノフェ
ニル）−２−（４−メトキシフェニル）−６−フェニル
チアピリリウムバークロレート ６　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−
シフエニルチアビリリウムサルフエート ７　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−
ジフェニルチアピリリウムｐ−トルエンスルホネート８
　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−シ
フエニルピリリウムーρ−トルエンスルホネート ９　　２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４−（４
−ジメチルアミノフェニル）−ベンゾ（ｂ）ピリリウム
バークロレート１０　　２．６−ビス（４−エチルフェ
ニル）−４−（４−ジメチルアミノフェニル）チアピリ
リウムバークロレートエニル）−６−フェニルチアピリ
リウムバークロレート エニル）−６−フェニルチアピリリウムバークロレート ロレート １４　　４−（４−ジフェニルアミノフェニル）−２，
６−シフエニルチアビリリウムパークロレート １５　　２．４．６−ドリフエニルピリリウムパークロ
レート１６　　４−（４−メトキシフェニル）−２，６
−ジフェニルピリリウムバークロレート ラムパーフロレート １９　　２．６−ビス（４−メトキシフェニル）−４−
フェニルピリリウムバークロレート ２０　　６−（４−メトキシフェニル）−２，４−ジフ
ェニルピリリウムバークロレート ２１　　２−（３，４−ジクロロフェニル）−４−（４
−メトキシフェニル）−６−フェニルピリリウムバーク
ロレート２２　　４−（４−アミロキシフェニル）−２
，６−ビス（４−エチルフェニル）ビリリウムバークロ
レート ２３　　４−（４−アミロキシフェニル）−２，６−ビ
ス（４−メトキシフェニル）ピリリウムバークロレート ２４　　２．４．６−トリフエニルピリリウムフルオロ
ボレート２５　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）
−４−（４−メトキシフェニル）ピリリウムバークロレ
ート ２６　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−（
４−メトキシフェニル）ピリリウムフルオロボレート ２７　　６−（３，４−ジェトキシスチリル）−２，４
−ジフェニルピリリウムバークロレート ２８　　６−（３，４−ジェトキシ−β−アミルスチリ
ル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオ口ボレート ２９　　６−（４−ジメチルアミノ−β−エチルスチリ
ル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオロボレート
３０　　６−（１−ｎ−アミル−４−ｐ−ジメチルアミ
ノフェニル−１，３−ブタジェニル）−２，４−ジフェ
ニルピリリウムフルオロボレート ３１　　６−（４−ジメチルアミノスチリル）−２，４
−ジフェニルピリリウムフルオロボレート ３２　　６−［：α−エチル−β、β−ビス（ジメチル
アミノフェニル）ビニレン］−２，４−ジフェニルピリ
リウムフルオロボレート ３３　　６−（１−ブチル−４−Ｐ−ジメチルアミノフ
ェニル−１，３−ブタジェニル）−２，４−ジフェニル
ピリリウムフルオロボレート ３４　　６−（４−ジメチルアミノスチリル）−２，４
−ジフェニルピリリウムバークロレート ３５　　６−［β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン］−２，４−ジフェニルビリリウムバー
クロレート３６　　２．６−ビス（４−ジメチルアミノ
スチリル）−４−フェニルピリリウムバークロレート ３７　　６−（β−メチル−４−ジメチルアミノスチリ
ル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオロボレート ３８　　６−（１−エチル−４−（４−ジメチルアミノ
フェニル）−１，３−ブタジェニル］−２，４−ジフェ
ニルピリリウムフルオロボレート ３９　　６−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン）−２，４−ジフェニルピリリウムフル
オロボレート４０　　６−（１−メチル−４−（４−ジ
メチルアミノフェニル）−１，３−ブタジェニル）−２
，４−ジフェニルピリリウムフルオロボレート ４１　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６
−ジフェニルピリリウムバークロレート ４２　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−フ
ェニルピリリウムバークロレート ４３　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−メ
トキシフェニルチアピリリウムフルオロボレート ４４　２．４．６−トリフエニルチアピリリウムパーク
ロレート４５　　４−（４−メトキシフェニル）−２，
６−ジフェニルチアピリリウムバークロレート ４６　　６−（４−メトキシフェニル）−２，４−ジフ
ェニルチアピリリウムバークロレート ４７　　２．６−ビス（４−メトキシフェニル）−４−
フェニルチアピリリウムバークロレート ４８　　４−（２，４−ジクロロフェニル）−２，６−
ジフェニルチアピリリウムバークロレート ４９　　２．４．６−トリ（４−メトキシフェニル）チ
アピリリウムバークロレート ５０　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−フ
ェニルチアピリリウムバークロレート ５１　　４−（４−アミルオキシフェニル）−２，６−
ビス（４−エチルフェニル）チアピリリウムバークロレ
ート５２　　６−（４−ジメチルアミノスチリル）−２
，４−ジフェニルチアピリリウムバークロレート ５３　　２．４．６−トリフエニルチアピリリウムフル
オロボレート ５４　　２．４．６−トリフエニルチアピリリウムサル
フエート５５　　４−（４−メトキシフェニル）−２，
６−シフエニルチアピリリウムフルオロボレート ５６　　２．４．６−トリフエニルチアピリリウムクロ
ライド５７　　２−（４−アミルオキシフェニル）−４
，６−シフエニルチアピリリウムフルオロボレート ５８　　４−（４−アミルオキシフェニル）−２，６−
ビス（４−メトキシフェニル）チアピリリウムバークロ
レート５９　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−
４−（４−メトキシフェニル）チアピリリウムバークロ
レート ６０４−アニシル−２，６−ビス（４−ｎ−アミルオキ
シフェニル）チアピリリウムクロライド ６１　　２−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン）−４，６−ジフェニルチアピリリウム
バークロレート ６２　　６−（β−エチル−４−ジメチルアミノスチリ
ル）−２，４−ジフェニルチアピリリウムバークロレー
ト６３　　２−（３，４−ジェトキシスチリル）−４，
６−ジフェニルチアピリリウムバークロレート ６４　　２．４．６−トリアニシルチアピリリウムパー
クロレート ６５６−エチル−２，４−ジフエニルピリリウムフルオ
ロボレート ６６　　２、Ｆ−ビス（４−エチルフェニル）−４−（
４−メトキシフェニル）チアビリリウムクロライド ６７　　６−（β、β−ビス（４−ジメチルアミノフェ
ニル）ビニレン）−２，４−ジ（４−エチルフェニル）
ピリリウムバークロレート ６８　　２．６−ビス（４−アミルオキシフェニル）−
４−（４−メトキシフェニル）チアピリリウムバークロ
レート６９　　６−（３，４−ジェトキシ−β−エチル
スチルスチリル）−２゜４−ジフェニルピリリウムフル
オロボレート７０　　６−（４−メトキシ−β−エチル
スチリル）−２，４−ジフェニルピリリウムフルオロボ
レート ７１　　２−（４−エチルフェニル）−４，６−シフエ
ニルチアピリリウムパータロレート ７２　　２．６−ジフェニル−４−（４−メトキシフェ
ニル）チアピリリウムバークロレート ７３　　２．６−ジフェニル−４−（４−メトキシフェ
ニル）チアピリリウムフルオロボレート ７４　　２．６−ビス（４−エチルフェニル）−４−（
４−ｎ−アミルオキシフェニル）チアピリリウムバーク
ロレート７５　　２．６−ビス（４−メトキシフェニル
）−４−（４−ｎ−アミルオキシフェニル）チアピリリ
ウムバークロレート７６　　２．４．６−トリス（４−
メトキシフェニル）チアピリリウムフルオロボレート ７７　　２．４−ジフェニル−６−（３，４−ジェトキ
シスチリル）ピリリウムバークロレート ７８　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−フ
ェニルベンゾ（ｂ）セレナピリリウムバークロレート７
９　　２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４−（４
−ジメチルアミノフェニル）−ベンゾ（ｂ）セレナピリ
リウムバークロレート ８０　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６
−シフエニルセレナピリリウムパークロレート ８１　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−（
４−エトキシフェニル）−６−フェニルセレナピリリウ
ムバークロレート ８２　　４−［４−ビス（２−クロロエチル）アミノフ
ェニル）−２，６−シフエニルセレナピリリウムパータ
ロレート８３　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）
−２，６−ビス（４−エチルフェニル）−セレナピリリ
ウムバークロレート８４　　４−（４−ジメチルアミノ
−２−メチルフェニル）−２，６−シフエニルセレナピ
リリウムパークロレート８５　　３−（４−ジメチルア
ミノフェニル）ナフト（２，１−ｂ）セレナピリリウム
バークロレート ８６　　４−（４−ジメチルアミノスチリル）−２−（
４−メトキシフェニル）ベンゾ（ｂ）セレナピリリウム
バークロレート ８７　　２．６−ジ（４−ジエチルアミノフェニル）−
４−フェニルセレナピリリウムバークロレート ８８　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２−（
４−エトキシフェニル）−６−フェニルチアピリリウム
フルオロボレート ８９　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６
−ジフェニルピリリウムへキサフルオロフォスフェート
９０　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６
−ジフェニルチアピリリウムへキサフルオロフォスフェ
ート９１　　４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２
，６−ジフェニルセレナピリリウムへキサフルオロフォ
スフェート（以下余白） 特に有用なピリリウム染料は下記一般式を有するもので
ある。

式中Ｒ１及びＲ２はＣ１〜Ｃ６のアルキル基及びＣ工〜
Ｃ１のアルコキシ基から選ばれた少なくとも１つの置換
基を有する置換フェニル基のようなアリール基であり、
Ｒ１はアルキル部分が０１〜ＣＧのアルキルアミノ置換
フェニル基で、ジアルキルアミノ置換及びハロアルキル
アミノ置換フェニル基でもよい、又は酸素又は硫黄原子
、Ｚは前述の通りである。

電気絶縁性重合体としては主鎖（繰返し単位）中に下記
式で示されるアルキリデンジアリーレン部分を有するも
のが特に有用である。

式中Ｒ４及びＲ３は夫々、水素原子、トリフルオロメチ
ルのような置換アルキル基を含むメチル、エチル、プロ
ピル、イソプロピル、ブチル。

ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル
、ノニル、デシルなどのアルキル基、ハロゲン、０１〜
Ｃ３のアルキル基のような置換基を有する置換アリール
基を含むフェニル及びナフチルなどのアリール基であり
、またＲ９とＲ１とは共同してシクロヘキシルのような
シクロアルカン類及びノルボルニルのようなポリシクロ
アルカン類を含む環式炭化水素基を形成するに必要な炭
素原子であってもよい、Ｒ１及びＲ１は水素、Ｃ１〜Ｃ
９のアルキル基又はクロル、ブロム、沃素などのハロゲ
ンであり、またＲ、は−０−Ｃ−０−、−０−Ｃ−０−
、−Ｃ−０−及び−ｏ−ｐ−ｏ−よりなる群から選択さ
れた２０−◎ 価の基である。

また下記式の繰返し単位からなる疎水性炭酸塩重合体類
（ポリカーボネート）も有用で好ましいものである。

Ｓ （以下余白） 式中、Ｒはハロ置換フェニレン基類及びアルキル置換フ
ェニレン基類を含むフェニレン基であり、またＲ４及び
Ｒ４は前述の通りである。これらの重合体はＵ　Ｓ　Ｐ
　３，０２８，３６５号、同３，３１７，４６６号に開
示されている。好ましくは、ビスフェノールＡから製造
されるような、繰返し単位にアルキリデンジアリーレン
部分を含有し、ジフェニルカーボネートと２，２−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）プロパンとの間のエステル
交換によって生成した重合体を含むポリカーボネート類
が有用である。このような重合体はＵＳＰ２，９９９，
７５０号、同３　、０３８　、８７４号、同３，０３８
，８８０号、同３，１０６，５４４号、同３，１０６，
５４５号、同３．１０６，５４６号等に開示されている
。いずれにしてもフィルム形成性ポリカーボネート樹脂
類は広範囲に使用できる。特に約０．５〜１．８の固有
粘度を有するものを使用すると、満足し得る結果が得ら
れる。

電気絶縁性重合体の具体例は下記の通りである。

−」ＩＬ−Ａ　　　　　　　・・ １　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
−ｃ、ｏ−１，４−シクロヘキシル−ジメチルカーボネ
ート） ２　　ポリ（３，３’−エチレンジオキシフェニレンチ
オカーボネート） ３　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネートー飴−テレフタ レート） ４　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート） ５　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンフェニレンチ
オカーボネート） ６　　ポリ（２，２’−ブタンビス−４−フェニレンカ
ーボネート） ７　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート−ブロック−エチ レンオキシド） ８　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニレン
カーボネート−ブロック−テト ラメチレンオキシド） ９　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンビス（２−メ
チルフェニレン）カーボネート〕 １０　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−１、４−フェニレンカーボネート） １１　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−１、３−フェニレンカーボネート） １２　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４、４’−ジフェニレンカーボネート） １３　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４＋　４’−オキシジフェニレンカーボネ
ート） １４　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４，４’−カルボニル−ジフェニレンカー
ボネート） １５　　　ポリ（４、４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−ｃｏ−４，４’−エチレンジフェニレンカーボネ
ート） １６　　　ポリ（４、４’−メチレンビス（２−メチル
フェニレン）カーボネート〕 １７　　　ポリ［１，１−（ｐ−ブロモフェニルエタン
）−ビス（４−フェニレン）カーボネート〕１８　　　
ポリ（４，４’−イソプロピリチンジフェニレン−組−
スルホニル−ビス（４−フェニレン）カーボネート〕 １９　　　ポリ（１，１’−シクロヘキサンビス（４−
フェニレン）カーボネート〕 ２０　　　ポリ［４，４’−イソプロピリデンビス（２
−クロロフェニレン）カーボネート〕 ２１　　　ポリ（ヘキサフルオロインプロピリデンジー
４−フェニレンカーボネート） ２２　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジフェニ
レン−４，４′−イソプロピリデンジベンゾエート） ２３　　　ポリ（４，４’−イソプロピリデンジベンジ
ル−４，４−イソプロピリデンジベンゾエート） ２４　　　ポリＣ２，２−＜３−メチルブタン）ビス−
４−フェニレンカーボネート〕 ２５　　　ポリ（２，２−（３，３−ジメチルブタン）
ビス−４−フェニレンカーボネート〕 ２６　　　ポリ（１，１−（１−（１−ナフチル）〕〕
ビスー４−フェニレンカーボネート ２７　　　ポリ（２，２−（４−メチルペンタン）ビス
−４−フェニレンカーボネート〕 ２８　　　ポリ［４，４’−（２−ノルボルニリデン）
ジフェニレンカーボネート〕 ２９　　　ポリ（４，４’−（ヘキサヒドロ−４，７−
メタツインタン−５−イリデン）−ジフェニレンカーボ
ネート〕 ３０　　　ポリＣ４，４’−Ｃイソプロピリデンジフエ
ニレンカーボネートーヱ且ＬＬ−オキ シテトラメチレン） （以下余白） また、一般式（１）で示される化合物の代表例を下記に
示す。

本発明の共晶錯体層１３をつくるには、上記のピリリウ
ム系染料、電気絶縁性重合体、および一般式（Ｉ）で示
される化合物を、適当な溶媒例えば、テトラヒドロフラ
ン、トルエン、１，２−ジクロルエタン、塩化メチレン
、クロロホルム。

モノクロルベンゼン、ジクロルベンゼン、ベンゼンなど
に溶解し、これを導電性基体１１上に塗布し、５０〜１
３０℃で乾燥して、膜厚０．０５〜３０μｍ好ましくは
０．２〜５μｍの共晶錯体層を形成すればよい。

塗布は、浸漬塗工法、ビードコート法、スプレーコート
法や、ワイヤーブレード、ドクターブレード、エアーナ
イフなどを用いて行なえる。

この塗布乾燥がなされる間に、ビリリウム系染料と電気
絶縁性重合体とで共晶錯体を形成する。

共晶錯体層１３における各成分の割合は、ピリリウム系
染料１重量部に対して、電気絶縁性重合体５〜８０重量
部、一般式（Ｉ）で示される化合物１〜５０重量部が適
当である。電気絶縁性重合体と一般式（Ｉ）の化合物と
の重量比は電気絶縁性重合体１重量部に対して一般式（
１）の化合物０．１〜５重量部が適当である。

また、この層１３を形成する際に、シリコーンオイルな
どのレベリング°剤を、塗工液に添加してもよい、その
使用量は、電気絶縁性重合体に対して０〜１重量％程度
が適当である。ここで使用されるシリコーンオイルの例
としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニル
シリコーンオイル、メチルクロロフェニルシリコーンオ
イル、フロロシリコーンオイル、メチルハイドロジエン
シリコーンオイル、アルキル変性シリコーンオイル、高
級脂肪酸変性シリコーンオイル、アミノ変性シリコーン
オイル等がある。

さらに共晶錯体層１３を設けるに際して、結着剤が必要
により使用されてもよい。

ここでの結着剤材料としてはポリエチレン、ポリスチレ
ン、ポリブタジェン、スチレンーブメジエン共重合体、
アクリル酸エステル又はメタクリル酸エステルの重合体
及び共重合体、ポリエステル、ポリアミド、エポキシ樹
脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、アルキッド樹脂、
セルロース系樹脂やポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及び
その誘導体（例えばカルバゾール骨格に塩素、臭素な゛
どのハロゲン、メチル基、アミノ基などの置換基を有す
るもの）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン
、ピレン−ホルムアルデヒド系重合体及びその誘導体（
例えばピレン骨格に臭素などのハロゲン、ニトロ基など
の置換基を有するもの）、ポリ−チーカルバゾリルエチ
ル−Ｌ−ダルタメート、スチロール樹脂、塩素化ポリエ
チレン、アセタール樹脂、メラミン樹脂などがあげられ
る。

本発明において第２図に示されるように導電性基体と、
共晶錯体層の間に下引層１２を設けることにより、帯電
性、接着性を改良することができる。

下引層１２にはＳｉＯ，ＡΩ２０８等の無機材料を蒸着
、スパッタリング、陽極酸化などの方法で設けたものや
、ポリアミド樹脂、アルコール可溶性ナイロン樹脂、水
溶性ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルブチラール
樹脂、ポリビニルアルコール樹脂などの樹脂層を用いる
ことができる。

また、上記樹脂下引層にＺｎ○、ＴｉＯ２，ＺｎＳ等の
顔料粒子を分散したものも、下引層として用いることが
できる。

更に本発明の下引層１２として、シランカップリング剤
、チタンカップリング剤、クロムカップリング剤等を使
用することもできる。

下引層１２の膜厚は０〜５μｍが適当である。

また、第３図ａ、ｂに示される様に共晶錯体層と感光層
との間に目止め層１４を設けることもできる。即ち、共
晶錯体層の上に感光層を塗工するに際して感光層塗工液
の溶媒によっては、共晶錯体層を、溶解あるいは膨潤さ
せ、層形成上の障害となる場合がある。この場合、目止
め層を設けることにより、共晶錯体層を溶解、膨潤させ
ることなく、均一な感光層を設けることができる。

ただし、感光層塗工液の溶媒が、共晶錯体層を溶解、膨
潤させない場合、溶媒が速乾性である場合、あるいはス
プレー塗工などの塗布時に含まれる溶媒量が少ない時な
どは、目止め層を必ずしも設ける必要はない。

目止め層１４には、ポリアミド樹脂、アルコール可溶性
ナイロン樹脂、水溶性ポリビニルブチラール樹脂、ポリ
ビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂など
の樹脂層を用いることができる。

次に感光層１５について説明するが、先ず積層感光層に
ついて述べる。

電荷発生層２１は、電荷発生物質を主材料とした層で、
必要に応じてバインダー樹脂を用いることもある。

バインダー樹脂としては、ポリアミド、ポリウレタン、
ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネート、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、
ポリスチレン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリア
クリルアミドなどが用いちれる。

電荷発生物質としては、例えば、シーアイピグメントブ
ルー２５〔カラーインデックス（ＣＩ）２１１８０）、
シーアイピグメントレッド４１　（ＣＩ　２１２００）
、シーアイアシッドレッド５２　（ＣＩ　４５１００）
、シーアイベーシックレッド３　（ＣＩ　４５２１０）
、さらに、ポルフィリン骨格を有するフタロシアニン系
顔料、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３
−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格
を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４５５号公報に
記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特
開昭５３−１３２５４７号公報に記載）、ジベンゾチオ
フェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８
号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔
料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレ
ノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号
公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（
特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオ
キサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２
１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を
有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３４号公報に記載
）、さらに、シーアイピグメントブルー１６　（ＣＩ　
７４１００）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバッ
トブラウン５　（ＣＩ　７３４１０）、シーアイバット
ダイ（ＣＩ　７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴ
スカーレットＢ（バイオレット社製）、インダンスレン
スカーレットＲ（／（イニル社製）等のペリレン系顔料
などが挙げられる。

これら電荷発生物質の中でも特にアゾ顔料が好適である
６更にアゾ顔料の中でも下記一般式（ｆｆ）に示される
トリスアゾ顔料、または一般式（Ｍｌ）で示されるジス
アゾ顔料が好ましい。

（以下余白） （式中、Ａ１は ’・Ｘ、’　　　　　　　　　　　　Ａｒ”であり、こ
こでＸ　ｚ　ＨＡ　ｒ”、Ａ　ｒ”　、　Ｒ１，Ｒ”は
次の通りである。

Ｘ：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしく
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環など
のへテロ環、またはそれらの置換体、 Ａｒ１：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、も
しくはジベンゾフラン環などのへテロ環またはそれらの
置換体、 Ａｒ”：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環また
はそれらの置換体、 Ｒ１：水素、低級アルキル基またはフェニル基あるいは
その置換体、 Ｒ２：低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基ま
たはそのエステル） （式中、Ａ２は Ｘ゛Ａｒ２ Ｒ’ であり、ここでＸ　、　Ａ　ｒ’、Ａ　ｒ”、Ａ　ｒ’
、Ｒ′。

Ｒ２、Ｒ３は次の通りである。

Ｘ：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族環、もしく
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環など
のへテロ環、またはそれらの置換体、 Ａ　ｒ’　Ｆ　Ａ　ｒ”　：ベンゼン環、フナタレン環
などの芳香族環、もしくはジベンゾラン環などのへテロ
環またはそれらの置換体、 Ａ　ｒ　”　：ベンゼン環、ナフタレン環などの芳香族
環またはそれらの置換体、 Ｒ”、Ｒ３：水素、低級アルキル基またはフェニル基あ
るいはその置換体、 Ｒ２：低級アルキル基、フェニル基、カルボキシル基ま
たはそのエステル） これらトリスアゾ顔料およびジスアゾ顔料の具体例を例
示すれば次の第１表および第２表の通りである。

（以下余白） １　ニー　式　■　のトリスアゾ　・ 工　　　　　″　　　　　　　Ｊｋ−１工　　　　　１
　　　　　　工　　　　　１工　　　　　２　　　　　
　　」Ｌ　　　　　３エ　　　　　３　　　　　　　」
Ｌ　　　　　２Ｆ （以下余白） これらの電荷発生物質は単独で、あるいは２種以上併用
して用いられる。

バインダー樹脂は、電荷発生物質１００重量部に対して
０〜１００重量部用いるのが適当であり。

好ましくは０〜５０重量部である。

電荷発生層は、電荷発生物質を必要ならばバインダー樹
脂とともに、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、ジ
オキサン、ジクロルエタン等の溶媒を用いてボールミル
、アトライター。

サンドミルなどにより分散し、分散液を適度に希釈して
塗布することにより形成できる。塗布は、浸漬塗工法や
スプレーコート、ビードコート法などを用いて行なうこ
とができる。

電荷発生層の膜厚は、０．０１〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは、０．１〜２μｍである。

電荷輸送層２２は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂
を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを電荷発生層上
に塗布、乾燥することにより形成できる。また、必要に
より可塑剤やレベリング剤等を添加することもできる。

電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがあ
る。

正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
およびその誘導体、ポリーγ−カルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮金物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラ
セン、１，１−ビス−（４−ジベンジルアミノフェニル
）プロパン、スチリルアントラセン、スチリルピラゾリ
ン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチルベン誘
導体等の電子供与性物質が挙げられる。

電荷輸送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、　２，４．７−　トリニトロ−９−フルオレ
ノン、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノ
ン、　２，４，５．７−チトラニトロキサントン、２，
４．８−　トリニドロチオキサントン、２，６．８−ト
リニトロ−４Ｈ−インデノ（１，２−’ｂ）チオフェン
−４−オン、１，３．７−トリニトロジベンゾチオフエ
ンー５，５−ジオキサイドなどの電子受容性物質が挙げ
られる。

これらの電荷輸送物質は、単独又は、２種以上混合して
用いられる。

バインダー樹脂としてはポリスチレン、スチレン−アク
リロニトリル共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体
、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリニスチル、
ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポ
リ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ボリアリレート樹
脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロー
ス樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール
、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン ール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、
メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキ
ッド樹脂等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる
。

溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トル
エン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチ
レンなどが用いられる。

電荷輸送層２２の厚さは、５〜５０μｍ程度が適当であ
る。

次に感光層１５が単層構成の場合について述べる．この
場合も多くは電荷発生物質と電荷輸送物質よりなる機能
分離型のものが挙げられる。

即ち、電荷発生物質および電荷輸送物質には先に示した
化合物を用いることができる。

単層感光層は，電荷発生物質および電荷輸送物質および
バインダー樹脂を適当な溶剤に溶解ないし分散し、これ
を塗布、乾燥することによって形成できる．また、必要
により、可塑剤やレベリング剤等を添加することもでき
る。

バインダー樹脂としては，先に電荷輸送層２２で挙げた
バインダー樹脂をそのまま用いるほかに、電荷発生層２
１で挙げたバインダー樹脂を混合して用いてもよい。

単層感光層は、電荷発生物質、電荷輸送物質およびバイ
ンダー樹脂をテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロ
ルエタン、シクロヘキサノン等の溶媒を用いて、分散機
等で分散した塗工液を、浸漬塗工法やスプレーコート、
ビードコートなどで塗工して形成できる。

単層感光層の膜厚は、５〜５０μｍ程度が適当である。

なお、本発明において感光層１５の上にさらに絶縁層や
保護層を設けることも可能である。

次に実施例によって、本発明をさらに詳しく説明するが
１本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

実施例１ アルミニウムを蒸着したポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、下記組成の共晶錯体層塗工液をドクターブ
レードで塗布し、乾燥膜厚１μｍの共晶錯体層を形成し
た。

４−（４−ジメチルアミノフェニル）−２，６−ジフェ
ニルチアピリリウム　バークロレート　１重量部ポリカ
ーボネート （今人化成（株）製パンライトに−１３００）　　　　
　１０重量部化合物Ｎ００２の（１）式の化合物　　　
　　　　９重量部塩化メチレン　　　　　　　　　　　
　　　６００重量部この上に、下記組成の電荷発生層塗
工液をスプレーコート法で塗布し、乾燥膜厚０．２μｍ
の電荷発生層を形成した。

顔料Ｎｏ、１−１８のトリスアゾ顔料　　　３重量部ポ
リビニルブチラール （種水化学工業（株）製エスレツクＢＬ−１）　　１重
量部シクロへキサノン　　　　　　　３００重量部次に
、この電荷発生層上に下記組成の塗工液をスプレーコー
ト法で塗布し、乾燥膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成し
、本発明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　　９０重量部ポリカー
ボネート （今人化成（株）製、パンライトに−１３００）　１０
０重量部テトラヒドロフラン　　　　　　　８００重量
部実施例２ 実施例１において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、２
の（Ｉ）式の化合物の代りに、Ｎｏ、１６の（Ｉ）式の
化合物を用いた他はすべて実施例１と同様にして、電子
写真感光体を作成した。

比較例１ 実施例１において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例１と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例３ 実施例１に用いたのと同じ支持体上に下記組成の塗工液
をドクターブレードで塗布し、乾燥膜厚０．１μｍの下
引層を形成した。

水溶性ポリビニルブチラール２５％水溶液（種水化学工
業（株）製エスレック１１２０１）　　　５０重量部水
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１５０重量部
メタノール　　　　　　　　　　　　　　　２００重量
部この上に下記組成の塗工液をスプレーコート法で塗布
し、乾燥膜厚０．５μｍの共晶錯体層を形成した。

ポリカーボネート （ＧＥ社製レキサン−１４１）　　　　　　　　　　　
１５重量部化合物Ｎｏ、２５の（Ｉ）式の化合物　　　
　　　１２重量部塩化メチレン　　　　　　　　　　　
　　　４５０重量部１．２−ジクロルエタン　　　　　
　　　　　１５０重量部次にこの上に下記組成の塗工液
をスプレーコート法で塗布し、乾燥膜厚０．２μｍの電
荷発生層を形成した。

顔料Ｎｏ、２−２０のジスアゾ顔料　　　　３重量部テ
トラヒドロフラン　　　　　　３００重量部さらに、こ
の上に下記組成の塗工液をスプレーコート法で塗布し、
乾燥膜厚１８μｍの電荷輸送層を形成し、本発明の電子
写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　　８０重量部テトラヒ
ドロフラン　　　　　　　８００重量部実施例４ 実施例３において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、２
５の（Ｉ）式の化合物の代りにＮｏ、２７の（Ｉ）式の
化合物を用いた他はすべて実施例３と同様にして、電子
写真感光体を作成した。

比較例２ 実施例３において、共晶錯体層を設りないほかは、すべ
て実施例３と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例５ 厚さ０　、２ｍｍのアルミニウム板上に下記組成の塗工
液を浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚２μｍの共晶錯体層
を形成した。

化合物Ｎｏ、３５の（Ｉ）式の化合物　　　　　　　７
重量部塩化メチレン　　　　　　　　　　　　　　６０
０重量部西塩化炭素　　　　　　　　　　　　　　２０
０重量部この上に下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布
し、乾燥膜厚０゜３ｐｒａの目止め層を形成した。

メタノール　　　　　　　　　　　２００重量部イソプ
ロピルアルコール　　　　１００重量部次に、この上に
下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚０．
３μＩの電荷発生層を形成した。

顔料Ｎｏ、１−２０のトリスアゾ顔料　　　３重量部シ
クロへキサノン　　　　　　　　２００重量部テトラヒ
ドロフラン　　　　　　１００重量部さらに、この上に
下記組成の塗工液を浸漬塗工法で塗布し、乾燥膜厚２０
μｍの電荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体
を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　　９０重量部塩化メチ
レン　　　　　　　　　８００重量部実施例６ 実施例５において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、３
５の（Ｉ）式の化合物の代りにＮｏ、４８の（１）式の
化合物を用いた他はすべて実施例５と同様にして、電子
写真感光体を作成した。

比較例３ 実施例５において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例５と同様にして電子写真感光体を作成した。

実施例７ 厚さ０．２ｍｍのアルミニウム板上に下記組成の下引層
塗工液、共晶錯体層塗工液および目止め層塗工液を順次
、浸漬塗工法で塗布、乾燥して下引層（膜層０６２μｍ
）、共晶錯体Ｍ（膜層０，７μｍ）および目止めＭ（膜
Ｊ’９０．２μｍ）を順次形成した。

（１）下引Ｍ塗工液 水　　　　　　　　　　　　　　２００重量部メタノー
ル　　　　　　　　　　１００重量部（２）共晶錯体層
塗工液 化合物Ｎｏ、５５の（Ｉ）式の化合物　１０重量部塩化
メチレン　　　　　　　　６５０重量部（３）目止め層
塗工液 エタノール　　　　　　　　　　２５０重量部次にこの
上に、下記組成の塗工液を浸漬塗工法により塗布し、乾
燥膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。

顔料Ｎｏ、２−７のジスアゾ顔料　　　３重量部シクロ
へキサノン　　　　　　２００重量部テトラヒドロフラ
ン　　　　　１００重量部さらにこの上に下記組成の塗
工液を浸漬塗工法により塗布し、乾燥膜厚２０μｍの電
荷輸送層を形成して、本発明の電子写真感光体を得た。

下記構造式の電荷輸送物質　　　９０重量部塩化メチレ
ン　　　　　　　　８００重量部実施例８ 実施例７において、共晶錯体層塗工液に用いたＮｏ、５
５の（Ｉ）式の化合物の代りにＮｏ、６９の（１）式の
化合物を用いた他はすべて実施例７と同様にして、電子
写真感光体を作成した。

比較例４ 実施例７において、共晶錯体層を設けないほかは、すべ
て実施例７と同様にして電子写真感光体を作成した。

以上の様に作成した電子写真感光体は静電複写紙試験装
置（川口電機製作新製５Ｐ−４２８型）を用いて、次の
様に電子写真特性を評価した。

まず、−５，５ｋＶの放電電圧にてコロナ帯電を１５秒
間行ない、次いで暗減衰を行ない表面電位が−８００Ｖ
になったところで１０　ｎ　ｕｘのタングステン光を照
射した。

この時の帯電開始後２秒の表面電位ＶＺ（Ｖ）、光照射
の際、表面電位が一４００Ｖになるのに必要な露光量Ｅ
１．□（Ｑｕｘ　５ｅｅ）を測定した。

２更に、この感光体に色温度２８５６”ｋのタングステ
ン光を１００，０００　Ｑ　ｕｘ　ｓｅｃ照射して、光
疲労させた後、再び前記と同様にして帯電電位Ｖ２’（
Ｖ）、露光量Ｅ’ｘｔｚ　（ｆｌｕｘ　５ｅｅ）を測定
したこの様にして測定した評価結果を次表に示す。

（以下余白） 一二１５秒闇電帯後も一８００Ｖまで！電しないため、
測定不可 効−一」艮 本発明によれば、感光体の繰返し使用後の帯電特性の劣
化を防ぐことが可能となる。

すなわち、複写機、プリンター等の画像濃度低下１画像
濃度ムラ、カブリあるいは、反転現像時においては、地
肌汚れのない良好な画像を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ、　ｂ、第２図、及び第３図ａ、ｂは本発明の
電子写真感光体のそれぞれの構成例を示す断面図である
。 １１・・・導電性基体　　　　１５・・・感光層１２・
・・下引層　　　　　　２１・・・電荷発生層１３・・
・共晶錯体層　　　　２２・・・電荷輸送層１４・・・
目止め層 月１図ｃ１　　　　　　　第１図す 死２図 兜３図ｄ　　　　　　　第３図す 手続補正帯　　　　６゜ 昭和６２年４月２２日 昭和６２年特許願第４６６９４号 ２、　発明の名称 電子写真用感光体 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 （６７４）株式会社　リ　　コ　　− 代表者　　浜　　１）　　広 ４６代理人 ５、補正の対象 補正の内容 明細書第４９頁の化合物Ｎα２−１５の化学式訂正する
。 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性基体上に感光層を設けて成る電子写真感光体
   において、前記導電性基体と感光層との間に、ピリリウ
   ム系染料、電気絶縁性重合体および下記一般式（ I ）
   、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・（ I ） （式中、Ｒ＿１は炭素数１〜１１のアルキル基、置換又
   は非置換のフェニル基あるいは複素 環式基を表わし、　Ｒ＿２、Ｒ＿３はそれぞれ同一でも
   異なっていてもよく、水素原子、炭素 数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキ ル基、クロルアルキル基、あるいは置換又 は非置換のアラルキル基を表わし、また Ｒ＿２とＲ＿３は互いに結合し、窒素を含む複素環を形
   成してもよく、Ｒ＿４、Ｒ＿５はそれぞれ同一でも異な
   っていてもよく、水素原子、 炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシ基、又はハロゲ
   ン原子を表わす） で示される化合物を主成分とする共晶錯体層が設けられ
   ていることを特徴とする電子写真用感光体。