JPS6321324B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6321324B2 JPS6321324B2 JP57037567A JP3756782A JPS6321324B2 JP S6321324 B2 JPS6321324 B2 JP S6321324B2 JP 57037567 A JP57037567 A JP 57037567A JP 3756782 A JP3756782 A JP 3756782A JP S6321324 B2 JPS6321324 B2 JP S6321324B2
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- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 12
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 12
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
本発明は、電圧非直線抵抗磁器、さらに詳しく
は過電圧保護用素子として用いられる酸化亜鉛
（ZnO）を主成分とした電圧非直線抵抗磁器に関
する。 従来、電子機器．電気機器の過電圧保護を目的
とした、それぞれシリコンカーバイド（SiC）、
セレン（Se）、シリコン（Si）又はZnOを主成分
としたバリスタが利用されている。中でもZnOを
主成分としたバリスタは、一般に制限電圧が低
く、電圧非直線係数が大きいなどの特徴を有して
いるため、半導体素子のような過電流耐量の小さ
いもので構成される機器の過電圧に対する保護に
適しているので、SiCよりなるバリスタなどに代
つて広く利用されるようになつた。 また、ZnOを主成分とし、副成分としてジスプ
ロシウム（Dy）及びコバルト（Co）を元素又は
化合物の形で添加して焼成することにより製造さ
れる電圧非直線抵抗磁器が電圧非直線性に優れて
いることが知られている。しかし、このような電
圧非直線抵抗磁器においては、動作開始電圧が周
囲温度の上昇によつて著しく減少すると漏れ電流
が大きくなり、従つて熱暴走を起こす可能性が生
ずる。さらに制限電圧がやゝ高いという欠点があ
つた。従つて、実用上は、これらの優れた電圧非
直線性の他に、できるだけ動作開始電圧が周囲温
度に対して安定であることと、更に制限電圧が低
いことが望まれるのである。 従つて、本発明は動作開始電圧の周囲温度に対
する安定性を向上させ、且つ制限電圧を更に減少
させ、しかも一層好適な特性を付与された電圧非
直線抵抗磁器を提供することを目的とする。 こゝに、本発明者は、ZnOを主成分とし、副成
分としてDyとCoを添加してなる従来技術の電圧
非直線抵抗磁器に、更に副成分としてカリウム
（Ｋ）とクロム（Cr）を添加することにより、優
れた電圧非直線性を保持した上で、動作開始電圧
の周囲温度に対する安定性が向上し、且つ制限電
圧が低減された電圧非直線抵抗磁器が得られるこ
とを見出し、本発明を完成した。 しかして、本発明によれば、ZnOを主成分と
し、副成分としてDy、Coを含む電圧非直線抵抗
磁器において、更に副成分としてＫ及びCrを添
加したことを特徴とする電圧非直線抵抗磁器が提
供される。 本発明の更に好ましい具体例によれば、ZnOを
主成分とし、副成分としてDy及びCoの他にＫ及
びCrを、Dyが0.1〜5.0原子％、Coが0.5〜５原子
％、Ｋが0.05〜0.5原子％、Crが0.05〜0.5原子％
であるような量で含む電圧非直線抵抗磁器が提供
される。 こゝで、原子％とは、所定の電圧非直線抵抗磁
器を製造するために配合された原料組成物中の各
成分金属元素の原子数の総和に対する添加金属元
素の原子数の百分率を意味する。 本発明に従う電圧非直線抵抗磁器は、一般には
ZnOと添加成分の金属又は化合物の混合物を酸素
含有雰囲気のもとで高温で焼成し、焼結させるこ
とによつて製造される。 通常、添加成分は金属酸化物の形で添加される
が、焼成過程で酸化物になり得る化合物、例えば
炭酸塩、水酸化物、弗化物なども用いることがで
き、或いは単体元素の形で用いて焼成過程で酸化
物にすることもできる。 特に好ましい方法によれば、本発明の電圧非直
線抵抗磁器は、ZnO粉末に添加成分金属又は化合
物の粉末を十分に混合し、焼成前に空気中で500
〜1000℃で数時間仮焼し、仮焼物を十分に粉砕
し、所定の形状に成形し、次いで空気中で1200〜
1400℃程度の温度で数時間焼成することにより製
造される。1200℃より低い焼成温度では焼結が不
十分で特性が不安定である。また、1400℃より高
い温度では均質な焼結体を得ることが困難とな
り、電圧非直線性が低下し、特性の制御などの再
現性に難点があり、実用に供する製品を得がた
い。 こゝで、本発明をさらに例示するために実施例
を示す。 実施例 ZnO粉末にDy2O3、CO3O4、K2CO3、Cr2O3粉
末を後記の第１表に記載の所定の原子％に相当す
る量で添加し、十分に混合した後、500〜1000℃
で数時間仮焼した。次いで仮焼物を十分に粉砕
し、金型を用いて直径17mmの円板状に成型して、
1200〜1400℃で空気中で１時間焼成して焼結磁器
を得た。このようにして得られた磁器を厚さ２mm
の試料に研磨し、その両面に電極を焼付けて素子
を作り、その電気的特性を測定した。 電気的特性としては、25℃において素子に
1mAの電流を流したときの動作開始電圧V1nA、
25℃における電圧非直線係数α、V1nAの25℃と
85℃との間の変化率△V1/V1並びに素子に40Aの
電流を流したときの制限電圧V40AとV1nAの比を
求めた。非直線係数αは素子電流の電圧に対
する変化を次式に近似したときに得られる。 ＝（Ｖ／Ｃ）〓 こゝで、Ｃは電流密度が1mA/cm2のときの素子
の厚さ１mm当りの電圧である。 磁器の配合組成を種々変えたときの電気的特性
の測定結果を第１表に示す。第１表に示した配合
組成は、配合された原料中の各成分金属元素の原
子数の総和に対する添加元素の原子数の比から算
出される原子％で示されている。
は過電圧保護用素子として用いられる酸化亜鉛
（ZnO）を主成分とした電圧非直線抵抗磁器に関
する。 従来、電子機器．電気機器の過電圧保護を目的
とした、それぞれシリコンカーバイド（SiC）、
セレン（Se）、シリコン（Si）又はZnOを主成分
としたバリスタが利用されている。中でもZnOを
主成分としたバリスタは、一般に制限電圧が低
く、電圧非直線係数が大きいなどの特徴を有して
いるため、半導体素子のような過電流耐量の小さ
いもので構成される機器の過電圧に対する保護に
適しているので、SiCよりなるバリスタなどに代
つて広く利用されるようになつた。 また、ZnOを主成分とし、副成分としてジスプ
ロシウム（Dy）及びコバルト（Co）を元素又は
化合物の形で添加して焼成することにより製造さ
れる電圧非直線抵抗磁器が電圧非直線性に優れて
いることが知られている。しかし、このような電
圧非直線抵抗磁器においては、動作開始電圧が周
囲温度の上昇によつて著しく減少すると漏れ電流
が大きくなり、従つて熱暴走を起こす可能性が生
ずる。さらに制限電圧がやゝ高いという欠点があ
つた。従つて、実用上は、これらの優れた電圧非
直線性の他に、できるだけ動作開始電圧が周囲温
度に対して安定であることと、更に制限電圧が低
いことが望まれるのである。 従つて、本発明は動作開始電圧の周囲温度に対
する安定性を向上させ、且つ制限電圧を更に減少
させ、しかも一層好適な特性を付与された電圧非
直線抵抗磁器を提供することを目的とする。 こゝに、本発明者は、ZnOを主成分とし、副成
分としてDyとCoを添加してなる従来技術の電圧
非直線抵抗磁器に、更に副成分としてカリウム
（Ｋ）とクロム（Cr）を添加することにより、優
れた電圧非直線性を保持した上で、動作開始電圧
の周囲温度に対する安定性が向上し、且つ制限電
圧が低減された電圧非直線抵抗磁器が得られるこ
とを見出し、本発明を完成した。 しかして、本発明によれば、ZnOを主成分と
し、副成分としてDy、Coを含む電圧非直線抵抗
磁器において、更に副成分としてＫ及びCrを添
加したことを特徴とする電圧非直線抵抗磁器が提
供される。 本発明の更に好ましい具体例によれば、ZnOを
主成分とし、副成分としてDy及びCoの他にＫ及
びCrを、Dyが0.1〜5.0原子％、Coが0.5〜５原子
％、Ｋが0.05〜0.5原子％、Crが0.05〜0.5原子％
であるような量で含む電圧非直線抵抗磁器が提供
される。 こゝで、原子％とは、所定の電圧非直線抵抗磁
器を製造するために配合された原料組成物中の各
成分金属元素の原子数の総和に対する添加金属元
素の原子数の百分率を意味する。 本発明に従う電圧非直線抵抗磁器は、一般には
ZnOと添加成分の金属又は化合物の混合物を酸素
含有雰囲気のもとで高温で焼成し、焼結させるこ
とによつて製造される。 通常、添加成分は金属酸化物の形で添加される
が、焼成過程で酸化物になり得る化合物、例えば
炭酸塩、水酸化物、弗化物なども用いることがで
き、或いは単体元素の形で用いて焼成過程で酸化
物にすることもできる。 特に好ましい方法によれば、本発明の電圧非直
線抵抗磁器は、ZnO粉末に添加成分金属又は化合
物の粉末を十分に混合し、焼成前に空気中で500
〜1000℃で数時間仮焼し、仮焼物を十分に粉砕
し、所定の形状に成形し、次いで空気中で1200〜
1400℃程度の温度で数時間焼成することにより製
造される。1200℃より低い焼成温度では焼結が不
十分で特性が不安定である。また、1400℃より高
い温度では均質な焼結体を得ることが困難とな
り、電圧非直線性が低下し、特性の制御などの再
現性に難点があり、実用に供する製品を得がた
い。 こゝで、本発明をさらに例示するために実施例
を示す。 実施例 ZnO粉末にDy2O3、CO3O4、K2CO3、Cr2O3粉
末を後記の第１表に記載の所定の原子％に相当す
る量で添加し、十分に混合した後、500〜1000℃
で数時間仮焼した。次いで仮焼物を十分に粉砕
し、金型を用いて直径17mmの円板状に成型して、
1200〜1400℃で空気中で１時間焼成して焼結磁器
を得た。このようにして得られた磁器を厚さ２mm
の試料に研磨し、その両面に電極を焼付けて素子
を作り、その電気的特性を測定した。 電気的特性としては、25℃において素子に
1mAの電流を流したときの動作開始電圧V1nA、
25℃における電圧非直線係数α、V1nAの25℃と
85℃との間の変化率△V1/V1並びに素子に40Aの
電流を流したときの制限電圧V40AとV1nAの比を
求めた。非直線係数αは素子電流の電圧に対
する変化を次式に近似したときに得られる。 ＝（Ｖ／Ｃ）〓 こゝで、Ｃは電流密度が1mA/cm2のときの素子
の厚さ１mm当りの電圧である。 磁器の配合組成を種々変えたときの電気的特性
の測定結果を第１表に示す。第１表に示した配合
組成は、配合された原料中の各成分金属元素の原
子数の総和に対する添加元素の原子数の比から算
出される原子％で示されている。
【表】
【表】
第１表に示す試料No.１はZnOにDy、Coのみを
添加して製造した従来の磁器に相当し、その
V1nAの温度変化率△V1/V1は−7.1％、制限電圧
と動作開始電圧の比V40A／V1nAは1.9である。本
発明の目的であるV1nAの温度に対する安定性と
制限電圧特性が良好である。即ち△V1/V1が−
7.1％より０に近く、V40A／V1nAが1.9以下の試料
は、表からNo.３〜８、11〜14、17〜20、23〜26で
ある。従つて、Dyは0.1〜5.0原子％、Coは0.5〜
5.0原子％、Ｋは0.05〜0.5原子％、Crは0.05〜0.5
原子％の範囲内で添加する必要があることがわか
る。 以上、第１表から明らかなように、副成分とし
てのDy、Co系にＫ、Crを添加することにより、
V1nAの温度特性と制限電圧特性が大巾に改良さ
れる。これはZnOにDy、Co、Ｋ、Crが共存して
初めて達成されるものである。これらの副成分を
単独で添加すると、電圧非直線性は極めて悪く、
ほゞオーミツクな特性しか得られない。また、
Dy、Coの外に、ＫまたはCrだけを添加した場合
には、高抵抗したりあるいは低抵抗して電圧非直
線性が失われ、バリスタとして実用に供すること
ができない。 上述したように、本発明の電圧非直線抵抗磁器
は、良好な電圧非直線性を保持した上で、V1nA
の温度特性と制限電圧特性が大巾に向上し、従つ
て、バリスタとして極めて有効に使用することが
できる。
添加して製造した従来の磁器に相当し、その
V1nAの温度変化率△V1/V1は−7.1％、制限電圧
と動作開始電圧の比V40A／V1nAは1.9である。本
発明の目的であるV1nAの温度に対する安定性と
制限電圧特性が良好である。即ち△V1/V1が−
7.1％より０に近く、V40A／V1nAが1.9以下の試料
は、表からNo.３〜８、11〜14、17〜20、23〜26で
ある。従つて、Dyは0.1〜5.0原子％、Coは0.5〜
5.0原子％、Ｋは0.05〜0.5原子％、Crは0.05〜0.5
原子％の範囲内で添加する必要があることがわか
る。 以上、第１表から明らかなように、副成分とし
てのDy、Co系にＫ、Crを添加することにより、
V1nAの温度特性と制限電圧特性が大巾に改良さ
れる。これはZnOにDy、Co、Ｋ、Crが共存して
初めて達成されるものである。これらの副成分を
単独で添加すると、電圧非直線性は極めて悪く、
ほゞオーミツクな特性しか得られない。また、
Dy、Coの外に、ＫまたはCrだけを添加した場合
には、高抵抗したりあるいは低抵抗して電圧非直
線性が失われ、バリスタとして実用に供すること
ができない。 上述したように、本発明の電圧非直線抵抗磁器
は、良好な電圧非直線性を保持した上で、V1nA
の温度特性と制限電圧特性が大巾に向上し、従つ
て、バリスタとして極めて有効に使用することが
できる。
Claims (1)
- １ 酸化亜鉛を主成分とし、これに副成分として
ジスプロシウム、コバルト、カリウムおよびクロ
ムを元素または化合物の形で、それぞれ元素に換
算してジスプロシウムは0.1〜5.0原子％、コバル
トは0.5〜5.0原子％、カリウムは0.05〜0.5原子
％、クロムは0.05〜0.5原子％の範囲で添加して
焼成してなることを特徴とする電圧非直線抵抗磁
器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037567A JPS58154205A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 電圧非直線抵抗磁器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57037567A JPS58154205A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 電圧非直線抵抗磁器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58154205A JPS58154205A (ja) | 1983-09-13 |
| JPS6321324B2 true JPS6321324B2 (ja) | 1988-05-06 |
Family
ID=12501099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57037567A Granted JPS58154205A (ja) | 1982-03-10 | 1982-03-10 | 電圧非直線抵抗磁器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58154205A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315514U (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-15 |
-
1982
- 1982-03-10 JP JP57037567A patent/JPS58154205A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0315514U (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58154205A (ja) | 1983-09-13 |