JPS6321311Y2 - - Google Patents

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JPS6321311Y2
JPS6321311Y2 JP1982190985U JP19098582U JPS6321311Y2 JP S6321311 Y2 JPS6321311 Y2 JP S6321311Y2 JP 1982190985 U JP1982190985 U JP 1982190985U JP 19098582 U JP19098582 U JP 19098582U JP S6321311 Y2 JPS6321311 Y2 JP S6321311Y2
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JP
Japan
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gas
low
temperature
raw material
adsorption cylinder
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JP1982190985U
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JPS5993729U (ja
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  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)
  • Separation By Low-Temperature Treatments (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
本考案は所定純度以上に精製されたH2ガス中
の不純物を低温吸着によつて除去し、半導体用等
に使用出来る純度までH2ガスを精製する低温精
製装置に関するものである。 一般にH2に含有されているO2・H2O等の不純
物を除去して高純度(例えば99.9999%以上)の
H2に精製する場合には、公知の方法で所定の純
度(例えば99.9%以上)までH2を精製した後、
CO2・H2O等を除去し更にこれを冷却し、この冷
却したH2を液化ガスによつて冷却した吸着剤中
を通過させ、不純物を低温吸着によつて除去し精
製している。 ところで原料H2の冷却は、吸着剤を冷却した
液化ガスより発生する低温ガス、或いは不純物を
吸着除去された精製低温H2の冷熱回収によつて
冷却し、これを冷却した吸着剤に通しているが、
冷却の程度が不充分であつたり、冷熱回収が充分
に行なわれない等の不都合があつた。 本考案は上記の事情に鑑み、液化ガスの冷熱を
効率よく回収するとともに、吸着筒に導入される
原料ガスも充分に冷却され不純物が能率よく除去
されるガス低温精製装置を提供することを目的と
するもので、液化ガスが蒸発した低温ガスおよび
吸着筒より出る精製低温ガスによつて原料ガスを
冷却し、この冷却した原料ガスをさらに吸着筒を
巻いて液化ガス中に浸漬された蛇管を通して冷却
し、液化ガスの沸騰によつて二重缶内を撹拌して
伝熱をよくし、吸着剤および原料ガスの温度を液
化ガスの温度近くまで降下せしめ、低温吸着を効
率よく行なわせるものである。 以下本考案を図面を参照して説明する。 第1図ないし第3図は、本考案に係るガス低温
精製装置の一実施例を示すもので、図中符号1は
モレキユラシーブ等の吸着剤が充填されている吸
着筒である。この吸着筒の外側には二重缶2が設
けられている。この二重缶2には液体窒素(L−
N2)を導入する導入管3と蒸発した低温ガス窒
素(G−N2)を導出する導管4が設けられてい
る。この導管4は、予冷器5に連結されている。
また上記予冷器5には上記導管4によつて導入さ
れ、冷熱回収されたG−N2を排出する排出管6
と所定純度以上の原料H2を導入する導入管7お
よび予冷された原料H2を導出する導管8が設け
られている。上記導管8は、回収熱交換器9に連
結されている。この回収熱交換器9には、吸着筒
1より導出される低温精製H2を導入する導管1
0、冷熱回収された精製H2を製品として導出す
る導出管11および導管8により導入された精製
低温H2によつて冷却された原料H2を導出する導
管12が設けられている。この導管12は、上記
二重缶2内部に上記吸着筒1を巻いて設けられた
蛇管13に連結され、蛇管13は導管14を介し
て上記吸着筒1に連結されている。 上記予冷器5、回収熱交換器9、吸着筒1、二
重缶2、蛇管13およびこれらを連結する配管
は、真空断熱容器15内に収納されている。 次に以上のように構成された本考案に係るガス
低温精製装置の作用を説明する。 先ずL−N2を導入管3より二重缶2内に導入
貯溜し、吸着筒1を外側より冷却する。吸着筒1
内に充填されているモレキユラシーブは間接冷却
されて低温となる。同時に二重缶2内のL−N2
は蒸発し、発生した低温G−N2は、導管4によ
り予冷器5に導かれ導入管7より導入される原料
H2を予冷する。蒸発して減少した二重缶2内の
L−N2は導管3より補給される。予冷された原
料H2は導管8によつて回収熱交換器9に導かれ、
吸着筒1より導管10に導かれる精製低温H2
よつて冷却される。冷熱が回収され昇温した精製
H2は、製品として導管11により取出される。
上記回収熱交換器9によつて冷却された原料H2
は、導管12によつて蛇管13に導かれる。蛇管
13は、吸着筒1を巻いてL−N2中に浸漬され
ているので、蛇管13内を通る原料H2の流速は
比較的早く、また二重缶2内のL−N2は蛇管1
3面より沸騰するので、吸着筒1の外周は激しく
撹拌されるL−N2によつて冷却され、境膜抵抗
は小さくなり、蛇管13内を通る原料H2および
吸着筒は効率よく冷却され吸着筒径を大きくする
ことができる。このようにL−N2に近い温度ま
で冷却された原料H2を周囲を気泡で撹拌された
L−N2で冷却されている吸着筒1に通過させる
ので、充分低温下において吸着が行なわれ純度の
高い精製H2が得られる。 また、第4図および第5図は、本考案に係るガ
ス低温精製装置の他の例を示すもので、吸着筒1
を複数(図では2本)としてこれらの周囲に二重
缶2を設けたものである。その他の部分は第2
図、第3図と同じで、同一部分には同一符号を付
してその説明を省略する。上記吸着筒1…は直列
或いは並列いずれかを適宜選択され装置がつくら
れる。 なお上記説明において原料ガスはH2としたが
Ar、He等の精製にも使用出来る。また液化ガス
はL−N2の他液体空気、L−O2等、吸着剤はモ
レキユラシーブの他、通常のゼオライト活性炭お
よびこれらの混合物等が使用される。 次に本考案の装置による実験例を示す。 第1図のフローを用いて99.9%のH2を原料と
してモレキユラシーブ吸着によるH2ガスの低温
精製を行なつた。各部分の温度その他は次表のよ
うであつた。
【表】 以上のように外部に取出されるH2は11.1℃、
N2は20℃で、L−N2の冷熱は回収されている。
また吸着筒に導入されるH2は、L−N2近くまで
冷却され、かつ吸着筒は撹拌されているL−N2
によつて冷却されているので、充分低温下の吸着
が行なわれている。 以上述べたように本考案に係るガス低温精製装
置は、冷熱を効率よく回収するようになつている
が、特に吸着筒の周囲に二重缶が設けられ、この
中に吸着筒を巻いて蛇管が設けられ、この蛇管を
通つてL−N2近くまで冷却されたH2が上記吸着
筒に導入されるようになつているので、蛇管によ
る二重缶内の撹拌効果によつて、原料H2および
吸着筒内が極めて効率よく冷却され、充分低温下
の低温精製を可能とするものである。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は本考案に係るガス低温精
製装置の一実施例を示すもので、第1図はフロー
を示す図、第2図は、装置の真空断熱容器内の配
置を示す図、第3図は第2図の−線視した断
面図、第4図および第5図は吸着筒が複数となつ
ている場合を示す図で、第4図は真空断熱容器内
の配置を示す図、第5図は、第4図の−線視
した断面図である。 1……吸着筒、2……二重缶、3……L−N2
導入管、4……導管、5……予冷器、6……排出
管、7……原料導入管、8……導管、9……回収
熱交換器、10……導管、11……製品導出管、
12……導管、13……蛇管、14……導管、1
5……真空断熱容器。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 導入された原料ガス中の不純物を吸着除去する
    吸着剤が充填され、外周部に冷却用液化ガスが貯
    留される二重缶が設けられた吸着筒と、上記二重
    缶内で気化した低温ガスによつて原料ガスを冷却
    する予冷器と、この予冷器において冷却された原
    料ガスを上記吸着筒より出る低温精製ガスによつ
    て冷却する回収熱交換器と、上記回収熱交換器よ
    り出た原料ガスをさらに冷却して上記吸着筒に送
    入する、上記二重缶内に上記吸着筒を巻いて設け
    られた蛇管とを真空断熱容器内に収納してなるガ
    ス低温精製装置。
JP19098582U 1982-12-17 1982-12-17 ガス低温精製装置 Granted JPS5993729U (ja)

Priority Applications (1)

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JP19098582U JPS5993729U (ja) 1982-12-17 1982-12-17 ガス低温精製装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP19098582U JPS5993729U (ja) 1982-12-17 1982-12-17 ガス低温精製装置

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Publication Number Publication Date
JPS5993729U JPS5993729U (ja) 1984-06-26
JPS6321311Y2 true JPS6321311Y2 (ja) 1988-06-13

Family

ID=30411376

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JP19098582U Granted JPS5993729U (ja) 1982-12-17 1982-12-17 ガス低温精製装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4929654U (ja) * 1972-06-19 1974-03-14

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4929654U (ja) * 1972-06-19 1974-03-14

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Publication number Publication date
JPS5993729U (ja) 1984-06-26

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