JPS63212911A - オ−トフオ−カス方式 - Google Patents

オ−トフオ−カス方式

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Publication number
JPS63212911A
JPS63212911A JP4724287A JP4724287A JPS63212911A JP S63212911 A JPS63212911 A JP S63212911A JP 4724287 A JP4724287 A JP 4724287A JP 4724287 A JP4724287 A JP 4724287A JP S63212911 A JPS63212911 A JP S63212911A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
optical system
variable density
image sensor
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP4724287A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoji Nemoto
亮二 根本
Toshiaki Yanai
谷内 俊明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP4724287A priority Critical patent/JPS63212911A/ja
Publication of JPS63212911A publication Critical patent/JPS63212911A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ この発明は、部材の表面を光学的に観測する装置におい
て、部材表面と観測光学系との焦点合わせ制御に適用さ
れるオートフォーカス方式に関する。
[従来の技術] この種の装置として、集積回路のウェハの表面に付着し
た微小異物の検査を行う異物検査装置がある。
この異物検査装置においては一般に、ウェハ表面の異物
検出のための観測光学系を固定し、ウェハを移動させな
がら異物検出を行う。そして、検出精度の高い装置にお
いては、検査中に観測光学系の焦点をウェハ表面に合わ
せるためのオートフォーカス方式が適用されている。
従来、このオートフォーカス方式は、観測光学系に固定
された静電容量変位計により観測光学系とウェハ表面と
の焦点ずれ量を検出し、この検出信号に従いウェハを観
測光学系の光軸方向に微小移動させることにより、観測
光学系の焦点をウェハ表面に一致させるというものであ
った。
[解決しようとする問題点] しかし、焦点ずれ量の検出精度が比較的低く、またウェ
ハの厚み変動による影響を受けやすいため、焦点合わせ
の精度および安定度が不十分であった。
この発明は、この問題点に鑑みてなされたもので、ウェ
ハ異物検査装置などの部材の表面を光学的に観測する装
置において、観測光学系とウェハなどの部材の表面との
焦点合わせを高精度がっ安定に行うためのオートフォー
カス方式を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段コ この目的を達成するために、この発明は、部材の表面を
B /!tllする観測光学系に対して固定した投影光
学系により、その先軸−Lに前後にずらして配置した2
つの1淡パターンを前記部材の表面に投影させ、この投
影光学系を、ジャストフォーカス点で前記2つの濃淡パ
ターンのほぼ中間点が前記部材の表面に結像するように
構成し、また、前記部材の表面の濃淡パターンが投影さ
れる部分を2次元イメージセンサによって撮像し、この
2次元イメージセンサの出力信号がら前記部材の表面に
投影された2つの濃淡パターンの平均的なコントラスト
比を求め、このコントラスト比がほぼ1になるように前
記部品と前記観測光学系との相対距離を調節する構成を
有するものである。
[作用コ この発明は上述のように、部材表面に投影された2つの
濃淡パターンのコントラスト比の形で焦点ずれを光学的
に検出する構成であるから、静電容量変位計を用いた従
来方式のように部材の厚さの変動による影響を木質的に
排除することができ、また、焦点ずれの検出精度を大幅
に上げることができる。
また、このコントラスト比は、視野の広がりを持つ2次
元イメージセンサの出力信号から求められる平均的なコ
ントラスト比であり、部材表面の微小異物などに殆ど影
響されない。
したがって、この発明によれば、観測光学系によって観
演1されるウェハなどの部材の表面と観測光学系の焦点
合わせを高精度がっ安定に行うことができる。
[実施例] 以下、図面を参照し、この発明の一実施例について説明
する。
第1図は、ウェハの異物検査装置に適用された、この発
明のオートフォーカス方式のR要因である。
この図において、10はX1Y12の各方向に移動する
XYZステージであり、この上に検査対象のウェハ12
か負圧吸着などによって固定される。
この実施例の異物検査装置においては、ウェハ12の表
面にS偏光レーザビームが照射され、その垂直方向の散
乱光が観測光学系に受光され、その散乱光の強度、散乱
光のP偏光成分の強度、または散乱光のP偏光成分とS
偏光成分の強度の比によってウェハ12の表面の異物の
検出が行われる。ただし、非偏光レーザビームをウェハ
表面に照射する構成の異物検査装置においても、当該オ
ートフォーカス方式は同様に適用できるものである。
14は前記S偏光レーザビームを照射するためのレーザ
発振器であり、16は前記iig測光学系の対物レンズ
である。ウェハ12の表面のレーザ照射スポットからの
垂直方向の散乱光は、この対物レンズ16、ハーフミラ
−18を経由して前記観δIll光学系の受光部20に
入射する。この受光部20に、前記のようなP偏光成分
やS偏光成分の抽出、光電変換などのための手段が含ま
れる。検査動作中において、XYZステージ10により
ウエハ12をX方向およびY方向に移動させることによ
り、ウェハ表面のスキャンが行われる。
このような検査動作に関連した構成は、この発明の蒙旨
に直接係わる部分ではないから、これ以上の詳細につい
ては説明を省略する。
このような異物検査装置に適用されたオートフォーカス
カ式の構成について説明する。まず、オートフォーカス
のための濃淡縞パターンをウェハ表面に投影させる部分
について説明する。なお、この部分は観測光学系に対し
て固定した関係に設けられる。
22と24はパターン板であり、それぞれガラス板の相
対向する而にオートフォーカス用の濃淡縞パターンを金
属の蒸着などによって設けたものである。この濃淡縞パ
ターンの詳細については後述する。
26はパターン板22.24の照明用光源である。この
光源24からの光(白色光)をレンズ26により平行ビ
ームにしてパターン板22.24を照明する。パターン
板22.24の濃淡縞パターンは、レンズ301ハーフ
ミラ−18および対物レンズ16を介してウェハ12の
表面に投影される。
なお、ウェハ表面が観測光学系の焦点に一致したときに
、前後のパターン板22.24の中間点がウェハ表面に
結像するように、ハーフミラ−18および対物レンズ1
6とともに濃淡縞パターンの投影光学系を構成するレン
ズ3oの焦点距離、およびレンズ30とパターン板22
.24との間隔が調節されている。
次にウェハ表面に投影されたオートフォーカス用濃淡縞
パターンの撮像系について説明する。この部分は、lI
J測光学系に対して固定した関係に設けられている。
32はウェハ表面の濃淡縞パターンが投影される部分を
撮像するための2次元イメージセンサである。この実施
例にあっては、この2次元イメージセンサ32として、
41部14画素のCCl)イメージセンサが用いられて
いる。34と36は、ウェハ表面の濃淡縞パターンが投
影される部分を2次元イメージセンサセンサ32の撮像
面に結像させるためのミラーとシリンドリカルレンズで
ある。38は赤外カットフィルタである。
なお、ウェハ表面における濃淡縞パターンの投影部分と
2次元イメージセンサ32の視野GLJ物検出用レーザ
ビームの照射スポットからずれている。
34はフォーカス制御回路である。この回路は2次元イ
メージセンサ32の出力信号からフォーカスエラー信号
を生成し、このフォーカスエラー信号に従って焦点ずれ
を打ち消すようにXYzステージ10のフォーカス調節
用モータ37を駆動する。このモータ37は例えばピエ
ゾモータであり、焦点調整のためにウェハ12を2方向
←L下方向)に高速微動させるものである。ウェハ12
を大きくZ方向に移動させるためのモータは別にXYZ
ステージlOに設けられている。
39はXYZステージ10の移動、その他の装置全体の
制御を司る装置制御部である。
第2図は、パターン板22.24に設けられたオートフ
ォーカス用濃淡縞パターンの説明図である。図において
、22aはパターン板22に設けられた濃淡縞パターン
の/!!部であり、24aはパターン板24に設けられ
た濃淡縞パターンの製部である。この図から明らかなよ
うに、光軸方向から見た場合、パターン板22.24の
濃淡縞パターンは、それぞれの34部22 a 、24
 aが交互に並ぶような関係きなっている。
なお、オートフォーカス用濃淡縞パターンとウェハ上の
回路パターンとの混同を避けるために、この濃淡縞パタ
ーンをウェハ表面に投影した場合、濃淡縞パターンはウ
ェハ12の基本格子方向であるX1Y方向に対して約4
5度の角度で交差するようにされている。この関係を明
らかにするために、ウェハ12の縮小した輪郭を鎖線1
2aで示しである。ウェハ12の回路パターンは大部分
がX方向またはY方向に走る。
さらに、ウェハ上の回路パターンおよび微小異物と濃淡
縞パターンとの混同を避けるために、濃淡縞パターンの
製部および端部の幅および長さは、回路パターンおよび
5−j物よりも大きく決定されている。
第3図は、2次元イメージセンサ32の視野分割の説明
図である。この図に小すように、2次元イメージセンサ
32の視野32aは前側パターン板24の濃淡縞パター
ンの淵部24aの撮像領域Aと、後側パターン板22の
濃淡縞パターンの淵部22aの撮像領域Bとに交互に分
割して扱われる。そして、各撮像領域に対応の濃淡縞パ
ターンが入るように、パターン板22.24と2次元イ
メージセンサ32の位置が調節される。
第4図はフォーカス制御回路35の概略ブロック図であ
る。この図において、40は2次元イメージセンサ32
の撮像領域A(第3図)に対応する画素の出力信号の平
均値(または合計値)を求めるための回路、42は2次
元イメージセンサ32の撮像領域Bに対応する画素の出
力信号の平均値(または合計値)を求めるための回路で
ある。
44は回路40の出力信号値と回路42の出力信号値と
の差を求めてフォーカスエラー信号ERRを出力する減
算回路である。このフォーカスエラー信S;゛E RR
はウェハ表面に投影された前後の濃淡縞パターンの47
.均的なコントラスト比に比例する信号゛であり、その
絶対値は焦点すれはに対応し、その極性は焦点ずれの方
向に対応する。
46はフォーカスエラー信号ERRに従って焦点調整用
モータ37を駆動するドライバである。
48はウェハ表面がオートフォーカスの引き込み範囲内
に入ったことを検出するために設けられたピーク通過検
出回路であり、フォーカスエラー信号ERRが所定の閾
値レベル以上のピークを通過した時にピーク通過検出信
号PTを出力する。
このピーク通過検出信号PTは装置制御部39に与えら
れる。装置制御部39は、ピーク通過検出信号PTが発
生すると、XYZステージ10のZ方向移動(−1x 
Fl’またはド降)を停市させ、ドライバ46に対する
抑市信73. OEをオフし、ドライバ46を作動状態
にしてオートフォーカス動作を開始させる。
第5図は、1tHIIl光学系とウェハ表面との焦点ず
れとフォーカスエラー信号ERRとの関係を示している
焦点ずれがゼロのジャストフォーカス点よりウェハ12
の表面がある量だけ下がる己、前側のパターン板24の
濃淡縞パターンは、その結像而がウェハ表面に一致する
ため、ウェハ表面に明瞭に投影される。したがって、こ
の濃淡縞パターンの撮像信号の平均値(もしくは合計値
)つまり回路40の出力信号値が最大となる。この時、
後側の濃淡縞パターンは、その結像而がウェハ表面から
大きく外れるため、淡い像としてしかウェハ而に投影さ
れないので、その撮像信号の平均値(もしくは合計値)
である回路42の出力信号値はほぼゼロとなる。
逆にジャストフォーカス点からウェハ表面がある量だけ
上がると、後側パターン板22の濃淡縞パターンの結像
而がウェハ表面に一致し、回路42の出力信号値が最大
となり、前側の濃淡縞パターンの撮像信号の平均値(も
しくは合計値)はほぼゼロになる。
ジャストフォーカス点では、前後の濃淡縞パターンの中
間点がウェハ表面に結像されるため、前後の濃淡縞パタ
ーンはいずれも淡い像としてウェハ表面に投影され、そ
れぞれの(]シ均的なコントラスト比はほぼ1になる。
そして、フォーカスエラー信号ERRは、回路40.4
2の出力信号値の差信号、すなわちウェハ表面に投影さ
れた前後の濃淡縞パターンの\[均的なコントラスト比
の比例信号である。したがって、ウェハ表面がジャスト
フォーカス点を中心として上下すると、フォーカスエラ
ー信号ERRは絶対値および極性が図示のように変化す
る。
以上のように構成された本実施例の動作について説明す
る。ウェハ12がXYZステージ10に固定されると、
装置制御部39の制御によりXYZステージ10はXお
よびY方向の基準位置まで駆動される。なお、この時点
ではXYZステージlOは最下位置まで下がっている。
次に装置制御部39の制御により、XYZステージlO
が−に昇駆動され、ウェハ12は徐々に上昇する。そし
て、ジャストフォーカス点に近づくとフォーカスエラー
信号ERRがプラス側のピークまで増加し、その直後に
ピーク通過検出回路48からピーク通過検出信号P’T
が出る。すなわち、オートフォーカスの引き込み範囲内
にウェハ表面が入ったということである。
このピーク通過検出信号PTに応答して、装置制御部3
9はXYZステージlOの一1ユ昇駆動を停止するとと
もに、抑ルー信号DE(これまでオン状態であった)を
オフすることによりドライバ46を作動させ、一定時間
を経過後にXYZステージ10のXまたはY方向に移動
させながら異物検査動作を行わせる。
さて、抑止信号DEのオフによりフォーカス制御回路3
5が作動を開始する。フォーカスエラー信号ERRがプ
ラス極性の時には、ウェハ12を微小上界させる方向に
フォーカス調整用モータ37がドライバ46によって駆
動される。逆にフォーカスエラー信号ERRがマイナス
極性の時には、ウェハ12を下降させる方向にモータ3
7はドライバ46により駆動される。このようにして、
フォーカスエラー信号ERRをほぼゼロに保つようにウ
ェハ12の高さが微調整される。
このようなフォーカスサーボがかかった状態における焦
点誤差は、フォーカス制御回路35の利得と前後パター
ン板22.24の間隔によってほぼ決まり、ウェハ12
の厚さ変動による影響は受けない。また、オートフォー
カス用濃淡縞パターンを1次元イメージセンサではな(
,2次元イメージ七ン32により撮像し、その出力信号
から前後の濃淡縞パターンの平均的なコントラスト比に
対応したフォーカスエラー信号ERRを作成してフォー
カス制御を行うから、ウェハ面の微小異物や回路パター
ンによる影響を殆ど受けない。換言すれば、視野の広が
りのある2次元イメージセンサで撮像し平均的コントラ
スト比を求めるから、前記のように濃淡縞パターンの方
向およびサイズを決定することにより、ウェハ面の微小
異物や回路パターンによる影響をより確実にυF除でき
るわけである。
このように、本実施例のオートフォーカス方式によれば
、観測光学系とウェハ面とのフォーカス制御を従来より
乙に高精度かつ安定に行うことができる。
なお、本実施例におけるフォーカス制御回路34の機能
の一部をソフトウェアによって実現してもよい。
また、オートフォーカス用濃淡パターンのパターン形態
などを適宜変形してもよい。
さらに、オートフォーカス用2次元イメージセンサ32
は、前記CODイメージセンサ以外のものを用いてもよ
い。
また前記実施例はウェハの異物検査装置に適用されたも
のであるが、この発明のオートフォーカス方式は、マス
ク基板の表面検査装置など、部材の表面を光学的に観測
する装置に一般的に適用できるものである。
[発明の効果] 以上の説明から明らかなように、この発明は、部材の表
面を観測するa測光学系に対して固定された投影光学系
と、この投影光学系の光軸−ヒに前後にずらして配置さ
れ、前記投影光学系によって前記部材の表面に投影され
る2つの濃淡パターンと、前記部材の表面の前記濃淡パ
ターンが投影される部分を撮像するための2次元イメー
ジセンサと、この2次元イメージセンサの出力信号から
前記部材の表面に投影された前記2つの濃淡パターンの
平均的なコントラスト比を求め、このコントラスト比が
ほぼlになるように前記部品と前記観測光学系との相対
移動のための駆動手段を制御するフォーカス制御手段と
を有し、前記投影光学系は前記部材の表面と前記観測光
学系の焦点とが一致した場合に前記2つの濃淡パターン
のほぼ中間点を前記部材の表面に結像させるようにした
方式であるから、ウェハなどの部材の表面と観測光学系
との焦点合わせを高精度かつ安定に行わせることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図はウェハ異物検査装置に適用された、この発明の
オートフォーカス方式の一実施例のme図、第2図はオ
ートフォーカス用濃淡縞パターンの説明図、第3図は濃
淡縞パターン撮像用2次元イメージセンサの視野分割の
説明図、第4図はフォーカス制御回路のブロック図、第
5図は焦点すれとフォーカスエラー信号との関係を示す
特性線図である。 10・・・XYZステージ、12・・・ウェハ、16・
・・観測光学系の対物レンズ、18・・・ハーフミラ−
122,24・・・パターン板、30・・・投影光学系
のレンズ、32・・・2次元イメージセンサ、34・・
・ミラー、35・・・フォーカス制御回路、36・・・
シリンドリカルレンズ、37・・・フォーカス調整用モ
ータ。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)部材の表面を観測する観測光学系に対して固定さ
    れた投影光学系と、この投影光学系の光軸上に前後にず
    らして配置され、前記投影光学系によって前記部材の表
    面に投影される2つの濃淡パターンと、前記部材の表面
    の前記濃淡パターンが投影される部分を撮像するための
    2次元イメージセンサと、この2次元イメージセンサの
    出力信号を入力とし、前記部材の表面に投影された前記
    2つの濃淡パターンの平均的なコントラスト比を求め、
    この平均的コントラスト比がほぼ1になるように前記部
    品と前記観測光学系とを相対的に移動させるための駆動
    手段を制御するフォーカス制御手段とを有し、前記投影
    光学系は前記部材の表面と前記観測光学系の焦点とが一
    致した場合に前記2つの濃淡パターンのほぼ中間点を前
    記部材の表面に結像させるものであることを特徴とする
    オートフォーカス方式。
  2. (2)フォーカス制御手段は、一方の濃淡パターンに対
    応する2次元イメージセンサの出力信号の平均値または
    合計値と他方の濃淡パターンに対応する前記2次元イメ
    ージセンサの出力信号の平均値または合計値との差を平
    均的コントラスト比として求めることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載のオートフォーカス方式。
JP4724287A 1987-03-02 1987-03-02 オ−トフオ−カス方式 Pending JPS63212911A (ja)

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Cited By (1)

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JPH05264468A (ja) * 1992-03-19 1993-10-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 多層半導体基板等における内部欠陥の検出方法及び装置

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