JPS63209121A - ３−５族化合物半導体多層薄膜の形成法 - Google Patents
３−５族化合物半導体多層薄膜の形成法Info
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- JPS63209121A JPS63209121A JP4199787A JP4199787A JPS63209121A JP S63209121 A JPS63209121 A JP S63209121A JP 4199787 A JP4199787 A JP 4199787A JP 4199787 A JP4199787 A JP 4199787A JP S63209121 A JPS63209121 A JP S63209121A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、気相成長法（二よってｌ −Ｖ族化合物半
導体多層薄膜を形成する方法Ｃ１関するものである。
導体多層薄膜を形成する方法Ｃ１関するものである。
一般に、ｌ−Ｖ族化合物半導体多層薄膜が、第１図に概
略説明図で示されるように、反応管１などからなるガス
流通反応帯域の第１領域１：、ＧａまたはＩｎ１７）第
１族元素（例えばＧａ ）と、Ｐ、Ａｓ、あるいはＳｂ
の＄Ｖ族元素（例えばＡｓ）からなる原料２を容器３に
入れた状態で配置し、一方残りの同第２領域にはｌ−Ｖ
族化合物（例えばＧａ−Ａｓ）の基体４を支持体５上に
置き、 両領域をそれぞれ所定の温度（例えば第１領域を７３０
℃、第２領域も７３０℃）に加熱した状態で、第１領域
に導入管８を通して第Ｖ族元素の塩化物（例えばＡｓＣ
ｊ？３ ） Ａを、Ｈｅ 、 Ａｒ 、 Ｎ２などの不
活性ガス（例えばＨｅ）またはＨ２含有の不活性ガス（
例えばＨｅ）Ｂをキャリアガスとして導入して、第１族
元素の塩化物（例えば塩化ガリウム）ガスと第ｖ族元素
ガス（例えば砒素ガス）を含有する反応生成ガスを形成
し、 この反応生成ガスを第２領域に導入すると同時に、第２
領域には導入管９を通して、反応ガスとしてＨ２ガスま
たは不活性ガスで希釈したＩ］２ガスＣを導入して、基
体４の表面にｌ−ｖ族化合物の高抵抗層（例えば平均層
厚：４ｐｍ程度のＧａ Ａｓ層）を形成し、 引続いて、さらに第２領域に、同じく導入管９を通して
、Ｓ ｒ Ｈ４、Ｓ ｉ ＨｚＣｌ ２、Ｈ２８、Ｈ２
Ｓｅ、またはＴａＨ２からなるドープガス（例えばＨ２
８） Ｂを上記反応ガスＣと一緒に導入して、前記高抵
抗層の、上Ｃ：、Ｎ型電導を与えるＳｉ、Ｓ、Ｓｅ、あ
るいはＴｅｙ＞−らなるドープ物質を含有した璽−Ｖ族
化合物からなる異質の活性層（例えばＳを約１０１７ｃ
ｒＩＬ−３の電子濃度でドープした平均層厚：Ｏ１３ｐ
ｍ１００Ｑａ −−Ａｓ層）を形成することからなる気
相成長法にて形成されることは良く知られるところであ
る。
略説明図で示されるように、反応管１などからなるガス
流通反応帯域の第１領域１：、ＧａまたはＩｎ１７）第
１族元素（例えばＧａ ）と、Ｐ、Ａｓ、あるいはＳｂ
の＄Ｖ族元素（例えばＡｓ）からなる原料２を容器３に
入れた状態で配置し、一方残りの同第２領域にはｌ−Ｖ
族化合物（例えばＧａ−Ａｓ）の基体４を支持体５上に
置き、 両領域をそれぞれ所定の温度（例えば第１領域を７３０
℃、第２領域も７３０℃）に加熱した状態で、第１領域
に導入管８を通して第Ｖ族元素の塩化物（例えばＡｓＣ
ｊ？３ ） Ａを、Ｈｅ 、 Ａｒ 、 Ｎ２などの不
活性ガス（例えばＨｅ）またはＨ２含有の不活性ガス（
例えばＨｅ）Ｂをキャリアガスとして導入して、第１族
元素の塩化物（例えば塩化ガリウム）ガスと第ｖ族元素
ガス（例えば砒素ガス）を含有する反応生成ガスを形成
し、 この反応生成ガスを第２領域に導入すると同時に、第２
領域には導入管９を通して、反応ガスとしてＨ２ガスま
たは不活性ガスで希釈したＩ］２ガスＣを導入して、基
体４の表面にｌ−ｖ族化合物の高抵抗層（例えば平均層
厚：４ｐｍ程度のＧａ Ａｓ層）を形成し、 引続いて、さらに第２領域に、同じく導入管９を通して
、Ｓ ｒ Ｈ４、Ｓ ｉ ＨｚＣｌ ２、Ｈ２８、Ｈ２
Ｓｅ、またはＴａＨ２からなるドープガス（例えばＨ２
８） Ｂを上記反応ガスＣと一緒に導入して、前記高抵
抗層の、上Ｃ：、Ｎ型電導を与えるＳｉ、Ｓ、Ｓｅ、あ
るいはＴｅｙ＞−らなるドープ物質を含有した璽−Ｖ族
化合物からなる異質の活性層（例えばＳを約１０１７ｃ
ｒＩＬ−３の電子濃度でドープした平均層厚：Ｏ１３ｐ
ｍ１００Ｑａ −−Ａｓ層）を形成することからなる気
相成長法にて形成されることは良く知られるところであ
る。
一方、ｌ −Ｖ族化合物半導体多層薄膜（：おいては、
高抵抗層から活性層へは急峻なプロファイルで切替わり
、かつ活性層の電子濃度は平坦であることが望ましいと
される反面、電子濃度を１０１７３−３から２桁下げる
のに平均層厚で０．２μｍ程度の遷移厚みの形成は不可
避であり、これより薄くすることは回器であるとされて
いた。
高抵抗層から活性層へは急峻なプロファイルで切替わり
、かつ活性層の電子濃度は平坦であることが望ましいと
される反面、電子濃度を１０１７３−３から２桁下げる
のに平均層厚で０．２μｍ程度の遷移厚みの形成は不可
避であり、これより薄くすることは回器であるとされて
いた。
これに対して、近ｉ、特開昭６１−２７６２２号公報に
見られるように、上記の遷移厚みを減少させる目的で、
高抵抗層の形成工程と活性層の形成工程の間で、第２領
域に導入管９を通して不活性ガスを導入するという方法
（以下従来法という）が行なわれている。
見られるように、上記の遷移厚みを減少させる目的で、
高抵抗層の形成工程と活性層の形成工程の間で、第２領
域に導入管９を通して不活性ガスを導入するという方法
（以下従来法という）が行なわれている。
しかし、上記の従来法では、ガス流通反応帯域中のドー
プ物質の濃度が、活性層形成時の初期において低く、そ
の後だんだん高くなり、ある値に定常化するまで、所定
の遷移時間を必要とすることから、活性層における電子
濃度は成長初期において低く、その後だんだん高くなり
、このように嘆厚方向に電子濃度勾配をもつようになり
、平坦な電子濃度とすることはできないものであろう〔
問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点から、１−Ｖ
族化合物半導体多層薄膜における活性層の電子濃度を平
坦にすべく研究を行なった結果、上記の気相成長法によ
るＩ−Ｖ族化合物半導体多層薄膜の形成に際して、 所定厚の高抵抗層形成後Ｉ：、 いままで＄２領域から導入されていたＨ２ガス、または
不活性ガス希釈のＨ２ガス（この場合の不活性ガスには
希釈度によって高抵抗層の析出成長速度を制御する作用
がある）からなる反応ガスを、不活性ガス、またはＨ２
含有の不活性ガス（この場合のＨ２には、キャリアガス
におけるＨ２ｔ１ス含有におけると同様に反応帯域を反
応の行なわれない期間も非酸化性状態に保持する作用が
ある）からなる反応停止ガスに変換して所定時間導入し
、ついで、上記の反応停止ガスの導入を続けながら、さ
らにドープガスを、第２領域Ｃ；、ドープ物質の濃度が
第２領域において定常化するまで導入した後で、 通常の条件で、すなわち上記停止ガスを上記反応ガスに
変換して活性層を形成すると、この結果の活性層におい
ては、模厚方向の電子濃度勾配がなく、電子濃度が平坦
（二なるという知見を得たのである。
プ物質の濃度が、活性層形成時の初期において低く、そ
の後だんだん高くなり、ある値に定常化するまで、所定
の遷移時間を必要とすることから、活性層における電子
濃度は成長初期において低く、その後だんだん高くなり
、このように嘆厚方向に電子濃度勾配をもつようになり
、平坦な電子濃度とすることはできないものであろう〔
問題点を解決するための手段〕 そこで、本発明者等は、上述のような観点から、１−Ｖ
族化合物半導体多層薄膜における活性層の電子濃度を平
坦にすべく研究を行なった結果、上記の気相成長法によ
るＩ−Ｖ族化合物半導体多層薄膜の形成に際して、 所定厚の高抵抗層形成後Ｉ：、 いままで＄２領域から導入されていたＨ２ガス、または
不活性ガス希釈のＨ２ガス（この場合の不活性ガスには
希釈度によって高抵抗層の析出成長速度を制御する作用
がある）からなる反応ガスを、不活性ガス、またはＨ２
含有の不活性ガス（この場合のＨ２には、キャリアガス
におけるＨ２ｔ１ス含有におけると同様に反応帯域を反
応の行なわれない期間も非酸化性状態に保持する作用が
ある）からなる反応停止ガスに変換して所定時間導入し
、ついで、上記の反応停止ガスの導入を続けながら、さ
らにドープガスを、第２領域Ｃ；、ドープ物質の濃度が
第２領域において定常化するまで導入した後で、 通常の条件で、すなわち上記停止ガスを上記反応ガスに
変換して活性層を形成すると、この結果の活性層におい
ては、模厚方向の電子濃度勾配がなく、電子濃度が平坦
（二なるという知見を得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、 ガス流通反応帯域の第１領域に、ＧａまたはＩｎの第１
族元素と、Ｐ、Ａｓ、あるいはＳｂの第Ｖ族元素からな
る原料を配置し、残りの同第２領域には■−■族化合物
の基体を置き、 両領域をそれぞれ所定の温度に加熱した状態で、第１領
域に第Ｖ族元素の塩化物を、不活性ガスまたは水素含有
の不活性ガスをキャリアガスとして導入して、第１族元
素の塩化物を第Ｖ族元素を生成させ、 この反応生成ガスを第２領域に導入すると同時に、第２
領域には反応ガスとして水素ガスまたは不活性ガスで希
釈した水素ガスを導入して、基体の表面にｌ−Ｖ族化合
物の高抵抗層を形成し、所定厚の高抵抗層形成後、さら
に＄２領域に、ＳｉＨ４，５ｉＨ２（Ｊ２． Ｈ２Ｓ
、 Ｈ２Ｓｅ 、またはＴａＨ２からなるドープガスを
導入して、前記高抵抗層の上Ｃ；、Ｓｉ。
て、 ガス流通反応帯域の第１領域に、ＧａまたはＩｎの第１
族元素と、Ｐ、Ａｓ、あるいはＳｂの第Ｖ族元素からな
る原料を配置し、残りの同第２領域には■−■族化合物
の基体を置き、 両領域をそれぞれ所定の温度に加熱した状態で、第１領
域に第Ｖ族元素の塩化物を、不活性ガスまたは水素含有
の不活性ガスをキャリアガスとして導入して、第１族元
素の塩化物を第Ｖ族元素を生成させ、 この反応生成ガスを第２領域に導入すると同時に、第２
領域には反応ガスとして水素ガスまたは不活性ガスで希
釈した水素ガスを導入して、基体の表面にｌ−Ｖ族化合
物の高抵抗層を形成し、所定厚の高抵抗層形成後、さら
に＄２領域に、ＳｉＨ４，５ｉＨ２（Ｊ２． Ｈ２Ｓ
、 Ｈ２Ｓｅ 、またはＴａＨ２からなるドープガスを
導入して、前記高抵抗層の上Ｃ；、Ｓｉ。
３ 、 Ｓｅ 、あるいはＴｅからなるドープ物質を含
有した璽−■族化合物からなる異質の活性層を形成する
、１−Ｖ族化合物半導体多層薄膜の形成法において、上
記の高抵抗層形成工程と上記の活性層形成工程の間に、 ｆａｌ 第２領域Ｃユ導入される上記の水素ガスまた
は不活性ガス希釈の水素ガスからなる反応ガスを、不活
性ガスまたは水素含有の不活性ガス（この場合水素の含
有割合は前記不活性ガス希釈の水素ガスより相対的（二
低い）からなる反応停止ガスに代えて、所定時間導入す
る工程、 ＋ｂ） 上記の反応停止ガスとドープガスとを、上記
（ａＪ工程に続いて、第２領域に、ドープ物質の濃度が
＄２領域において定常化するまで導入する工程、 以上１ａ）およびｆｂｌ工程を付加することによって、
Ｉ−Ｖ族化合物半導体多層薄膜における活性薄模の電子
濃度を平坦化することに特徴を有するものである。
有した璽−■族化合物からなる異質の活性層を形成する
、１−Ｖ族化合物半導体多層薄膜の形成法において、上
記の高抵抗層形成工程と上記の活性層形成工程の間に、 ｆａｌ 第２領域Ｃユ導入される上記の水素ガスまた
は不活性ガス希釈の水素ガスからなる反応ガスを、不活
性ガスまたは水素含有の不活性ガス（この場合水素の含
有割合は前記不活性ガス希釈の水素ガスより相対的（二
低い）からなる反応停止ガスに代えて、所定時間導入す
る工程、 ＋ｂ） 上記の反応停止ガスとドープガスとを、上記
（ａＪ工程に続いて、第２領域に、ドープ物質の濃度が
＄２領域において定常化するまで導入する工程、 以上１ａ）およびｆｂｌ工程を付加することによって、
Ｉ−Ｖ族化合物半導体多層薄膜における活性薄模の電子
濃度を平坦化することに特徴を有するものである。
つぎに、この発明の方法を実施例により具体的に説明す
る。
る。
第１図において、ガス流通反応帯域を構成する石英ガラ
ス製反応管１の第１領域に、Ｇａ−Ａｓ原料２を容器３
に入れた状態で配置し、同第２領域には支持台５上に乗
せた状態で板状Ｇａ−Ａｓ基板４を配置し、′＠１およ
び第２領域を７３０℃に加熱した状態で、第１領域に、
Ｈ２を１容着％含有するＨｅガスからなるキャリアガス
Ｂを３００ｒＭ／分の流黴で温度：１７．８℃に調節し
たＡｓＣＡ３ （Ａｌの液中にバブリングしてから導入
管８を通して導入し続けながら、ｏａｃｚガスとＡＳ４
ガスからなる反応生成ガスを形成し、一方切替弁６によ
ｒ）Ｈ２ガスからなる反応ガスＣのみを導入管９を通し
て第２領域（二６０分間導入して、基体４の表面にＧａ
−Ａｓの高抵抗層を析出成長させた後、切換弁６により
反応ガスＣを、Ｈ２を１客用％含有のＨｅガスからなる
反応停止ガスＤに代えて導入し、この反応停止ガスを３
分間導入した後で、切替弁７によりＨ２Ｓ：１５ｏｐｐ
ｍを含有するＨｅガスからなるドープガスＥを、前記反
応停止ガスと一緒（１第２領域に導入し、ドープガスの
導入開始から３分間経過後に、切替弁６ｃ二より反応停
止ガスを、再び反応ガスに代え、反応ガスとドープガス
とをＨ２Ｓ濃度が２．ＯＸ Ｉ Ｑ−７モル比となるよ
うに第２領域に導入して、上記高抵抗層の上にＳをドー
プしたＧａ−Ａｓからなる活性層を析出成長させ、これ
を３分間行なった後で、キャリアガスＢによるＡｓＣｌ
２因の第１領域への導入を停止し、第１領域へはキャリ
アガスＢのみを導入して活性層の析出成長を停止させる
ことによって本発明法を実施した。
ス製反応管１の第１領域に、Ｇａ−Ａｓ原料２を容器３
に入れた状態で配置し、同第２領域には支持台５上に乗
せた状態で板状Ｇａ−Ａｓ基板４を配置し、′＠１およ
び第２領域を７３０℃に加熱した状態で、第１領域に、
Ｈ２を１容着％含有するＨｅガスからなるキャリアガス
Ｂを３００ｒＭ／分の流黴で温度：１７．８℃に調節し
たＡｓＣＡ３ （Ａｌの液中にバブリングしてから導入
管８を通して導入し続けながら、ｏａｃｚガスとＡＳ４
ガスからなる反応生成ガスを形成し、一方切替弁６によ
ｒ）Ｈ２ガスからなる反応ガスＣのみを導入管９を通し
て第２領域（二６０分間導入して、基体４の表面にＧａ
−Ａｓの高抵抗層を析出成長させた後、切換弁６により
反応ガスＣを、Ｈ２を１客用％含有のＨｅガスからなる
反応停止ガスＤに代えて導入し、この反応停止ガスを３
分間導入した後で、切替弁７によりＨ２Ｓ：１５ｏｐｐ
ｍを含有するＨｅガスからなるドープガスＥを、前記反
応停止ガスと一緒（１第２領域に導入し、ドープガスの
導入開始から３分間経過後に、切替弁６ｃ二より反応停
止ガスを、再び反応ガスに代え、反応ガスとドープガス
とをＨ２Ｓ濃度が２．ＯＸ Ｉ Ｑ−７モル比となるよ
うに第２領域に導入して、上記高抵抗層の上にＳをドー
プしたＧａ−Ａｓからなる活性層を析出成長させ、これ
を３分間行なった後で、キャリアガスＢによるＡｓＣｌ
２因の第１領域への導入を停止し、第１領域へはキャリ
アガスＢのみを導入して活性層の析出成長を停止させる
ことによって本発明法を実施した。
この結果、Ｇａ−Ａｓよりなる基体４上に、平均層厚：
５ｐｍを有し、カッｇ（子濃度がＩ Ｘ １０ ”ｃｕ
ｔ−３のＱａ −Ａｓ高抵抗層と、平均層厚：０．２２
μｍを有し、かつ電子濃度が１．５Ｘ１０ ｃｍ
のＧａ−Ａｓ活性層からなるＧａ−Ａｓ多層薄１１ｉ（
以下、本発明多層薄膜という）が形成された。
５ｐｍを有し、カッｇ（子濃度がＩ Ｘ １０ ”ｃｕ
ｔ−３のＱａ −Ａｓ高抵抗層と、平均層厚：０．２２
μｍを有し、かつ電子濃度が１．５Ｘ１０ ｃｍ
のＧａ−Ａｓ活性層からなるＧａ−Ａｓ多層薄１１ｉ（
以下、本発明多層薄膜という）が形成された。
また、比較の目的で、反応停止ガスとドープガスの１！
２領域への３分間導入を行なわない以外は、上記の本発
明法と同一の条件で従来法を行ない、Ｇａ Ａｓ多層
薄膜（以下、従来多層薄膜という）を形成した。
２領域への３分間導入を行なわない以外は、上記の本発
明法と同一の条件で従来法を行ない、Ｇａ Ａｓ多層
薄膜（以下、従来多層薄膜という）を形成した。
この結果得られた本発明多層薄膜と従来多層薄膜の深さ
方向の電子濃度プロファイルを測定し、第２図に示した
。
方向の電子濃度プロファイルを測定し、第２図に示した
。
［発明の効果］
＠２図に示されるように、本発明多層薄膜では、活性薄
膜の電子濃度が平坦であるのに対して、従来多層薄膜の
活性薄膜には、成長初期で小さく、その後だんだん大き
くなる電子濃度勾配があり、平坦でないことが明らかで
ある。
膜の電子濃度が平坦であるのに対して、従来多層薄膜の
活性薄膜には、成長初期で小さく、その後だんだん大き
くなる電子濃度勾配があり、平坦でないことが明らかで
ある。
上述のように、この発明の方法によれば、電子濃度勾配
が平坦な、かつ高抵抗層から活性層への切替わりが急峻
なプロファイルで行なわれるＩ −ｖｌ化合物半導体多
層薄膜を形成することができるのである。
が平坦な、かつ高抵抗層から活性層への切替わりが急峻
なプロファイルで行なわれるＩ −ｖｌ化合物半導体多
層薄膜を形成することができるのである。
第１図はＨ−ｖ族化合物半導体多層薄膜の形成装置を示
す概略説明図、第２図は薄膜の電子濃度プロファイルを
示す曲線図である。 １・・・反応管、 ２・・・原料。 ３・・・容器、 ４・・・基体。 ５・・・支持台、６，７・・・切換弁。 ８．９・・・導入管、 人・・・＠Ｖ族元素の塩化
物。 Ｂ・・・キャリアガス、 Ｃ・・・反応ガス。 Ｄ・・・反応停止ガス、 Ｅ・・・ドープガス。
す概略説明図、第２図は薄膜の電子濃度プロファイルを
示す曲線図である。 １・・・反応管、 ２・・・原料。 ３・・・容器、 ４・・・基体。 ５・・・支持台、６，７・・・切換弁。 ８．９・・・導入管、 人・・・＠Ｖ族元素の塩化
物。 Ｂ・・・キャリアガス、 Ｃ・・・反応ガス。 Ｄ・・・反応停止ガス、 Ｅ・・・ドープガス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガス流通反応帯域の第１領域に、ＧａまたはＩｎの第１
族元素と、Ｐ、Ａｓ、あるいはＳｂの第Ｖ族元素からな
る原料を配置し、残りの同第２領域にはII−Ｖ族化合物
の基体を置き、 両領域をそれぞれ所定の温度に加熱した状態で、第１領
域に第Ｖ族元素の塩化物を、不活性ガスまたは水素含有
の不活性ガスをキャリアガスとして導入して、第II族元
素の塩化物と第Ｖ族元素を生成させ、 この反応生成ガスを第２領域に導入すると同時に、第２
領域には反応ガスとして水素ガスまたは不活性ガスで希
釈した水素ガスを導入して、基体の表面にII−Ｖ族化合
物の高抵抗層を形成し、所定厚の高抵抗層の形成後、さ
らに第２領域に、ＳｉＨ＿４、ＳｉＨ＿２Ｃｌ＿２、Ｈ
＿２Ｓ、Ｈ＿２Ｓｅ、またはＴｅＨ＿２からなるドープ
ガスを導入して、前記高抵抗層の上に、Ｓｉ、Ｓ、Ｓｅ
、あるいはＴｅからなるドープ物質を含有したII−Ｖ族
化合物からなる異質の活性層を形成する、II−Ｖ族化合
物半導体多層薄膜の形成法において、 上記の高抵抗層形成工程と上記の活性層形成工程の間に
、 （ａ）第２領域に導入される上記の水素ガスまたは不活
性ガス希釈の水素ガスからなる反応ガスを、不活性ガス
または水素含有の不活性ガス（この場合水素の含有割合
は前記不活性ガス希釈の水素ガスより相対的に低い）か
らなる反応停止ガスに代えて、所定時間導入する工程、 （ｂ）上記の反応停止ガスとドープガスとを、上記（ａ
）工程に続いて、第２領域に、ドープ物質の濃度が第２
領域において定常化するまで導入する工程、 以上（ａ）および（ｂ）工程を付加したことを特徴とす
る活性層が平坦な電子濃度を有するII−Ｖ族化合物半導
体多層薄膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199787A JPS63209121A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | ３−５族化合物半導体多層薄膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4199787A JPS63209121A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | ３−５族化合物半導体多層薄膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63209121A true JPS63209121A (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=12623841
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4199787A Pending JPS63209121A (ja) | 1987-02-25 | 1987-02-25 | ３−５族化合物半導体多層薄膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63209121A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468678A (en) * | 1991-11-08 | 1995-11-21 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
-
1987
- 1987-02-25 JP JP4199787A patent/JPS63209121A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468678A (en) * | 1991-11-08 | 1995-11-21 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Method of manufacturing P-type compound semiconductor |
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