JPS6320853B2 - - Google Patents
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- JPS6320853B2 JPS6320853B2 JP16812479A JP16812479A JPS6320853B2 JP S6320853 B2 JPS6320853 B2 JP S6320853B2 JP 16812479 A JP16812479 A JP 16812479A JP 16812479 A JP16812479 A JP 16812479A JP S6320853 B2 JPS6320853 B2 JP S6320853B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Organic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明はコーテイング樹脂として有用な特定分
子量範囲のポリイミドの回収法に関する。本発明
により得られるポリイミド樹脂は、特に電子部品
用の耐熱性絶縁層に用いることができる。 半導体装置や薄膜磁気ヘツドなどの電子部品の
樹脂絶縁層には従来は熱硬化性の縮合型ポリイミ
ドが用いられていた（例えば、特公昭51−48871
号公報及び特開昭52−135713号公報）硬化された
縮合型ポリイミド樹脂は耐熱性に優れた絶縁層を
与えるけれども、硬化時の縮合反応に際して水を
発生するものであるために、コーテイングした樹
脂層の膨れが生ずる等の欠点を有していた。ま
た、縮合型ポリイミドでは段差のある表面を平坦
化することは十分に期待し得ないという欠点があ
つた。しかるに、付加重合型ポリイミドではこの
ような欠点はない反面、一様なコーテイングを与
えることがやや困難であるという問題を有してい
た。 本発明はポリイミド樹脂におけるこのような欠
点を解消し、優れた耐熱性絶縁層を与えることの
できるコーテング樹脂として有用なポリイミドを
得る方法を提供することを目的とする。 しかして、本発明は、付加重合型ポリイミド
を、Ｎ―メチル―２―ピロリドン、メチルエチル
ケトンおよびメタノールからなる混合溶剤に溶解
し、得られた溶液から不溶分を別し、この液
を攪拌下にＮ―ヘキサン中に滴下して沈澱を形成
させ、この沈澱を過により回収し、次いでアセ
トンに溶解し、得られたアセトン溶液から不溶分
を別し、この液をＮ―ヘキサン中に滴下して
沈澱を形成させ、この沈澱を回収することを含
む、特定分子量範囲のポリイミドの回収法を提供
する。 本発明の方法によれば、特に分子量が1000ない
し10000の範囲にありかつケトン溶剤に可溶な付
加重合型ポリイミドが得られる。 付加重合型ポリイミドは縮合型ポリイミドに比
較して、硬化反応に伴う水等の低分子物の発生が
ないために膨れ等の塗膜欠陥を生じにくく、また
硬化収縮が少ないために段差のある表面を平坦化
する機能に優れている。しかし、付加重合型ポリ
イミドは成膜性にやや難点があり、満足すべきコ
ーテイング膜を得ることが困難であつた。特に、
分子量が1000以下では微細なしわ様の膜欠陥が生
じ易く、分子量が10000を超える場合には表面平
坦化機能が不十分となる。しかるに、本発明者
は、分子量が1000ないし10000の範囲にありかつ
ケトン溶剤可溶性の付加重合型ポリイミドはかか
る欠陥を生ずることなく、成膜性に優れたコーテ
イング樹脂を与えることができるということが見
出されたのである。 ケトン溶剤に可溶でない付加重合型ポリイミド
の場合には、塗布時にはじかれ易く、均一な塗膜
を得ることが困難であるのに対して、本発明に係
る樹脂は容易に一様な塗膜を形成することができ
るのである。 本発明の方法において出発物質として用いるの
に好ましい付加重合型ポリイミドは下記式で表わ
すことができる。 上式中、Ｒは活性水素をもたない二価の芳香族
基であり、Ｙは
子量範囲のポリイミドの回収法に関する。本発明
により得られるポリイミド樹脂は、特に電子部品
用の耐熱性絶縁層に用いることができる。 半導体装置や薄膜磁気ヘツドなどの電子部品の
樹脂絶縁層には従来は熱硬化性の縮合型ポリイミ
ドが用いられていた（例えば、特公昭51−48871
号公報及び特開昭52−135713号公報）硬化された
縮合型ポリイミド樹脂は耐熱性に優れた絶縁層を
与えるけれども、硬化時の縮合反応に際して水を
発生するものであるために、コーテイングした樹
脂層の膨れが生ずる等の欠点を有していた。ま
た、縮合型ポリイミドでは段差のある表面を平坦
化することは十分に期待し得ないという欠点があ
つた。しかるに、付加重合型ポリイミドではこの
ような欠点はない反面、一様なコーテイングを与
えることがやや困難であるという問題を有してい
た。 本発明はポリイミド樹脂におけるこのような欠
点を解消し、優れた耐熱性絶縁層を与えることの
できるコーテング樹脂として有用なポリイミドを
得る方法を提供することを目的とする。 しかして、本発明は、付加重合型ポリイミド
を、Ｎ―メチル―２―ピロリドン、メチルエチル
ケトンおよびメタノールからなる混合溶剤に溶解
し、得られた溶液から不溶分を別し、この液
を攪拌下にＮ―ヘキサン中に滴下して沈澱を形成
させ、この沈澱を過により回収し、次いでアセ
トンに溶解し、得られたアセトン溶液から不溶分
を別し、この液をＮ―ヘキサン中に滴下して
沈澱を形成させ、この沈澱を回収することを含
む、特定分子量範囲のポリイミドの回収法を提供
する。 本発明の方法によれば、特に分子量が1000ない
し10000の範囲にありかつケトン溶剤に可溶な付
加重合型ポリイミドが得られる。 付加重合型ポリイミドは縮合型ポリイミドに比
較して、硬化反応に伴う水等の低分子物の発生が
ないために膨れ等の塗膜欠陥を生じにくく、また
硬化収縮が少ないために段差のある表面を平坦化
する機能に優れている。しかし、付加重合型ポリ
イミドは成膜性にやや難点があり、満足すべきコ
ーテイング膜を得ることが困難であつた。特に、
分子量が1000以下では微細なしわ様の膜欠陥が生
じ易く、分子量が10000を超える場合には表面平
坦化機能が不十分となる。しかるに、本発明者
は、分子量が1000ないし10000の範囲にありかつ
ケトン溶剤可溶性の付加重合型ポリイミドはかか
る欠陥を生ずることなく、成膜性に優れたコーテ
イング樹脂を与えることができるということが見
出されたのである。 ケトン溶剤に可溶でない付加重合型ポリイミド
の場合には、塗布時にはじかれ易く、均一な塗膜
を得ることが困難であるのに対して、本発明に係
る樹脂は容易に一様な塗膜を形成することができ
るのである。 本発明の方法において出発物質として用いるの
に好ましい付加重合型ポリイミドは下記式で表わ
すことができる。 上式中、Ｒは活性水素をもたない二価の芳香族
基であり、Ｙは
【式】又は
【式】であり、そしてｎは正の整
数である。
本発明により得られるコーテイング樹脂はアセ
トフエノンやイソホロンの如きケトン類又はＮ―
メチル―２―ピロリドンもしくはジメチルアセト
アミド等の溶剤によりワニスとしてコーテイング
に用いることができる。 本発明により得られるコーテイング樹脂は成膜
性及び平坦化能に優れ、コーテイング及び硬化後
耐熱性に優れた絶縁性の樹脂を与えることができ
る。 以下、例によつて本発明を更に説明する。 例 １ 付加重合型ポリイミドであるTHERNID600
（Gulf Oil Chemicals Company製、重量平均分
子量w＝1.9×103、分散度w／N＝2.0、但し
ＭNは数平均分子量）100ｇをＮ―メチル―２―ピ
ロリドン100ｇ、メチルエチルケトン400ｇ及びメ
タノール400ｇからなる混合溶剤に溶解し、不溶
分（画分）を別したのち、液をＮ―ヘキサ
ン604ｇ中に攪拌下に滴下して低分子量成分を溶
出除去した。得られた沈澱（画分）をアセトン
100ｇで溶解し、不溶分を別し、次いで液を
Ｎ―ヘキサン400ｇ中に注いで沈澱（画分）さ
せ、減圧乾燥した。得られた精製ポリマーはw
＝3.5×103、w／N＝1.4であり、分子量1000以
下及び分子量10000以上の成分を含まなかつた。 上記出発原料および各工程で得られ画分，
および中に含まれるポリイミドの重量平均分子
量（w）、数平均分子量（N）、分散度（w／
ＭN）および収率（重量％）を下記の表に示す。
トフエノンやイソホロンの如きケトン類又はＮ―
メチル―２―ピロリドンもしくはジメチルアセト
アミド等の溶剤によりワニスとしてコーテイング
に用いることができる。 本発明により得られるコーテイング樹脂は成膜
性及び平坦化能に優れ、コーテイング及び硬化後
耐熱性に優れた絶縁性の樹脂を与えることができ
る。 以下、例によつて本発明を更に説明する。 例 １ 付加重合型ポリイミドであるTHERNID600
（Gulf Oil Chemicals Company製、重量平均分
子量w＝1.9×103、分散度w／N＝2.0、但し
ＭNは数平均分子量）100ｇをＮ―メチル―２―ピ
ロリドン100ｇ、メチルエチルケトン400ｇ及びメ
タノール400ｇからなる混合溶剤に溶解し、不溶
分（画分）を別したのち、液をＮ―ヘキサ
ン604ｇ中に攪拌下に滴下して低分子量成分を溶
出除去した。得られた沈澱（画分）をアセトン
100ｇで溶解し、不溶分を別し、次いで液を
Ｎ―ヘキサン400ｇ中に注いで沈澱（画分）さ
せ、減圧乾燥した。得られた精製ポリマーはw
＝3.5×103、w／N＝1.4であり、分子量1000以
下及び分子量10000以上の成分を含まなかつた。 上記出発原料および各工程で得られ画分，
および中に含まれるポリイミドの重量平均分子
量（w）、数平均分子量（N）、分散度（w／
ＭN）および収率（重量％）を下記の表に示す。
【表】
この精製ポリマーをアセトフエノンの溶液（40
重量％）とし、高さ0.9μｍ、幅5μｍのアルミニウ
ムパターンを有するシリコンウエハ上にスピンコ
ーターにより回転塗布した。これを100℃で１時
間、220℃で１時間、次いで350℃で１時間順次に
熱処理を行つて、膜厚2μｍの硬化樹脂膜を形成
した。この塗膜表面の高低差は0.1μｍであつた。 上記と同様にし、市販の縮合型ポリイミド
（PIQ、日立化成製品）を用いて硬化塗膜を形成
したところ、塗膜表面の高低差は0.5〜0.6μｍで
あつた。従つて、本発明に係るコーテイング樹脂
は極めて平坦化能に優れていることがわかる。 例 ２ 例１に述べたようにして得た精製ポリマーをジ
メチルアセトアミド中の40重量％溶液とした。一
方、SiO2基板表面にスパツタリングによりAl2O3
層を200Åの厚さに形成した。 このAl2O3層付SiO2基板上に上記溶液を例１と
同様にして塗布し、硬化処理した。塗布時のワニ
スのはじきが認められず、例１と同等の平坦化能
が認められた。 尚、SiO2基板表面をアミノシラン処理した後
に樹脂層を付与しても全く同様の結果が得られ
た。
重量％）とし、高さ0.9μｍ、幅5μｍのアルミニウ
ムパターンを有するシリコンウエハ上にスピンコ
ーターにより回転塗布した。これを100℃で１時
間、220℃で１時間、次いで350℃で１時間順次に
熱処理を行つて、膜厚2μｍの硬化樹脂膜を形成
した。この塗膜表面の高低差は0.1μｍであつた。 上記と同様にし、市販の縮合型ポリイミド
（PIQ、日立化成製品）を用いて硬化塗膜を形成
したところ、塗膜表面の高低差は0.5〜0.6μｍで
あつた。従つて、本発明に係るコーテイング樹脂
は極めて平坦化能に優れていることがわかる。 例 ２ 例１に述べたようにして得た精製ポリマーをジ
メチルアセトアミド中の40重量％溶液とした。一
方、SiO2基板表面にスパツタリングによりAl2O3
層を200Åの厚さに形成した。 このAl2O3層付SiO2基板上に上記溶液を例１と
同様にして塗布し、硬化処理した。塗布時のワニ
スのはじきが認められず、例１と同等の平坦化能
が認められた。 尚、SiO2基板表面をアミノシラン処理した後
に樹脂層を付与しても全く同様の結果が得られ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 付加重合型ポリイミドを、Ｎ―メチル―２―
ピロリドン、メチルエチルケトンおよびメタノー
ルからなる混合溶剤に溶解し、得られた溶液から
不溶分を別し、この液を攪拌下にＮ―ヘキサ
ン中に滴下して沈殿を形成させ、この沈殿を過
により回収し、次いでアセトンに溶解し、得られ
たアセトン溶液から不溶分を別し、この液を
Ｎ―ヘキサン中に滴下して沈殿を形成させ、この
沈殿を回収することを含む、分子量範囲が1000な
いし10000であるポリイミドの回収法。 ２ 出発物質として用いられる上記付加重合型ポ
リイミドが下記一般式（）で表わされるもので
ある、特許請求の範囲第１項記載の方法。 上式中、Ｒは活性水素をもたない二価の芳香族
基であり、Ｙは【式】又は 【式】であり、そしてｎは正の整 数である。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16812479A JPS5690834A (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Coating resin |
| EP80301413A EP0019391B1 (en) | 1979-05-12 | 1980-04-30 | Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure |
| DE8080301413T DE3060913D1 (en) | 1979-05-12 | 1980-04-30 | Improvement in method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure |
| US06/148,722 US4347306A (en) | 1979-05-12 | 1980-05-12 | Method of manufacturing electronic device having multilayer wiring structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16812479A JPS5690834A (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Coating resin |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5690834A JPS5690834A (en) | 1981-07-23 |
| JPS6320853B2 true JPS6320853B2 (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=15862286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16812479A Granted JPS5690834A (en) | 1979-05-12 | 1979-12-26 | Coating resin |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5690834A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4515828A (en) * | 1981-01-02 | 1985-05-07 | International Business Machines Corporation | Planarization method |
| JPS59186204A (ja) * | 1983-04-05 | 1984-10-23 | 株式会社日立製作所 | 配線構造体の成形方法 |
| JP2001160508A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-06-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石およびその製造方法 |
-
1979
- 1979-12-26 JP JP16812479A patent/JPS5690834A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5690834A (en) | 1981-07-23 |
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