JPS63207819A - 芳香族ポリエステル及びその製造方法 - Google Patents
芳香族ポリエステル及びその製造方法Info
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- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は単量体の序列規則性が付与された、次の一般式
（Ｉ）又は（ＶＩ）で示される芳香族ポリエステル及び
その製造方法に関するものである。
（Ｉ）又は（ＶＩ）で示される芳香族ポリエステル及び
その製造方法に関するものである。
前記式で、Ｘ及びＹはそれぞれＨ，ＣＩ、 Ｂｒ。
フェニル基又は炭素数が１〜４であ
るアルキル基であり、
ｎは１乃至４の整数であり、
ｋ、 ｌ、 ｍ、 ｘ−ｚは０乃至
１５００の整数、
とすると、ａは少なくとも２０％以
上、望ましくは３０％以上である。
ここで、ａが１００％である場合は
一般式■のような序列規則的なポリ
マーになる。
前記式において、Ｘ、ＹはＨ，Ｃ１，Ｂｒ、あるいはフ
ェニル基又は炭素数 １〜４のアルキル基であり、 ｎは１乃至４の整数として置 楔体の数を示しており、 ｋは１乃至１５００の整数を 示している。
ェニル基又は炭素数 １〜４のアルキル基であり、 ｎは１乃至４の整数として置 楔体の数を示しており、 ｋは１乃至１５００の整数を 示している。
ポリエチレンテレフタレートを主としている従来のポリ
エステルは繊維、フィルム、プラスチック等で広く使用
されてきたが、産業利用面からその強度及び熱的安定性
等に関する改善が求められてきた。
エステルは繊維、フィルム、プラスチック等で広く使用
されてきたが、産業利用面からその強度及び熱的安定性
等に関する改善が求められてきた。
このような要求に従い開発された芳香族ポリエステルは
熔融時に液晶形成能があり、高弾性、高強度、低伸度等
の長所があるが、大部分の芳香族ポリエステルは熔融点
および熔融粘度が寓いため加工（ｐｒｏｃｃｓｓｌｎｇ
）が殆んど不可能であるという問題点があった。
熔融時に液晶形成能があり、高弾性、高強度、低伸度等
の長所があるが、大部分の芳香族ポリエステルは熔融点
および熔融粘度が寓いため加工（ｐｒｏｃｃｓｓｌｎｇ
）が殆んど不可能であるという問題点があった。
このような問題点を解決するために最近は３種あるいは
４種の単量体を利用して共重合体を製造する方法が研究
されているが、この方法で製造された共重合体はその時
必然的に発生する単量体間の反応性の差異により、時に
はブロック共重合体の形態、あるいはランダム共重合体
になり、反応条件によってポリマーの物性即ち、熔融点
、熔融粘度等が格段に変化して品質管理が殆んど不可能
であるという難点があった。
４種の単量体を利用して共重合体を製造する方法が研究
されているが、この方法で製造された共重合体はその時
必然的に発生する単量体間の反応性の差異により、時に
はブロック共重合体の形態、あるいはランダム共重合体
になり、反応条件によってポリマーの物性即ち、熔融点
、熔融粘度等が格段に変化して品質管理が殆んど不可能
であるという難点があった。
特に、ハイドロキノン系ジオルと４−ハイドロ安息香酸
誘導体、イソフタル酸からなる芳香族ポリエステルの製
法としてはアシドリシス方法（米国特許第３６３７５９
５号明細書）とフエノリシス方法（日本特開昭５６−９
０８２９号公報）が現在まで知られた方法である。
誘導体、イソフタル酸からなる芳香族ポリエステルの製
法としてはアシドリシス方法（米国特許第３６３７５９
５号明細書）とフエノリシス方法（日本特開昭５６−９
０８２９号公報）が現在まで知られた方法である。
ところが、アシドリシス方法を実施する時、従来の方法
の通りハイドロキノンジアセテート、４−アセトキシ安
息香酸、イソフタル酸を同時に反応管に投入して重合す
る場合、前記三つの成分の反応性が相互違うため、部分
的なブロック、特に４−アセトキシ安息香酸からなるブ
ロックが形成され、従って高い熔融点と高い熔融粘度を
示すばかりでなく、加工性、特に放射性が特に不良であ
るため実用性のない高分子が作られる。
の通りハイドロキノンジアセテート、４−アセトキシ安
息香酸、イソフタル酸を同時に反応管に投入して重合す
る場合、前記三つの成分の反応性が相互違うため、部分
的なブロック、特に４−アセトキシ安息香酸からなるブ
ロックが形成され、従って高い熔融点と高い熔融粘度を
示すばかりでなく、加工性、特に放射性が特に不良であ
るため実用性のない高分子が作られる。
前記のような欠点を解消するために考案されたものがフ
エノリシス方法で、この方法はハイドロキノンと４−ハ
イドロキシ安息香酸フェニルエステル、ジフェニルイソ
フタレートをフエノリシスにより重合する方法である。
エノリシス方法で、この方法はハイドロキノンと４−ハ
イドロキシ安息香酸フェニルエステル、ジフェニルイソ
フタレートをフエノリシスにより重合する方法である。
しかし、この方法もやはり各単量体間の反応性の差異に
より発生する問題を根本的に解決できず、またハイドロ
キノンの一〇Ｈ基がよく酸化してクイノイド（ｑｕｉｎ
ｏｌｄ）になるため、色合いが黒くなり分子量が低下す
るという欠点がある。
より発生する問題を根本的に解決できず、またハイドロ
キノンの一〇Ｈ基がよく酸化してクイノイド（ｑｕｉｎ
ｏｌｄ）になるため、色合いが黒くなり分子量が低下す
るという欠点がある。
したがって、本発明ではこのような従来の問題点を解決
するためにハイドロキノンジアセテートと４−アセトキ
シ安息香酸から誘導された新しい単量体である４−アセ
トキシ−（４−アセトキシフェニル）ベンゾエート誘導
体を重合に使用する。
するためにハイドロキノンジアセテートと４−アセトキ
シ安息香酸から誘導された新しい単量体である４−アセ
トキシ−（４−アセトキシフェニル）ベンゾエート誘導
体を重合に使用する。
即ち、本発明の目的はポリマーの一部又は全部に単量体
による序列規則性を付与し、熔融点が低く、加工性及び
放射性に優れ、物性が良好な液晶形成性芳香族ポリエス
テルおよびその製造方法を提供するこ４、に、ある。
による序列規則性を付与し、熔融点が低く、加工性及び
放射性に優れ、物性が良好な液晶形成性芳香族ポリエス
テルおよびその製造方法を提供するこ４、に、ある。
本発明において、序列規則性とは置換体、即ち次の一般
式（Ｉ）又は（ＶＴ）でのＸやＹの環（Ｒｉｎｇ）上で
の配置に関係せず、各単量体等の序列上の規則性のみを
いう。
式（Ｉ）又は（ＶＴ）でのＸやＹの環（Ｒｉｎｇ）上で
の配置に関係せず、各単量体等の序列上の規則性のみを
いう。
本発明に従い製造された新規重合体の構造は次の一般式
（Ｉ）で示される。
（Ｉ）で示される。
工ｎ Ａｎ
前記式において、Ｘ及びＹはそれぞれＨ，Ｃ１゜Ｂｒ、
フェニル基又は炭素数１〜４であるアルキル基であり、
ｎは１乃至４の整数である。
フェニル基又は炭素数１〜４であるアルキル基であり、
ｎは１乃至４の整数である。
ｋ、１．ｍ、ｘ−ｚは０ないし１５００の整数、は少な
くとも２０９６以上、望ましくは３０％以上である。
くとも２０９６以上、望ましくは３０％以上である。
ここで、ａが１００％以上の場合には下記の構造式■で
示すように序列が規則的なポリマーになる。
示すように序列が規則的なポリマーになる。
ただし、Ｘ、Ｙ：Ｈ，ＣＩ、Ｂｒやフェニル基又は炭素
数１〜４のアルキル基で、 ｎ：１〜４の整数として置換体の数を 示し、 ｋ：１〜１５００の整数である。
数１〜４のアルキル基で、 ｎ：１〜４の整数として置換体の数を 示し、 ｋ：１〜１５００の整数である。
前記高分子を製造するために次のような各種単量体等を
使用できる。
使用できる。
（但し、ＸはＨ，ＣＩ、 Ｂ ｒ、 ７ｚニル基又は炭
素数１〜４のアルキル基であり、ｎ は１乃至４の整数として置換体の数を 表わす。） ４−アセトキシ安息香酸（Ｈ−ＡＢＡ） 、４−アセト
キシ−２−クロロ安息香酸、４−アセトキシ−３−クロ
ロ安息香酸、４−アセトキシ−２−ブロモ安息香酸、４
−アセトキシ−３−ブロモ安息香酸、４−アセトキシ−
２−メチル安息香酸、４−アセトキシ−３−メチル安息
香酸、４−アセトキシ−２−フェニル安息香酸、４−ア
セトキシ−３−フェニル安息香酸等。
素数１〜４のアルキル基であり、ｎ は１乃至４の整数として置換体の数を 表わす。） ４−アセトキシ安息香酸（Ｈ−ＡＢＡ） 、４−アセト
キシ−２−クロロ安息香酸、４−アセトキシ−３−クロ
ロ安息香酸、４−アセトキシ−２−ブロモ安息香酸、４
−アセトキシ−３−ブロモ安息香酸、４−アセトキシ−
２−メチル安息香酸、４−アセトキシ−３−メチル安息
香酸、４−アセトキシ−２−フェニル安息香酸、４−ア
セトキシ−３−フェニル安息香酸等。
２）ハイドロキノンジアセテート誘導体（ＨＤ） （ｍ
）Ｙｎ （但し、ＹはＨ，ＣＩ、Ｂｒ、フェニル基又は炭素、数
１〜４のアルキル基であり、ｎ＼−。
）Ｙｎ （但し、ＹはＨ，ＣＩ、Ｂｒ、フェニル基又は炭素、数
１〜４のアルキル基であり、ｎ＼−。
は１乃至４の整数として置換体の数を
表わす。）
ハイドロキノンジアセテート（Ｈ−ＨＤ）、クロロハイ
ドロキノンジアセテート（ＣＩ−ＨＤ）、ブロモハイド
ロキノンジアセテート（Ｂ ｒ −ＨＤ）メチルハイド
ロキノンジアセテート（ＣＨ３−ＨＤ）、フェニルハイ
ドロキノンジアセテート３）ジカルボン酸（ＣＤＡ）式
（ＩＶ）ＨＯＯＣ−０）ＣＯＯＨ（ＩＩ） ４）４−アセトキシ−（４−アセトキシフェニル）（但
し、Ｘ、 ＹはＨ，Ｃ１，Ｂｒ、フェニル基および炭素
数１〜４のアルキル基であ り、ｎは１〜４の整数として置換体の 数を表わす。） ■ Ｈ−ＡＰＢ （Ｘ、Ｙ：Ｈ） ■ ＣＩ−ＡＰＢ （Ｘ：Ｈ，Ｙ：Ｃ１，ｎ−１）■
ＣＨ３−ＡＰＢ （Ｘ：Ｈ，Ｙ：ＣＨ３゜ｎ−１） 以上のような単量体を利用して前記構造式（Ｉ）および
（Ｖｌ）で示される本発明に従う高分子を製造する方法
を紹介すると下記の通りである。
ドロキノンジアセテート（ＣＩ−ＨＤ）、ブロモハイド
ロキノンジアセテート（Ｂ ｒ −ＨＤ）メチルハイド
ロキノンジアセテート（ＣＨ３−ＨＤ）、フェニルハイ
ドロキノンジアセテート３）ジカルボン酸（ＣＤＡ）式
（ＩＶ）ＨＯＯＣ−０）ＣＯＯＨ（ＩＩ） ４）４−アセトキシ−（４−アセトキシフェニル）（但
し、Ｘ、 ＹはＨ，Ｃ１，Ｂｒ、フェニル基および炭素
数１〜４のアルキル基であ り、ｎは１〜４の整数として置換体の 数を表わす。） ■ Ｈ−ＡＰＢ （Ｘ、Ｙ：Ｈ） ■ ＣＩ−ＡＰＢ （Ｘ：Ｈ，Ｙ：Ｃ１，ｎ−１）■
ＣＨ３−ＡＰＢ （Ｘ：Ｈ，Ｙ：ＣＨ３゜ｎ−１） 以上のような単量体を利用して前記構造式（Ｉ）および
（Ｖｌ）で示される本発明に従う高分子を製造する方法
を紹介すると下記の通りである。
ＡＰＢとＤＣＡを同モル量で反応させて一般式（Ｉ）で
ａが１００％である一般式（Ｖｌ）の重合体を製造する
か、あるいはＡＰＢとＤＣＡ。
ａが１００％である一般式（Ｖｌ）の重合体を製造する
か、あるいはＡＰＢとＤＣＡ。
ＡＢＡ、ＨＤを適当な組成で混ぜてＡＰＢ、ＨＤ全体モ
ル数に対してＡＰＢが２０モル％以上、望ましくは３０
モル％以上になるように重合して一般式（Ｉ）の重合体
を製造する。
ル数に対してＡＰＢが２０モル％以上、望ましくは３０
モル％以上になるように重合して一般式（Ｉ）の重合体
を製造する。
一方、添付図面第１図と第２図はＨＤのラジカル、ＡＢ
Ａのラジカル、ＩＰＡのラジカルがモル比で１：１：１
の組成からなるポリマーの流れ曲線及び熔融粘度であり
、第１図と第２図で１，２゜３．４．５は次の組成を有
するポリマーを示す。
Ａのラジカル、ＩＰＡのラジカルがモル比で１：１：１
の組成からなるポリマーの流れ曲線及び熔融粘度であり
、第１図と第２図で１，２゜３．４．５は次の組成を有
するポリマーを示す。
■）１の組成： Ｈ−ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ讃１／１（モル
比） ２）２の組成： Ｈ−ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ
−ＡＢＡ−０，７／１１０．３１０．３ （モル比） ３）３の組成＋ Ｈ−ＡＰＢ／ＩＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ−
ＡＢＡ−０，５／１１０．５１０．５ （モル比） ４）４の組成： Ｈ−ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ
−ＡＢＡ〜０．３／１１０． ７１０． ７ （モル比
） ５）５の組成： ＩＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ−ＡＢＡ−１／
１／１ （モル比） この時、３３０℃、即ち液晶領域ではＡＰＢを含有する
高分子の熔融粘度が低くなる傾向を示し、それより低い
温度、即ち２７０℃領域ではＡＰＢが多ければ多いほど
良い物理的性質を有するということを示している。
比） ２）２の組成： Ｈ−ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ
−ＡＢＡ−０，７／１１０．３１０．３ （モル比） ３）３の組成＋ Ｈ−ＡＰＢ／ＩＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ−
ＡＢＡ−０，５／１１０．５１０．５ （モル比） ４）４の組成： Ｈ−ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ
−ＡＢＡ〜０．３／１１０． ７１０． ７ （モル比
） ５）５の組成： ＩＰＡ／Ｈ−ＨＤ／Ｈ−ＡＢＡ−１／
１／１ （モル比） この時、３３０℃、即ち液晶領域ではＡＰＢを含有する
高分子の熔融粘度が低くなる傾向を示し、それより低い
温度、即ち２７０℃領域ではＡＰＢが多ければ多いほど
良い物理的性質を有するということを示している。
従って、液晶領域ではＡＰＢを含むポリマーの操業性及
び物性の良いことが分る。
び物性の良いことが分る。
本発明を更に詳しく説明すると次の通りである。
本発明においてＡＢＡ及びＨＤの合成は従来から知られ
た方法により合成した。
た方法により合成した。
１）ＡＰＢの合成
Ｈ−ＡＢＡ１モルとＨ−ＨＤＩ乃至８モルを攪はん器、
窒素流入口、温度計およびコンデンサーが設けられたフ
ラスコに入れて加熱して１９０℃近くから反応生成物で
ある酢酸を流出させつつ２６０℃まで徐々に昇温しで酢
酸を取った後、メタノールで結晶を析出して２〜３回洗
浄し、未反応物を除去し、１−２Ｎ ＮａＯＨ水溶液
またはＮ ａ ＨＣＯ３水溶液で２〜３回洗浄した後、
改めて水で洗浄し、その後再結晶化する。
窒素流入口、温度計およびコンデンサーが設けられたフ
ラスコに入れて加熱して１９０℃近くから反応生成物で
ある酢酸を流出させつつ２６０℃まで徐々に昇温しで酢
酸を取った後、メタノールで結晶を析出して２〜３回洗
浄し、未反応物を除去し、１−２Ｎ ＮａＯＨ水溶液
またはＮ ａ ＨＣＯ３水溶液で２〜３回洗浄した後、
改めて水で洗浄し、その後再結晶化する。
（熔融点１５９−１６０℃、収率９１．３６％）また、
その他ＡＰＢ誘導体等も該当する適当な単量体を選択し
て同一の方法で合成する。
その他ＡＰＢ誘導体等も該当する適当な単量体を選択し
て同一の方法で合成する。
２） ポリマーの製造
ＡＢＡ、ＨＤ、ＤＣＡとＡＰＢを利用してポリマーを重
合する時、ＡＰＢをＨＤとＡＰＢの総モル数に対し２０
〜１００モル％、より望ましくは３０〜１００モル％使
用してポリマー内の単量体等間の序列規則性を調節する
。この時、ＡＢＡのラジカルは全体の２０〜７０モル％
存在するようにして反応管に投入し、１４０〜２７０℃
に昇温しで窒素雰囲気で酢酸を除去した後、徐々に真空
状態にして昇温し、２７０〜３７０℃での真空度が０．
１〜２００ｍ＋ｓＨｇになった時、ＩＶが０．６〜４．
０の高分子が得られる。
合する時、ＡＰＢをＨＤとＡＰＢの総モル数に対し２０
〜１００モル％、より望ましくは３０〜１００モル％使
用してポリマー内の単量体等間の序列規則性を調節する
。この時、ＡＢＡのラジカルは全体の２０〜７０モル％
存在するようにして反応管に投入し、１４０〜２７０℃
に昇温しで窒素雰囲気で酢酸を除去した後、徐々に真空
状態にして昇温し、２７０〜３７０℃での真空度が０．
１〜２００ｍ＋ｓＨｇになった時、ＩＶが０．６〜４．
０の高分子が得られる。
ＡＰＢの添加において、ＨＤとＡＰＲの総モル数はＤＣ
Ａのモル数より０乃至１０％程多くするか、あるいは少
なくし、若しＡＰＢの添加量がＨＤとＡＰＢの総モル数
に対し２０モル％未満であればＡＰＢの添加によって表
われる製品の均−性及び熔融粘度の低下効果が期待でき
ない。
Ａのモル数より０乃至１０％程多くするか、あるいは少
なくし、若しＡＰＢの添加量がＨＤとＡＰＢの総モル数
に対し２０モル％未満であればＡＰＢの添加によって表
われる製品の均−性及び熔融粘度の低下効果が期待でき
ない。
３）測定およびテスト
ポリマーのＩＶ（固有粘度）：ηｉｎｈは１，１゜３．
３．３−ヘキサフルオロ−２−プロパツールを溶媒とし
て０．５ｇ／１００ｃｃの濃度にして３０℃で測定した
。この時、ＩＶは次の式で算出した。
３．３−ヘキサフルオロ−２−プロパツールを溶媒とし
て０．５ｇ／１００ｃｃの濃度にして３０℃で測定した
。この時、ＩＶは次の式で算出した。
し
前記式でηｒｅｌは相対粘度（ｒｅｌａｔｉｖｅ ｖｌ
ｓｃｏｓ−Ｉｔｙ）であり、Ｃは濃度である。生成され
た高分子の成品状態はヒーティングステージに設けられ
た偏光顕微鏡で観察し、ポリマーの熱挙動はローテーシ
ョナルレオメーターと毛細管形レオメータ−で測定した
。
ｓｃｏｓ−Ｉｔｙ）であり、Ｃは濃度である。生成され
た高分子の成品状態はヒーティングステージに設けられ
た偏光顕微鏡で観察し、ポリマーの熱挙動はローテーシ
ョナルレオメーターと毛細管形レオメータ−で測定した
。
放射性テストは直径３ｃ１１１１長さ２００１！ｌの円
筒形管に直径０．３４ｍｍである一つのノズルを通じて
窒素年内１５ｋｇ／ｃｍの熔融状態で放射試験を行ない
、目で見ながら観察した。
筒形管に直径０．３４ｍｍである一つのノズルを通じて
窒素年内１５ｋｇ／ｃｍの熔融状態で放射試験を行ない
、目で見ながら観察した。
本発明において、放射性判定は熔融ポリマーを３２５ａ
＋ｅｓｈのフィルターを通じた後、上記の条件で５ｋｇ
を放射し、６００ ｍ／ｗｉｎの速度で巻き取った時に
現れる切糸回数を下記のように分類して示した。
＋ｅｓｈのフィルターを通じた後、上記の条件で５ｋｇ
を放射し、６００ ｍ／ｗｉｎの速度で巻き取った時に
現れる切糸回数を下記のように分類して示した。
Ａ級：６回以下
Ｂ級： ７−１１回
０級：１２−１６回
り級：１７回以上
Ｅ級二分解温度以下で放射不可能
なお、放射されたファイバーはオーブンで熱処理して２
〜８倍の強度向上と同時にモデュラス（ａ＋ｏｄｕｌｕ
ｓ）を増加させ、ＩＶも０．６〜４．０から０．８〜８
．０に増加させた。この時の熱処理は空気中、窒素やア
ルゴン等の非酸化性雰囲気中、真空中で全部可能であり
、この時、張力は与えても与えなくてもよい。
〜８倍の強度向上と同時にモデュラス（ａ＋ｏｄｕｌｕ
ｓ）を増加させ、ＩＶも０．６〜４．０から０．８〜８
．０に増加させた。この時の熱処理は空気中、窒素やア
ルゴン等の非酸化性雰囲気中、真空中で全部可能であり
、この時、張力は与えても与えなくてもよい。
また、この時の温度は常温から流動温度下まで変化させ
ながら処理し、得られたファイバーは産業用繊維、ゴム
とプラスチックの補強製等に使用できる。
ながら処理し、得られたファイバーは産業用繊維、ゴム
とプラスチックの補強製等に使用できる。
本発明で使用された単量体組成比はＡＢＡ組成比が２０
〜７０モル％の時の物性が一番よい。この時、ＡＢＡと
してはＣＩ 、 Ｂ ｒ 、 ＣＨ３、フェニル等が
置換されたものを単独あるいは併用して使用でき、ＨＤ
も環にＣＩ 、 Ｂ ｒ 、 ＣＨ３、フェニル等
が置換されたものを単独あるいは併用して使用できる。
〜７０モル％の時の物性が一番よい。この時、ＡＢＡと
してはＣＩ 、 Ｂ ｒ 、 ＣＨ３、フェニル等が
置換されたものを単独あるいは併用して使用でき、ＨＤ
も環にＣＩ 、 Ｂ ｒ 、 ＣＨ３、フェニル等
が置換されたものを単独あるいは併用して使用できる。
本発明を従来から知られた方法と比較して更に詳細に説
明すると、従来のアシドリシス方法では使用した単量体
間の反応性差異により４−ハイドロキシ安息香酸ブロッ
ク等のような色々のブロックが形成される。
明すると、従来のアシドリシス方法では使用した単量体
間の反応性差異により４−ハイドロキシ安息香酸ブロッ
ク等のような色々のブロックが形成される。
ところが、従来の方法による４−ハイドロキシ安息香酸
からなるブロックは４量体になっても熔融点が３４０℃
以上になり、このようなブロックが重合体に含まれる場
合、このポリマーの実用性は劣る。かかる欠点を解消す
るために提案されたフエノリシス方法ではアシドリシス
方法に比べ加工性ははるかに向上するが、本発明者の実
験結果、４−ハイドロキシ安息香酸単位が２０モル％以
下では液晶形成能はなく、２５モル％でも固有粘度が１
．４の場合にポリマーの熔融点は３００℃近くであり、
４０モル％では熔融点が３４０℃近くになって特別な設
備のなしでは使用不可能な重合体である。
からなるブロックは４量体になっても熔融点が３４０℃
以上になり、このようなブロックが重合体に含まれる場
合、このポリマーの実用性は劣る。かかる欠点を解消す
るために提案されたフエノリシス方法ではアシドリシス
方法に比べ加工性ははるかに向上するが、本発明者の実
験結果、４−ハイドロキシ安息香酸単位が２０モル％以
下では液晶形成能はなく、２５モル％でも固有粘度が１
．４の場合にポリマーの熔融点は３００℃近くであり、
４０モル％では熔融点が３４０℃近くになって特別な設
備のなしでは使用不可能な重合体である。
又、放射性テストの結果、従来のアシドリシスにより製
造された重合体の放射性はＥ級であり、フエノリシスに
よる方法は４−ハイドロキシ安息香酸単位が３０モル％
の時に６級であり、５０モル％の時にＥ級であった。
造された重合体の放射性はＥ級であり、フエノリシスに
よる方法は４−ハイドロキシ安息香酸単位が３０モル％
の時に６級であり、５０モル％の時にＥ級であった。
本発明者は前記の欠点を根本的に解決するためにＡＢＡ
を重合に投入する前に先ずＡＰＢに変形して使用するこ
とによってＡＢＡ単位のブロックが重合過程中で生成さ
れるという可能性を除去した。
を重合に投入する前に先ずＡＰＢに変形して使用するこ
とによってＡＢＡ単位のブロックが重合過程中で生成さ
れるという可能性を除去した。
その結果、重合体の単量体等間の序列規則性を調節でき
るようになり、ＡＢＡ単位、即ち４−ハイドロキシ安息
香酸単位のブロックが生じないため重合体の熔融点が低
くなり序列規則性の増加により熔融状態での液晶領域が
広くなり、液晶形成能および固体状態の結晶度が増加し
てポリマーの強度並びにモデュラス等の物性が良くなっ
た。
るようになり、ＡＢＡ単位、即ち４−ハイドロキシ安息
香酸単位のブロックが生じないため重合体の熔融点が低
くなり序列規則性の増加により熔融状態での液晶領域が
広くなり、液晶形成能および固体状態の結晶度が増加し
てポリマーの強度並びにモデュラス等の物性が良くなっ
た。
例えば、ＡＰＢ、ＡＢＡ、ＨＤ、ＩＰＡを素材としたポ
リマーの開存粘度が１．４の場合、ＡＢＡ単位が２０モ
ル％である重合体は熔融状態で液晶が形成され、３３．
３％（図表の１の組成）である場合、即ち、ＡＢＡとＨ
Ｄを反応させてＡＰＢにし、このＡＰＢとＩＰＡを同モ
ル比で反応させ重合体を製造した場合には熔融点が２８
０℃近くになり従来の３１０〜３５０”Ｃに比べて約３
０〜７０℃の溶融点低下があり、また放射性はＡ級であ
った。図表において２の組成の時は熔融点が２９０℃近
くになり放射性はＡ級、図表で４の組成の時には熔融点
が３００℃近くになり放射性はＢ級、ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ
／ＨＤ／ＡＢＡ−ｏ、２／１１０．８１０．８の時は熔
融点が３１０〜３３０℃になり放射性は６級であった。
リマーの開存粘度が１．４の場合、ＡＢＡ単位が２０モ
ル％である重合体は熔融状態で液晶が形成され、３３．
３％（図表の１の組成）である場合、即ち、ＡＢＡとＨ
Ｄを反応させてＡＰＢにし、このＡＰＢとＩＰＡを同モ
ル比で反応させ重合体を製造した場合には熔融点が２８
０℃近くになり従来の３１０〜３５０”Ｃに比べて約３
０〜７０℃の溶融点低下があり、また放射性はＡ級であ
った。図表において２の組成の時は熔融点が２９０℃近
くになり放射性はＡ級、図表で４の組成の時には熔融点
が３００℃近くになり放射性はＢ級、ＡＰＢ／Ｉ ＰＡ
／ＨＤ／ＡＢＡ−ｏ、２／１１０．８１０．８の時は熔
融点が３１０〜３３０℃になり放射性は６級であった。
なお、既存の方法では４−ハイドロキシ安息香酸単位を
５０モル％以上含めると融点が上昇し、加工が大変難し
くなった。
５０モル％以上含めると融点が上昇し、加工が大変難し
くなった。
一般に、ポリマー中でＡＢＡ単位が多ければ多いほど物
性はよいということは広く知られた事実であるが、５０
モル％水準になると熔融点はＡＢＡブロックの形成で３
５０℃以上になって加工が殆んど不可能になる。
性はよいということは広く知られた事実であるが、５０
モル％水準になると熔融点はＡＢＡブロックの形成で３
５０℃以上になって加工が殆んど不可能になる。
しかし、ＡＰＢ、ＩＰＡを反応させた時、重合体中のＡ
ＢＡ総含量が重合体の５０モル％になると分子量に従い
差異はあるが、重合体の熔融点は大抵３１０〜３３０℃
程度であり、放射性はＡ級であった。
ＢＡ総含量が重合体の５０モル％になると分子量に従い
差異はあるが、重合体の熔融点は大抵３１０〜３３０℃
程度であり、放射性はＡ級であった。
また、ＡＢＡ含量が６０モル％の時、熔融点は３４０℃
近くであり、放射性はＢ級であった。
近くであり、放射性はＢ級であった。
実施例１
窒素注入口と蒸溜管が設けられた反応管にＨ−ＡＰＢ
５２３．３５ｇ （Ｉ，６７モル）とＩＰＡ ２７
６．６５．（Ｉ，６７モル）を注入して窒素の存在下で
攪はんしながら２７０℃まで徐々に昇温しつつ酢酸を取
る。
５２３．３５ｇ （Ｉ，６７モル）とＩＰＡ ２７
６．６５．（Ｉ，６７モル）を注入して窒素の存在下で
攪はんしながら２７０℃まで徐々に昇温しつつ酢酸を取
る。
それから蒸溜管を除去し、窒素の流れを止めた後、徐々
に真空をかけながら昇温しで温度が３４０℃の時の真空
度が２ｍｍＨｇになるように減圧した後、１時間反応さ
せる。
に真空をかけながら昇温しで温度が３４０℃の時の真空
度が２ｍｍＨｇになるように減圧した後、１時間反応さ
せる。
このようにして得られたポリマーのＩＶは２．５３であ
った。この重合体を直径が０．３４ｍｍの一つのノズル
を通じて３４５℃にて熔融放射し、これを６００ ｍ／
ｍ１ｎの速度で巻き取ってＴ／Ｅ／Ｍｉ／Ｄｅｎが３．
９３／１．７／４１９／８゜６のフィラメントを製造し
た。
った。この重合体を直径が０．３４ｍｍの一つのノズル
を通じて３４５℃にて熔融放射し、これを６００ ｍ／
ｍ１ｎの速度で巻き取ってＴ／Ｅ／Ｍｉ／Ｄｅｎが３．
９３／１．７／４１９／８゜６のフィラメントを製造し
た。
この時の放射性はＡ級であり、このフィラメントを窒素
気流下の常温で１３５℃まで昇温した後、１３５℃で１
時間、２００℃で３時間、２６５℃で６時間熱処理した
。
気流下の常温で１３５℃まで昇温した後、１３５℃で１
時間、２００℃で３時間、２６５℃で６時間熱処理した
。
熱処理した後のＴ／Ｅ／Ｍｉ／Ｄｅｎは２１．１８／３
．１１５０１／８．４であり、この時のＴは強度（ｆ／
Ｄｅｎ）Ｅは伸度（％）、Ｍｉはモデュラス（ｇ／Ｄｅ
ｎ） 、Ｄｅｎはデニールをそれぞれ示している。
．１１５０１／８．４であり、この時のＴは強度（ｆ／
Ｄｅｎ）Ｅは伸度（％）、Ｍｉはモデュラス（ｇ／Ｄｅ
ｎ） 、Ｄｅｎはデニールをそれぞれ示している。
実施例２
実施例１）と同様な装置にＨ−ＡＰＢ
３５２．０２ｇ （Ｉ，１２モル）、ＩＰＡ２６５．８
１ｇ（Ｉ，６０モル） 、Ｈ−ＨＤ９５．９１ｇ （０
，４７モル） 、Ｈ−ＡＢＡ８６．４０ｇ （０，４８
モル）を注入して窒素の存在下で攪はんしながら２６５
℃まで徐々に昇温しで酢酸を取る。
１ｇ（Ｉ，６０モル） 、Ｈ−ＨＤ９５．９１ｇ （０
，４７モル） 、Ｈ−ＡＢＡ８６．４０ｇ （０，４８
モル）を注入して窒素の存在下で攪はんしながら２６５
℃まで徐々に昇温しで酢酸を取る。
酢酸を取った後、蒸溜管を除去して窒素の流れを止め、
徐々に真空をかけながら３４０℃から２市Ｈｇまで減圧
した後、１時間反応させる。
徐々に真空をかけながら３４０℃から２市Ｈｇまで減圧
した後、１時間反応させる。
このようにして得たポリマーのＩＶは２．３４であり、
これを実施例１）と同様に放射、熱処理して製造された
糸は下記のような物性を示した。
これを実施例１）と同様に放射、熱処理して製造された
糸は下記のような物性を示した。
１）放射性二Ａ級
２）熱処理前のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −３，７２／１．５／４３０／８．６ ３）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −２０，０８／３．１／４９８／８．５ 実施例３ 実施例１）と同様な装置にＨ−ＡＰＢ ２４６．９ｇ （０，７モル）、ＩＰＡ２６０．２ｇ
（Ｉ，５７モル） 、Ｈ−１−ＩＤ１５６．５ｇ （０
，８１モル） 、Ｈ−ＡＢＡ１４１．０ｇ （０，７８
モル）を注入して窒素の存在下で攪はんしながら２６０
℃まで徐々に昇温しつつ酢酸を取る。
ｎ −３，７２／１．５／４３０／８．６ ３）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −２０，０８／３．１／４９８／８．５ 実施例３ 実施例１）と同様な装置にＨ−ＡＰＢ ２４６．９ｇ （０，７モル）、ＩＰＡ２６０．２ｇ
（Ｉ，５７モル） 、Ｈ−１−ＩＤ１５６．５ｇ （０
，８１モル） 、Ｈ−ＡＢＡ１４１．０ｇ （０，７８
モル）を注入して窒素の存在下で攪はんしながら２６０
℃まで徐々に昇温しつつ酢酸を取る。
続いて実施例１）のように重合、放射、熱処理する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
ｌ） ポリマーのＩＶ：２，２１
２）放射性：Ａ級
３）熱処理前のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −３，５１／１．４／４１８／３．５ ４）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −１９，３１／２．９／４９１／８．３ 実施例４ Ｈ−ＡＰＢ １４４．８ｇ （０，４６モル）、ＩＰ
Ａ ２５４．３ｇ （Ｉ，５３モル）、Ｈ−ＨＤ
２１４．２ｇ （Ｉ，１０モル）、Ｈ−ＡＢＡ １９
２．２ｇ （Ｉ，０７モル）を実施例３）と同様に重合
、放射、熱処理する。
ｎ −３，５１／１．４／４１８／３．５ ４）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −１９，３１／２．９／４９１／８．３ 実施例４ Ｈ−ＡＰＢ １４４．８ｇ （０，４６モル）、ＩＰ
Ａ ２５４．３ｇ （Ｉ，５３モル）、Ｈ−ＨＤ
２１４．２ｇ （Ｉ，１０モル）、Ｈ−ＡＢＡ １９
２．２ｇ （Ｉ，０７モル）を実施例３）と同様に重合
、放射、熱処理する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
１） ホ＋）マー（Ｉ） ＩＶ ： １．８９２）放
射性３８級 ３）熱処理前のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −３，１４／１．４／４１５／８．４ ４）熱処理後のＴ／Ｅ／Ｍ ｉ ／Ｄ ｅ ｎ −１８
，２６／２．７／４９０／８．３ 実施例５ Ｈ−ＡＰＢ ４７．０７ｇ（０，１５モル）、ＩＰＡ
２４８．３１ｇ （Ｉ，５０モル）、Ｈ−ＨＤ
２６９．３４ｇ （Ｉ，３９モル）、Ｈ−ＡＢＡ ２
４２．６２ｇ （Ｉ，３５モル）を実施例３）と同様に
重合、放射、熱処理する。
射性３８級 ３）熱処理前のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −３，１４／１．４／４１５／８．４ ４）熱処理後のＴ／Ｅ／Ｍ ｉ ／Ｄ ｅ ｎ −１８
，２６／２．７／４９０／８．３ 実施例５ Ｈ−ＡＰＢ ４７．０７ｇ（０，１５モル）、ＩＰＡ
２４８．３１ｇ （Ｉ，５０モル）、Ｈ−ＨＤ
２６９．３４ｇ （Ｉ，３９モル）、Ｈ−ＡＢＡ ２
４２．６２ｇ （Ｉ，３５モル）を実施例３）と同様に
重合、放射、熱処理する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
■） ポリマーのＩＶ：１．４７
２）放射性２８級
３）熱処理前のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −２，４１／１． ２／３８６／８．４ ４）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ ＝１７、 ２６／２．８／４８８／８． ３実施例
６ ＣＨ３−Ａ Ｐ ８ ５３１−１７ ｇ （Ｉ−６２モ
ル）、ＩＰＡ ２６８．８１ｇ （Ｉ，５２モル）を
実施例２）と同様に重合、放射、熱処理する。
ｎ −２，４１／１． ２／３８６／８．４ ４）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ ＝１７、 ２６／２．８／４８８／８． ３実施例
６ ＣＨ３−Ａ Ｐ ８ ５３１−１７ ｇ （Ｉ−６２モ
ル）、ＩＰＡ ２６８．８１ｇ （Ｉ，５２モル）を
実施例２）と同様に重合、放射、熱処理する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
１） ポリマーのＩＶ：２，５１
２）放射性２８級
３）熱処理前のＴ／Ｅ／Ｍｉ／Ｄｅｎ−３，５３／１．
９／３８０／８．５ ４）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −２０，１９／３．９／４６２／８．４ 実施例７ Ｃ１−ＡＰＢ ５４１．８６ｇ （Ｉ，５５モル）Ｔ
ＰＡ ２５８．４１．（Ｉ，５５モル）を実施例２）
と同様に重合、放射、熱処理する。
９／３８０／８．５ ４）熱処理後のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ ｉ ／ Ｄ ｅ
ｎ −２０，１９／３．９／４６２／８．４ 実施例７ Ｃ１−ＡＰＢ ５４１．８６ｇ （Ｉ，５５モル）Ｔ
ＰＡ ２５８．４１．（Ｉ，５５モル）を実施例２）
と同様に重合、放射、熱処理する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
１） ポリマーのＩＶ：２．６１
２）放射性：８級
３）熱処理前のＴ ／ Ｅ ／ Ｍ Ｌ ／ Ｄ ｅ
ｎ ＝３．６９／１．８／３８３／８．６ ４）熱処理後のＴ／ Ｅ／Ｍ ｉ ／Ｄ ｅ ｎ −２
０，４３／３．７／４６９／８．３ 比較実施例１ 実施例１）と同様な装置にＨ−ＨＤ ３５９．６８ｇ （Ｉ，８５モル） 、Ｈ−ＡＢＡ３２
４．００ｓｒ （Ｉ，８モル）、ＩＰＡ２９９．０３ｇ
（Ｉ，８モル）を注入して窒素の存在下で攪はんしな
がら実施例２）のように重合、放射する。
ｎ ＝３．６９／１．８／３８３／８．６ ４）熱処理後のＴ／ Ｅ／Ｍ ｉ ／Ｄ ｅ ｎ −２
０，４３／３．７／４６９／８．３ 比較実施例１ 実施例１）と同様な装置にＨ−ＨＤ ３５９．６８ｇ （Ｉ，８５モル） 、Ｈ−ＡＢＡ３２
４．００ｓｒ （Ｉ，８モル）、ＩＰＡ２９９．０３ｇ
（Ｉ，８モル）を注入して窒素の存在下で攪はんしな
がら実施例２）のように重合、放射する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
１） ポｌＪマーのＩＶ： １．４１２）放射性：８
級 比較実施例２ 実施例１）と同様な装置にハイドロキノン１８１．４６
ｇ （Ｉ，６５モル）、４−ハイドロキシ安息香酸フェ
ニルエステル３４２．７２ｇ（Ｉ，６０モル）、ジフェ
ニルイソフタレート５０９．２８ｇ （Ｉ，６モル）を
注入して窒素の存在下で攪はんしながら徐々に２７０℃
まで昇温しつつフェノール、を取った後、実施例１）の
ように重合、放射、熱処理する。
級 比較実施例２ 実施例１）と同様な装置にハイドロキノン１８１．４６
ｇ （Ｉ，６５モル）、４−ハイドロキシ安息香酸フェ
ニルエステル３４２．７２ｇ（Ｉ，６０モル）、ジフェ
ニルイソフタレート５０９．２８ｇ （Ｉ，６モル）を
注入して窒素の存在下で攪はんしながら徐々に２７０℃
まで昇温しつつフェノール、を取った後、実施例１）の
ように重合、放射、熱処理する。
得られた重合体と糸は次のような物性を示した。
■） ポリマーのＩＶ：１．６３
２）放射性２０級
３）熱処理前のＴ／ Ｅ／Ｍ ｉ ／Ｄ ｅ ｎ −３
，１５／１．３／４４１／８．３ ４）熱処理後のＴ／Ｅ／Ｍｉ／Ｄｅｎ−１８，１８／２
．４／４９９／８．２
，１５／１．３／４４１／８．３ ４）熱処理後のＴ／Ｅ／Ｍｉ／Ｄｅｎ−１８，１８／２
．４／４９９／８．２
第１図及び第２図はハイドロキノンジアセテート、４−
アセトキシ−安息香酸、イソフタル酸のラディカルがモ
ル比で１：１：１の組成よりなる重合体の流れ曲線（Ｉ
’ｌｏｗ ｃｕｒｖｅ）及び熔融粘度を示すものである
。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 ずシ速度
アセトキシ−安息香酸、イソフタル酸のラディカルがモ
ル比で１：１：１の組成よりなる重合体の流れ曲線（Ｉ
’ｌｏｗ ｃｕｒｖｅ）及び熔融粘度を示すものである
。 出願人代理人 佐 藤 −雄 第１図 ずシ速度
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、次の構造式（II）で示される４−アセトキシ安息香
酸誘導体（ＡＢＡ）と、構造式（III）で示されるハイ
ドロキノンジアセテート誘導体（ＨＤ）と、次の構造式
（IV）で示されるジカルボン酸（ＤＣＡ）および次の構
造式（Ｖ）で示される４−アセトキシ−（４−アセトキ
シフェニル）ベンゾエート誘導体（ＡＰＢ）等の単量体
から合成されてなることを特徴とする下記の構造式（
I ）で示される芳香族ポリエステル。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋ、ｌ、ｍ、ｘ…ｚは０乃至 １５００の整数である。 ただし、［ｋ／（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｘ＋…＋ｚ）］×１
００＝ａ（％）であれば、ａは２０乃至１００％である
。 ２、４−アセトキシ安息香酸誘導体（ＡＢＡ）は４−ア
セトキシ安息香酸、４−アセトキシ−２−クロロ安息香
酸、４−アセトキシ−３−クロロ安息香酸、４−アセト
キシ−２−ブロモ安息香酸、４−アセトキシ−３−ブロ
モ安息香酸、４−アセトキシ−２−メチル安息香酸、４
−アセトキシ−３−メチル安息香酸、４−アセトキシ−
２−フェニル安息香酸、４−アセトキシ−３−フェニル
安息香酸のうちでいずれか一つを選択してなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の芳香族ポリエステ
ル。 ３、ハイドロキノンジアセテート誘導体はハイドロキノ
ンジアセテート、クロロハイドロキノンジアセテート、
ブロモハイドロキノンジアセテート、メチルハイドロキ
ノンジアセテート、フェニルハイドロキノンジアセテー
トのうちでいずれか一つを選択してなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の芳香族ポリエステル。 ４、４−アセトキシ安息香酸誘導体（ＡＢＡ）はその含
有量が総モル数に対して約２０ないし７０モル％である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の芳香族ポ
リエステル。 ５、４−アセトキシ−（４−アセトキシフェニル）ベン
ゾエート（ＡＰＢ）含有量はこれとハイドロキノンジア
セテート（ＨＤ）との総混合モル数に対して約２０ない
し１００モル％であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の芳香族ポリエステル。 ６、ジカルボン酸（ＤＣＡ）のモル数は４−アセトキシ
−（４−アセトキシフェニル）ベンゾエート（ＡＰＢ）
とハイドロキノンジアセテート（ＨＤ）の混合モル数に
対して０乃至１０％程度多く、あるいは少なく合成して
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の芳香
族ポリエステル。 ７、芳香族ポリエステルはその固有粘度（IV）が０．６
乃至４．０であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の芳香族ポリエステル。 ８、次の一般式（ I ）で示される芳香族ポリエステル
を使用して製造されることを特徴とする繊維。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋ、ｌ、ｍ、ｘ…ｚは０乃至 １５００の整数である。 ９、次の一般式（ I ）で示される芳香族ポリエステル
を使用して製造されることを特徴とするフィルム。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋ、ｌ、ｍ、ｘ…ｚは０乃至 １５００の整数である。 １０、次の一般式（ I ）で示される芳香族ポリエステ
ルを使用して製造されることを特徴とする成形物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋ、ｌ、ｍ、ｘ…ｚは０乃至 １５００の整数である。 １１、次の構造式（IV）で示されるジカルボン酸（ＤＣ
Ａ）と次の構造式（Ｖ）で示される４−アセトキシ−（
４−アセトキシ）ベンゾエート誘導体（ＡＰＢ）の単量
体とから合成してなることを特徴とする次の構造式（I
V）で示される芳香族ポリエステル。 ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋは０乃至１５００の整数で ある。 １２、ジカルボン酸は４−アセトキシ−（４−アセトキ
シ）ベンゾエート誘導体より０ないし１０モル％程多く
、あるいは少なく合成されてなることを特徴とする特許
請求の範囲第１１項記載の芳香族ポリエステル。 １３、次の一般式（VI）で示される芳香族ポリエステル
を使用して製造さることを特徴とする繊維。 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋは０乃至１５００の整数で ある。 １４、次の一般式（VI）で示される芳香族ポリエステル
を使用して製造されることを特徴とするフィルム。 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋは０乃至１５００の整数で ある。 １５、次の式（VI）で示される芳香族ポリエステルを使
用して製造されることを特徴とする成形物。 ▲数式、化学式、表等があります▼（VI） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋは０乃至１５００の整数で ある。 １６、次の構造式（II）で示される４−アセトキシ安息
香酸誘導体（ＡＢＡ）と構造式（III）のハイドロキノ
ンジアセテート誘導体（ＨＤ）と構造式（IV）のジカル
ボン酸（ＤＣＡ）及び次の構造式（Ｖ）で示される４−
アセトキシ−４（４−アセトキシフェニル）ベンゾエー
ト誘導体（ＡＰＢ）を混合し、１次加熱反応させて副生
する酢酸を回収した後、真空状態下で２次加熱反応させ
て最終ポリマーが生成することを特徴とする次の構造式
（ I ）で示される芳香族ポリエステルの製造方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） 前記式において、ＸとＹはそれぞれＨ、Ｃｌ、Ｂｒ、フ
ェニル基、炭素数が １〜４のアルキル基で、 ｎは１乃至４の整数で、 ｋ、ｌ、ｍ、ｘ…ｚは０乃至 １５００の整数である。 ただし、［ｋ／（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｘ＋…＋ｚ）］×１
００＝ａ（％）とすると、ａは２０乃至１００％である
。 １７、４−アセトキシ安息香酸誘導体は４−アセトキシ
安息香酸、４−アセトキシ−２−クロロ安息香酸、４−
アセトキシ−３−クロロ安息香酸、４−アセトキシ−２
−ブロモ安息香酸、４−アセトキシ−３−ブロモ安息香
酸、４−アセトキシ−２−メチル安息香酸、４−アセト
キシ−３−メチル安息香酸、４−アセトキシ−２−フェ
ニル安息香酸、４−アセトキシ−３−フェニル安息香酸
のうちでいずれか一つを選択してなることを特徴とする
特許請求の範囲第１６項記載の方法。 １８、ハイドロキノンジアセテートはハイドロキノンジ
アセテート、クロロハイドロキノンジアセテート、ブロ
モハイドロキノンジアセテート、メチルハイドロキノン
ジアセテート、フェニルハイドロキノンジアセテートの
うちでいずれか一つを選択してなることを特徴とする特
許請求の範囲第１６項記載の方法。 １９、４−アセトキシ安息香酸誘導体の重合量として、
総重合モル数に対して約２０乃至７０モル％を添加して
なる特許請求の範囲第１６項記載の方法。 ２０、４−アセトキシ−（４−アセトキシフェニル）ベ
ンゾエートの重合量として、これとハイドロキノンジア
セテートとの総重合モル数に対して約２０乃至１００モ
ル％を添加してなる特許請求の範囲第１６項記載の方法
。 ２１、ジカルボン酸の重合モル数として、４−アセトキ
シ−（４−アセトクシフェニル）ベンゾエートとハイド
ロキノンジアセテートの総モル数より０乃至１０モル％
多く、あるいは少なく添加してなる特許請求の範囲第１
６項記載の方法。 ２２、最終ポリマーの固有粘度は０．６乃至４．０から
なる特許請求の範囲第１６項記載の方法。 ２３、１次加熱反応は約１４０℃乃至２７０℃の温度で
実施してなる特許請求の範囲第１６項記載の方法。 ２４、２次加熱反応は約２７０℃乃至３７０℃の上昇さ
れた温度で実施してなる特許請求の範囲第１６項記載の
方法。 ２５、真空度は約０．１乃至２００ｍｍＨｇで維持して
なる特許請求の範囲第１６項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3982187A JPS63207819A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 芳香族ポリエステル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3982187A JPS63207819A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 芳香族ポリエステル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63207819A true JPS63207819A (ja) | 1988-08-29 |
Family
ID=12563639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3982187A Pending JPS63207819A (ja) | 1987-02-23 | 1987-02-23 | 芳香族ポリエステル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63207819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016113511A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 上野製薬株式会社 | 液晶ポリマーの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010116A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-19 | Alps Electric Co Ltd | 磁気式方位検出装置 |
| JPS6044521A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-09 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 集積回路モジュール用シーラント |
-
1987
- 1987-02-23 JP JP3982187A patent/JPS63207819A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010116A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-19 | Alps Electric Co Ltd | 磁気式方位検出装置 |
| JPS6044521A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-09 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 集積回路モジュール用シーラント |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016113511A (ja) * | 2014-12-12 | 2016-06-23 | 上野製薬株式会社 | 液晶ポリマーの製造方法 |
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