JPS63204968A - 密着型イメ−ジセンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明の密着型イメージセンサは、光の照射を受けた際
に発生する個別電極間のリーク電流の低減を行うために
所要部を遮光する遮光板を設け、これにより素子特性の
改善を図るものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明は密着型イメージセンサに係り、特にアモルファ
スシリコンを用いた密着型イメージセンサの素子特性の
均一化を可能とする電極構造に関する。

近年、ファクシミリ等に用いられる画像読み取り装置を
小型化するために、密着型のイメージセンサの開発が行
われている。密着型のイメージセンサは、原稿と同一幅
に所望の解像度で光検出素子を一列に配置し、原稿を接
近させて画像情報を読み取るものであって、イメージセ
ンサの設置位置を原稿面から数十ＩＩＩＩＩ＋まで接近
させることができる。

〔従来の技術〕

第２図は、従来の密着型イメージセンサの構造図を示す
。第２図（ａ）は平面図８第２図（ｂ）は断面図である
。各図において基板ｌ上に直線帯状の共通電極２をクロ
ムＣｒあるいはチタンＴｉ等の部材を用いてスパッタリ
ング法により形成する。

次に光導電膜３として例えばアモルファスシリコン膜を
共通電極２の端部長手方向に重ねて成膜する。

最後に共通電極２の端部長手方向に直交するように光導
電膜３を挟んで複数の個別電極４を列設する。この個別
電極４は、例えば酸化錫ＳｎＯ□あるいはインジウム・
スズ・オキサイド等の部材を用いて透明短冊状に形成し
、その短冊状の一端の所定寸法Ａが共通電極２にそれぞ
れ重なるように配列したパターンで成膜形成する。

以上の構成により、アモルファスシリコン膜３を挟む共
通電極２と光導電膜４との重なり部分の素子面積に対応
する単位光センサ群が一列に構成され、この単位光セン
サ群に沿って照射される光は、光電変換されて密着型イ
メージセンサとして利用される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の密着型イメージセンサに光が入射されると、個別
電極４と共通電極２とが重なりあった寸法Ａの部分は、
光センサとして作用し素子毎に光電変換された出力が得
られる。

このとき同時に光導電膜３を挟んで相隣接する個別電極
間（図示する寸法Ｂ部分）にリーク電流が流れ、素子特
性を劣化させる原因となる。したがって、このリーク電
流を排除するために寸法Ｂ部分を遮光する必要がある。

従来の遮光のための技術は有機物質の膜、あるいは金属
性の膜を利用している。しかしながら、有機物質の膜は
光が若干透過する欠点があり、リーク電流の低減に限度
がある。

金属性の膜を利用する場合は、まず絶縁膜を作りその上
に金属膜を成膜する必要があり、絶縁膜にピンホールな
どがあると、金属膜を介して個別電極が短絡する欠点が
あり、両者共に密着型イメージセンサの製造歩留まりを
悪化させる欠点となる。

本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたもので、製造
歩留まりを向上せしめ、光照射時の素子間リーク電流の
低減を行うための遮光手段の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の密着型イメージセンサは第１図に示すように、
基板１上に薄膜で形成された直線帯状の共通電極２の上
に光導電膜３を形成し、該光導電膜３を挟んで前記共通
電極２に直交する複数個の個別電極４を列設してなる光
センサ部と、該光センサ部を包む透明ハウジング５とか
ら構成されてなる密着型イメージセンサにおいて、前記
個別電極４が前記共通電極２に重なる部分以外の個別電
極引き出し部分を遮光する遮光板６を前記透明ハウジン
グ５の外側に設けた構成になっている。

〔作用〕

遮光板６を透明ハウジング５の外側に配置できる構造に
した結果、光を透過しない部材を自由に用いることがで
きる。また個別電極４に非接触状態に配置でき、かつ遮
光位置を最良状態に設定できるので、個別電極間のリー
ク電流の低減および素子特性の向上がはかれる。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面によって詳述する。

なお、構成、動作の説明を理解し易くするために全図を
通じて同一部分には同一符号を付してその重複説明を省
略する。

第１図は本発明の密着型イメージセンサの構造図を示す
。第１図（ａ）は平面図、第１図（ｂｌは断面図である
。各図において、６は遮光板（例えば金属板）であって
、共通電極２と個別電極４とが光導電膜３を介して重な
り合う部分（寸法Ａ部分）以外の個別電極引き出し゛部
分（寸法Ｂ部分）を、完全に遮光するように位置調整を
行い、図示しない手段で透明ハウジングに固定する。こ
の結果、必要な照射光７は寸法Ａ部分が受光し、個別電
極間にリーク電流を発生させる不必要な入射光８は、遮
光板６で完全に遮光するためリーク電流の低減が可能と
なり、素子特性の改善ができる。

例えば、受光素子はインジューム・スズ・オキサイドと
アモルファスシリコンのショットキバリアダイオードで
、逆バイアス印加時に照度２５ルツクスにおいて、暗電
流１０−　”アンペア台、光電流１０−１′アンペア台
であったものが、本発明の遮光手段により暗電流ＩＱ−
１２アンペア台、光電流１０−１０アンペア台に低減さ
れる。

また、個別電極４の表面処理が不要となり、かつ密着型
イメージセンサの製造歩留まりも向上するので低コスト
化が図れる。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように本発明の密着型イメージセン
サによれば、ハウジングに遮光板を固定するので素子特
性の向上と共に、低コスト化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の密着型イメージセンサの構造図、 第２図は従来の密着型イメージセンサの構造図を示す。 第１図において、１は基板、２は共通電極、３は光導電
膜、４は個別電極、５は透明ハウジング、６は遮光板を
それぞれ示す。 （Ｑ）千面凹 序発ｇ、’ｒ／”！渇」どイメージ乞）サー肩ｉｔ図第
１図 （Ｑ）平面図 （ｂ）折面図 句５Ｌめｆ１已Ｖイメージ１ヒ５丈シＪ腎遺閃第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 基板（１）上に薄膜で形成された直線帯状の共通電極２
   の上に光導電膜（３）を形成し、該光導電膜（３）を挟
   んで前記共通電極（２）に直交する複数個の個別電極（
   ４）を列設してなる光センサ部と、該光センサ部を包む
   透明ハウジング（５）とから構成されてなる密着型イメ
   ージセンサにおいて、 前記個別電極（４）が前記共通電極（２）に重なる部分
   以外の個別電極引き出し部分を遮光する遮光板（６）を
   前記透明ハウジング（５）の外側に設けたことを特徴と
   する密着型イメージセンサ。