JPS6320324A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS6320324A
JPS6320324A JP16467786A JP16467786A JPS6320324A JP S6320324 A JPS6320324 A JP S6320324A JP 16467786 A JP16467786 A JP 16467786A JP 16467786 A JP16467786 A JP 16467786A JP S6320324 A JPS6320324 A JP S6320324A
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Akira Yoshizumi
善積 章
Kazutaka Matsumoto
松本 一高
Takeshi Uchida
健 内田
Michiya Azuma
東 道也
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明はエポキシ樹脂組成物に関し、更に詳しくは半導
体等の電子部品のモールド用樹脂として好適なエポキシ
樹脂組成物、及び係るエポキシ樹脂組成物で封止された
樹脂封止型半導体装置に関する。
(従来の技術) 近年、電子部品の小型化や薄層化への指向および集積度
の増大等に伴い、耐熱性、耐クラツク性、耐湿性、電気
特性等のバランスがとれたモールド用樹脂の開発が望ま
れている。
従来、電子部品のモールド用樹脂としては、フェノール
ノボラック樹脂を硬化剤として含有するエポキシ樹脂組
成物が使用されてきた。しかし。
この樹脂組成物はモールド用樹脂として要求される前記
特性を満たしていなかった。
このため、上記組成の他にシリコーン系化合物を添加し
たエポキシ樹脂組成物が使用されるに至った。しかし、
この樹脂組成物を用いて成形品をモールドすると金型に
曇りを生じたり、成形品自体の強度も大巾に低下するた
め、半導体モールド品に冷熱サイクルを加えた場合、樹
脂クラックが発生し易いという問題があった。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は、従来のエポキシ樹脂組成物にみられる前記列
挙した型曇り、低強度、冷熱サイクルテストに弱い等の
問題点を解決し、モールド用樹脂として要求される耐熱
性、耐湿性及び電気特性が優れ、しかも型曇り等のない
良好な加工性、機械的衝撃に耐える高強度、冷熱サイク
ルに強い高度の耐熱衝撃性を有するエポキシ樹脂組成物
を提供しようとするものである。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明を概説すると、本発明の第1の発明は、(a):
1分子中に少くとも2個のエポキシ基を有するエポキシ
樹脂、及び (b):1分子中に少くとも2個の水酸基を有するノボ
ラック形フェノール樹脂にフッ素系及び/又はシリコー
ン系界面活性剤を、  用いて熱硬化性シリコーンゴム
を分散させてなる硬化剤としての変性フェノール樹脂 とからなることを特徴とするフェノール硬化型エポキシ
樹脂組成物に関するものである。
また、本発明の第2の発明は前記第1の発明に係るエポ
キシ樹脂組成物によって封止されて成る樹脂封止型半導
体装置に関するものである。
以下、本発明の構成について詳細に説明する。
本発明において使用するエポキシ樹脂(a)成分は、1
分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであればい
かなるものであってもよく、その具体例としては、ビス
フェノールA型、ビスフェノ−ルF型、フェノールノボ
ラック型、クレゾールノボラック型等のエポキシ樹脂及
びこれらの樹脂に塩素原子もしくは臭素原子等のハロゲ
ンに子を導入したエポキシ樹脂等が例示される。これら
は単独で又は混合系で使用される。具体例としては、E
OCN−1023(日本化薬■、軟化点り4℃、エポキ
シ当量207)、ESCN−195XL(住人化学■。
軟化点70℃、エポキシ当量198)、N−865(大
日本インキ化学工業■、軟化点66℃、エポキシ当量2
09)などがあり、臭素化エポキシ樹脂の例としては、
A E R−745([化成工業■、軟化点8り℃、エ
ポキシ当量460.臭素49%)、 BREN−8(日
本化薬■、軟化点り7℃、エポキシ当量275.臭素3
5%)などがある。
次に、本発明において使用する変性フェノール樹脂(b
)成分について説明する。
変性フェノール樹脂(b)成分の調製に際して使用され
るノボラック形フェノール樹脂は、1分子中に2個以上
のフェノール性水酸基を有するものであればいかなるも
のであってもよく、その具体例としては、フェノールノ
ボラック樹脂、オルソクレゾールノボラック樹脂及びメ
タクレゾールノボラック樹脂等が例示される。これらは
単独で又は混合系で使用される。フェノールノボラック
樹脂の具体側石しては、BRM−557(昭和高分子−
軟化点87℃、OH当量104)、 TD−2131(
大日本インキ化学工業■、軟化点80℃、OH当[10
5)などがあげられる。
本発明においては、前記樹脂成分、即ち1分子中に少く
とも2個の水酸基を有するノボラック形フェノール樹脂
に熱硬化性シリコーンゴムを配合して樹脂を変性し、こ
れをエポキシ樹脂の硬化剤として用いる点に大きな特徴
を有するものである。
熱硬化性シリコーンゴムによる変成は、前記ノボラック
形フェノール樹脂に熱硬化性シリコーンゴムを加熱下に
界面活性剤を用いて十分に分散し、硬化させることによ
り行なわれる。前記熱硬化性シリコーンゴムによる変成
に際して、最終組成物の成形性や成形時の金型汚れを向
上させるために、界面活性剤としてエポキシ基含有のポ
リエーテル変成シリコーン系界面活性剤を用い、かつ該
界面活性剤中のエポキシ基とノボラック形フェノール樹
脂中の水酸基との反応を加速する触媒を用いることは好
ましい変成手段である。以下、更に詳しく前記ノボラッ
ク形フェノール樹脂の熱硬化性シリコーンゴムによる変
成方法について説明する。
本発明においてノボラック形フェノール樹脂変成に使用
される熱硬化性のシリコーンゴムは。
100℃以下で流動性を有することが望ましく、 かつ
加熱硬化が可能であれば、いかなるものであっても良い
。具体例としては、T S J −3150(東芝シリ
コーン@製、25℃で粘度が1100cp、硬化推奨9
度150℃)、 T S J−3151(東芝シlJ:
1−ンX製。
25℃で粘度が2300cp 、硬化推奨温度150℃
)、TSJ−3175(東芝シリコーン■製、25℃で
粘度が3100CP+硬化推奨温度125℃)、 T 
S J −3130<東芝シリコーン■製、25℃で粘
度が3800cp 、硬化推奨温度150℃)、 T 
S E−3504(東芝シリコーン@製。
25℃で粘度が10000cp、常温硬化可能)、TS
E−3051(東芝シリコーン!I$l製、250℃で
粘度が700cp v硬化推奨温度125℃)、 J 
CR−6101(東しシリコーン■製、25℃で粘度が
約6500cp)、 などがあげられる。
本発明の前記熱硬化性シリコーンゴムによるノボラック
形フェノール樹脂の変成処理において、均一分散を助け
るために界面活性剤が使用される。
界面活性剤としては熱硬化性シリコーンゴムの均−分散
後に成形性、成形時の金型汚れ、耐熱性などの特性に悪
影響を与えないものが好ましく、そのような観点からフ
ッ素系及び/又はシリコーン系界面活性剤が使用される
・フッ素系界面活性剤としては、フッ素系非イオン界面
活性剤が好ましくその具体例としてはフロラードFC−
430(住人スリーエム■、粘度1500cps)、フ
ロラードF C−176(住人スリーエム■、粘度15
00cps)、ロジンS−107(チバガイギー社製) などが挙げられる。
・シリコーン系界面活性剤としては、シリコーン系非イ
オン界面活性剤が好ましくその具体例とシテ、S H−
3749(東芝シリ:]−ンX、粘度1300cps)
、S H−8410(東しシリコーン■、粘度2900
cst)、S H−8421(東しシリコーン■、粘度
3500cst) などが挙げられる。
これらのうち、成形性などの観点から、5F−8421
が好ましい界面活性剤である。
前記S F−8421は、下記に示される如く、υ エポキシ基含有のポリエーテル(POA)変成シリコー
ンオイルである。
本発明においては、前記5F−8421の如く1分子当
り1個以上のエポキシ基とポリエーテル基をそれぞれ有
するシリコーンオイルであれば如何なるものであっても
有利に使用することができる。
シリコーンオイルは、一般に有機物や水に溶は難いとい
う制約があるが、エポキシ基含有ポリエーテル変成シリ
コーンオイルは、この点を改良し、さらに界面活性とし
ての特長を有するものである。
ポリエーテル部位は、ポリエチレングリコール。
ポリプロピレングリコール、エチレングリコール−プロ
ピレングリコール共重合体、ブチレングリコールなどか
ら構成される。本発明で使用する前記エポキシ基含有の
ポリエーテル変性シリコーンオイルはポリエーテル基を
有すると共に、フェノールノボラック樹脂の水酸基と反
応することができるエポキシ基を有するものである。
本発明の熱硬化性シリコーンゴムによるノボラック形フ
ェノール樹脂の変成において、界面活性剤として前記し
たエポキシ基含有ポリエーテル変成シリコーンオイルを
用い、加熱分散時に両者を反応させることは好ましい変
成法である。その際、加熱分散時にエポキシ基含有ポリ
エーテル変成シリコーンオイルとノボラック形フェノー
ル樹脂の反応を促進するために触媒を用いることができ
る。
このような触媒には通常エポキシ樹脂とフェノール樹脂
の硬化反応に使われているイミダゾール類。
ジアザビシクロウンデセンなどのアミン類やその塩、ト
リフェニルホスフィン等のリン化合物が使えるが、電気
特性の良好なトリフェニルホスフィン又はジアザビシク
ロウンデセンが望ましい、触媒の添加量は変性反応物全
体に対して0.1〜3.0重1%が好ましい。
前記した各変成剤の使用量は、熱硬化性シリコーンゴム
とフッ素系及び/又はシリコーン系界面活性剤をノボラ
ック形フェノール樹脂100重量部に対してそれぞれ2
〜100重量部を加えることが望ましい。更に詳しくは
熱硬化性シリコーンゴムは10〜40重量部、界面活性
剤は10〜35重量部加えることが好ましい。次に加熱
分散工程での溶融反応条件は100℃以上の温度で、0
.5〜4時間反応させることが好ましく、更に好ましく
は150℃〜180℃の温度で1〜2時間反応させるこ
とである。
本発明において、前記のようにして調製された変性フェ
ノール樹脂(b)成分は、前記エポキシ樹脂(a)成分
の硬化剤として用いられる。その場合の配合比率は、エ
ポキシ樹脂のエポキシ当量とフェノール樹脂のOH当量
の当量比がらみてエポキシ当量/ OH当−t=o、s
〜1.5(当量比)になるようにすることが好ましい。
当量比がこの範囲がらはずれると強度が低下してしまう
ので好ましくない。
また、エポキシ樹脂(a)成分と変性フェノール樹脂(
b)成分との配合に際して、硬化反応を促進する触媒を
用いても良いことはいうまでもないことである。
このような触媒としては、通常イミダゾール類。
三級アミン類、ジアザビシクロウンデセンやその塩類、
リン系化合物、有機金属化合物などが用いられるが、耐
湿性および電気特性の点からはトリフェニルホスフィン
等の有機ホスフィン類又はジアザビシクロウンデセンや
その塩が好ましい。
また、この他にも用途、目的に応じて、本発明の目的が
阻害されない範囲内で種々の添加剤を配合することがで
きる。このような添加剤としては、例えば、ステアリン
酸などの脂肪酸、ワックス類等の離型剤、カーボンブラ
ック等の着色剤、エポキシシラン、ビニルシラン、ボラ
ン系化合物、アルキルチタネート等のカップリング剤、
及びアンチモン、リン化合物等の難燃剤があげられる。
変成フェノール樹脂(b)成分の製造には、混合機構と
加熱装置を有する反応器であればいかなるものであって
もよく、例えば化学反応釜、万能混合機などを用いるこ
とができる。反応器から取り出した変成フェノール樹脂
は冷却後、十分に粉砕して用いることが好ましい。
本発明になる前記変成フェノール樹脂を用いたエポキシ
樹脂組成物は、ロール、ニーダ−又はスクリュー式連続
混練機等を用いて、ドライ混練、溶融混練法等により均
一に混合された後、コンプレッション、トランスファー
又はインジェクション成形に供される。
本発明になる樹脂封止型半導体装置は、前記したエポキ
シ樹脂組成物を用いて半導体装置を封止することにより
容易に製造することができる。封止法の最も一般的な方
法は低圧トランスファ成形法があるが、インジェクショ
ン成形、圧縮成形、注型などによる封止法も適用できる
ことはいうまでもないことである。
封止用エポキシ樹脂組成物による封止に際して、加熱硬
化により、最終的にはこの組成物の硬化物によって封止
された樹脂封止型半導体装置を得ることができる。硬化
に際しては150℃以上に加熱することが特に望ましい
本発明でいう半導体装置とは集積回路、大規模集積回路
、トランジスタ、サイリスタ、ダイオードなどであって
、特にこれらに限定されるものではない。
(実施例) 以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明の技術的思想を逸脱しない限り、本発明はこれら
実施例に何等限定されるものではない。
く参考例〉 変成フェノール樹脂(A)の調製− ノボラック形フェノール樹脂BRM−557の350g
を150℃の万IIi;混合機中で溶融し、50gのフ
ッ素系界面活性剤FC−430を加え10分後に100
gのシリコーンゴム(未硬化)T S J −3150
を加え撹拌した。1時間後に溶融樹脂を取出し冷却の後
に粉砕し、変成フェノール樹脂(A)とした。
変成フェノール樹脂(B)の調製 ノボラック形フェノール樹脂BRM−557の350g
を150℃の万能混合機中で溶融し、50gのシリコー
ン系界面活性剤5F−8421と100g のシリコー
ンゴム(未硬化)T S J−3150をビーカーで混
合した後に混合機中に投入し、1時間撹拌し冷却後に粉
砕し変成フェノール樹脂(B)を得た。
灸成フェノール樹脂(C)の調製 ノボラック形フェノール樹脂T D −2131の35
0gを150℃の万能混合機中で溶融し、75gのシリ
コーン系界面活性剤5F−8421と75gのシリコー
ンゴムT S E−3051をビーカーで混合した後に
混合機中に投入し、10分後にトリフェニルホスフィン
触媒2.5gを加え、 そののち1時間20分反応させ
た。冷却後に粉砕して変成フェノール樹脂(C)を得た
(実施例1〜8と比較例1〜3) 第1表に示す配合で(使用割合は全て重量%である)、
まず、フィラー、二酸化アンチモン、カーボン粉末をミ
キミー中で撹拌し、これにカップリング剤を加えて表面
処理を行った。そののち残余の配合物を添加して良く混
合した後、これを60〜100℃の二軸加熱ロールで混
練し、 8種の本発明組成物を調製した(実施例1〜8
)。同様に比較例として、上記と同様に3種の組成物を
調製した(比較例1〜3)。
前記実施例1〜8および比較例1〜3で得たエポキシ樹
脂組成物について、トランスモールド成型(175℃、
3分)を行ない、金型の曇りを調べた。更に、これを1
75℃の乾燥器中に4時間放置した後、その物性を測定
した。これらの結果を第2表に記した。
又、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた樹脂封止型半
導体装置の信頼性を調べた。模擬素子を本発明のエポキ
シ樹脂組成物で封止し、耐熱衝撃性(−65@〜RT〜
150℃)と耐湿性(127℃、2.5気圧PCT中、
15v印加)を調べた結果を併せて第2表に記載した。
第2表から明らかなごとく、本発明のエポキシ樹脂組成
物は耐熱性、耐熱衝撃性、耐湿性、電気特性及びモール
ド時の金型器り(金型汚れ性)がともに優れており、そ
の実用的価値は大である。
以下余白 〔発明の効果〕 本発明のエポキシ樹脂組成物は、モールド用樹脂として
要求される耐熱性のほかに、電気絶縁性能、低弾性率、
高強度、及び低膨張率などの諸物性に優れている。
また本発明のエポキシ樹脂組成物で封止した半導体装置
は、耐熱衝撃性と耐湿性に優れ、高い信頼性を持つこと
ができる。
したがって、本発明になるエポキシ樹脂組成物の工業的
価値は極めて大である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(a):1分子中に少くとも2個のエポキシ基を有
    するエポキシ樹脂、及び、 (b):1分子中に少くとも2個の水酸基を有するノボ
    ラック形フェノール樹脂にフ ッ素系及び/又はシリコーン系界面活 性剤を用いて熱硬化性シリコーンゴム を均一分散させてなる硬化剤としての 変性フェノール樹脂 とからなることを特徴とするエポキシ樹脂 組成物。 2、フッ素系及び/又はシリコーン系界面活性剤が、1
    分子当り1個以上のエポキシ基と ポリエーテル基をそれぞれ有するポリエー テル変成シリコーンオイルであることを特 徴とする特許請求の範囲第1項記載のエポ キシ樹脂組成物。 3、ノボラック形フェノール樹脂の水酸基と、エポキシ
    基含有ポリエーテル変成シリコー ンオイルのエポキシ基との反応を促進する ために触媒を用いることを特徴とする特許 請求の範囲第2項記載のエポキシ樹脂組成 物。 4、エポキシ樹脂組成物が65重量%〜85重量%の溶
    融シリカ及び/又は結晶性シリカを含 有することを特徴とする特許請求の範囲第 1項記載のエポキシ樹脂組成物。 5、エポキシ樹脂組成物によつて封止されて成る樹脂封
    止型半導体装置において、前記エ ポキシ樹脂組成物が、 (a):1分子中に少くとも2個のエポキシ基を有する
    エポキシ樹脂、及び (b):1分子中に少くとも2個の水酸基を有するノボ
    ラック形フェノール樹脂にフ ッ素系及び/又はシリコーン系界面活 性剤を用いて熱硬化性シリコーンゴム を均一分散させてなる硬化剤としての 変性フェノール樹脂 とからなるものであることを特徴とする樹 脂封止型半導体装置。 6、エポキシ樹脂組成物が、フッ素系及び/又はシリコ
    ーン系界面活性剤として1分子当 り1個以上のエポキシ基とポリエーテル基 をそれぞれ有するポリエーテル変性シリコ ーンオイルを用いて調製された変成ノボラ ック形フェノール樹脂を含有してなるもの であることを特徴とする特許請求の範囲第 5項記載の樹脂封止型半導体装置。 7、エポキシ樹脂組成物が、ノボラック形フェノール樹
    脂の水酸基と、エポキシ基含有ポ リエーテル変成シリコーンオイルのエポキ シ基との反応を促進するために触媒を用い て調製された変性ノボラックフェノール樹 脂を含有してなるものであることを特徴と する特許請求の範囲第6項記載の樹脂封止 型半導体装置。 8、エポキシ樹脂組成物が65重量%〜85重量%の溶
    融シリカ及び/又は結晶性シリカを含 有してなるものであることを特徴とする特 許請求の範囲第5項記載の樹脂封止型半導 体装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0359558A2 (en) * 1988-09-13 1990-03-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device encapsulant consisting of epoxy resin composition
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