JPS63202910A - ランプアニ−ル装置 - Google Patents
ランプアニ−ル装置Info
- Publication number
- JPS63202910A JPS63202910A JP3625787A JP3625787A JPS63202910A JP S63202910 A JPS63202910 A JP S63202910A JP 3625787 A JP3625787 A JP 3625787A JP 3625787 A JP3625787 A JP 3625787A JP S63202910 A JPS63202910 A JP S63202910A
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- JP
- Japan
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- chamber
- reaction vessel
- gas
- semiconductor wafer
- film
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造工程で使用するランプアニール装
置に関する。
置に関する。
近年、ランプアニール装置は、短時間の熱処理ができる
こと、低温から高温まで幅広い温度での処理ができるこ
と、急加熱や急冷却ができることおよび加熱・冷却の速
度を制御することができるところから、リフローやイオ
ン打ち込み後のアニール等の分野で広く応用されている
。
こと、低温から高温まで幅広い温度での処理ができるこ
と、急加熱や急冷却ができることおよび加熱・冷却の速
度を制御することができるところから、リフローやイオ
ン打ち込み後のアニール等の分野で広く応用されている
。
従来、この種のランプアニール装置は第３図に示すよう
に構成されている。これを同図に基づいて説明すると、
同図において、符号１で示すものは石英材料によって形
成されウェハ処理用のチャンバー１ａおよびこのチャン
バー１ａ内にガスを供給するガス導入口１ｂを有する有
底筒状の反応容器、２はこの反応容器１の外側に設けら
れ前記チャンバー１ａ内の半導体ウェハ３を加熱するラ
ンプである。また、４は前記反応容器１のチャンバー１
ａ内に進退自在に設けられ半導体ウェハ３を保持する保
持台である。なお、前記反応容器１のガス導入口１ｂに
は前記チャンバー１ａ内にガスを供給するガス供給装置
（図示せず）が接続されている。
に構成されている。これを同図に基づいて説明すると、
同図において、符号１で示すものは石英材料によって形
成されウェハ処理用のチャンバー１ａおよびこのチャン
バー１ａ内にガスを供給するガス導入口１ｂを有する有
底筒状の反応容器、２はこの反応容器１の外側に設けら
れ前記チャンバー１ａ内の半導体ウェハ３を加熱するラ
ンプである。また、４は前記反応容器１のチャンバー１
ａ内に進退自在に設けられ半導体ウェハ３を保持する保
持台である。なお、前記反応容器１のガス導入口１ｂに
は前記チャンバー１ａ内にガスを供給するガス供給装置
（図示せず）が接続されている。
このように構成されたランプアニール装置を使用して熱
処理するには、半導体ウェハ３を保持した保持台４をチ
ャンバー１ａ内に挿入し、ガス導入口１ｂからガスを導
入することにより行われる。
処理するには、半導体ウェハ３を保持した保持台４をチ
ャンバー１ａ内に挿入し、ガス導入口１ｂからガスを導
入することにより行われる。
ここで、半導体ウェハ３の面上に酸化膜を形成する場合
には、ガスとして酸素をチャンバー１ａ内に導入すれば
よい。そして、処理温度、処理時間を制御して所望する
膜厚を決定する。
には、ガスとして酸素をチャンバー１ａ内に導入すれば
よい。そして、処理温度、処理時間を制御して所望する
膜厚を決定する。
ところで、従来のランプアニール装置においては、半導
体ウェハ３の面上に低温かつ短時間で薄膜を形成するこ
とは簡単であるが、低温で厚膜を形成する場合には多大
の時間を費やすという問題があった。
体ウェハ３の面上に低温かつ短時間で薄膜を形成するこ
とは簡単であるが、低温で厚膜を形成する場合には多大
の時間を費やすという問題があった。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、半導体
ウェハの面上に低温で厚膜を形成する場合に短時間で熱
処理することができるランプアニール装置を提供するも
のである。
ウェハの面上に低温で厚膜を形成する場合に短時間で熱
処理することができるランプアニール装置を提供するも
のである。
本発明に係るランプアニール装置は、その内部を密閉可
能なうエバ処理用のチャンバーおよびこのチャンバー内
にガスを供給するガス導入口を有する反応容器と、この
反応容器の外側に設けられチャンバー内の半導体ウェハ
を加熱するランプとを備え、反応容器に供給ガスを加圧
するガス加圧装置を接続したものである。
能なうエバ処理用のチャンバーおよびこのチャンバー内
にガスを供給するガス導入口を有する反応容器と、この
反応容器の外側に設けられチャンバー内の半導体ウェハ
を加熱するランプとを備え、反応容器に供給ガスを加圧
するガス加圧装置を接続したものである。
本発明においては、反応容器のチャンバー内を高圧雰囲
気にすることができる。
気にすることができる。
第１図は本発明に係るランプアニール装置を示す断面図
で、同図以下において第３図と同一の部材については同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図において
、符号１１で示すものは前記チャンバー１ａ内を密閉可
能にする蓋体で、前記反応容器１の開口部に開閉自在に
設けられている。１２はコンプレッサーからなるガス加
圧装置で、前記反応容器１に接続されており、前記チャ
ンバー１ａ内に供給するガスを加圧するように構成され
ている。
で、同図以下において第３図と同一の部材については同
一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図において
、符号１１で示すものは前記チャンバー１ａ内を密閉可
能にする蓋体で、前記反応容器１の開口部に開閉自在に
設けられている。１２はコンプレッサーからなるガス加
圧装置で、前記反応容器１に接続されており、前記チャ
ンバー１ａ内に供給するガスを加圧するように構成され
ている。
このように構成されたランプアニール装置おいては、反
応容器１のチャンバー１ａ内を高圧雰囲気にすることが
できる。
応容器１のチャンバー１ａ内を高圧雰囲気にすることが
できる。
したがって、第２図に示すように蓋体１１を開放し、半
導体ウェハ３を保持した保持台４をチャンバー１ａ内に
挿入してガス導入口１ｂから酸素を導入することにより
、半導体ウェハ３の面上に酸化膜を形成することができ
る。このとき、チャンバー１ａ内に供給する酸素をガス
加圧装置１２によって加圧すると共に、処理温度、処理
時間を制御して所望する膜厚を決定する。
導体ウェハ３を保持した保持台４をチャンバー１ａ内に
挿入してガス導入口１ｂから酸素を導入することにより
、半導体ウェハ３の面上に酸化膜を形成することができ
る。このとき、チャンバー１ａ内に供給する酸素をガス
加圧装置１２によって加圧すると共に、処理温度、処理
時間を制御して所望する膜厚を決定する。
なお、本実施例においては、反応容器１が横型のものを
使用する例を示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、半導体ウェハ３がランプ２側に対向するよう
に保持すれば、縦型のものを使用しても何等差し支えな
い。
使用する例を示したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、半導体ウェハ３がランプ２側に対向するよう
に保持すれば、縦型のものを使用しても何等差し支えな
い。
また、本実施例においては、反応容器１の周囲に半導体
ウェハ３の両面を加熱するランプ２を設ける構造を示し
たが、本発明は片面のみを加熱する構造としてもよい。
ウェハ３の両面を加熱するランプ２を設ける構造を示し
たが、本発明は片面のみを加熱する構造としてもよい。
さらに、本実施例においては、半導体ウェハ３に対し酸
化膜を形成する場合に適用する例を示したが、本発明は
これに限定適用されず、ＢＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐ
ｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（ｐｈ
ｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａ ｔ ｅ ｇ １ ａ ｓ
ｓ）のりフローにも応用することができる。
化膜を形成する場合に適用する例を示したが、本発明は
これに限定適用されず、ＢＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐ
ｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ）、ＰＳＧ（ｐｈ
ｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａ ｔ ｅ ｇ １ ａ ｓ
ｓ）のりフローにも応用することができる。
以上説明したように本発明によれば、その内部を密閉可
能なウェハ処理用のチャンバーおよびこのチャンバー内
にガスを供給するガス導入口を有する反応容器と、この
反応容器の外側に設けられチャンバー内の半導体ウェハ
を加熱するランプとを備え、反応容器に供給ガスを加圧
するガス加圧装置を接続したので、反応容器のチャンバ
ー内を高圧雰囲気にすることができ、半導体ウェハの面
上に低温で厚膜を形成する場合に短時間で熱処理するこ
とができる。
能なウェハ処理用のチャンバーおよびこのチャンバー内
にガスを供給するガス導入口を有する反応容器と、この
反応容器の外側に設けられチャンバー内の半導体ウェハ
を加熱するランプとを備え、反応容器に供給ガスを加圧
するガス加圧装置を接続したので、反応容器のチャンバ
ー内を高圧雰囲気にすることができ、半導体ウェハの面
上に低温で厚膜を形成する場合に短時間で熱処理するこ
とができる。
第１図は本発明に係るランプアニール装置を示す断面図
、第２図はその使用状態を説明するための断面図、第３
図は従来のランプアニール装置を示す断面図である。 １・・・・反応容器、１ａ・・・・チャンバー、−６＝ １ｂ・・・・ガス導入口、２・・・・ランプ、３・・・
・半導体ウェハ、１１・・・・蓋体、１２・・・・ガス
加圧装置。 代 理 人 大岩増雄
、第２図はその使用状態を説明するための断面図、第３
図は従来のランプアニール装置を示す断面図である。 １・・・・反応容器、１ａ・・・・チャンバー、−６＝ １ｂ・・・・ガス導入口、２・・・・ランプ、３・・・
・半導体ウェハ、１１・・・・蓋体、１２・・・・ガス
加圧装置。 代 理 人 大岩増雄
Claims (1)
- その内部を密閉可能なウェハ処理用のチャンバーおよ
びこのチャンバー内にガスを供給するガス導入口を有す
る反応容器と、この反応容器の外側に設けられ前記チャ
ンバー内の半導体ウェハを加熱するランプとを備え、前
記反応容器に供給ガスを加圧するガス加圧装置を接続し
たことを特徴とするランプアニール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3625787A JPS63202910A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | ランプアニ−ル装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3625787A JPS63202910A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | ランプアニ−ル装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202910A true JPS63202910A (ja) | 1988-08-22 |
Family
ID=12464720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3625787A Pending JPS63202910A (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | ランプアニ−ル装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63202910A (ja) |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP3625787A patent/JPS63202910A/ja active Pending
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