JPS6320189A - アルミニウム−鉄・ニツケル合金−半田クラツド材およびこれを用いたic装置の製造方法 - Google Patents
アルミニウム−鉄・ニツケル合金−半田クラツド材およびこれを用いたic装置の製造方法Info
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- -1 Aluminum-iron-nickel Chemical compound 0.000 title claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 26
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 abstract description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 abstract 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 11
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYUOWZRAOZFACA-UHFFFAOYSA-N aluminum iron Chemical compound [Al].[Fe] CYUOWZRAOZFACA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4825—Connection or disconnection of other leads to or from flat leads, e.g. wires, bumps, other flat leads
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- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
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- H01L23/49517—Additional leads
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/43—Manufacturing methods
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
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- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
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- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
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- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、特にIC基板等に利用するアルミニウム−鉄
・ニッケル合金−半田クラッド材およびこれを用いたI
C装置の製造方法に関する。
・ニッケル合金−半田クラッド材およびこれを用いたI
C装置の製造方法に関する。
〈従来技術およびその問題点〉
第6図に示すように、IC装置に用いられるアルミナ基
板(IC基板)20は、例えばCu等から成る放熱板2
1上に半田材22にて接着されている。このアルミナ基
板20上には、略中央部に半導体素子搭載部として、一
般に、モリブデン、タングステン等の金属層23が、該
金属層23の周囲には端子部24がそれぞれ半田付けさ
れている。そして、金属層23上に半田付けされたIC
素子25と端子部24とをボンディングワイヤ26にて
ポンディングしている。
板(IC基板)20は、例えばCu等から成る放熱板2
1上に半田材22にて接着されている。このアルミナ基
板20上には、略中央部に半導体素子搭載部として、一
般に、モリブデン、タングステン等の金属層23が、該
金属層23の周囲には端子部24がそれぞれ半田付けさ
れている。そして、金属層23上に半田付けされたIC
素子25と端子部24とをボンディングワイヤ26にて
ポンディングしている。
従来、端子部24としてCu層を、ボンディングワイヤ
26としてAu線を用いていた。
26としてAu線を用いていた。
しかし、コスト低減化のため、ボンディングワイヤ26
にAu線に替わってAIl、線を使用するようになり、
これに伴って端子部24もAl1層を用いるようになっ
てきた。その理由は、Afi線(ワイヤ26)をCu層
(端子部24)に接着すると、この接着部に脆性を有す
るCu−A1合金層が形成され、金属学的に問題がある
からである。
にAu線に替わってAIl、線を使用するようになり、
これに伴って端子部24もAl1層を用いるようになっ
てきた。その理由は、Afi線(ワイヤ26)をCu層
(端子部24)に接着すると、この接着部に脆性を有す
るCu−A1合金層が形成され、金属学的に問題がある
からである。
ところで、下記に示すように、A2はCuに比べて熱膨
張係数がきわめて大きいため、Afi層(以上Afi端
子部という)24をアルミナ基板 □20上に直接半田
付けにて接着することは大いに問題がある。
張係数がきわめて大きいため、Afi層(以上Afi端
子部という)24をアルミナ基板 □20上に直接半田
付けにて接着することは大いに問題がある。
熱膨張係数 (x 10−”/”C)
Al : 23
Cu : 16.フ
インパー 二〇〜2
F e −42N i : 4.4
アルミナ :6.0〜6.5
また、IC装置への実装作業においても、従来は、AI
l、端子部24とアルミナ基板20との間にパッド状に
成形された半田シート22°を挾み、この半田シート2
2′によってAM@子部24とアルミナ基板20とを接
着させている。
l、端子部24とアルミナ基板20との間にパッド状に
成形された半田シート22°を挾み、この半田シート2
2′によってAM@子部24とアルミナ基板20とを接
着させている。
すなわち、半田シート22′をAυ端子部24の形状に
合わせて別工程にて切断、成形しなければならなかった
。さらに、このように切断、成形した半田シート22”
を、AI@子部24ごとにアルミナ基板20上に介在さ
せなければならず、手間がかかる等の問題があった。
合わせて別工程にて切断、成形しなければならなかった
。さらに、このように切断、成形した半田シート22”
を、AI@子部24ごとにアルミナ基板20上に介在さ
せなければならず、手間がかかる等の問題があった。
また、AIl、端子部24と半田シート22”とをそれ
ぞれ別途保管、管理しなければならず、Afl端子部2
4は合金面が酸化、汚染されやすいので組立作業時に酸
洗等の前処理が必要であり、半田シート22°も保管時
に変色や損傷のおそれ等があり、共に保管およびその取
扱いが面倒であり、作業工程が複雑化するという問題が
あった。
ぞれ別途保管、管理しなければならず、Afl端子部2
4は合金面が酸化、汚染されやすいので組立作業時に酸
洗等の前処理が必要であり、半田シート22°も保管時
に変色や損傷のおそれ等があり、共に保管およびその取
扱いが面倒であり、作業工程が複雑化するという問題が
あった。
〈発明の目的〉
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、上記従来技
術の問題点を解消し、端子部の形成が容易でしかも端r
部の機械的強度を十分確保することができると共に作業
工程が簡略化され、かつアルミナ基板への実装効率を大
幅に向上させるアルミニウム−鉄・ニッケル合金−半田
クラッド材およびこれを用いたIC装置の製造方法を提
供することを目的とする。
術の問題点を解消し、端子部の形成が容易でしかも端r
部の機械的強度を十分確保することができると共に作業
工程が簡略化され、かつアルミナ基板への実装効率を大
幅に向上させるアルミニウム−鉄・ニッケル合金−半田
クラッド材およびこれを用いたIC装置の製造方法を提
供することを目的とする。
〈発明の構成〉
本発明の第1の態様によれば、鉄・ニッケル合金材の一
方の面にアルミニウム材を、他方の面に半田材をそれぞ
れ被着して成ることを特徴とするアルミニウム−鉄・ニ
ッケル合金−半田クラッド材が提供される。
方の面にアルミニウム材を、他方の面に半田材をそれぞ
れ被着して成ることを特徴とするアルミニウム−鉄・ニ
ッケル合金−半田クラッド材が提供される。
本発明の第2の態様によれば、アルミナ基板上に半導体
素子を接着する部位を形成すると共に該部位の周囲に前
記半導体素子とボンディングワイヤにより接続される端
子部を形成する方法において、アルミニウム−鉄・ニッ
ケル合金−半田クラッド材を、その半田面をアルミナ巣
板に向けて加熱圧着することにより端子部を形成するこ
とを特徴とするIC装置の製造方法が提供される。
素子を接着する部位を形成すると共に該部位の周囲に前
記半導体素子とボンディングワイヤにより接続される端
子部を形成する方法において、アルミニウム−鉄・ニッ
ケル合金−半田クラッド材を、その半田面をアルミナ巣
板に向けて加熱圧着することにより端子部を形成するこ
とを特徴とするIC装置の製造方法が提供される。
以下、本発明の好適実施例について、第1〜第5図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第1図は本発明の第1の態様に係るアルミニウム−鉄・
ニッケル合金−半田クラッド材の模式縦断面図で、鉄・
ニッケル合金材(一般にFe−42%Ni合金材)を母
材2とし、一方の面にアルミニウム材1を、他方の面に
半田材3をそれぞれ重ね合わせ、被着したものである。
ニッケル合金−半田クラッド材の模式縦断面図で、鉄・
ニッケル合金材(一般にFe−42%Ni合金材)を母
材2とし、一方の面にアルミニウム材1を、他方の面に
半田材3をそれぞれ重ね合わせ、被着したものである。
これら各村の被着方法は、以下に述べる第2〜第4図に
示す製造方法によって製造される。
示す製造方法によって製造される。
まず、第1の製造方法によれば、第2図に示すように、
母材送り出し装置4から母材(例えばFe−42%Ni
合余材)2を、アルミニウム送り出し装置5からアルミ
ニウム材1を、半田材送り出し装置6から半田材3をそ
れぞれ圧着用ロール(圧着手段)7へ送り出し、この圧
着用ロール7の圧延上ロール7aおよび圧延下ロール7
bにてアルミニウム材1−母材2−半田材3の順に3層
をなすように圧着または圧延圧着し、アルミニウム−鉄
・ニッケル合金−半田クラッド材(以下3層クラッド材
という)9を製造する。
母材送り出し装置4から母材(例えばFe−42%Ni
合余材)2を、アルミニウム送り出し装置5からアルミ
ニウム材1を、半田材送り出し装置6から半田材3をそ
れぞれ圧着用ロール(圧着手段)7へ送り出し、この圧
着用ロール7の圧延上ロール7aおよび圧延下ロール7
bにてアルミニウム材1−母材2−半田材3の順に3層
をなすように圧着または圧延圧着し、アルミニウム−鉄
・ニッケル合金−半田クラッド材(以下3層クラッド材
という)9を製造する。
そしてこの3層クラッド材9を、クラッド材巻取装置(
巻取手段)10にて巻取る。
巻取手段)10にて巻取る。
このように、各部材が圧着用ロール7にて圧着または圧
延圧着されて瞬時に3層クラッド材9が得られる。
延圧着されて瞬時に3層クラッド材9が得られる。
次に第2の製造方法によれば、第3図に示すように、す
でに製品化され、市販されているアルミニウム−鉄・ニ
ッケル合金材(以下2層クラッド材という)12を用い
、この2層クラッド材12を送り出し装置11から、半
田材3を半田材送り出し装置6からそれぞれ圧着用ロー
ル7に送り出し、この圧着用ロール7にて、2層クラッ
ド材12の鉄・ニッケル合金面側へ半田材3を圧着また
は圧延圧着して3層クラッド材9を製造し、クラッド材
巻取装置10にて巻取る。
でに製品化され、市販されているアルミニウム−鉄・ニ
ッケル合金材(以下2層クラッド材という)12を用い
、この2層クラッド材12を送り出し装置11から、半
田材3を半田材送り出し装置6からそれぞれ圧着用ロー
ル7に送り出し、この圧着用ロール7にて、2層クラッ
ド材12の鉄・ニッケル合金面側へ半田材3を圧着また
は圧延圧着して3層クラッド材9を製造し、クラッド材
巻取装置10にて巻取る。
これによれば、第1の製造方法に比べ、製造設備の低減
化が図れる。
化が図れる。
さらに第3の製造方法によれば、第4図に示すように、
第2の製造方法の場合と同様に、すでに製品化され、市
販されているアルミニウム−鉄・ニッケル合金材(2層
クラッド材)12を用い、この2層クラッド材12を送
り出し装置11から半田めっき装置13へ送り出し、こ
の半田めっき装置13内にて2層クラッド材12の鉄・
ニッケル合金面へ半田めっきを施して3層クラッド材9
を製造し、これをクラッド材巻取装置10にて巻取る。
第2の製造方法の場合と同様に、すでに製品化され、市
販されているアルミニウム−鉄・ニッケル合金材(2層
クラッド材)12を用い、この2層クラッド材12を送
り出し装置11から半田めっき装置13へ送り出し、こ
の半田めっき装置13内にて2層クラッド材12の鉄・
ニッケル合金面へ半田めっきを施して3層クラッド材9
を製造し、これをクラッド材巻取装置10にて巻取る。
この第3の製造方法によれば、前記第1、第2の製造方
法と異なり、圧着または圧延圧着によらずめっきを施す
ことによって半田の層を形成するため、装置の簡略化や
、薄肉かつ均一な半田層、圧延歪のない形状の安定した
クラッド材を得ることができる等の効果がある。
法と異なり、圧着または圧延圧着によらずめっきを施す
ことによって半田の層を形成するため、装置の簡略化や
、薄肉かつ均一な半田層、圧延歪のない形状の安定した
クラッド材を得ることができる等の効果がある。
このようにして製造された3層クラッド材9を第5図に
示すようにIC装置に実装する。同図中、第6図と同一
部分は同一符号を付してその説明を省略する。
示すようにIC装置に実装する。同図中、第6図と同一
部分は同一符号を付してその説明を省略する。
すなわち、アルミナ基板20上の所定箇所に端子部を形
成するにおいて、3層クラッド材9を、半田面をアルミ
ナ基板20に向けて載置し、加熱接着すれば、そのまま
端子部が形成されるので、実装効率か大幅に向上する。
成するにおいて、3層クラッド材9を、半田面をアルミ
ナ基板20に向けて載置し、加熱接着すれば、そのまま
端子部が形成されるので、実装効率か大幅に向上する。
また3層クラッド材9は平坦度が良好なので、接着性も
向上し、製品品質の大幅な向上を図ることができる。
向上し、製品品質の大幅な向上を図ることができる。
さらに、3層クラッド材9の母材として鉄・ニッケル合
金材2を用いているが、これはアルミニウム材1に対し
ても、またアルミナ基板20に対してもそれぞれ熱膨張
係数の整合性を有するので、端子部の機械的強度を十分
に確保することができるため、製品品質が向上する。
金材2を用いているが、これはアルミニウム材1に対し
ても、またアルミナ基板20に対してもそれぞれ熱膨張
係数の整合性を有するので、端子部の機械的強度を十分
に確保することができるため、製品品質が向上する。
〈発明の効果〉
以上詳述したように本発明によれば、アルミニウム−鉄
・ニッケル合金−半田クラッド材(3層クラッド材)を
IC装置のアルミナ基板上に加熱接着することによって
端子部を形成することができるので、 (1)アルミナ基板上に3層クラッド材の半田面を向け
て載置後加熱接着するのみで端子部が形成されるので、
大幅な実装効率が図れる。また、アルミナ基板上への位
置決めおよび手間等が簡略化できる。
・ニッケル合金−半田クラッド材(3層クラッド材)を
IC装置のアルミナ基板上に加熱接着することによって
端子部を形成することができるので、 (1)アルミナ基板上に3層クラッド材の半田面を向け
て載置後加熱接着するのみで端子部が形成されるので、
大幅な実装効率が図れる。また、アルミナ基板上への位
置決めおよび手間等が簡略化できる。
(2)あらかじめ鉄・ニッケル合金面に半田材が完全に
接合されているため実装効率の向上と共に、アルミナ基
板への接着の信頼性が向上する。
接合されているため実装効率の向上と共に、アルミナ基
板への接着の信頼性が向上する。
(3)半田材があらかじめ端子部に接合されているため
、半田材を別途シート状に切断する手間や別途保管等の
面倒が省け、経済的利点が大きい。
、半田材を別途シート状に切断する手間や別途保管等の
面倒が省け、経済的利点が大きい。
(4)本発明により得られる3層クラッド材は、プレス
によりパッド状に打抜き可能であり、保管、取扱い等の
面で容易である。同時にコスト面でも安価にでき、経済
性が向上する。
によりパッド状に打抜き可能であり、保管、取扱い等の
面で容易である。同時にコスト面でも安価にでき、経済
性が向上する。
の平坦度は、プレス打抜き状のため良好であり、これに
より実装上、接着性の確保向トおよび製品品質の大幅な
向上が図れる。
より実装上、接着性の確保向トおよび製品品質の大幅な
向上が図れる。
等の効果がある。
第1図は本発明により得られるアルミニウム−鉄・ニッ
ケル合金−半田クラッド材の縦断面図である。 第2図、第3図および第4図はそれぞれ本発明のアルミ
ニウム−鉄・ニッケル合金−半田タラッド材の製造方法
を示すフロー図である。 第5図は本発明により得られるIC装置の構造を示す要
部断面図である。 第6図は従来のIC装置の構造を示す要部断面図である
。 符号の説明 1・・・・アルミニウム材、 2・・・・鉄・ニッケル合金材、 3・・・・半田材、 4・・・・母材送り出し装置、 5・・・・アルミニウム材送り出し装置、6・・・・半
田材送り出し装置、 7・・・・圧着用ロール(圧着手段)、9・・・・アル
ミニウム−鉄・ニッケル合金−半田クラッド材(3層ク
ラッド材)、 10・・・・クラッド材巻取装置(巻取手段)、12・
・・・アルミニウム−鉄・ニッケル合金材、13・・・
・半田めっき装置、 20・・・・アルミナ基板、21・・・・放熱板、22
・・・・半田材、 23・・・・金属層(半導体素子搭載部)、25・・・
・IC素子、 26・・・・ポンディングワイヤ FIG、1 FIG、2 FIG、3 FIG、4
ケル合金−半田クラッド材の縦断面図である。 第2図、第3図および第4図はそれぞれ本発明のアルミ
ニウム−鉄・ニッケル合金−半田タラッド材の製造方法
を示すフロー図である。 第5図は本発明により得られるIC装置の構造を示す要
部断面図である。 第6図は従来のIC装置の構造を示す要部断面図である
。 符号の説明 1・・・・アルミニウム材、 2・・・・鉄・ニッケル合金材、 3・・・・半田材、 4・・・・母材送り出し装置、 5・・・・アルミニウム材送り出し装置、6・・・・半
田材送り出し装置、 7・・・・圧着用ロール(圧着手段)、9・・・・アル
ミニウム−鉄・ニッケル合金−半田クラッド材(3層ク
ラッド材)、 10・・・・クラッド材巻取装置(巻取手段)、12・
・・・アルミニウム−鉄・ニッケル合金材、13・・・
・半田めっき装置、 20・・・・アルミナ基板、21・・・・放熱板、22
・・・・半田材、 23・・・・金属層(半導体素子搭載部)、25・・・
・IC素子、 26・・・・ポンディングワイヤ FIG、1 FIG、2 FIG、3 FIG、4
Claims (2)
- (1)鉄・ニッケル合金材の一方の面にアルミニウム材
を、他方の面に半田材をそれぞれ被着して成ることを特
徴とするアルミニウム−鉄・ニッケル合金−半田クラッ
ド材。 - (2)アルミナ基板上に半導体素子を接着する部位を形
成すると共に該部位の周囲に前記半導体素子とボンディ
ングワイヤにより接続される端子部を形成する方法にお
いて、アルミニウム−鉄・ニッケル合金−半田クラッド
材を、その半田面をアルミナ基板に向けて加熱圧着する
ことにより端子部を形成することを特徴とするIC装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61163287A JPH0822469B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | アルミニウム−鉄・ニツケル合金−半田クラツド材およびこれを用いたic装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61163287A JPH0822469B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | アルミニウム−鉄・ニツケル合金−半田クラツド材およびこれを用いたic装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6320189A true JPS6320189A (ja) | 1988-01-27 |
JPH0822469B2 JPH0822469B2 (ja) | 1996-03-06 |
Family
ID=15770951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61163287A Expired - Lifetime JPH0822469B2 (ja) | 1986-07-11 | 1986-07-11 | アルミニウム−鉄・ニツケル合金−半田クラツド材およびこれを用いたic装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0822469B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011222902A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及び回路基板 |
JP2011222915A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及び回路基板 |
JP2011222905A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及びその製造方法、回路基板並びに収納トレイ |
JP2011222917A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及び回路基板 |
US8760840B2 (en) | 2010-04-14 | 2014-06-24 | Tdk Corporation | Electrochemical device and manufacturing method thereof, circuit board and housing tray |
-
1986
- 1986-07-11 JP JP61163287A patent/JPH0822469B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011222902A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及び回路基板 |
JP2011222915A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及び回路基板 |
JP2011222905A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及びその製造方法、回路基板並びに収納トレイ |
JP2011222917A (ja) * | 2010-04-14 | 2011-11-04 | Tdk Corp | 電気化学デバイス及び回路基板 |
US8760840B2 (en) | 2010-04-14 | 2014-06-24 | Tdk Corporation | Electrochemical device and manufacturing method thereof, circuit board and housing tray |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0822469B2 (ja) | 1996-03-06 |
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