JP2011222915A - 電気化学デバイス及び回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
電気化学デバイスのリード3は、Alを含むリード本体3Aと、リード本体3Aの先端部に設けられ、折り曲げられた金属薄膜3aを有しており、この金属薄膜3aは、Niを含む薄膜本体3a1と、折り曲げられた薄膜本体3a1の少なくとも外側表面を被覆しSnを含むメッキ層3a2とを有している。折り曲げられた薄膜本体3a1の内側表面の特定領域と、リード本体3Aの表面とは、所定領域R3U、R3Lにおいて、メッキ層3a2を介することなく、直接接触して溶接されている。
【選択図】図1
Description
Sn:Cu:Ag=96.5(質量%):0.5(質量%):3(質量%)
実施例1(実施例1−1〜実施例1−7)では、リード本体3Aの幅Y2と、金属薄膜3aの幅Y1(図6参照)とが、同一であり、金属薄膜3aの折り曲げ軸がY軸に平行であって、リード先端部において、X軸方向の先端のリード本体3Aの側面を、金属薄膜3aが被覆している。図2及び図6を参照して、各寸法は以下の通りである。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=3mm
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3.5mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=1.5mm
その他の条件は実施例1−3と同一であるが、メッキ層の形成されていない領域(中心線CL近傍の領域;図4)は、Y軸方向に延びるように形成した。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3.5mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=3mm
その他の条件は実施例1−3と同一である。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3.5mm
Y2=3mm
XA=5.5mm
Xa=3.5mm
X軸方向に突出した寸法=0.5mm
その他の条件は実施例2と同一である。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=3mm
その他の条件は実施例1−3と同一である。この実施例5及び6の方法は、予めSnメッキされていない領域のある面を内側にして折り曲げられた金属薄膜3aを、Alリード本体3Aに被せた後、上下からAlリード本体と金属薄膜3aを一度に接続し、Alリード本体3Aに金属薄膜3aを取り付ける方法である。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3.5mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=1.5mm
その他の条件は実施例2と同一である。
Claims (10)
- 外装体内に収容された充放電体と、前記充放電体から延びたリードと、を有する電気化学デバイスにおいて、
前記リードは、
Alを含むリード本体と、
前記リード本体の先端部に設けられ、前記リード本体の側面位置を境界として折り曲げられ、前記リード本体の上下面及び側面を被覆し、所定領域が前記リード本体に溶接された金属薄膜と、
を備え、
前記金属薄膜は、
Niを含む薄膜本体と、
折り曲げられた前記薄膜本体の少なくとも外側表面を被覆しSnを含むメッキ層と、
を有し、
折り曲げられた前記薄膜本体の内側表面の特定領域と、前記リード本体の表面とは、前記所定領域において、前記メッキ層を介することなく、直接接触して溶接されている、
ことを特徴とする電気化学デバイス。 - 前記金属薄膜は、前記リード本体の上下面双方に溶接されていることを特徴とする請求項1に記載の電気化学デバイス。
- 折り曲げられた前記金属薄膜の折り曲げ軸方向の両端位置近傍において、前記薄膜本体の内側表面上には、前記薄膜本体の長手方向に沿って前記メッキ層が形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気化学デバイス。
- 前記メッキ層の厚みは、0.5μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の電気化学デバイス。
- 前記薄膜本体の厚みは、50μm以上500μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の電気化学デバイス。
- 折り曲げられた前記金属薄膜の前記リード長手方向の寸法は、1mm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
- 前記メッキ層は、98±1(質量%)のSnと2±1(質量%)のCuを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
- 前記リード本体の幅よりも、前記金属薄膜の幅の方が大きいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電気化学デバイスと、
前記電気化学デバイスが搭載され、電極パッドを備えた基板と、
前記外装体の裏面と、前記基板との間に介在する両面粘着テープと、
前記電極パッドと前記金属薄膜との間に介在すると共に、前記金属薄膜の外側上面上に至る半田材料と、
を備えることを特徴とする回路基板。 - 前記半田材料は、Sn及びCuを含むことを特徴とする請求項9に記載の回路基板。
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