JP5131305B2 - 電気化学デバイス及び回路基板 - Google Patents
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Description
Sn:Cu:Ag=96.5(質量%):0.5(質量%):3(質量%)
図10は、比較例1に係る実験方法を説明するための図である。
図11は、比較例2に係る実験方法を説明するための図である。
実施例1(実施例1−1〜実施例1−7)では、リード本体3Aの幅Y2と、金属薄膜3aの幅Y1(図6参照)とが、同一であり、金属薄膜3aの折り曲げ軸がY軸に平行であって、リード先端部において、X軸方向の先端のリード本体3Aの側面を、金属薄膜3aが被覆している。図2及び図6を参照して、各寸法は以下の通りである。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=3mm
DS=0.5mm
リード本体3Aの幅Y2と、金属薄膜3aの幅Y1(図6参照)とが、同一であり、金属薄膜3aの折り曲げ軸がY軸に平行であって、リード先端部において、X軸方向の先端のリード本体3Aの側面を、金属薄膜3aが被覆している。図2及び図6を参照して、各寸法は以下の通りである。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3mm
Y2=3mm
XA=6.5mm
Xa=4.5mm
DS=2mm
実施例2は、金属薄膜3aとAlリード本体3Aの側面との間の空隙Sの距離DSを変えた以外は実施例1−3と同一である。
リード本体3Aの幅Y2と、金属薄膜3aの幅Y1(図6参照)とが、同一であり、金属薄膜3aの折り曲げ軸がY軸に平行であって、リード先端部において、X軸方向の先端のリード本体3Aの側面を、金属薄膜3aが被覆している。図2及び図6を参照して、各寸法は以下の通りである。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3mm
Y2=3mm
XA=5mm
Xa=3mm
DS=0.5mm
比較例3は、金属薄膜3aを折り曲げる際に、Alリード本体3Aの側面に沿って直角に(コの字型に)折り曲げた。なお、金属薄膜3aとAlリード本体3Aの側面との間に空隙Sが形成されるように折り曲げた。それ以外の条件は実施例1−3と同一である。
リード本体3Aの幅Y2と、金属薄膜3aの幅Y1(図6参照)とが、同一であり、金属薄膜3aの折り曲げ軸がY軸に平行であって、リード先端部において、X軸方向の先端のリード本体3Aの側面を、金属薄膜3aが被覆している。図2及び図6を参照して、各寸法は以下の通りである。
X0=2mm
Y0=2mm
Y1=3mm
Y2=3mm
XA=4.5mm
Xa=2.5mm
DS=0mm
比較例4は、金属薄膜3aとAlリード本体3Aの側面との間に空隙Sを形成しなかった以外は実施例1−3と同一である。
上述した方法により、実施例1−1〜1−7、実施例2及び比較例1〜3のEDLCの取り付け強度を測定した。下記表1は、実験結果を示す表である。サンプル数nは100個であり、水平引っ張り強度の平均値(N)と標準偏差(N)を示している。
リードの接続状態の評価結果を下記表1に示した。リードの接続状態に関した結果について、実施例1−1においては、サンプル100個中において、94個は良品であったが、6個は、半田濡れ性が十分でない箇所が観察された(接続状態評価結果:△)。実施例1−7においては、サンプル100個中において、95個は良品であったが、5個は、Ni箔からなる薄膜本体3a1とSnのメッキ層3a2との界面にクラックを有する箇所が観察された(接続状態評価結果:△)。比較例3においては、サンプル100個中において、62個は良品であったが、38個は、半田濡れ性が十分でない箇所が観察された(接続状態評価結果:△)。比較例1では、サンプル100個中において、98個は、半田濡れ性が悪い箇所が観察された(接続状態評価結果:×)。比較例2では、サンプル100個中において、80個のサンプルにおいて、半田濡れ性が悪い箇所が観察された(接続状態評価結果:×)。その他の実施例1−2〜1−6、実施例2及び比較例4においては、全てのサンプルにおいて、良品であり、上記のような半田濡れ性が十分でない箇所や、クラックが発生する箇所の存在は認められなかった(接続状態評価結果:○)
実施例1−1〜1−7、実施例2及び比較例1〜4のEDLCに対し、−25℃で30分保持した後、70℃で30分保持する処理を1サイクルとして、これを500サイクル行った。その後、上述した取り付け強度の測定と同じ試験を行い、水平引っ張り強度の平均値(N)を求めた。サンプル数nは100個である。その結果を表1に示した。
Claims (10)
- 外装体内に収容された充放電体と、前記充放電体から延びたリードと、を有する電気化学デバイスにおいて、
前記リードは、
Alを含むリード本体と、
前記リード本体の先端部に設けられ、前記リード本体の側面位置を境界として前記リード本体の側面との間に空隙が形成されるように湾曲した形状に折り曲げられ、前記リード本体の上下面及び側面を被覆し、所定領域が前記リード本体に溶接された金属薄膜と、
を備え、
前記金属薄膜は、
Niを含む薄膜本体と、
折り曲げられた前記薄膜本体の少なくとも外側表面を被覆しSnを含むメッキ層と、
を有し、
折り曲げられた前記薄膜本体の内側表面の特定領域と、前記リード本体の表面とは、前記所定領域において、前記メッキ層を介することなく、直接接触して溶接されており、
前記金属薄膜と前記リード本体の側面との間の前記空隙の距離は、0.1mm以上2mm以下である、
ことを特徴とする電気化学デバイス。 - 前記金属薄膜は、前記リード本体の上下面双方に溶接されていることを特徴とする請求項1に記載の電気化学デバイス。
- 前記メッキ層は、折り曲げられた前記金属薄膜の折り曲げ軸方向の両端位置近傍において、前記薄膜本体の内側表面上に、前記薄膜本体の前記折り曲げ軸方向に垂直な方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気化学デバイス。
- 前記メッキ層の厚みは、0.5μm以上10μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の電気化学デバイス。
- 前記薄膜本体の厚みは、50μm以上500μm以下であることを特徴とする請求項4に記載の電気化学デバイス。
- 折り曲げられた前記金属薄膜の前記リード長手方向の寸法は、1mm以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
- 前記メッキ層は、98±1(質量%)のSnと2±1(質量%)のCuを含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
- 前記リード本体の幅よりも、前記金属薄膜の幅の方が大きいことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の電気化学デバイス。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の電気化学デバイスと、
前記電気化学デバイスが搭載され、電極パッドを備えた基板と、
前記外装体の裏面と、前記基板との間に介在する両面粘着テープと、
前記電極パッドと前記金属薄膜との間に介在すると共に、前記金属薄膜の外側表面上に至る半田材料と、
を備えることを特徴とする回路基板。 - 前記半田材料は、Sn及びCuを含むことを特徴とする請求項9に記載の回路基板。
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