JPS6320000Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案は機械的強度を改良した磁気バブルメモ
リパツケージの構造に関する。

(b) 技術の背景 磁気バブルメモリは磁性ガーネツト基板上に導
電材料を用いて磁気バブルの発生回路、ゲート回
路などをまた高透磁率磁性材料を用いて転送回
路、検出回路などのパターンを作り、基板に垂直
に加えたバイアス磁界により保持されている円筒
状の磁気バブル磁区を基板面に平行に加えた回転
磁界により転送回路に沿つて駆動せしめ情報の書
き込み、読み出しを行うメモリである。

このように磁気バブルメモリ（以下バブルメモ
リ）は円筒状の磁気バブル磁区（以下バブル）を
磁界を利用して駆動するものであるから外部より
大きな磁界が加わると記憶内容が破壊される恐れ
がある。そこでこれを防ぐためには磁気シールド
が必要であり、通常はパーマロイなどの磁性材料
を磁気シールド材料として用いバブルメモリの外
装と兼用させている。本考案は磁気シールド特性
と機械的性能とを向上したパツケージ構造に関す
るものである。

(C) 従来技術と問題点 磁気バブルメモリは非磁性ガーネツトであるガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネツト
（Gd₃Ga₅O₁₂）単結晶基板上に磁性ガーネツトの
薄膜をエピタキシヤル成長させその上に導体パタ
ーン転送パターンなどからなる磁気バブルメモリ
回路を層形成したものであり、記憶容量によりチ
ツプの大きさは異るが例えば容量が１〔Ｍビツト〕
のものであつてもその大きさは10〔mm〕程度にす
ぎない。

かゝるチツプは印刷配線が施されているアルミ
ナなどの磁器基板或はガラスエポキシ、ポリイミ
ドの合成樹脂基板に接着固定され、これを中心と
して回転磁界およびバイアス磁界が形成される。

第１図は磁気バブルメモリパツケージの断面斜
視図また第２図はＸ−X′線における断面図であ
る。

図において、チツプ１は基板２の中央凹部に接
着剤などを用いて固定されており、チツプ１の周
辺辺部に設けられた導体パターンのパツト部は印
刷配線基板のパツト部とワイヤボンデイング法で
接続され、また基板上の配線パターンは樹脂ケー
スに埋込み成型されているリード端子３と溶着さ
れて外部に取り出されるようになつている。

次にチップ１に駆動磁界とバイアス磁界を与え
る構成としては基板２の切込み部にＹ方向コイル
４を挿着し、またＸ方向コイル５をこれと直交す
る形で基板２に挿着して駆動コイルを作り、次に
基板２をモールド成型され外側にリード端子３を
もつ樹脂ケース８の中に位置決めして装着すると
共に上下より永久磁石板５と整磁板７とを積重ね
ることによりバイアス磁界が形成されている。

このようにしてできたバブルメモリ素子はパー
マロイなどの磁性材料からなる磁気シールドケー
ス９の中に格納すると共に、ケース内の空隙部に
合成樹脂を注入してバルブメモリ素子を固定する
と共に耐湿性の向上が図られている。

こゝでパツケージには耐湿性、耐熱性などの耐
候性能と耐衝撃性、ねじれ強さ、曲げ強さなどの
機械的性能を具えていることが必要であり、バブ
ルメモリパツケージの場合は合成樹脂を内部に充
填した磁気シールドケース９により行われてい
る。然しこれでは両性能の確保は充分ではなかつ
た。例えば柔かいシリコン樹脂を充填剤として使
用する場合はパーマロイからなるシールドケース
の厚さは0.5〔mm〕程度と薄いため捩り強さなどが
不足し、一方エポキシ樹脂を使用する場合は機械
的性能は満足するが硬化の際に基板２に歪を与え
て電気的特性の不良を招くことがある。

(d) 考案の目的 本考案はバブルメモリ素子について耐候性能と
機械性能とを併せもつパツケージ構造を提供する
ことを目的とする。

(e) 考案の構成 本考案の目的は、磁性材料より成る２重の磁気
シールドケース間に、少なくとも該ケース内部の
バブルメモリ素子を固定するため該ケース内部に
充填された内部樹脂よりも硬度の大きい樹脂が充
填されていることを特徴とした磁気バブルメモリ
パツケージにより達成することができる。

(f) 考案の実施例 本考案は樹脂ケース内に注入しバブルメモリ素
子の耐候性能を増加するための樹脂と機械的性能
を向上するための樹脂とを区別し、２層構造とす
ることにより両性能を保持するようにするもので
ある。

第３図は本考案に係る実施例の断面図で第１図
および第２図で示した従来の磁気シールドケース
９が単一のパーマロイ板より成るのに対し、本考
案に係る磁気シールドケース１０は中間部１１で
連結された２重構造で形成されている。こゝでパ
ツケージの使用材料はパーマロイであつて従来と
変らない。そして磁気シールドケース１０の間隙
部１２にはエポキシ樹脂のように硬度の大きな樹
脂を充填し、一方基板２がある樹脂ケース８の内
部にはシリコーン樹脂のように硬度の小さな樹脂
を注入して封止を行う。実施法としてはパーマロ
イ板よりなる磁気シールドケース１０の間隙部１
２に熱可塑性を具えたノボラツク系エポキシ樹脂
を封入し、100〜120〔℃〕で30〜60〔分〕乾燥させ
たもので、従来と同様に樹脂ケース８に格納した
バブルメモリ素子を挿入し、120〜150〔℃〕で30
〔分〕程度加熱して硬化せしめたものを用意し、
両者を組み合わせることによりパツケージングは
完成する。

こゝでエポキシ樹脂は硬度が大きく曲げ強度も
1400〜4200〔Kg／cm²〕あるのでパツケージの強度
向上には充分であり、一方シリコーン樹脂は硬度
が小さく基板２やチツプ１に歪等の悪影響を与え
ることはない。

なおこの実施例においては磁気シールドケース
１０の間隙部１２と樹脂ケース内への樹脂注入と
は硬化処理を別々に行つたが、同時に行つてもよ
く、また熱伝導性の改良にはアルミナ、ベリリヤ
などのセラミツク微粉末を加えると効果的であ
る。

また本実施例の場合、磁気シールドケース１０
は中間部１１で連結されているが互に分離したも
のを作り組立て段階で２重構成としても差支えな
い。

(g) 考案の効果 従来のパツケージングにおいては、樹脂ケース
８に格納した素子の封止と機械的強度の確保とを
共用しているため耐候性能と機械性能の確保は充
分ではなかつたが本考案に係るパツケージの使用
により両性能を充分に確保することができ、また
磁気シールド効果も完全となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリパツケージの
断面構成図、第２図は第１図のＸ−X′線におけ
る断面図、第３図は本考案に係る磁気シールドケ
ースを用いたパツケージの断面図である。 図において、１はチツプ、２は基板、８は樹脂
ケース、９，１０は磁気シールドケース、１２は
隙部。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 磁性材料より成る２重の磁気シールドケース
   間に、少なくとも該ケース内部のバブルメモリ
   素子を固定するため該ケース内部に充填された
   内部樹脂よりも硬度の大きい樹脂が充填されて
   いることを特徴とした磁気バブルメモリパツケ
   ージ。 (2) 前記磁気シールドケース間の充填樹脂にエポ
   キシ系樹脂が、前記内部樹脂にシリコーン系樹
   脂が用いられていることを特徴とした実用新案
   登録請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ
   パツケージ。