JPS63188944A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に保護膜を有する半導体
装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の半導体装置は、半導体基板上に設けられた素子、
配線等を外部の水分や不純物の侵入から保護するため、
配線工程を終了した半導体基板の表面に保護膜を形成し
ていた。

第２図は従来の半導体チップの一例を示す断面図である
。

第２図に示すように、半導体基板１の上に酸化膜２が設
けられ、酸化膜２のコンタクト窓で半導体基板１にコン
タクトする下層配線が酸化膜２の上に設けられ、下層配
線３と酸化膜２の上に眉間絶縁膜４が設けられ、眉間絶
縁膜４の上に上層配線５が設けられている。上層配線５
および層間絶縁ＩＩ！４の上にはシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜等の保護膜８が設けられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置は、保護膜が脆性の絶縁膜で
ある為、水分等の侵入には有効であるが、モールド樹脂
封止後の熱応力により保護膜にクラックを生じたり甚し
い場合には上層配線の変形を生じるという問題点があっ
た。

本発明の目的は、外部の水分や不純物の侵入を防ぎ、か
つ樹脂モールドの熱応力を吸収し、α線ソフトエラーを
防止する半導体装置を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の半導体装置は、半導体基板上に設けられた配線
と、前記配線を被覆して設けられた保護膜とを有する半
導体装置において、最上層の保護膜が金属であることで
構成される。

〔実施例〕

次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
である。

第１図に示すように、半導体基板１の上に酸化膜２を設
け、酸化膜２のコンタクト窓で半導体基板１にコンタク
トする下層配線を酸化膜２の上に設け、下層配線３と酸
化膜２の上に層間絶縁膜４を設け、眉間絶縁膜４の上に
上層配線５を設ける。次に上層配線５および層間絶縁膜
４の上に水分の侵入等を防ぐための下層保護膜６として
例えばＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を設け、下層保護
膜６の上に応力を吸収するための最上層保護膜７として
例えばアルミニウム膜を下層保護膜６の最大段差の０，
８〜２倍の厚さく通常は約２μｍ）に設ける 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、下層保護膜の上に金属の
最上層保護膜を設けることにより、下層保護膜や配線に
与える熱応力を吸収して製造歩留りを向上させる効果が
ある。

また、最上層保護膜によってα線の侵入を防ぐことがで
き、ＤＲＡＭに適用してα線ソフトエラーを防止する効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す半導体チップの断面図
、第２図は従来の半導体チップの一例を示す断面図であ
る。 １・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・下層配
線、４・・・層間絶縁膜、５・・・上層配線、６・・・
下層保護膜、７・・・最上層保護膜、８・・・保護膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体基板上に設けられた配線と、前記配線を被覆して
   設けられた保護膜とを有する半導体装置において、最上
   層の保護膜が金属であることを特徴とする半導体装置。