JPS63186888A - 銅箔の製造方法 - Google Patents
銅箔の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は回路形成用の銅箔を製造する方法に関する。
（従来の技術）
回路形成に使用される銅箔は、基板との密着性を高める
目的でその一側表面に粗面化処理が施されていることが
一般的である。
目的でその一側表面に粗面化処理が施されていることが
一般的である。
即ち、かかる銅箔を製造する場合、陰極としての導電性
材料よりなる基体と陽極とを対向させ、両極間の間隙に
電解液を流しつつ行う電解メッキ法により前記基体表面
に銅を析出させる方法が知られている。この方法による
と、第３図に示すように、銅箔ｌの一例表面に、表面粒
子１ａが形成する凹凸によりある程度の粗面が形成され
る。しかし、基板との高い密着性が要求される場合はこ
の粗面では充分とは言えない。
材料よりなる基体と陽極とを対向させ、両極間の間隙に
電解液を流しつつ行う電解メッキ法により前記基体表面
に銅を析出させる方法が知られている。この方法による
と、第３図に示すように、銅箔ｌの一例表面に、表面粒
子１ａが形成する凹凸によりある程度の粗面が形成され
る。しかし、基板との高い密着性が要求される場合はこ
の粗面では充分とは言えない。
そこで、従来、第４図に示すように電解メッキ法により
形成された銅箔１の表面粒子１ａに、更に電解メッキ法
を使用してね固化処理（粗面化電解メッキ）を施して密
着性を向上させていた。この粗面化電解メッキによれば
、最初の電解メンキにより形成された銅箔の表面粒子ｌ
ａ上に、銅の微小な突起状析出物２が付着形成されるた
め、銅箔１の実質的な表面積が増大して基板との密着性
が高められる。
形成された銅箔１の表面粒子１ａに、更に電解メッキ法
を使用してね固化処理（粗面化電解メッキ）を施して密
着性を向上させていた。この粗面化電解メッキによれば
、最初の電解メンキにより形成された銅箔の表面粒子ｌ
ａ上に、銅の微小な突起状析出物２が付着形成されるた
め、銅箔１の実質的な表面積が増大して基板との密着性
が高められる。
（発明が解決しようとする問題点）
ところが、上記した従来の銅箔の製造方法によると、確
かに当初は基板との密着性が向上するものの、例えば、
はんだ付は工程などの高温工程を経るに従い、密着性の
熱劣化が生じるという問題点がある。
かに当初は基板との密着性が向上するものの、例えば、
はんだ付は工程などの高温工程を経るに従い、密着性の
熱劣化が生じるという問題点がある。
本発明はかかる従来の問題を解決するためになされたも
ので、基板との密着性に優れるとともに、該密着性の熱
劣化が防止された銅箔の製造方法を提供することを目的
とする。
ので、基板との密着性に優れるとともに、該密着性の熱
劣化が防止された銅箔の製造方法を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段および作用）本発明は、
上記したような問題は、従来の銅箔の製造条件では銅箔
の粗面の表面粒子の平均粒径が大きく、その結果、該表
面粒子に付着形成される突起状析出物の粒子径も粗大化
してしまうために発生することを突き止めた。そして、
最初の電解メッキ工程において、電流密度と電解液の流
速とを所定の条件にすることにより、生成した銅層の表
面粒子を極めて微細にすることができ、その結果、続く
粗面化電解メッキ工程において形成される突起状析出物
も極めて微細なものとすることができるとの知見に基づ
いてなされたものである。
上記したような問題は、従来の銅箔の製造条件では銅箔
の粗面の表面粒子の平均粒径が大きく、その結果、該表
面粒子に付着形成される突起状析出物の粒子径も粗大化
してしまうために発生することを突き止めた。そして、
最初の電解メッキ工程において、電流密度と電解液の流
速とを所定の条件にすることにより、生成した銅層の表
面粒子を極めて微細にすることができ、その結果、続く
粗面化電解メッキ工程において形成される突起状析出物
も極めて微細なものとすることができるとの知見に基づ
いてなされたものである。
即ち、上記目的を達成するために本発明によれば、導電
性材料よりなる基体表面に、銅イオンを含有する電解液
を用いて電流密度０．１５〜３Ａ／ＣＩＪ、電解液流速
４〜２０ｍ／秒の条件で電解メッキを施して銅を析出さ
せ、粗面化表面を存する銅箔層を形成する第１の工程と
、前記銅箔層の粗面に、銅イオンを含有する電解液を用
いて電流密度０．３〜１Ａ／ｃｍ２、電解液流速０．０
８〜１ｍ／秒及び電極間路１ｉｉｌＩ５〜５０ｍの条件
で粗面化電解メッキを施すことにより、前記粗面に銅の
微小な突起状析出物を形成する第２の工程とを有する構
成としたものである。
性材料よりなる基体表面に、銅イオンを含有する電解液
を用いて電流密度０．１５〜３Ａ／ＣＩＪ、電解液流速
４〜２０ｍ／秒の条件で電解メッキを施して銅を析出さ
せ、粗面化表面を存する銅箔層を形成する第１の工程と
、前記銅箔層の粗面に、銅イオンを含有する電解液を用
いて電流密度０．３〜１Ａ／ｃｍ２、電解液流速０．０
８〜１ｍ／秒及び電極間路１ｉｉｌＩ５〜５０ｍの条件
で粗面化電解メッキを施すことにより、前記粗面に銅の
微小な突起状析出物を形成する第２の工程とを有する構
成としたものである。
以下に、本発明に係る銅箔の製造工程を順に説明する。
先ず、第１の工程即ち銅箔層を形成する電解メッキ工程
は、上記したように陰極となる導電性基体と陽極とを対
向させて配設し、これら陰極と陽極との間の間隙に電解
液を流すことにより行う。
は、上記したように陰極となる導電性基体と陽極とを対
向させて配設し、これら陰極と陽極との間の間隙に電解
液を流すことにより行う。
この電解液としては、硫＃胴メンキ液、ピロリン酸銅液
など通常のメッキ液を使用すればよい。この時の電解条
件は、電流密度が０．１５〜３Ａ／ｄ、電解液の流速が
４〜２０ｍ／秒となるように夫々設定する。上記電流密
度及び電解液の流速の何れか１つでも上記範囲を外れる
と、基体上に析出・形成される銅箔層の表面粒子が微細
にならず、その結果、後段の粗面化メッキ工程において
前記銅箔層表面に形成される突起状析出物が粗大化して
しまい、得られた銅箔の実質的な表面積が小さくなって
しまうという不都合が生じる。
など通常のメッキ液を使用すればよい。この時の電解条
件は、電流密度が０．１５〜３Ａ／ｄ、電解液の流速が
４〜２０ｍ／秒となるように夫々設定する。上記電流密
度及び電解液の流速の何れか１つでも上記範囲を外れる
と、基体上に析出・形成される銅箔層の表面粒子が微細
にならず、その結果、後段の粗面化メッキ工程において
前記銅箔層表面に形成される突起状析出物が粗大化して
しまい、得られた銅箔の実質的な表面積が小さくなって
しまうという不都合が生じる。
かかる第１の工程により形成された銅箔層１０は第１図
に示したように、その表面粒子１０ａが従来のものに比
べてはるかに小さくなる。この表面粒子１０ａの平均粒
径りは３．０〜７．５μｍとなる。
に示したように、その表面粒子１０ａが従来のものに比
べてはるかに小さくなる。この表面粒子１０ａの平均粒
径りは３．０〜７．５μｍとなる。
続く第２の工程、即ち上記により得られた銅箔層１０の
表面を粗面化するための粗面化電解メッキ工程は次のよ
うにして実施される。即ち、前記銅箔層１０を陰極とし
、例えば図示しない＆ＰＩ陽極を前記陰極と５〜５０＋
ｎＭ隔させて対向・配設して電解メッキを行う。この電
極間距離が５１未満であるか、もしくは５０ｍｍを超え
ると、メッキ液流速のコントロールが困難になり、その
結果突起状析出物の堆積径にバラツキが発生する場合が
ある。
表面を粗面化するための粗面化電解メッキ工程は次のよ
うにして実施される。即ち、前記銅箔層１０を陰極とし
、例えば図示しない＆ＰＩ陽極を前記陰極と５〜５０＋
ｎＭ隔させて対向・配設して電解メッキを行う。この電
極間距離が５１未満であるか、もしくは５０ｍｍを超え
ると、メッキ液流速のコントロールが困難になり、その
結果突起状析出物の堆積径にバラツキが発生する場合が
ある。
更に、この粗面化電解メッキ工程における電解条件は、
電流密度が０．３〜ＩＡ／ｃｌｌ、電解液の流速が０．
０８〜１ｍ／秒となるように夫々設定する。上記電流密
度及び電解液の流速の何れか１つでも上記範囲を外れる
と、銅箔の粗面上に形成される突起状析出物の粒径が大
きくなってしまい、銅箔の実質的な表面積が小さくなる
。
電流密度が０．３〜ＩＡ／ｃｌｌ、電解液の流速が０．
０８〜１ｍ／秒となるように夫々設定する。上記電流密
度及び電解液の流速の何れか１つでも上記範囲を外れる
と、銅箔の粗面上に形成される突起状析出物の粒径が大
きくなってしまい、銅箔の実質的な表面積が小さくなる
。
なお、この粗面化電解メッキ工程において使用する電解
液は特に限定されるものではないが、例えば硫ｒｌｉＲ
（ＣｕＳＯ−・５Ｈ２０）：８０〜１５０ｇ／ｌ、硫酸
（ＨｚＳＯａ）： ４０〜８０ ｇ／ｉｔ。
液は特に限定されるものではないが、例えば硫ｒｌｉＲ
（ＣｕＳＯ−・５Ｈ２０）：８０〜１５０ｇ／ｌ、硫酸
（ＨｚＳＯａ）： ４０〜８０ ｇ／ｉｔ。
及び硝酸カリウム（ＫＮｏｚ）：２５〜５０ｇ／ｌより
なる混合溶液などを使用することができる。
なる混合溶液などを使用することができる。
第２の工程終了後に、ｔＡＡｌ２Ｏ粗面上には第２図に
示すように突起状析出物１１が付着形成される。この突
起状析出物１１の平均粒径ｄは１〜５μｍとなる。
示すように突起状析出物１１が付着形成される。この突
起状析出物１１の平均粒径ｄは１〜５μｍとなる。
なお、第１の工程である銅箔を得るためのメッキ工程に
おいて、陰極を兼ねる基体としては、平板状のものも、
ドラム状のものも使用することができる。また、第２の
工程である粗面化メッキ工程は前記基体上に銅箔が形成
された状態のまま行っても、一旦該銅箔を基体から剥離
した後行ってもよい。
おいて、陰極を兼ねる基体としては、平板状のものも、
ドラム状のものも使用することができる。また、第２の
工程である粗面化メッキ工程は前記基体上に銅箔が形成
された状態のまま行っても、一旦該銅箔を基体から剥離
した後行ってもよい。
更に、上記第２の工程終了後に、銅箔の表面にクロメー
ト処理を施すと、該銅箔の機械的強度を高める上でより
効果的である。このクロメート処理は、具体的には、０
．７〜１２ｇ／ｆ濃度の重クロム酸カリウム溶液に常温
で５〜４５秒間浸漬するか、市販の電解クロメート処理
条件により加工する。
ト処理を施すと、該銅箔の機械的強度を高める上でより
効果的である。このクロメート処理は、具体的には、０
．７〜１２ｇ／ｆ濃度の重クロム酸カリウム溶液に常温
で５〜４５秒間浸漬するか、市販の電解クロメート処理
条件により加工する。
（実施例）
電解液として硫酸銅を使用し、電流密度１． ＯＡ／
ｃｄ、電解液流速５ｍ／秒の各条件で電解メッキを行い
、第１図に示すような銅箔層１ｏを図示しない基体上に
析出形成した。この銅ｆＭＮ１０の表面粒子１０ａの平
均粒径りは約５．５μｍであった。
ｃｄ、電解液流速５ｍ／秒の各条件で電解メッキを行い
、第１図に示すような銅箔層１ｏを図示しない基体上に
析出形成した。この銅ｆＭＮ１０の表面粒子１０ａの平
均粒径りは約５．５μｍであった。
次いで、かかる１４Ｆｉ １０の表面に以下の各条件で
粗面化電解メッキを施した。
粗面化電解メッキを施した。
Ｌヱ土盈皿底
Ｃｕ５Ｏａ・５ＨｔＯ： １２０ｇ／ＩＨｘＳＯａ
： ６０ ｇ／ＩＫＮＯｓ ：
２４ｇ／Ｊ里抜皇皮 ０．８Ａ／ｃｄ ｌ照沃遺連 Ｑ、ＩＯｍ／秒 ｌ盪皿■塁 ２Ｑ＊＊ 処ユ薩Ｍ ０．４分間 この粗面化電解メッキ終了後、銅箔層１０の表面粒子１
０ａには突起状析出物１１が付着形成された。突起状析
出物１１を１個の粒子としてみた場合の平均粒径ｄは約
２μｍであった。
： ６０ ｇ／ＩＫＮＯｓ ：
２４ｇ／Ｊ里抜皇皮 ０．８Ａ／ｃｄ ｌ照沃遺連 Ｑ、ＩＯｍ／秒 ｌ盪皿■塁 ２Ｑ＊＊ 処ユ薩Ｍ ０．４分間 この粗面化電解メッキ終了後、銅箔層１０の表面粒子１
０ａには突起状析出物１１が付着形成された。突起状析
出物１１を１個の粒子としてみた場合の平均粒径ｄは約
２μｍであった。
以上のようにして得られた銅箔層を基体から剥離したの
ち、この銅箔について次の評価試験を行って、その密着
性を評価した。
ち、この銅箔について次の評価試験を行って、その密着
性を評価した。
即ち、上記工程により作製されたｗ４箔をエポキシ系プ
リプレグに積層し、１．６ｆｌ厚さの銅張積層板を製造
した。この積層板の銅表面に電解銅を純膜厚３．５〜５
．０μｍとなるように電気メッキを施し、その後前記銅
箔を１０ｍ幅に切断してピーリング（引き剥がし）テス
ト用試験片を作製した。引き剥がし試験は、引張速度５
０鶴／分で引き剥がした時の引張力を測定することとし
、製造直後或いは第１表に示した様々な処理条件後に行
って、結果を表中に示した。なお、第１表には、従来法
により製造された銅箔に対して上記と同様な評価試験を
行った結果も併せて示した。
リプレグに積層し、１．６ｆｌ厚さの銅張積層板を製造
した。この積層板の銅表面に電解銅を純膜厚３．５〜５
．０μｍとなるように電気メッキを施し、その後前記銅
箔を１０ｍ幅に切断してピーリング（引き剥がし）テス
ト用試験片を作製した。引き剥がし試験は、引張速度５
０鶴／分で引き剥がした時の引張力を測定することとし
、製造直後或いは第１表に示した様々な処理条件後に行
って、結果を表中に示した。なお、第１表には、従来法
により製造された銅箔に対して上記と同様な評価試験を
行った結果も併せて示した。
第１表からも明らかなように、本発明の製造方法により
得られた銅箔は、その密着強度の初期値並びに薬品浸漬
後の値は従来法により得られたものと略同等であるが、
熱処理後、特に長時間の熱処理後にも密着強度が殆ど劣
化せず、従来のものに比べて密着強度の熱劣化性が極め
て小さいことが確認された。
得られた銅箔は、その密着強度の初期値並びに薬品浸漬
後の値は従来法により得られたものと略同等であるが、
熱処理後、特に長時間の熱処理後にも密着強度が殆ど劣
化せず、従来のものに比べて密着強度の熱劣化性が極め
て小さいことが確認された。
（以下余白）
第１表
＋１１ はんだ浴に浸漬後に測定
（２）オーブン中に保持後冷却して測定（３）オープン
中に保持後加熱状態のまま測定（４）同上 （５１１８％）ＩＣＥに浸漬後乾燥させて測定（発明の
効果） 以上説明したように本発明の銅箔の製造方法によれば、
導電性材料よりなる基体表面に、銅イオンを含有する電
解液を用いて電流密度０．１５〜３Ａ／ｄ、電解液流速
４〜２０ｍ／秒の条件で電解メッキを施して銅を析出さ
せ、粗面化表面を有する銅箔層を形成する第１の工程と
、前記銅箔層の粗面に、銅イオンを含有する電解液を用
いて電流密度０．３〜ＬＡ／ｃｄ、電解液流速０．０８
〜１ｍ／秒及び電極間距離５〜５０ｍの条件で粗面化電
解メッキを施すことにより、前記粗面に銅の微小な突起
状析出物を形成する第２の工程を有することとしたので
、基板上に回路として形成した時に、基板との密着性に
優れるとともに、この密着性が熱劣化することが防止さ
れた銅箔を提供できるという利点を有する。
中に保持後加熱状態のまま測定（４）同上 （５１１８％）ＩＣＥに浸漬後乾燥させて測定（発明の
効果） 以上説明したように本発明の銅箔の製造方法によれば、
導電性材料よりなる基体表面に、銅イオンを含有する電
解液を用いて電流密度０．１５〜３Ａ／ｄ、電解液流速
４〜２０ｍ／秒の条件で電解メッキを施して銅を析出さ
せ、粗面化表面を有する銅箔層を形成する第１の工程と
、前記銅箔層の粗面に、銅イオンを含有する電解液を用
いて電流密度０．３〜ＬＡ／ｃｄ、電解液流速０．０８
〜１ｍ／秒及び電極間距離５〜５０ｍの条件で粗面化電
解メッキを施すことにより、前記粗面に銅の微小な突起
状析出物を形成する第２の工程を有することとしたので
、基板上に回路として形成した時に、基板との密着性に
優れるとともに、この密着性が熱劣化することが防止さ
れた銅箔を提供できるという利点を有する。
第１図及び第２図は本発明の銅箔の製造方法の一実施例
を示す製造工程説明図、第３図及び第４図は従来の銅箔
の製造方法を示す製造工程説明図である。 １０・・・銅箔層、１０ａ・・・表面粒子、１１・・・
突起状析出物。
を示す製造工程説明図、第３図及び第４図は従来の銅箔
の製造方法を示す製造工程説明図である。 １０・・・銅箔層、１０ａ・・・表面粒子、１１・・・
突起状析出物。
Claims (2)
- （１）導電性材料よりなる基体表面に、銅イオンを含有
する電解液を用いて電流密度０．１５〜３Ａ／ｃｍ＾２
、電解液流速４〜２０ｍ／秒の条件で電解メッキを施し
て銅を析出させ、粗面化表面を有する銅箔層を形成する
第１の工程と、前記銅箔層の粗面に、銅イオンを含有す
る電解液を用いて電流密度０．３〜１Ａ／ｃｍ＾２、電
解液流速０．０８〜１ｍ／秒及び電極間距離５〜５０ｍ
ｍの条件で粗面化電解メッキを施すことにより、前記粗
面に銅の微小な突起状析出物を形成する第２の工程を有
することを特徴とする銅箔の製造方法。 - （２）前記第２の工程終了後に、前記銅箔層表面をクロ
メート処理することをことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の銅箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873587A JPS63186888A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 銅箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1873587A JPS63186888A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 銅箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186888A true JPS63186888A (ja) | 1988-08-02 |
| JPH0125388B2 JPH0125388B2 (ja) | 1989-05-17 |
Family
ID=11979926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1873587A Granted JPS63186888A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 銅箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63186888A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206514A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Ls Mtron Ltd | プリント回路用銅箔及びその表面処理方法、並びにメッキ装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1184359C (zh) * | 1998-09-14 | 2005-01-12 | 三井金属鉱业株式会社 | 多孔铜箔及其用途和制造方法 |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1873587A patent/JPS63186888A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206514A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Ls Mtron Ltd | プリント回路用銅箔及びその表面処理方法、並びにメッキ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0125388B2 (ja) | 1989-05-17 |
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