JPS63183178A - プリント回路用銅箔およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプリント回路用銅箔とその製造方法に関し、さ
らに詳しくは、基材にこの銅箔を接着セしめて銅張積層
板にした場合、銅箔の光沢面側（回路板側）の要求特性
即ち耐酸化性、半田のり性、紫外線硬化型インク（以下
ＵＶインクと略記する）密着性などの特性が優れており
、さらにはエツチング処理時におけるサイドエツチング
現象の発生を減少させることができ、一方線銅箔の粗面
側（基材側）の要求性能即ち加熱処理前後における基材
との剥離強度が向上し、かつ、耐塩酸性、耐シアン化カ
リウム性などの特性が優れており、さらに加えて、光沢
面側および粗面側の両面における経時変化に対しても実
用上十分な特性を有するプリント回路用銅箔とその製造
方決に関する。

〔従来の技術〕

最近、各種の家電製品、電子機器等に組込まれるプリン
ト回路が緻密化していくにつれ、使用されるプリント回
路用銅箔に要求される特性はますますきびしくなってい
る。

プリント回路用銅箔は基材、例えばフェノール樹脂含浸
基材、ガラス−エポキシ樹脂含浸基材等と加熱・加圧し
、積層され銅張積層板とされる。

そして、銅箔の回路形成不用部分がエツチングにより除
去され所望する回路網が形成された後さらに電気素子を
搭載して実用に供される。その過程では、加熱処理、酸
液、アルカリ液の浸漬処理などが施される。このような
ことから銅箔の光沢面側および粗面側に要求される特性
も異質なものである。

例えば、光沢面側における要求特性としては、積層時に
おける耐酸化性を有していること、エツチングレジスト
インクを塗布して所望の回路を得る時、特にＵＶインク
との密着性が良好なこと、また電気素子を搭載するとき
や回路と接続する場合などには半田とよく濡れることな
どが必要とされる。

一方、粗面側における要求特性としては、基材と銅箔両
者間における加熱処理前後の剥離強度が大きいこと、耐
薬品性、例えば耐塩酸性、耐シアン化カリウム性の劣化
が小さいことなどが必要である。

さらに銅箔の両面においてはそれを保管したりする場合
、経時変化に対する配慮、即ち、初期時の特性が損なわ
れることなく保持できることもきわめて重要な要求特性
として挙げられる。換言すれば銅箔の光沢面側および粗
面側におけるそれぞれ異なる要求特性を同時に満足させ
るようなｗ４箔が要望されている。

さてこのような問題を解決するため従来防錆力を高めた
り、剥離強度を向上させるため銅箔の粗面側に電解クロ
メート処理を施す方法が特開昭和５６−８７６９４号公
報に開示されている。この方法で製造した銅箔から製作
したプリント回路板を過酷な条件、とりわけ高温下で使
用した場合、接着特性や耐酸化性の効果は乏しく、大い
に改善の余地を残している。

またプリント回路用銅箔の耐熱性が向上する方法の一つ
として該銅箔に亜鉛メッキを施す方法が知られている。

亜鉛は防錆力に優れとくに高温下での耐酸化性の向上効
果は顕著であるが、しかし一方ではプリント回路製作の
工程で必要とされる特性の一つである耐塩酸性という点
で実用的とはいえない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、銅箔を基材に加熱加圧して積層し銅張積層板
にした場合、光沢面側においては耐酸化性、半田のり性
、ＵＶインクの密着性に優れ、かつエツチング処理時に
おけるサイドエツチング現象の発生を減少させることが
でき、一方粗面側においては、基材と銅箔両者間におけ
る加熱処理前後の基材との剥離強度に優れかつ耐塩酸性
、耐シアン化カリウム性をも顕著に向上せしめた銅箔の
提供を目的とするものであり、さらに加えて、銅箔の両
面における経時変化に対しても実用上十分な特性を有す
る銅箔と、それを連続的に量産できる製造方法の提供を
目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明のプリント回路用銅箔は該銅箔の光沢面側が亜鉛
または亜鉛酸化物を主体とする亜鉛薄膜と該亜鉛薄膜上
に設けられたモリブデンまたはモリブデン酸化物、およ
びクロムまたはクロム酸化物を主体とする混合薄膜とか
らなり、一方、咳銅箔の粗面側が亜鉛または亜鉛酸化物
を主体とする亜鉛薄膜と該亜鉛薄膜上に設けられたモリ
ブデンまたはモリブデン酸化物、およびクロムまたはク
ロム酸化物を主体とする混合薄膜と該混合薄膜上に設け
られたシランカップリング剤処理膜とからなることを特
徴とする。

本発明のプリント回路用銅箔は、例えば銅箔を亜鉛イオ
ンを含む第１のメッキ浴に浸漬し該銅箔の光沢面側およ
び粗面側に陰極処理を施す工程（第１工程）、前記工程
で得られた銅箔を水洗した後、モリブデン酸イオン、お
よび六価クロムイオンを含む第２のメッキ浴に浸漬し光
沢面側および粗面側に浸漬処理または陰極処理を施す工
程（第２工程）、および前記工程で得られた銅箔を水洗
した後粗面側にシランカップリング剤を塗布し乾燥する
工程（第３工程）を具備する製造方法により製造される
。

本発明のプリント回路用銅箔に用いられる銅箔は電解銅
箔、圧延銅箔などのいずれであってもよく格別限定する
ものではない。また銅箔の厚みに関しても特に限定する
ものではないが、通常、９μｍ１１８μｍ、３５μｍ等
である。基材と接着する面は、予め粗面化しておき、さ
らに例えば硫酸銅メッキ浴を用いて樹枝状の銅を電析さ
せたものが好適である。

本発明のプリント回路用銅箔は、まず、上記した銅箔の
光沢面側および粗面側に亜鉛もしくは亜鉛酸化物を主体
とする亜鉛薄膜（以下、亜鉛薄膜と略記する）を形成す
る。この亜鉛薄膜の金属含有量即ち亜鉛を光沢面側およ
び粗面側に被着せしめる上限値、および下限値は各面側
における前記した要求特性が異なるので必らずしも同じ
ではないが光沢面側においては、亜鉛として３０〜２０
０μｇ／ｄ　ｒｒｒであることが好ましい。亜鉛の金属
含有量が３０μｇ／ｄｄ未溝の場合は耐酸化性、半田の
り性およびＵＶインク密着性の特性が低下し、さらには
、経時変化に対する劣化を生ずることがある。また、２
００μｇ／ｄ　ｒｒｒを超えると耐酸化性は向上するも
ののサイドエツチング現象が発生することがある。

一方、粗面側における亜鉛金属含有量は、亜鉛として１
０〜２５０μｇ／ｄ　ｒｒｌであることが好ましい。１
０μｇ／ｄ　ｒｄ未溝の場合は、特に加熱処理後におけ
る剥離強度が低下することがあり、また２００μｇ／ｄ
　ｒＷを超える場合は、耐塩酸性において、悪化する傾
向があるからである。特に好ましくは亜鉛として１００
〜２００μｇ／ｄ　ｎ（の範囲である。この亜鉛薄膜は
、亜鉛または亜鉛酸化物を主体とするがＺｎ　ｓ　　Ｚ
ｎＯ，Ｚｎ（ＯＨ）等から構成されているものと考えら
れる。

この亜鉛薄膜は例えば次のように形成される（第１工程
）。まず、銅箔を亜鉛イオンを含む第１のメッキ浴に浸
漬し該銅箔の光沢面側および粗面側に陰極処理を施す、
ここで用いるメッキ浴は亜鉛イオンを含む水溶液である
。亜鉛イオンの供給源としては、例えばＺｎＣ１ｔ、Ｚ
ｎＳ０．　７Ｈ，０，Ｚｎ（ＣＨｓＣＯＯ）　＊　　・
２Ｈ２０等を挙げることができる。これらの亜鉛イオン
供給源の他にＮＨａＣｌ−（ＮＨ＊）　ｚｓＯ４、ＣＨ
ｓＣＯＯＮＨ＊等の添加剤を少なくとも１種以上加える
ことにより亜鉛薄膜の均一性、緻密性等を良好に付与す
ることができる。

これらの薬剤をそれぞれ所定量の水に溶解せしめて第１
メツキ浴が構成されるが、溶解せしめるイオン供給源の
量は、銅箔の光沢面側および粗面側に被着せしめる亜鉛
の前記した量を勘案として決められる。例えば、亜鉛イ
オンの供給源とじてＺｎＣ１□を用い、亜鉛薄膜の均−
性等を高めるため例えばＮＨ４，ＣＩを用いた場合その
溶解量はメッキ浴全量１１当りそれぞれ１〜２０　ｇ／
ｌであることが実用上経済的な面で好適である。メッキ
液は酸性またはアルカリ性のいずれであってもよいがＮ
Ｈ４ＯＨのアルカリ液またはＨＣｌ等の酸液を用いてｐ
Ｈ３，５〜６．５の酸性液に調整することが好ましい。

ｐＨが３．５より低くなると形成された亜鉛薄膜がメッ
キ浴から取出して水洗する過程で溶解することがあり、
またｐＨが６．５より高くなるとアンモニア臭が作業環
境を悪化させることがある。この第１メツキ浴にｆｌ箔
を浸漬して、その光沢面側および粗面側に陰極処理を施
して上記したようなそれぞれの膜厚の亜鉛薄膜を形成す
る。この時の陰極処理の電流密度は０．１〜５Ａ／ｄｎ
ｆが好適であり、陰極処理を施す時間は、形成する亜鉛
薄膜の膜厚の関係から適宜選定すればよいが通常１〜６
０秒、好ましくは１〜１０秒である。浴温については、
常温であればよいが加温することもできる。

本発明のプリント回路用銅箔は、上記第１工程で形成さ
れた亜鉛薄膜の上に第２層として後述の゛モリブデンま
たはモリブデン酸化物、およびクロムまたはクロム酸化
物を主体とする混合薄膜（以下、混合薄膜と略記する）
を形成する。この混合薄膜は、モリブデンまたはモリブ
デン酸化物、およびクロムまたはクロム酸化物を主体と
するものでありＭｏ　、Ｍｏｔｈｓ　、Ｍｏ（０）１）
ｓ　、Ｍｏｏｔ、ＭｏＯ２・ｎ）Ｉｚ　Ｏ、Ｍ　ｏ　Ｏ
（ＯＨ）　ｓ等とＣｒｓ　Ｃｒ　Ｏ３、Ｃｒ（ＯＨ）３
　、ＣｒｚＯｓ等から構成されているものと考えられる
。

この混合薄膜のモリブデンおよびクロムの金属含有量は
光沢面側においてはそれぞれモリブデンとして５〜５０
μｇ／ｄｎ（、クロムとして５〜５０μｇ／ｄ　ｒｒｆ
であることが好ましい。モリブデンとして５μｇ　／　
ｄ　ｔｄ未満の場合は、サイドエ・ノチング現象を生ず
ることがあり、また経時変化に対しても劣化傾向があら
れれることがある。５０μｇ／ｄ　ｎｌを超える場合は
ＵＶインク密着性、半田のり性の特性が低下し、さらに
は耐酸化性をも悪化させる場合がある。一方、クロムと
して５μｇ／ｄｎｆ未満の場合は、耐酸化性、特に経時
変化についてその効果が乏しくなる。また５０μｇ／ｄ
ｄを超える場合は半田のり性、ＵＶインク密着性が低下
することがある。特に好ましくはモリブデン１０〜５０
μｇ／ｄイ、クロム５〜２０μｇ／ｄ耐の範囲である。

また粗面側におけるモリブデン、クロムの金属含有量は
それぞれモリブデンとして１０〜２５０μｇ／ｄイ、ク
ロムとして１０〜１５０μｇ／ｄＭであることが好まし
い。モリブデンとして、１０　ｐ　ｇ／ｄ　ｒｄ未満の
場合は経時劣化防止効果が乏しく特に耐塩酸性、耐シア
ン化カリウム性の劣化が太き（なることがある、モリブ
デンとして２５０ＩＪｇ／ｄｒｒｆを超える場合は剥離
強度が低下する傾向がある。一方、クロムとして１０μ
ｇ／ｄ　ｒｒｌ未溝の場合は、次工程（第３工程）にお
けるシランカップリング剤処理膜の形成結合が損なわれ
ることにより剥離強度が低下しはじめ、さらに耐塩酸性
の劣化率を小さくすることが困難になることがある。ク
ロムとして１５０μｇ／ｄ　ｒｒｒを超える場合は上記
と同じ理由により剥離強度および耐塩酸性が悪化するこ
とがある。

この混合薄膜は次のようにして形成される（第２工程）
。まず第１工程で得られた銅箔の両面を十分水洗し第２
のメッキ浴に浸漬し、該銅箔の光沢面側および粗面側に
浸漬処理または陰極処理を施す。この場合、銅箔の光沢
面側においては浸漬処理を行い、粗面側においては陰極
処理を行うことが好ましい。

ここで用いるメッキ浴はモリブデン酸イオンと六価クロ
ムイオンを含む水溶液である。モリブデン酸イオンの供
給源としては、例えばＮａ、ＭｏＯ，・２ＨｚＯ，Ｋ！
ＭＯＯ，、％　（ＮＨ＊）ＭＯｔＯｔａ　　’　４１’
ｌｚＯ等を挙げることができる。また、六価クロムイオ
ン供給源としては、例えばＮａｚＣｒｚＣＪｔ　・２Ｈ
ｚＯ１ＫｚＣｒｚＯｙ　、ＣｒＯ３等を挙げることがで
きる。

これらの各イオンの供給源をそれぞれ所定量の水に溶解
せしめて、第２のメッキ浴が構成されるが溶解せしめる
各イオンの供給源の量は混合薄膜中に含有させる前記し
たモリブデン、クロムの量を勘案して決められる。例え
ばモリブデン酸イオンの供給源として、Ｎａ！ＭｏＯ４
・２■２０を用いた場合、また六価クロムイオン供給源
としてＮａｚＣｒｚ（ｌｙ・２Ｈ２０を用いた場合、そ
れぞれの溶解量は、メッキ浴全量１１当り、ＮａＪｏＯ
ａ　　・２８２０　０．５〜１０ｇ／ｌ、　ＮａｚＣｒ
ｚＯｔ”２Ｈｚ０　１〜１０　ｇ／ｌの範囲にあること
が好ましい。

メッキ浴のＰ）（は硫酸または苛性ソーダを用いて、そ
のＩ）　Ｈ３，５〜６．５に調整して用いることが好ま
しい。ｐ　Ｈ３，５未満の場合は、第１工程における亜
鉛薄膜が溶解することがあり、ｐ　Ｈ６，５を超えると
浸漬処理においてモリブデンの金属含有量が減少し始め
る傾向がある。また浴温については通常常温でよいが、
加温することもできる。光沢面側および粗面側に形成す
るモリブデン、クロムの金属含有量は各イオンを溶解せ
しめるそれぞれの量の多少もしくはｐＨ等により増減し
、前記した量を勘案して適宜選定される。処理時間につ
いては浸漬処理または陰極処理共に通常１〜６０秒でよ
いが、好ましくは１〜１０秒である。一方、光沢面側お
よび粗面側の陰極処理の電流密度は、０．１〜５　Ａ／
ｄ　ｒｒｒの範囲が好ましい。

次に、第２工程で得られた銅箔を水洗し粗面側の混合薄
膜の上に第３層としてシランカップリング剤を塗布し乾
燥する（第３工程）ことにより、シランカップリング剤
処理膜が形成され、本発明のプリント回路用銅箔が製造
される。

このシランカップリング剤処理膜は、その下層として存
在する前記混合薄膜中の特にクロムと接着すべき基材と
の間の剥離強度および耐塩酸性を向上せしめるに資する
成分である。

用いるシランカフプリングとしては、例えば特公昭５０
−１５６５４号公報に記載されているものであればいず
れも使用することができる。そのシランカップリング剤
は次式、ＹＲＳｉＸｘ　（但し、式中、Ｙはビニル基、
アミノ基、ジアミノ基、クロル基、エポキシ基、メルカ
プト基、メタクリルオキシ基のような高分子物と反応す
る官能基：Ｒは上記ＹとＳｉとを連結する鎖状もしくは
環状の炭化水素基を含む結合基、Ｘはクロル基、メトキ
シ基、エトキシ基のようなＳｔと結合する加水分解性の
基を表わす）で示されるものである。これらのうち、好
ましいものとして、Ｔ−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、Ｎ−β−アミノエチル−３−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドオキシプ
ロピルトリメトキシシラン等を挙げることができる。

このシランカップリング剤処理膜が、その下層として存
在する混合薄膜と基材との間の接着力を高める理由に関
しては未だ十分に解明されているわけではないが、上記
一般式のＹが有機質に対する濡れの改善、表面粗さの向
上、相溶性の改善、共有結合の形成などの作用により、
接着性の向上に寄与するものと考えられる。また加水分
解性の基であるＸは、加水分解を受けた場合、次式に示
すようにシラノールおよびＨＸを形成し、この反応生成
物がクロメート処理膜に対する接着力を付与するものと
考えられる。

ＹＲＳｉＸｓ　　＋　　３ＨｚＯ＝　　ＹＲＳｉ（ＯＢ
）ｚ　　　＋　　３Ｈ！０使用するシランカップリング
剤処理液の濃度は通常、０．００１〜５重量％の範囲、
好ましくは、０．０１〜３重量％の範囲でよく、また浸
漬塗布する時間は６０秒以下で十分である。

本発明のプリント回路用銅箔は、上記した３つの工程を
順次連続的に経過することによって製造される。

この３つの工程の順序が変ったりまたはいずれか１つの
工程でも欠落した場合には、本発明が目的とする光沢面
側および粗面側における前記した緒特性の向上効果の達
成が困難となる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。

実施例ｌ ＺｎＣ１ｔ　１０　ｇ／ｌ、ＮＨａ、ＣＩ　２０　ｇ／
ｌ、ｐ　Ｈ５゜５に調整した第１メツキ浴に厚み３５μ
の電解銅箔を浸漬し、浴温常温下において、この銅箔の
光沢面倒および粗面側のそれぞれに電流密度０．４Ａ／
ｄｍ２、処理時間２秒の条件で、陰極処理を施し亜鉛薄
膜を形成させた（第１工程） 次に得られた銅箔を十分水洗した後、これをＮａｔｃｒ
ｔＯｙ・２Ｈｚ０　３．５　ｇ／　ｌｌ５Ｎａ！ＭｏＯ
＋　’２８ｔ０　０゜５ｇ／ｌ　ｐ）（５，５に調整し
た第２メツキ浴に浸漬して浴温常温下において前記第１
工程で形成させた亜鉛薄膜上に、光沢面側においては、
処理時間８秒の浸漬処理、一方粗面倒においては、電流
密度０．８Ａ／ｄｍ２、処理時間３秒で陰極処理を施し
光沢面側および粗面側に混合薄膜を形成させた（第２工
程） さらに、この銅箔を十分水洗した後、Ｔ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン０．３重量％濃度の水溶液を用い
て常温下で処理時間１０秒で、該銅箔の粗面側を塗布し
、シランカップリング剤処理膜を形成させた。さらに該
銅箔を大気中、１００〜１１０℃で５分間で乾燥させた
（第３工程）。

かくして、銅箔の光沢面側および粗面側に亜鉛薄膜が形
成され、さらに該薄膜上に混合薄膜が形成され、さらに
混合薄膜が形成された粗面側のみにシランカップリング
剤処理膜を形成された本発明のプリント回路用Ｗ４箔を
製造した。このようにして製造されたプリント回路用銅
箔の第１工程、および第２工程で形成された銅箔両面の
各薄膜中の各金属含有量を原子吸光光度計を用いて測定
した。その結果を表に示す。

次に、得られた銅箔の粗面側をガラス・エポキシ樹脂含
浸基材に当接し、温度１６０℃、圧力１００ｋｇ／ｃｄ
、時間４０分間の条件下で加熱加圧処理して縦２５０ｍ
ｍ、横２５０ｍｍ、厚み１．６　ｍｍの銅張積層板の試
験片を製作した。

得られた試験片について、光沢面側においては耐酸化性
、ＵＶインク密着性、半田のり性、サイドエツチングの
発生の有無、および経時劣化、一方粗面倒においては、
加熱処理前後の剥離強度、耐塩酸性、耐シアン化カリウ
ム性、および経時劣化のそれぞれの特性について下記仕
様で銅箔の特性評価を行った。その結果を一括して表に
示した。

（１）　　耐酸化性： 試験片を１８０℃の高温槽中に３０分間保持した時の変
色の度合を目視により判定した。

〇　−変色なし Δ　−少し変色 ×　−著しく変色 （２）半田のり性： ＪＩＳ　　Ｚ　　３２８２で規定されている６０Ｓｍ（
記号Ｈ６０Ｂ）の半田を用い、ＪＩＳ２３１９７．４−
１１で規定する広がり試験法に準拠して、試験片の広が
り率を測定した。

−Ｈ 広がり率（％）　　−Ｘ　　１００ （Ｈ：広がった半田の高さ■ Ｄ：試験に用いた半田を球とみなした時の直径（＋ｗｓ
＋）　ｉ？あり、Ｄ−１，２４Ｖ”’から算出される値
、ただし、■−半田質量／比重である） 〇　−広がり率　　９０〜９５％ Δ　−〃　　　　８５〜８９％ Ｘ−＃　　　　　８４％以下と評価 ＋３）ＵＶインク密着性： 試験片をトリクレンで洗浄した後、ＵＶインク（ＵＲ−
４５０Ｂ、タムラ製作所製）でスクリーン印刷（用いた
スクリーン：ナイロン製、メツシュ２００〜３００）し
て回路を作成し、このＵＶインク塗膜をＵＶ装置（ＢＭ
Ｗ−７０３オ一ク製作所製）で照射硬化させたのち、温
度５０℃のＨＣｌｌ０％溶液に５分間浸漬し、水洗後風
乾し、得られた試験片の塗膜硬度をＪＩＳ　　Ｃ３２０
３で規定する鉛筆法に準拠して測定した。

〇　−鉛筆硬度　２Ｈ以上 Δ　−〃　　　Ｆ〜Ｈ ×　−〃　　　Ｂ以下　と評価 （４）サイドエツチング現象の発生の有無：試験片にエ
ツチングレジスト膜を形成したのち、配線パターンを作
成し、塩化第２銅エツチング液を用いて回路幅０．８　
ｍｍの回路板とし、回路と基板の境界部分を顕微鏡（倍
率１５０）で観察した。

無　−サイドエツチング発生せず 有　−サイドエツチングあり （５）剥離強度： ■加熱処理前の剥離強度： 室温下においてＪＩＳ　　Ｃ−６４８１に準拠して測定
した。

■加熱処理後の剥離強度 銅張積層板を１８０℃の恒温槽中に４８時間保持したの
ち剥離強度をＪＩＳ　　Ｃ−６４８１に準拠して測定し
た。

（６）耐塩酸性： 室温下における剥離強度をＡ、室温下で６Ｎ塩酸に１時
間浸漬後の剥離強度をＢとしたとき（Ａ−Ｂ）　／ＡＸ
　１００　　（％）から算出される劣化率で表示した。

（７）　　耐シアン化カリウム性： 室温下における剥離強度をＡ１温度７０℃で１０％シア
ン化カリウム水溶液に３０分浸漬後の剥離強度をＢとし
たとき時（Ａ−Ｂ）／ＡＸ１００（％）から算出される
劣化率で表示した。

（８）経時劣化 光沢面側および粗面側のそれぞれの特性（（１）〜（７
））を６ケ月経過したときに再評価した。

実施例２〜６ 第１工程、第２工程、第３工程における浴組成処理方法
、処理条件を表示のように変化させて各種の銅箔を製造
した。これらについて、実施例−１と同様に各特性を測
定し評価した。

比較例Ｉ ＮａｚＣｒｚＣＪｔ　・２８ｚ８１３．５　ｇ　／　ｌ
の水溶液のｐ）（を３．５に調整したのち、この水溶液
に実施例１で用いた銅箔を浸漬し、電流密度０．５Ａ／
ｄｒｒｆ、処理時間５秒、常温下で該銅箔の両面に陰極
処理を施し、取出したのちは十分に水洗して、１００〜
１１０℃の温度で５分間乾燥した。得られた銅箔につき
実施例１と同様に各特性を測定評価した。

比較例２ ＺｎＣ１ｚ　１０　ｇ／ｊ！、　ＮＨ＊ＣＩ　２０　ｇ
／　１ＳｐＨ５゜５に調整したのち、この水溶液を用い
、実施例１で用いた銅箔を浸漬し、電流密度０．４Ａ／
ｄｍ２、処理時間２秒、常温下で該銅箔の両面に陰極処
理を施し、取出したのちは十分に水洗して１００〜１１
０℃の温度で５分間乾燥した。

得られた銅箔につき実施例１と同様に各特性を測定評価
した。

以上の説明から明らかなように本発明の方法で製造した
プリント回路用銅箔は、その光沢面側の特性に士いては
、１８０℃、３０分保持した後であっても変色すること
なく耐酸化性に優れ、また半田法がり率は９０％以上と
半田のり性にも優れている。さらにＵＶインク密着性で
は鉛筆硬度２Ｈ以上と優れ、サイドエツチング現象の発
生も認められず実用上の水準を十分満足している。一方
、粗面側の特性においては、加熱処理前後の剥離強度を
高めることができ、耐塩酸性、耐シアン化カリウム性に
ついても、その劣化率はきわめて小さくすることができ
る。

また、経時変化における光沢面側および粗面側の特性は
初期時水準を６ケ月経過した時点であっても損なわれる
ことなく保持しており実用上きわめて良好な結果を得て
いる。

このことは、第１工程における亜鉛もしくは亜鉛酸化物
を主体とする亜鉛薄膜が特に耐酸化性に良好であり、し
かもその固有の特性が、加熱処理後の剥離強度の向上、
ＵＶインク密着性および半田のり性の特性を向上させる
のに有効であり、さらに第２工程におけるモリブデン酸
化物、クロム酸化物を主体とする混合薄膜が耐食性、経
時劣化に対して安定した優れた薄膜であり、その効果を
高めているものと考えられる。さらに加えて第３工程で
粗面側にシランカ゛ツブリング剤処理膜を形成すること
により、特に加熱処理前の剥離強度、耐塩酸性を良好に
しているもののよう考えられる。

一方、比較例１のクロメート皮膜を形成させたｍ箔、ま
たは比較例２の亜鉛薄膜を形成させた銅箔については、
各要求特性が、一方では満足する水準にあるものの、そ
れぞれの固有の欠点が問題点を解消し得ていない。

このように、第１工程、第２工程、および第３工程を連
続的に組合わせることによって、従来の銅箔の光沢面側
および粗面側における諸問題を解消することができた。

以下余白 〔発明の効果〕 では耐酸化性、半田のり性、ＵＶインクの密着性に優れ
、かつエツチング処理時におけるサイドエツチング現象
の発生が減少し、一方銅箔の粗面側においては加熱処理
前後の基材との剥離強度が向上し、かつ耐塩酸性、耐シ
アン価カリウム性などの特性が優れるとともに、光沢面
側および粗面側における経時変化に対しても実用上十分
な特性を有するものであり、本発明の工業的価値は極め
て大である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、銅箔の光沢面側が亜鉛または亜鉛酸化物を主体とす
   る亜鉛薄膜と該亜鉛薄膜上に設けられたモリブデンまた
   はモリブデン酸化物、およびクロムまたはクロム酸化物
   を主体とする混合薄膜とからなり、一方、該銅箔の粗面
   側が亜鉛または亜鉛酸化物を主体とする亜鉛薄膜と該亜
   鉛薄膜上に設けられたモリブデンまたはモリブデン酸化
   物、およびクロムまたはクロム酸化物を主体とする混合
   薄膜と該混合薄膜上に設けられたシランカップリング剤
   処理膜とからなることを特徴とするプリント回路用銅箔
   。 ２、光沢面側の亜鉛薄膜の金属含有量が亜鉛として３０
   〜２００μｇ／ｄｍ＾２、混合薄膜の金属含有量がモリ
   ブデンとして５〜５０μｇ／ｄｍ＾２、クロムとして５
   〜５０μｇ／ｄｍ＾２で構成され、粗面側の亜鉛薄膜の
   金属含有量が亜鉛として１０〜２５０μｇ／ｄｍ＾２、
   混合薄膜の金属含有量がモリブデンとして１０〜２５０
   μｇ／ｄｍ＾２、クロムとして１０〜１５０μｇ／ｄｍ
   ＾２で構成されている特許請求の範囲第１項記載のプリ
   ント回路用銅箔。 ３、銅箔を亜鉛イオンを含む第１のメッキ浴に浸漬し該
   銅箔の光沢面側および粗面側に陰極処理を施す工程、前
   記工程で得られた銅箔を水洗した後、モリブデン酸イオ
   ンおよび六価クロムイオンを含む、第２のメッキ浴に浸
   漬し銅箔の光沢面側および粗面側に浸漬処理または陰極
   処理を施す工程、および前記工程で得られた銅箔を水洗
   した後、銅箔の粗面側にシランカップリング剤を塗布し
   乾燥する工程を具備することを特徴とするプリント回路
   用銅箔の製造方法。 ４、モリブデン酸イオンおよび六価クロムイオンを含む
   、第２のメッキ浴に浸漬し、銅箔の光沢面側を浸漬処理
   し、粗面側を陰極処理する工程を具備する特許請求の範
   囲第３項記載のプリント回路用銅箔の製造方法。