JPS63180962A - Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法 - Google Patents
Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法Info
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- JPS63180962A JPS63180962A JP1207287A JP1207287A JPS63180962A JP S63180962 A JPS63180962 A JP S63180962A JP 1207287 A JP1207287 A JP 1207287A JP 1207287 A JP1207287 A JP 1207287A JP S63180962 A JPS63180962 A JP S63180962A
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- free phthalocyanine
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- phthalocyanine
- automatic mortar
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0696—Phthalocyanines
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、電子写真感光体の電荷発生剤として有用なＸ
型無金属フタロシアニン（Ｘ −Ｈ２ＰＯ）の製造方法
に間する。
型無金属フタロシアニン（Ｘ −Ｈ２ＰＯ）の製造方法
に間する。
「従来技術およびその問題点」
電子写真感光体、としては、セレン、酸化亜鉛、硫化カ
ドミウム等の無機光導電牲材料を主成分として含有する
感光層を有するものが広く知られている。しかし、これ
らは、熱安定性、耐久牲等の特性上、必ずしも溝足し得
るものではなく、ざらに毒性を有するため、製造上、取
扱い上にも問題があった。
ドミウム等の無機光導電牲材料を主成分として含有する
感光層を有するものが広く知られている。しかし、これ
らは、熱安定性、耐久牲等の特性上、必ずしも溝足し得
るものではなく、ざらに毒性を有するため、製造上、取
扱い上にも問題があった。
一方、有機光導電性化合物を主成分とする感光層を有す
る電子写真感光体は、製造が比較的容易であること、安
価であること、取扱いが容易であること、また、一般に
セレン感光体に比べて熱安定性１こ優れていること、な
どの多くの利点を有し、近年多くの注目を集めている。
る電子写真感光体は、製造が比較的容易であること、安
価であること、取扱いが容易であること、また、一般に
セレン感光体に比べて熱安定性１こ優れていること、な
どの多くの利点を有し、近年多くの注目を集めている。
有機光導電性化合物の中でも、各種の無金属あるいは金
属のフタロシアニン系化合物は、良好な光導電性と共に
長波長域にまで感度がおよぶことが多く、特に半導体レ
ーザ用電荷発主材料として最も検討されている。金属フ
タロシアニンは、一般に無金属フタロシアニンに比べて
光導電性の感度が高く、優れた電荷発生材料となるが、
金属を担持させるため、合成方法が非常に複雑でコスト
高となる欠点があった。
属のフタロシアニン系化合物は、良好な光導電性と共に
長波長域にまで感度がおよぶことが多く、特に半導体レ
ーザ用電荷発主材料として最も検討されている。金属フ
タロシアニンは、一般に無金属フタロシアニンに比べて
光導電性の感度が高く、優れた電荷発生材料となるが、
金属を担持させるため、合成方法が非常に複雑でコスト
高となる欠点があった。
無金属フタロシアニンは、α型、β型、Ｘ型、τ型など
の各種の結晶型を有しでいる。この中でも、Ｘ型無金属
フタロシアニンは、良好な光感度を有することか知られ
ている。
の各種の結晶型を有しでいる。この中でも、Ｘ型無金属
フタロシアニンは、良好な光感度を有することか知られ
ている。
従来、Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法としでは、
例えば特公昭４４−１４１０６号に示されるように、α
型無金属フタロシアニン（α−８２ＰＣ）をボールミル
で４８程度処理し、Ｘ型に結晶転移させる方法などか採
用されでいた。
例えば特公昭４４−１４１０６号に示されるように、α
型無金属フタロシアニン（α−８２ＰＣ）をボールミル
で４８程度処理し、Ｘ型に結晶転移させる方法などか採
用されでいた。
しかしながら、上記の方法では、処理時間が極めて長く
、製造コストが高くなるという問題点があった。
、製造コストが高くなるという問題点があった。
「発明の目的」
本発明の目的は、処理時間をより短縮できるようにした
Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法を提供することに
ある。
Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法を提供することに
ある。
「発明の構成」
本発明のＸ型無金属フタロシアニンの製造方法は、α型
無金属フタロシアニンを自動乳鉢を用いで処理すること
を特徴とする。
無金属フタロシアニンを自動乳鉢を用いで処理すること
を特徴とする。
本発明の方法は、α型無金属フタロシアニンを機械的に
処理してＸ型無金属フタロシアニンに結晶転移させる点
においては、従来の方法と変わりがないが、機械的な処
理を自動乳鉢を用いて行なう点が具なっている。ここで
、自動乳鉢とは、乳棒が回転すると共に、容器が乳棒と
反対方向に回転する装Ｍを意味している。α型無金属フ
タロシアニンを自動乳鉢を用いて処理することにより、
従来のボールミル処理に比べて極めて短時間の処理でＸ
型無金属フタロシアニンに結晶転移させることが可能と
なる。
処理してＸ型無金属フタロシアニンに結晶転移させる点
においては、従来の方法と変わりがないが、機械的な処
理を自動乳鉢を用いて行なう点が具なっている。ここで
、自動乳鉢とは、乳棒が回転すると共に、容器が乳棒と
反対方向に回転する装Ｍを意味している。α型無金属フ
タロシアニンを自動乳鉢を用いて処理することにより、
従来のボールミル処理に比べて極めて短時間の処理でＸ
型無金属フタロシアニンに結晶転移させることが可能と
なる。
自動乳鉢による処理条件は、自動乳鉢の容量や回転数に
よっても異なるが、例えば乳棒が１１００ｒｐ 、容器
が逆方向に６ｒｐｍ回転する場合、通常２時間以上、好
ましくは３時間以上の処理を行なうことにより、α型無
金属フタロシアニンをＸ型無金属フタロシアニンに結晶
転移させることができる。
よっても異なるが、例えば乳棒が１１００ｒｐ 、容器
が逆方向に６ｒｐｍ回転する場合、通常２時間以上、好
ましくは３時間以上の処理を行なうことにより、α型無
金属フタロシアニンをＸ型無金属フタロシアニンに結晶
転移させることができる。
「発明の寅施例」
粗原料フタロシアニンをアシドペースティング処理で均
一のα型無金属フタロシアニンを調製した。
一のα型無金属フタロシアニンを調製した。
このα型無金属フタロシアニン０．５９ ％自動乳鉢（
日南科学■製）に入れ、４時間連続して混練処理を行な
う。自動乳鉢の回転数は、乳棒が１１００ｒｐ 、容器
が逆方向に６ｒｐｍの回転をする。
日南科学■製）に入れ、４時間連続して混練処理を行な
う。自動乳鉢の回転数は、乳棒が１１００ｒｐ 、容器
が逆方向に６ｒｐｍの回転をする。
自動乳鉢の処理によりα型無金属フタロシアニンは、徐
々にＸ型無金属フタロシアニンに結晶転移する。この状
態をＸ線回折図をとって追跡した結果を第１図に示す１
図中、ａは出発原料であるα型無金属フタロシアニン、
ｂは４５分処理後、Ｃは９０分処理後、ｄは１３５分処
理後、ｅは２２５分処理後の状態を示している。このよ
うに、Ｘ線回折パターンは処理時間に従って変化し、最
終的には、Ｘ型に特徴のある１７．３度、２２．３度に
ど−りのあるパターンが得られ、Ｘ型無金属フタロシア
ニンに結晶転移していることがわかる。
々にＸ型無金属フタロシアニンに結晶転移する。この状
態をＸ線回折図をとって追跡した結果を第１図に示す１
図中、ａは出発原料であるα型無金属フタロシアニン、
ｂは４５分処理後、Ｃは９０分処理後、ｄは１３５分処
理後、ｅは２２５分処理後の状態を示している。このよ
うに、Ｘ線回折パターンは処理時間に従って変化し、最
終的には、Ｘ型に特徴のある１７．３度、２２．３度に
ど−りのあるパターンが得られ、Ｘ型無金属フタロシア
ニンに結晶転移していることがわかる。
こうしで得られたＸ型無金属フタロシアニンを、ジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、次いでメタノールで洗浄し、
乾燥して粉末のＸ型無金属フタロシアニンを得た。
ルホルムアミドで洗浄し、次いでメタノールで洗浄し、
乾燥して粉末のＸ型無金属フタロシアニンを得た。
次に、上記で得られたＸ型無金属フタロシアニンを用い
て電３−写真特′注を評価した。
て電３−写真特′注を評価した。
すなわち、５０ｕｍ厚のＡＩプレート上に、Ｘ型無金属
フタロシアニンを同量のシリコーン樹脂（信越化学型、
商品名ｒＥＳ−＋００２ＢＪ ）に分散させてなる電荷
発生層！０．５ ｕｍ厚で形成し、ざらにその上にヒド
ラゾン系電荷輸送材（亜南香料■製、商品名ｒＡＢＰＨ
Ｊ ）を同量のポリカーボネートに溶解させた電荷輸送
層を＋８ｕｍ厚で形成することにより、電子写真感光体
を作製した。
フタロシアニンを同量のシリコーン樹脂（信越化学型、
商品名ｒＥＳ−＋００２ＢＪ ）に分散させてなる電荷
発生層！０．５ ｕｍ厚で形成し、ざらにその上にヒド
ラゾン系電荷輸送材（亜南香料■製、商品名ｒＡＢＰＨ
Ｊ ）を同量のポリカーボネートに溶解させた電荷輸送
層を＋８ｕｍ厚で形成することにより、電子写真感光体
を作製した。
次に、静電気帯電試験装置（＠川口電機製作所、ＥＰＡ
−８１００型）を用いて、上記電子写真感光体を−６に
Ｖで印加帯電させ、５秒間暗減衰を観測し、６６０ｎｍ
の光、１０ルツクスを０．２５秒間照射し、光減衰を測
定した。その結果、初期電位■０は＝５００Ｖ、感度（
Ｅｌ／２）は２１ｕｘ−ｓｅｃとなり、Ｘ型無金属フタ
ロシアニンに予想される高特牲を示した。
−８１００型）を用いて、上記電子写真感光体を−６に
Ｖで印加帯電させ、５秒間暗減衰を観測し、６６０ｎｍ
の光、１０ルツクスを０．２５秒間照射し、光減衰を測
定した。その結果、初期電位■０は＝５００Ｖ、感度（
Ｅｌ／２）は２１ｕｘ−ｓｅｃとなり、Ｘ型無金属フタ
ロシアニンに予想される高特牲を示した。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、α型無金属フタ
ロシアニンを自動乳鉢で処理することによ′つ、柵めて
短時間の処理でＸ型無金属フタロシアニンを得ることが
できる。
ロシアニンを自動乳鉢で処理することによ′つ、柵めて
短時間の処理でＸ型無金属フタロシアニンを得ることが
できる。
第１図は自動乳鉢による処理によりα型無金属フタロシ
アニンかＸ型無金属フタロシアニンに結晶転移していく
状態を示すＸ線回折図である。
アニンかＸ型無金属フタロシアニンに結晶転移していく
状態を示すＸ線回折図である。
Claims (2)
- （１）α型無金属フタロシアニンを自動乳鉢を用いて処
理することを特徴とするｘ型無金属フタロシアニンの製
造方法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記自動乳鉢に
よる処理を２時間以上行なうｘ型無金属フタロシアニン
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1207287A JPS63180962A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1207287A JPS63180962A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63180962A true JPS63180962A (ja) | 1988-07-26 |
Family
ID=11795391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1207287A Pending JPS63180962A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | Ｘ型無金属フタロシアニンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63180962A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129652A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-17 | Bando Chem Ind Ltd | 積層型有機感光体 |
| JPH02232659A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Bando Chem Ind Ltd | 積層型有機感光体 |
| JPH0341459A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Bando Chem Ind Ltd | 下引き層を有する積層型有機感光体 |
| JPH0354572A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| US6181720B1 (en) | 1997-01-16 | 2001-01-30 | Nec Corporation | Semiconductor laser device and method for manufacturing same |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP1207287A patent/JPS63180962A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02129652A (ja) * | 1988-11-09 | 1990-05-17 | Bando Chem Ind Ltd | 積層型有機感光体 |
| JPH0474698B2 (ja) * | 1988-11-09 | 1992-11-26 | ||
| JPH02232659A (ja) * | 1989-03-06 | 1990-09-14 | Bando Chem Ind Ltd | 積層型有機感光体 |
| JPH0470630B2 (ja) * | 1989-03-06 | 1992-11-11 | Bando Chemical Ind | |
| JPH0341459A (ja) * | 1989-07-07 | 1991-02-21 | Bando Chem Ind Ltd | 下引き層を有する積層型有機感光体 |
| JPH0470631B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1992-11-11 | Bando Chemical Ind | |
| JPH0354572A (ja) * | 1989-07-21 | 1991-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真感光体の製造方法 |
| US6181720B1 (en) | 1997-01-16 | 2001-01-30 | Nec Corporation | Semiconductor laser device and method for manufacturing same |
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