JPS63177466A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63177466A JPS63177466A JP866887A JP866887A JPS63177466A JP S63177466 A JPS63177466 A JP S63177466A JP 866887 A JP866887 A JP 866887A JP 866887 A JP866887 A JP 866887A JP S63177466 A JPS63177466 A JP S63177466A
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- semiconductor device
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Links
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はバイポーラトランジスタを構成する半導体装
置に関し、特にその特性を向上させるための構造に関す
るものである。
置に関し、特にその特性を向上させるための構造に関す
るものである。
第２図は、従来のエピタキシャル層を用いたＮＰＮ型バ
イポーラトランジスタの断面図を示し、図において、１
はコレクタのコンタクト、２はエミッタのコンタクト、
３はベースのコンタクト、４は絶縁層、７はｎ形エピタ
キシャルコレクタ領域、８はＮ形エミッタ領域、９はＰ
形ベース領域である。
イポーラトランジスタの断面図を示し、図において、１
はコレクタのコンタクト、２はエミッタのコンタクト、
３はベースのコンタクト、４は絶縁層、７はｎ形エピタ
キシャルコレクタ領域、８はＮ形エミッタ領域、９はＰ
形ベース領域である。
従来のバイポーラトランジスタは以上のように構成され
ているため、エミッタとベースの間の領域がベースのコ
ンタクトのために広くなり、エミッターベース間の抵抗
が高くなるという問題があった。
ているため、エミッタとベースの間の領域がベースのコ
ンタクトのために広くなり、エミッターベース間の抵抗
が高くなるという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、エミッターベース間の抵抗を下げることので
きる半導体装置を得ることを目的とする。
たもので、エミッターベース間の抵抗を下げることので
きる半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、ベースのコンタクトを５
ＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）構造の絶縁層
を介して取るようにしたものである。
ＯＩ（シリコン・オン・インシュレータ）構造の絶縁層
を介して取るようにしたものである。
この発明においては、ＳＯＩ構造の絶縁層下部を介して
ベースコンタクトを取るようにしたので、広いコンタク
ト領域を確保するとともに、ベース−エミッタ間の抵抗
を下げ、コレクターエミッタ間のベース幅を一定とし、
良好なトランジスタ特性を得ることができる。
ベースコンタクトを取るようにしたので、広いコンタク
ト領域を確保するとともに、ベース−エミッタ間の抵抗
を下げ、コレクターエミッタ間のベース幅を一定とし、
良好なトランジスタ特性を得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示し、
図において、１．はコレクタのコンタクト、２はエミッ
タのコンタクト、３は下部の絶縁膜４を介してとったベ
ースのコンタクト、５はＳｉＯ２膜、６は例えば高融点
金属やポリシリコンなどのベース配線、７はコレクタ領
域、８はエミッタ領域、９はベース領域である。
図において、１．はコレクタのコンタクト、２はエミッ
タのコンタクト、３は下部の絶縁膜４を介してとったベ
ースのコンタクト、５はＳｉＯ２膜、６は例えば高融点
金属やポリシリコンなどのベース配線、７はコレクタ領
域、８はエミッタ領域、９はベース領域である。
本実施例では、エミッタとコレクタとに対面する領域の
ベース幅を一定とし、薄い領域としたので、エミッタと
ベース間の抵抗を下げることができ、また、そのベース
とのコンタクトは、ＳＯ■構造の下部の絶縁層を介して
、高融点金属等の伝導性の良い材料により配線接続する
ようにしたため、コンタクトの抵抗を従来のものよりも
さらに下げることができる。
ベース幅を一定とし、薄い領域としたので、エミッタと
ベース間の抵抗を下げることができ、また、そのベース
とのコンタクトは、ＳＯ■構造の下部の絶縁層を介して
、高融点金属等の伝導性の良い材料により配線接続する
ようにしたため、コンタクトの抵抗を従来のものよりも
さらに下げることができる。
以上のようにこの発明に係る半導体装置によれば、ベー
スとのコンタクトをＳＯＩ構造の下部の絶縁層を介して
取るようにしたので、エミッタとベース間の抵抗を下げ
、カキク良好なトランジスタ特性を得ることができる効
果がある。
スとのコンタクトをＳＯＩ構造の下部の絶縁層を介して
取るようにしたので、エミッタとベース間の抵抗を下げ
、カキク良好なトランジスタ特性を得ることができる効
果がある。
第１図は、この発明の一実施例による半導体装置を示す
断面図、第２図は従来のバイポーラトランジスタの断面
図である。 図において、１はコレクタのコンタクト、２はエミッタ
のコンタクト、３はベースのコンタクト、４は絶縁層、
５は５ｉｎ２膜、６はベース配線、７はコレクタ領域、
８はエミッタ領域、９はベース領域である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
断面図、第２図は従来のバイポーラトランジスタの断面
図である。 図において、１はコレクタのコンタクト、２はエミッタ
のコンタクト、３はベースのコンタクト、４は絶縁層、
５は５ｉｎ２膜、６はベース配線、７はコレクタ領域、
８はエミッタ領域、９はベース領域である。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）バイポーラトランジスタを構成する半導体装置に
おいて、 上記バイポーラトランジスタはＳＯＩ（シリコン・オン
・インシュレータ）構造のシリコンの中に作られ、上記
バイポーラトランジスタのベースコンタクトは下部の絶
縁層を介して取ったことを特徴とする半導体装置。 - （２）上記ベースコンタクトは高融点金属により接続さ
れたものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP866887A JPS63177466A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP866887A JPS63177466A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63177466A true JPS63177466A (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=11699310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP866887A Pending JPS63177466A (ja) | 1987-01-16 | 1987-01-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63177466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002078994A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-19 | Gm Pfaff Ag In Insolvenz | 生地押さえ装置を備えたミシン |
-
1987
- 1987-01-16 JP JP866887A patent/JPS63177466A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002078994A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-03-19 | Gm Pfaff Ag In Insolvenz | 生地押さえ装置を備えたミシン |
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