JPS63176001A - 伝送線路 - Google Patents

伝送線路

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Publication number
JPS63176001A
JPS63176001A JP62008472A JP847287A JPS63176001A JP S63176001 A JPS63176001 A JP S63176001A JP 62008472 A JP62008472 A JP 62008472A JP 847287 A JP847287 A JP 847287A JP S63176001 A JPS63176001 A JP S63176001A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semi
semiconductor substrate
substrate
compound semiconductor
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62008472A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasushi Yoshii
吉井　泰
Taeko Nakamura
中村　多恵子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半絶縁性化合物半導体基板上に形成される
低インピーダンスの伝送線路に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の伝送線路の斜視図で、半絶縁性化合物半
導体基板１の一方の面上に、ある特性インピーダンスに
対応する線路幅をもつ金属線路２が形成され半絶縁性化
合物半導体基板１の他方の面を接地金属４でメッキした
ものである。
次に動作について説明する。
半絶縁性化合物半導体基板１の一方の面に形成された金
属線路２の特性インピーダンスは、その線路幅と半絶縁
性化合物半導体基板１の比誘電率と基板厚によって決ま
る。
半絶縁性化合物半導体基板１の比誘電率を一定とした場
合、金属線路２の特性インピーダンスは、その線路幅と
半絶縁性化合物半導体基板１の厚みｔの比が大きいほど
低い特性インピーンダンスとなり、小さいほど高い特性
インピーダンスをもつ伝送線路となる。
このような理由から、低インピーダンス線路を構成する
場合、線路幅が拡がり、集積化するうえでチップ面積の
縮小化に制限を与えている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の伝送線路は以上のような特徴をもち、低インピー
ダンスの伝送線路を形成する場合、金属線路２の線路幅
を半絶縁性化合物半導体基板１で制約されるため、チッ
プ面積を拡げることになり、チップ面積の縮小化に大き
な問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、線路幅をあまり拡げずに、特定の低インピ
ーダンス特性を有する伝送線路を得ることを目的とする
。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る伝送線路は、半絶縁性化合物半導体基板
の一方の面に金属線路を形成し、この金属線路に沿って
半絶縁性化合物半導体基板の他方の面をエツチングして
溝を形成し、この溝を含む半絶縁性化合物半導体基板面
全面に接地金属を形成したものである。
〔作用〕
この発明における伝送線路は、半絶縁性化合物半導体基
板の一方の面に形成された金属線路に沿って半絶縁性化
合物半導体基板の他方の面を基板厚よりも薄くエツチン
グすることから、線路幅と基板厚の比が大きくなり、低
インピーダンスの伝送線路が実現される。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図において、１は半絶縁性化合物半導体基板、２は
前記半絶縁性化合物半導体基板１の一方の面に形成され
た金属線路、３は前記金属１’ｌｒ２に沿って半絶縁性
化合物半導体基板１の他方の面にエツチングによって形
成された溝、４は前記溝３を含む半絶縁性化合物半導体
基板１全面に形成された接地金属、５は前記溝３部分の
接地金属を示す。
第１図に示すように形成された金属線路２は、接地金属
５が金属線Ｆ￥１２の下以外の半絶縁性化合物半導体基
板１の接地金属４より近づくため、線路幅が一定の場合
、同じ基板上で同一幅の金属線路より低インピーダンス
となり、接地金属４側の半絶縁性化合物半導体基板１の
エツチング量で伝送線路の特性インピーダンスを制御で
きる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明は、半絶縁性化合物半導
体基板の一方の面上に形成された金属線路に沿って半絶
縁性化合物半導体基板の他方の面をエツチングして溝を
形成し、この溝を含む半絶縁性化合物半導体基板面全面
に接地金属を形成したので、線路幅を拡げずに低インピ
ーダンス線路を実現でき、チップ面積の縮小化が図れる
利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例を示す伝送線路の斜視図、
第２図は従来の伝送線路の斜視図である。 図において、１は半絶縁性化合物半導体基板、２は金属
線路、３は溝、４は接地金属、５は溝部分の接地金属で
ある。 な、お、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す
。 代理人　大　岩　増　雄　　　（外２名）第１図 第２＠ ］　　　　　　　　４

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 一方の面に金属線路が形成された半絶縁性化合物半導体
    基板の他方の面を前記金属線路に沿ってエッチングして
    溝を形成し、この溝を含む前記半絶縁性化合物半導体基
    板面全面に接地金属を形成したことを特徴とする伝送線
    路。
JP62008472A 1987-01-17 1987-01-17 伝送線路 Pending JPS63176001A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0452917A2 (en) * 1990-04-19 1991-10-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Microwave device
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WO2021214870A1 (ja) * 2020-04-21 2021-10-28 日本電信電話株式会社 インピーダンス変換器とその製造方法

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