JPS63266901A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63266901A JPS63266901A JP62100624A JP10062487A JPS63266901A JP S63266901 A JPS63266901 A JP S63266901A JP 62100624 A JP62100624 A JP 62100624A JP 10062487 A JP10062487 A JP 10062487A JP S63266901 A JPS63266901 A JP S63266901A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip conductor
- semiconductor substrate
- conductor
- semiconductor device
- ground conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分腎〕
この発明は、半導体装置に係り、特に半導体基板上に設
けられたマイクロストリップ線路に関するものである。
けられたマイクロストリップ線路に関するものである。
従来のこの種の半導体装置の断面図を第２図に示す。
乙の図において、１は半導体基板、２はこの半導体基板
１の表面に設けられたストリップ導体、３は前記半導体
基板１の裏面を被う接地導体で、一般にはこの種の半導
体装置はマイクロストリップ線路と呼ばれている。
１の表面に設けられたストリップ導体、３は前記半導体
基板１の裏面を被う接地導体で、一般にはこの種の半導
体装置はマイクロストリップ線路と呼ばれている。
しかして、マイクロストリップ線路は、マイクロ波集積
回路の分布定数線路として良く利用される。つまり、一
般にこの種のマイクロストリップ線路は、マイク音波集
積回路のトランスミッシ′ヨンライン、スタブ等として
非常に多用されている。
回路の分布定数線路として良く利用される。つまり、一
般にこの種のマイクロストリップ線路は、マイク音波集
積回路のトランスミッシ′ヨンライン、スタブ等として
非常に多用されている。
従来の半導体装置は、以上のように構成されているので
、放射損失が生じ、マイクロ波集積回路のようなマイク
ロストリップ１！略を多用する場合には、放射損失が増
加するなどの問題点があった。
、放射損失が生じ、マイクロ波集積回路のようなマイク
ロストリップ１！略を多用する場合には、放射損失が増
加するなどの問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、マイクロストリップ線路の放射損失を低減
した半導体装置を得ることを目的とする。
れたもので、マイクロストリップ線路の放射損失を低減
した半導体装置を得ることを目的とする。
乙の発明に係る半導体装置は、半導体基板の表面に適宜
な溝を形成し、この溝内にストリップ導体を設けるとと
もに、ストリップ導体の上部を所定の空間を保持して接
地導体金属で被ったものである。
な溝を形成し、この溝内にストリップ導体を設けるとと
もに、ストリップ導体の上部を所定の空間を保持して接
地導体金属で被ったものである。
この発明においては、半導体基板の表面に形成した溝の
中にストリップ導体を設けるとともに、スｌ−＋３ツブ
導体の上部を所定の空間を保持して接地導体金属で被う
ことにより、マイクロストリップ線路の放射損失が低減
される。
中にストリップ導体を設けるとともに、スｌ−＋３ツブ
導体の上部を所定の空間を保持して接地導体金属で被う
ことにより、マイクロストリップ線路の放射損失が低減
される。
以下、この発明の一実施例を第１図により説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
である。この図において、１〜３は第２図と同じものを
示すが・、ストリップ導体２は、半導体基板１の表面に
形成された適宜な溝５内に設けるとともに、このストリ
ップ導体２上を所定の空間を保持して接地導体金属４で
被ったものである。
である。この図において、１〜３は第２図と同じものを
示すが・、ストリップ導体２は、半導体基板１の表面に
形成された適宜な溝５内に設けるとともに、このストリ
ップ導体２上を所定の空間を保持して接地導体金属４で
被ったものである。
したがって、乙の実施例によるマイクロストリップｗ１
．ＮＩでは、マイクロストリップ線路のストリップ導体
２の上部が接地導体金属４で被われていることから、マ
イクロストリップ線路を通過するマイクロ波の放射波を
抑えることが可能なため、放射損失の低減が達成できる
。
．ＮＩでは、マイクロストリップ線路のストリップ導体
２の上部が接地導体金属４で被われていることから、マ
イクロストリップ線路を通過するマイクロ波の放射波を
抑えることが可能なため、放射損失の低減が達成できる
。
以上説明したように、この発明は、半導体基板の表面に
形成した溝中にストリップ導体を設けるとともに、との
ストリップ導体の上部を所定の空間を保持して接地導体
金属で被う構成としたので、マイクロストリップ線路を
通過するマイクロ波の放射損失を低減できるという効果
がある。
形成した溝中にストリップ導体を設けるとともに、との
ストリップ導体の上部を所定の空間を保持して接地導体
金属で被う構成としたので、マイクロストリップ線路を
通過するマイクロ波の放射損失を低減できるという効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置を示ず断面図である。 図において、１は半導体基板、２はストリップ導体、３
は接地導体、４は接地導体金属、５は溝である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
、第２図は従来の半導体装置を示ず断面図である。 図において、１は半導体基板、２はストリップ導体、３
は接地導体、４は接地導体金属、５は溝である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板の表面に適宜な溝を形成し、この溝中にス
トリップ導体を設けるとともに、前記ストリップ導体上
を所定の空間を保持して接地導体金属で被う構成とした
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100624A JPS63266901A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62100624A JPS63266901A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63266901A true JPS63266901A (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=14278989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62100624A Pending JPS63266901A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63266901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510758A (en) * | 1993-04-07 | 1996-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps |
| US6475604B1 (en) | 1999-06-03 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film thermistor element and method for the fabrication of thin film thermistor element |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP62100624A patent/JPS63266901A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5510758A (en) * | 1993-04-07 | 1996-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps |
| US6475604B1 (en) | 1999-06-03 | 2002-11-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film thermistor element and method for the fabrication of thin film thermistor element |
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