JPS6317569A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
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- JPS6317569A JPS6317569A JP61161409A JP16140986A JPS6317569A JP S6317569 A JPS6317569 A JP S6317569A JP 61161409 A JP61161409 A JP 61161409A JP 16140986 A JP16140986 A JP 16140986A JP S6317569 A JPS6317569 A JP S6317569A
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- Japan
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- pin
- frame
- another
- phototransistor
- emitting diode
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Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 5
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、パッケージ内に複数回路のホトカプラを有
する光結合素子に関するものである。
する光結合素子に関するものである。
第３図は従来の光結合素子として例えばＤＩＰタイプの
ホトトランジスタカプラの平面図で同図（、）は１回路
型を、同図（ｂ）は２回路型をそれぞれ示したものであ
る。同図において、同図（、）の１回路≠ 、＋ ・ 型では入力側端子 １ ２ヒフ１，２と出力側端子＋３
．＋４ピン３，４とが、同図（ｂ）の２回路型では入力
側端子≠１．”２．”３．＋４ ピン１゜２．３．４と
、出力側端子＋５．＋６ 、 ＋７．４’８ピン５，６
，７，８とがそれぞれパッケージ９の両端側に分かれて
配置されている。なお、１０゜１０＆ 、１０ｂは発
光ダイオード、１１ ｔ １１ｓ ｔｌｌｂはホトトラ
ンジスタである。
ホトトランジスタカプラの平面図で同図（、）は１回路
型を、同図（ｂ）は２回路型をそれぞれ示したものであ
る。同図において、同図（、）の１回路≠ 、＋ ・ 型では入力側端子 １ ２ヒフ１，２と出力側端子＋３
．＋４ピン３，４とが、同図（ｂ）の２回路型では入力
側端子≠１．”２．”３．＋４ ピン１゜２．３．４と
、出力側端子＋５．＋６ 、 ＋７．４’８ピン５，６
，７，８とがそれぞれパッケージ９の両端側に分かれて
配置されている。なお、１０゜１０＆ 、１０ｂは発
光ダイオード、１１ ｔ １１ｓ ｔｌｌｂはホトトラ
ンジスタである。
このように構成されるホトトランジスタカプラを用いて
電位の異なる回路間の双方向信号伝達を行なう場合、第
３図（ｂ）の２回路型は、入力端子側の＋２．≠３ピン
２，３問および出゛力端子側の＋６．＋７ ピン６．７
間の距離が短かいため、絶縁耐圧に問題があシ、使用が
困難であることから、第３図（、）の１回路型２個を入
出力の端子が逆並列の位置となるように配置するか、間
隔をあけて配置して使用しなければならなかった。
電位の異なる回路間の双方向信号伝達を行なう場合、第
３図（ｂ）の２回路型は、入力端子側の＋２．≠３ピン
２，３問および出゛力端子側の＋６．＋７ ピン６．７
間の距離が短かいため、絶縁耐圧に問題があシ、使用が
困難であることから、第３図（、）の１回路型２個を入
出力の端子が逆並列の位置となるように配置するか、間
隔をあけて配置して使用しなければならなかった。
従来のホトトランジスタカプラを用いた異なる電位間の
双方向信号伝達は、１回路型のホトトランジスタカプラ
を２個使用しなければならず、２回路型のホトトランジ
スタカプラは使用できないので、実装面積が大きくなる
などの問題があった。
双方向信号伝達は、１回路型のホトトランジスタカプラ
を２個使用しなければならず、２回路型のホトトランジ
スタカプラは使用できないので、実装面積が大きくなる
などの問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためなされた
もので、異なる電位間の双方向信号伝達ができる複数回
路型の光結合素子を得ることを目的としている。
もので、異なる電位間の双方向信号伝達ができる複数回
路型の光結合素子を得ることを目的としている。
この発明に係る光結合素子は、複数組のホトカプラを逆
並列に配置し、パッケージの一方の端子側にそれぞれ入
力側と出力側との双方のピンを配置するように１つのパ
ッケージに収めたものであるＯ 〔作 用〕 この発明における光結合素子は、パッケージの一方の端
子側に入力側と出力側との双方のピンを有するため、入
力側と出力側との間で共通のピンの使用が可能となシ、
全体の端子数が減少し、外形も小さくなる。
並列に配置し、パッケージの一方の端子側にそれぞれ入
力側と出力側との双方のピンを配置するように１つのパ
ッケージに収めたものであるＯ 〔作 用〕 この発明における光結合素子は、パッケージの一方の端
子側に入力側と出力側との双方のピンを有するため、入
力側と出力側との間で共通のピンの使用が可能となシ、
全体の端子数が減少し、外形も小さくなる。
〔実施例〕
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明による光結合素子の一実施例を示す斜
視図であシ、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、＋２ピン２のフレーム２′には発
光ダイオード１０ａがダイボンディングされ、ポンディ
ングワイヤ１２によりΦ１ピン１のフレーム１′と接続
されている。一方、発光ダイオード１０ａと対向するホ
トトランジスタ１１＆は、＋６ピン６のフレーム６′に
ダイボンディングされ、≠５ピン５フレーム５′とポン
ディングワイヤ１３によシ接続されている。また、４Ｐ
３ピン３のフレーム３′にはホトトランジスタ１１ｂが
ダイボンディングされ、ポンディングワイ−ｆｉ４によ
シ＋２ピン２のフレーム２″と接続されている。ホトト
ランジスタ１１ｂと対向する発光ダイオード１０ｂは＋
５ピン５のフレーム５′にダイボンディングされ、４Ｐ
４ピン４のフレーム４′とポンディングワイヤ１５によ
シ接続されている。
視図であシ、前述の図と同一部分には同一符号を付しで
ある。同図において、＋２ピン２のフレーム２′には発
光ダイオード１０ａがダイボンディングされ、ポンディ
ングワイヤ１２によりΦ１ピン１のフレーム１′と接続
されている。一方、発光ダイオード１０ａと対向するホ
トトランジスタ１１＆は、＋６ピン６のフレーム６′に
ダイボンディングされ、≠５ピン５フレーム５′とポン
ディングワイヤ１３によシ接続されている。また、４Ｐ
３ピン３のフレーム３′にはホトトランジスタ１１ｂが
ダイボンディングされ、ポンディングワイ−ｆｉ４によ
シ＋２ピン２のフレーム２″と接続されている。ホトト
ランジスタ１１ｂと対向する発光ダイオード１０ｂは＋
５ピン５のフレーム５′にダイボンディングされ、４Ｐ
４ピン４のフレーム４′とポンディングワイヤ１５によ
シ接続されている。
発光ダイオード１０ａ 、 ＩＱｂとホトトランジスタ
１１ｍ 、 １１ｂとはそれぞれ対向して信号を伝達し
、第２図に示したようなピン配置となる。
１１ｍ 、 １１ｂとはそれぞれ対向して信号を伝達し
、第２図に示したようなピン配置となる。
このような構成によれば光結合素子は、＋ｉ 。
≠２．４３ピン１．２．３と≠４ 、 ＋ｓ 、 ＋６
ピン４，５．６との間の絶縁耐圧は十分大きくすること
ができるので、電位の異なる回路間の双方向信号伝達に
使用が可能となシ、ピン２およびピン５において、それ
ぞれ発光ダイオード１０ｍ 、 １Ｑｂのカソードとホ
トトランジスタｌ１ｍ 、 １１ｂのエミッタとを共通
端子としたことＫよ〕、外部端子数が減少し、外形も小
さくなる０ なお、上記実施例は、ホトトランジスタカプラの場合に
ついて説明したが、ホ））ライアツクカプラ、ホトサイ
リスタカプラあるいはホトＩＣカプラであってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
ピン４，５．６との間の絶縁耐圧は十分大きくすること
ができるので、電位の異なる回路間の双方向信号伝達に
使用が可能となシ、ピン２およびピン５において、それ
ぞれ発光ダイオード１０ｍ 、 １Ｑｂのカソードとホ
トトランジスタｌ１ｍ 、 １１ｂのエミッタとを共通
端子としたことＫよ〕、外部端子数が減少し、外形も小
さくなる０ なお、上記実施例は、ホトトランジスタカプラの場合に
ついて説明したが、ホ））ライアツクカプラ、ホトサイ
リスタカプラあるいはホトＩＣカプラであってもよく、
上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、複数組のホトカプラ
を逆並列に配置し、１つのパッケージ内に構成したので
、電位の異なる回路間の双方向の信号伝達が容易となシ
、また外形の小さい光結合素子が得られるという極めて
優れた効果を有する。
を逆並列に配置し、１つのパッケージ内に構成したので
、電位の異なる回路間の双方向の信号伝達が容易となシ
、また外形の小さい光結合素子が得られるという極めて
優れた効果を有する。
第１図はこの発明の一実施例による光結合素子を示す構
成図、第２図はそのピン配置を示す平面図、第３図は従
来の光結合素子の平面図である。 １ ．２，３，４，５，６・・・・ピン、１′ 。 ２’ 、３’ 、４’ 、５’ 、６’ ・・
・・フレーム、９・・・・パッケージ、１０ａ ＊ １
０ｂ・・・・発光ダイオード、１１ａ１１１ｂＩ１１１
＠・ホトトランジスタ、１２，１３，１４，１５・・・
・ポンディングワイヤ。
成図、第２図はそのピン配置を示す平面図、第３図は従
来の光結合素子の平面図である。 １ ．２，３，４，５，６・・・・ピン、１′ 。 ２’ 、３’ 、４’ 、５’ 、６’ ・・
・・フレーム、９・・・・パッケージ、１０ａ ＊ １
０ｂ・・・・発光ダイオード、１１ａ１１１ｂＩ１１１
＠・ホトトランジスタ、１２，１３，１４，１５・・・
・ポンディングワイヤ。
Claims (1)
- パッケージ内に複数組のホトカプラを収納配置した光結
合素子において、前記複数組のホトカプラの入出力ピン
をパッケージの一方側に互いに逆並列に配置したことを
特徴とする光結合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61161409A JPS6317569A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61161409A JPS6317569A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光結合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317569A true JPS6317569A (ja) | 1988-01-25 |
Family
ID=15734543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61161409A Pending JPS6317569A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6317569A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304819A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-activated semiconductor device having light-emitting elements, light-receiving elements and output elements |
| US5345053A (en) * | 1992-08-25 | 1994-09-06 | Sodick Co., Ltd. | Method and apparatus for supplying power for electric discharge machining |
| US5380974A (en) * | 1993-02-25 | 1995-01-10 | Sodick Co., Ltd. | Wire-cut electroerosion apparatus |
| JP2007335671A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 光結合素子、電子機器および光結合素子の製造方法 |
| WO2011060747A1 (zh) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | 亿广科技(上海)有限公司 | 光耦合器 |
| JP2017034127A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP61161409A patent/JPS6317569A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304819A (en) * | 1992-06-29 | 1994-04-19 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-activated semiconductor device having light-emitting elements, light-receiving elements and output elements |
| US5345053A (en) * | 1992-08-25 | 1994-09-06 | Sodick Co., Ltd. | Method and apparatus for supplying power for electric discharge machining |
| US5380974A (en) * | 1993-02-25 | 1995-01-10 | Sodick Co., Ltd. | Wire-cut electroerosion apparatus |
| JP2007335671A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 光結合素子、電子機器および光結合素子の製造方法 |
| WO2011060747A1 (zh) * | 2009-11-23 | 2011-05-26 | 亿广科技(上海)有限公司 | 光耦合器 |
| JP2017034127A (ja) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | 光結合装置 |
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